CN111842060A - 电子设备壳体及其制作方法和电子设备 - Google Patents

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CN111842060A CN202010679840.0A CN202010679840A CN111842060A CN 111842060 A CN111842060 A CN 111842060A CN 202010679840 A CN202010679840 A CN 202010679840A CN 111842060 A CN111842060 A CN 111842060A
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Abstract

本申请提供了电子设备壳体及其制作方法和电子设备。该电子设备壳体包括：基材层；第一PU底漆层，所述第一PU底漆层设置在所述基材层的一个表面上；第二PU底漆层，所述第二PU底漆层设置在所述第一PU底漆层远离所述基材层的表面上；抛光层，所述抛光层设置在所述第二PU底漆层远离所述第一PU底漆层的表面上；UV面漆层，所述UV面漆层设置在所述抛光层远离所述第二PU底漆层的表面上；和光学镀膜层，所述光学镀膜层设置在所述UV面漆层远离所述抛光层的表面上。该电子设备壳体成本低、良率高、产能高，易于工业化生产，且可以实现高光泽度和高反射率的陶瓷外观效果。

Description

电子设备壳体及其制作方法和电子设备
技术领域
本申请涉及电子设备技术领域，具体地，涉及电子设备壳体及其制作方法和电子设备。
背景技术
在相关技术中，具有陶瓷外观效果的电子设备壳体通常是通过陶瓷干压烧结抛光技术或者陶瓷粉末喷涂抛光技术制作的。然而，上述两种工艺所使用的陶瓷粉末本身价格较为昂贵，且工艺本身的良率不高、产能较低。
因而，现有的电子设备壳体的制作工艺仍有待改进。
发明内容
在本申请的一个方面，本申请提供了一种电子设备壳体。该电子设备壳体包括：基材层；第一PU底漆层，所述第一PU底漆层设置在所述基材层的一个表面上；第二PU底漆层，所述第二PU底漆层设置在所述第一PU底漆层远离所述基材层的表面上；抛光层，所述抛光层设置在所述第二PU底漆层远离所述第一PU底漆层的表面上；UV面漆层，所述UV面漆层设置在所述抛光层远离所述第二PU底漆层的表面上；和光学镀膜层，所述光学镀膜层设置在所述UV面漆层远离所述抛光层的表面上。该电子设备壳体成本低、良率高、产能高，易于工业化生产，且可以实现高光泽度和高反射率的陶瓷外观效果。
在本申请的另一个方面，本申请提供了一种制作前面所述的电子设备壳体的方法。该方法包括：在基材层的一个表面上形成第一PU底漆层；在所述第一PU底漆层远离所述基材层的表面上形成第二PU底漆层；在所述第二PU底漆层远离所述第一PU底漆层的表面上形成抛光层；在所述抛光层远离所述第二PU底漆层的表面上形成UV面漆层；在所述UV面漆层远离所述抛光层的表面上形成光学镀膜层，以便得到所述电子设备壳体。该方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，且可以有效制作前面所述的电子设备壳体。
在本申请的又一个方面，本申请提供了一种电子设备。该电子设备包括：前面所述的电子设备壳体，所述电子设备壳体中具有容纳空间；和显示屏，所述显示屏设置在所述容纳空间中，且所述显示屏的出光面朝向远离所述电子设备壳体的一侧。该电子设备成本低、良率高、产能高，易于工业化生产，且可以实现高光泽度和高反射率的陶瓷外观效果，并具有前面所述的电子设备壳体的所有特征和优点，在此不再过多赘述。
附图说明
图1显示了本申请一个实施例的电子设备壳体的剖面结构示意图。
图2显示了本申请另一个实施例的电子设备壳体的剖面结构示意图。
图3显示了本申请又一个实施例的电子设备壳体的剖面结构示意图。
图4显示了本申请再一个实施例的电子设备壳体的剖面结构示意图。
图5显示了本申请一个实施例的制作电子设备壳体的方法的流程示意图。
图6a、图6b、图6c、图6d和图6e显示本申请另一个实施例的制作电子设备壳体的方法的流程示意图。
图7显示了本申请又一个实施例的制作电子设备壳体的方法的流程示意图。
图8显示了本申请再一个实施例的制作电子设备壳体的方法的流程示意图。
图9显示了本申请一个实施例的形成抛光层的步骤的流程示意图。
图10显示了本申请再一个实施例的制作电子设备壳体的方法的流程示意图。
图11显示了本申请再一个实施例的制作电子设备壳体的方法的流程示意图。
附图标记：
10：电子设备壳体 100：基材层 200：第一PU底漆层 300：第二PU底漆层 400：抛光层 500：UV面漆层 600：光学镀膜层 610：第一镀层 620：第二镀层 630：第三镀层 700：底涂层 800：防指纹层
具体实施方式
在本申请的一个方面，本申请提供了一种电子设备壳体。结合附图1，可以理解的是，该电子设备壳体10包括：基材层100；第一PU底漆层200(在本申请的描述中，需说明的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征，后文中不再重复赘述)，所述第一PU底漆层200设置在所述基材层100的一个表面上；第二PU底漆层300，所述第二PU底漆层300设置在所述第一PU底漆层200远离所述基材层100的表面上；抛光层400，所述抛光层400设置在所述第二PU底漆层300远离所述第一PU底漆层200的表面上；UV面漆层500，所述UV面漆层500设置在所述抛光层400远离所述第二PU底漆层300的表面上；和光学镀膜层600，所述光学镀膜层600设置在所述UV面漆层500远离所述抛光层400的表面上。该电子设备壳体10成本低、良率高、产能高，易于工业化生产，且各个层结构之间综合起来可以实现高光泽度和高反射率的陶瓷外观效果。
可以理解的是，所述基材层100的材料可以包括金属材料或者塑料中的至少一种。在本申请的一些具体示例中，所述基材层100的材料可以只采用金属材料，或者也可以只材料塑料，亦或是由金属材料与塑料的层叠结构形成，多种基材层的材料均可以适用于本申请中的电子设备壳体10，应用范围较为广泛，商业前景好。另外，所述基材层100的厚度本领域技术人员可以根据实际需要进行灵活选择，在此不再过多赘述。
可以理解的是，所述第一PU底漆层200可以为有色漆，其中含有色浆，通过具有预定颜色的所述第一PU底漆层200来进一步实现多种颜色的陶瓷外观效果；所述第一PU底漆层200的厚度可以是10μm～15μm，在本申请一些具体的示例中，所述第一PU底漆层200的厚度可以是10μm、11μm、12μm、13μm、14μm或者15μm等。由此，可以使得电子设备壳体10具有较佳的颜色的同时，也可以增加后面所述的其他膜层与基材层100之间的结合力。
可以理解的是，所述第二PU底漆层300也可以为有色漆，其中含有色浆，通过具有预定颜色的所述第二PU底漆层300来进一步实现多种颜色的陶瓷外观效果；所述第二PU底漆层300的厚度也可以是10μm～15μm，在本申请一些具体的示例中，所述第二PU底漆层300的厚度可以是10μm、11μm、12μm、13μm、14μm或者15μm等。由此，可以使得电子设备壳体10具有较佳的颜色；另外，第二PU底漆层300中还可以含有一定量的抛光剂，在本申请的一些示例中，基于形成所述第二PU底漆层300的材料的总质量，所述抛光剂的质量百分含量可以是10％～20％，具体地，可以是10％、12％、14％、16％、18％或者20％等，从而可以使得其表面较为平整，进而使得所述电子设备壳体10的表面平整度较高。
可以理解的是，形成所述抛光层400的材料也可以为有色漆，其中含有色浆，通过具有预定颜色的所述抛光层400来进一步实现多种颜色的陶瓷外观效果；所述抛光层400的厚度可以是15μm～20μm，在本申请一些具体的示例中，所述抛光层400的厚度可以是15μm、16μm、17μm、18μm、19μm或者20μm等。由此，可以使得电子设备壳体10具有较佳的颜色；另外，可以理解的是，所述抛光层400的表面粗糙度Ra可以是0.08μm～0.2μm，具体地，可以是0.08μm、0.1μm或者0.2μm等，进而使得其表面的光滑程度较高，进一步而言，所述抛光层的表面粗糙度可以是通过在制作时在形成所述抛光层400的材料中加入抛光剂然后对其进行抛光处理而后得到的，具体而言，在本申请的一些示例中，基于形成所述抛光层400的材料的总质量，所述抛光剂的质量百分含量可以是20％～30％，具体地，可以是20％、22％、24％、26％、28％或者30％等，从而可以使得其表面光泽度高，进而使得所述电子设备壳体10的表面平整度较高，进一步实现其高光泽度和高反射率的陶瓷外观效果。
进一步而言，可以理解的是，由于前面所述的第一PU底漆层200、第二PU底漆层300和抛光层400可以是有颜色的，为了实现较佳的具有预定颜色的陶瓷外观效果，其中，所述第一PU底漆层200的Lab值可以为(10～40，-2.5～2.5，-2.5～2.5)(具体可以是(10，-0.9，1.0))，所述第二PU底漆层300的Lab值可以为(10～40，-2.5～2.5，-2.5～2.5)(具体可以是(16，0.9，-1.2))，所述抛光层400的Lab值可以为(10～40，-2.5～2.5，-2.5～2.5)(具体可以是(21，-0.3，0.5))。由此，可以搭配出较优的陶瓷外观的颜色效果。
可以理解的是，所述UV面漆层500，其具有高光泽高光泽度的外观效果，且表面通透度高，外观顺滑光洁的同时，耐磨性也较佳，在本申请的一些示例中，所述UV面漆层的厚度可以是20μm～30μm，具体地，可以是20μm、22μm、24μm、26μm、28μm或者30μm等，进而进一步提高电子设备壳体10的光泽度、反射率，以实现更佳的陶瓷外观效果。
可以理解的是，形成所述光学镀膜层600的材料可以包括钛氧化物、硅氧化物、铌氧化物和锆氧化物中的至少一种，在本申请一个具体的示例中，结合附图2，所述光学镀膜层可以进一步包括：第一镀层610，所述第一镀层610设置在所述UV面漆层500远离所述抛光层400的表面上；第二镀层620，所述第二镀层620设置在所述第一镀层610远离所述UV面漆层500的表面上；和第三镀层630，所述第三镀层630设置在所述第二镀层620远离所述第一镀层610的表面上。由此，所述光学镀膜层600可以实现较佳的晶莹剔透的陶瓷外观质感，进而使得电子设备壳体10更好的实现高光泽度、高反射率的陶瓷外观效果。
进一步地，申请人对于形成前面所述的第一镀层610、第二镀层620和第三镀层630的材料进行了深入的考察和大量的实验验证后发现，当所述光学镀膜层满足以下任意一种时，相较于其他种类的光学镀膜层，其对于光线具有更佳的透射作用，可以使得电子设备壳体10的光泽度显著提高，颜色更加鲜亮，且所实现的陶瓷外观效果的质感较佳，从而使得电子设备壳体10产品的竞争力显著提高，商业前景好：(1)形成所述第一镀层610的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层620的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层630的材料为硅氧化物；(2)形成所述第一镀层610的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层620的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层630的材料为硅氧化物；(3)形成所述第一镀层610的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层620的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层630的材料为硅氧化物；(4)形成所述第一镀层610的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层620的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层630的材料为硅氧化物。
更进一步地，当前面所述的第二镀层620的厚度为所述光学镀膜层的总厚度的60％～70％时，具体地，可以是60％、62％、64％、66％、68％或者70％时，可以实现更为优异的陶瓷外观效果，从而进一步提升产品竞争力。
另外，可以理解的是，所述光学镀膜层600的厚度可以是40nm～300nm，具体地，在本申请的一些示例中，其可以是40nm、80nm、100nm、120nm、150nm、200nm、220nm、250nm或者300nm等，其具体厚度可以根据电子设备壳体10的外观需要进行调整，在此不再过多赘述。
另外，结合附图3，可以理解的是，在本申请的另一些示例中，所述电子设备壳体10还可以包括：底涂层700，所述底涂层700设置在所述基材层100和所述第一PU底漆层200之间，形成所述底涂层700的材料可以具体为PU处理剂，其厚度可以是5μm～8μm，具体可以是5μm、6μm、7μm或者8μm等，进而可以使得前面所述的其他膜层与基材层100之间的结合力较高，电子设备壳体10的使用寿命更长。
结合附图4，可以理解的是，在本申请的又一些示例中，所述电子设备壳体10还可以包括：防指纹层800，所述防指纹层800设置在所述光学镀膜层远离所述UV面漆层500的表面上。具体而言，形成所述防指纹层800的材料可以是氟硅烷，其厚度可以是3nm～10nm，具体地，所述厚度可以是3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm或者10nm等，进而可以较好地实现防指纹疏水的效果。
结合前面所述，本申请的电子设备壳体10可以实现高光泽度和高反射率的陶瓷外观效果，具体而言，所述电子设备壳体的表面光泽度可以为180Gu～200Gu，具体地，可以为180Gu、185Gu或者200Gu等；所述电子设备壳体外表面的反射率可以为14％～19％，具体地，可以为14％、17％或者19％等；所述电子设备壳体的Lab值可以为(10～40，-2.5～2.5，-2.5～2.5)，具体地，可以为(20，0.9，-2.5)。
在本申请的另一个方面，本申请提供了一种制作前面所述的电子设备壳体的方法。结合附图5和附图6a、附图6b、附图6c、附图6d、附图6e，该方法可以具体包括以下步骤：
S100：在基材层100的一个表面上形成第一PU底漆层200(结构示意图参照附图6a)。
可以理解的是，在基材层100的一个表面上形成第一PU底漆层200的具体工艺可以是喷涂工艺，所述喷涂工艺中的烘烤温度可以是60℃～100℃，具体而言，可以是60℃、70℃、80℃、90℃或者100℃等，喷涂时间可以是20min～40min，具体地，可以是20min、30min或者40min等。由此，操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，且可以有效制作得到第一PU底漆层200。
S200：在所述第一PU底漆层200远离所述基材层100的表面上形成第二PU底漆层300(结构示意图参照附图6b)。
可以理解的是，在所述第一PU底漆层200远离所述基材层100的表面上形成第二PU底漆层300的具体工艺可以是喷涂工艺，所述喷涂工艺中的烘烤温度可以是60℃～100℃，具体而言，可以是60℃、70℃、80℃、90℃或者100℃等，喷涂时间可以是20min～40min，具体地，可以是20min、30min或者40min等。由此，操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，且可以有效制作得到第二PU底漆层300。
S300：在所述第二PU底漆层300远离所述第一PU底漆层200的表面上形成抛光层400(结构示意图参照附图6c)。
具体而言，结合附图9，在本申请一个具体的示例中，可以理解的是，所述抛光层可以是经过以下步骤制得的：
S310：在所述第二PU底漆层远离所述第一PU底漆层的表面上形成第三PU底漆层。
可以理解的是，在所述第二PU底漆层远离所述第一PU底漆层的表面上形成第三PU底漆层的具体工艺可以是喷涂工艺，所述喷涂工艺中的烘烤温度可以是60℃～100℃，具体而言，可以是60℃、70℃、80℃、90℃或者100℃等，喷涂时间可以是20min～40min，具体地，可以是20min、30min或者40min等。由此，操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，且可以有效制作得到第三PU底漆层。
S320：对所述第三PU底漆层远离所述第二PU底漆层的表面进行抛光处理，得到所述抛光层。
可以理解的是，所述抛光处理的具体工艺条件和参数，本领域技术人员可以根据实际需要进行灵活选择，在本申请的一些示例中，可以在形成所述第三PU底漆层的材料中加入抛光剂然后再对其进行所述抛光处理，具体而言，在本申请的一些示例中，基于所述材料的总质量，所述抛光剂的质量百分含量可以是20％～30％，具体地，可以是20％、22％、24％、26％、28％或者30％等，从而可以使得制作得到的抛光层的表面光泽度较高。
S400：在所述抛光层400远离所述第二PU底漆层300的表面上形成UV面漆层500(结构示意图参照附图6d)。
可以理解的是，在所述抛光层400远离所述第二PU底漆层300的表面上形成UV面漆层500的具体工艺可以是喷涂工艺，所述喷涂工艺中的烘烤温度可以是60℃～100℃，具体而言，可以是60℃、70℃、80℃、90℃或者100℃等，喷涂时间可以是20min～40min，具体地，可以是20min、30min或者40min等；另外，在形成所述UV面漆层500时，经过紫外光照射固化成型，所述紫外光的能量可以是1000mj/cm2～1200mj/cm2，具体而言，可以是1000mj/cm2、1100mj/cm2或者1200mj/cm2等。由此，操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，且可以有效制作得到UV面漆层500。
S500：在所述UV面漆层500远离所述抛光层400的表面上形成光学镀膜层600，以便得到所述电子设备壳体10(结构示意图参照附图6e)。
可以理解的是，在所述UV面漆层500远离所述抛光层400的表面上形成光学镀膜层600的工艺包括气相沉积技术，在本申请的一些具体的示例中，所述气相沉积技术可以为物理气相沉积技术，在进行所述物理气相沉积时，温度可以是40℃～60℃，具体地，可以是40℃、50℃或者60℃等。由此，操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，且可以有效制作得到光学镀膜层600，成本较低，良率较高。
进一步地，在本申请的另一些示例中，结合附图7，在所述基材层的一个表面上形成所述第一PU底漆层之前，该方法还可以包括以下步骤：
S600：对所述基材层的表面进行抛光处理。
可以理解的是，所述抛光处理的具体工艺条件和参数，本领域技术人员可以根据实际需要进行灵活选择，在此不再过多赘述。由此，可以使得基材层表面的平整度较高，在后续所形成的膜层平整度也较高，且操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产。
另外，更进一步地，在本申请的又一些示例中，结合附图8，在所述基材层的一个表面上形成所述第一PU底漆层之前，该方法还可以包括以下步骤：
S700：对所述基材层的表面进行钝化处理。
可以理解的是，所述钝化处理的具体工艺条件和参数，本领域技术人员可以根据实际需要进行灵活选择，在此不再过多赘述。由此，可以使得基材层表面形成有一定的微孔结构，在后续所形成的膜层时与基材层的结合力较高，且操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产。
另外，又进一步地，在本申请的再一些示例中，结合附图10，在所述基材层的一个表面上形成所述第一PU底漆层之前，该方法还可以包括以下步骤：
S800：在形成所述第一PU底漆层之前，在所述基材层100的一个表面上形成底涂层700(结构示意图参照附图3)。
可以理解的是，在所述基材层的一个表面上形成底涂层700的具体工艺可以是喷涂工艺，所述喷涂工艺中的烘烤温度可以是100℃～120℃，具体而言，可以是100℃、105℃、110℃、115℃或者120℃等，喷涂时间可以是20min～40min，具体地，可以是20min、30min或者40min等。由此，操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，且可以有效制作得到底涂层700。
另外，再进一步地，在本申请的再一些示例中，结合附图11，该方法还可以包括以下步骤：
S900：在所述光学镀膜层远离所述UV面漆层500的表面上形成防指纹层800(结构示意图参照附图4)。
可以理解的是，在所述光学镀膜层远离所述UV面漆层500的表面上形成防指纹层800的具体工艺可以是蒸镀，所述蒸镀温度可以是40℃～60℃，具体而言，可以是40℃、50℃或者60℃等。由此，操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，且可以有效制作得到防指纹层800。
在本申请的又一个方面，本申请提供了一种电子设备。该电子设备包括：前面所述的电子设备壳体，所述电子设备壳体中具有容纳空间；和显示屏，所述显示屏设置在所述容纳空间中，且所述显示屏的出光面朝向远离所述电子设备壳体的一侧。该电子设备成本低、良率高、产能高，易于工业化生产，且可以实现高光泽度和高反射率的陶瓷外观效果，并具有前面所述的电子设备壳体的所有特征和优点，在此不再过多赘述。
可以理解的是，除前面所述的结构以外，该电子设备还可以包括其他常规电子设备的结构和部件，在此不再过多赘述。
可以理解的是，该电子设备可以包括但不限于手机、平板电脑、游戏机、智能手表等，在此不再过多赘述。由此，应用范围广泛。
下面详细描述本申请的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
实施例1
结合附图4，实施例1提供了一种电子设备壳体，包括：基材层100；第一PU底漆层200，所述第一PU底漆层200设置在所述基材层100的一个表面上；第二PU底漆层300，所述第二PU底漆层300设置在所述第一PU底漆层200远离所述基材层100的表面上；抛光层400，所述抛光层400设置在所述第二PU底漆层300远离所述第一PU底漆层200的表面上；UV面漆层500，所述UV面漆层500设置在所述抛光层400远离所述第二PU底漆层300的表面上；和光学镀膜层，所述光学镀膜层设置在所述UV面漆层500远离所述抛光层400的表面上，所述光学镀膜层包括：第一镀层610，所述第一镀层610设置在所述UV面漆层500远离所述抛光层400的表面上；第二镀层620，所述第二镀层620设置在所述第一镀层610远离所述UV面漆层500的表面上；和第三镀层630，所述第三镀层630设置在所述第二镀层620远离所述第一镀层610的表面上，
其中，形成所述第一镀层的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物，其余各层的材料、厚度等具体参数均如前面所述。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为185Gu，外表面的反射率为17％(测试方法：光泽度：采用BYK HS-ZC-048光泽度仪进行测试，计量范围为0～1000Gu，入射光角度60°；反射率：采用KONICA CM-700d分光测色计进行测试，测试波长为400nm～700nm，测量范围为0～175％，分辨率为0.01％，下面实施例中的测试方法与此相同，在后文中不再重复赘述)，制作工艺的良率为70％。
实施例2
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为180Gu，外表面的反射率为14％。
实施例3
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为190Gu，外表面的反射率为17％。
实施例4
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为200Gu，外表面的反射率为19％。
实施例5
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层的材料为铌氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为175Gu，外表面的反射率为13.5％。
实施例6
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层的材料为锆氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为177Gu，外表面的反射率为13.8％。
实施例7
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层的材料为硅氧化物，形成所述第三镀层的材料为锆氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为171Gu，外表面的反射率为13.3％。
实施例8
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层的材料为硅氧化物，形成所述第三镀层的材料为钛氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为167Gu，外表面的反射率为12.5％。
实施例9
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层的材料为硅氧化物，形成所述第三镀层的材料为铌氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为170Gu，外表面的反射率为13％。
实施例10
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层的材料为锆氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为170Gu，外表面的反射率为13％。
实施例11
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层的材料为钛氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为161.5Gu，外表面的反射率为12.8％。
实施例12
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为钛氧化物，形成所述第二镀层的材料为硅氧化物，形成所述第三镀层的材料为钛氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为162Gu，外表面的反射率为12.6％。
实施例13
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为钛氧化物，形成所述第二镀层的材料为硅氧化物，形成所述第三镀层的材料为锆氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为162.5Gu，外表面的反射率为12.5％。
实施例14
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为钛氧化物，形成所述第二镀层的材料为硅氧化物，形成所述第三镀层的材料为铌氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为163Gu，外表面的反射率为12.5％。
实施例15
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为钛氧化物，形成所述第二镀层的材料为锆氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为153.5Gu，外表面的反射率为11.2％。
实施例16
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为钛氧化物，形成所述第二镀层的材料为锆氧化物，形成所述第三镀层的材料为铌氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为152Gu，外表面的反射率为10.7％。
实施例17
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为钛氧化物，形成所述第二镀层的材料为锆氧化物，形成所述第三镀层的材料为钛氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为154Gu，外表面的反射率为11.4％。
实施例18
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为钛氧化物，形成所述第二镀层的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为155.2Gu，外表面的反射率为10.8％。
实施例19
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为钛氧化物，形成所述第二镀层的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层的材料为钛氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为153.7Gu，外表面的反射率为10.3％。
实施例20
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为钛氧化物，形成所述第二镀层的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层的材料为锆氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为152.3Gu，外表面的反射率为10.1％。
实施例21
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层的材料为锆氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为151.5Gu，外表面的反射率为10.3％。
实施例22
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层的材料为铌氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为154Gu，外表面的反射率为10.8％。
实施例23
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层的材料为锆氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为150Gu，外表面的反射率为10.4％。
实施例24
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层的材料为钛氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为152Gu，外表面的反射率为10.6％。
实施例25
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层的材料为锆氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为154Gu，外表面的反射率为10.8％。
实施例26
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层的材料为锆氧化物，形成所述第三镀层的材料为钛氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为166Gu，外表面的反射率为11.1％。
实施例27
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层的材料为锆氧化物，形成所述第三镀层的材料为铌氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为143Gu，外表面的反射率为10.1％。
实施例28
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为铌氧化物，形成所述第二镀层的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层的材料为铌氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为140Gu，外表面的反射率为9.8％。
实施例29
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为铌氧化物，形成所述第二镀层的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层的材料为锆氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为147Gu，外表面的反射率为10.4％。
实施例30
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为铌氧化物，形成所述第二镀层的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为147.5Gu，外表面的反射率为10.5％。
实施例31
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为铌氧化物，形成所述第二镀层的材料为锆氧化物，形成所述第三镀层的材料为钛氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为148Gu，外表面的反射率为10.8％。
实施例32
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为铌氧化物，形成所述第二镀层的材料为锆氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为149Gu，外表面的反射率为10.9％。
实施例33
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为铌氧化物，形成所述第二镀层的材料为锆氧化物，形成所述第三镀层的材料为铌氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为143Gu，外表面的反射率为10.1％。
实施例34
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为铌氧化物，形成所述第二镀层的材料为硅氧化物，形成所述第三镀层的材料为铌氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为146Gu，外表面的反射率为10.3％。
实施例35
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为铌氧化物，形成所述第二镀层的材料为硅氧化物，形成所述第三镀层的材料为钛氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为138Gu，外表面的反射率为9.6％。
实施例36
与实施例1的区别仅在于，形成所述第一镀层的材料为铌氧化物，形成所述第二镀层的材料为硅氧化物，形成所述第三镀层的材料为锆氧化物。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为135Gu，外表面的反射率为9.5％。
对比例1
一种电子设备壳体，形成材料为陶瓷，总厚度与实施例1相同。
测试该电子设备壳体的表面光泽度为188Gu，外表面的反射率为15％，但制作成本远高于实施例1～实施例36，且制作工艺的良率为40％，远低于实施例1。
在本说明书中，尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (14)

1.一种电子设备壳体，其特征在于，包括：
基材层；
第一PU底漆层，所述第一PU底漆层设置在所述基材层的一个表面上；
第二PU底漆层，所述第二PU底漆层设置在所述第一PU底漆层远离所述基材层的表面上；
抛光层，所述抛光层设置在所述第二PU底漆层远离所述第一PU底漆层的表面上；
UV面漆层，所述UV面漆层设置在所述抛光层远离所述第二PU底漆层的表面上；和
光学镀膜层，所述光学镀膜层设置在所述UV面漆层远离所述抛光层的表面上。
2.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，形成所述光学镀膜层的材料包括钛氧化物、硅氧化物、铌氧化物和锆氧化物中的至少一种，
任选地，所述光学镀膜层包括：
第一镀层，所述第一镀层设置在所述UV面漆层远离所述抛光层的表面上；
第二镀层，所述第二镀层设置在所述第一镀层远离所述UV面漆层的表面上；和
第三镀层，所述第三镀层设置在所述第二镀层远离所述第一镀层的表面上，
任选地，所述光学镀膜层满足以下任意一种：
(1)形成所述第一镀层的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物；
(2)形成所述第一镀层的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物；
(3)形成所述第一镀层的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物；
(4)形成所述第一镀层的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物。
3.根据权利要求2所述的电子设备壳体，其特征在于，所述第二镀层的厚度为所述光学镀膜层的总厚度的60％～70％。
4.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述第一PU底漆层的Lab值为(10～40，-2.5～2.5，-2.5～2.5)，所述第二PU底漆层的Lab值为(10～40，-2.5～2.5，-2.5～2.5)，所述抛光层的Lab值为(10～40，-2.5～2.5，-2.5～2.5)。
5.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，满足以下条件的至少之一：
所述光学镀膜层的厚度为40nm～300nm；
所述UV面漆层的厚度为20μm～30μm；
所述抛光层的厚度为15μm～20μm；
所述抛光层的表面粗糙度Ra为0.08μm～0.2μm；
所述第一PU底漆层的厚度为10μm～15μm；
所述第二PU底漆层的厚度为10μm～15μm；
所述电子设备壳体的表面光泽度为180Gu～200Gu；
所述电子设备壳体外表面的反射率为14％～19％；
所述电子设备壳体的Lab值为(10～40，-2.5～2.5，-2.5～2.5)。
6.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，还包括：
底涂层，所述底涂层设置在所述基材层和所述第一PU底漆层之间。
7.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，还包括：
防指纹层，所述防指纹层设置在所述光学镀膜层远离所述UV面漆层的表面上。
8.一种制作权利要求1～7中任一项所述的电子设备壳体的方法，其特征在于，包括：
在基材层的一个表面上形成第一PU底漆层；
在所述第一PU底漆层远离所述基材层的表面上形成第二PU底漆层；
在所述第二PU底漆层远离所述第一PU底漆层的表面上形成抛光层；
在所述抛光层远离所述第二PU底漆层的表面上形成UV面漆层；
在所述UV面漆层远离所述抛光层的表面上形成光学镀膜层，以便得到所述电子设备壳体。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述基材层的一个表面上形成所述第一PU底漆层之前，还包括以下步骤的至少之一：
对所述基材层的表面进行抛光处理；
对所述基材层的表面进行钝化处理。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述抛光层是经过以下步骤制得的：
在所述第二PU底漆层远离所述第一PU底漆层的表面上形成第三PU底漆层；
对所述第三PU底漆层远离所述第二PU底漆层的表面进行抛光处理，得到所述抛光层。
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述第一PU底漆层、所述第二PU底漆层、所述抛光层、所述UV面漆层的工艺各自独立地包括喷涂工艺。
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述光学镀膜层的工艺包括气相沉积技术，
任选地，所述气相沉积技术为物理气相沉积技术。
13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤的至少之一：
在形成所述第一PU底漆层之前，在所述基材层的一个表面上形成底涂层；
在所述光学镀膜层远离所述UV面漆层的表面上形成防指纹层。
14.一种电子设备，其特征在于，包括：
权利要求1～7中任一项所述的电子设备壳体，所述电子设备壳体中具有容纳空间；和
显示屏，所述显示屏设置在所述容纳空间中，且所述显示屏的出光面朝向远离所述电子设备壳体的一侧。
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