CN112135452A - 电子设备壳体及其制作方法和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了电子设备壳体及其制作方法和电子设备。该电子设备壳体包括：基材层；漆层，所述漆层设置在所述基材层的第一表面上；纹理层，所述纹理层设置在所述漆层远离所述基材层的表面上，且形成所述纹理层的材料包括光阻油墨；和光学镀膜层，所述光学镀膜层设置在所述纹理层远离所述漆层的表面上。该电子设备壳体可实现绚丽多彩的纹理外观效果，且其表面不易产生褶皱。
Description
技术领域
本申请涉及电子设备技术领域，具体地，涉及电子设备壳体及其制作方法和电子设备。
背景技术
在相关技术中，为了使得电子设备壳体具有绚丽多彩的外观效果，通常会在电子设备壳体的基材层的表面上形成一层纹理层，而这层纹理层通常会采用UV转印的工艺形成，从而提高产品的竞争力。然而，UV转印纹理层形成在基材层的表面上，虽然可以使得电子设备壳体的表面具有较为华丽的外观效果，但是其会受制于基材层的外观形状，当所述基材层的表面不是完全平整的表面时，尤其是当至少部分所述基材层的表面为曲面时(例如金属中框的表面等)，则极容易在电子设备壳体的表面上形成褶皱，导致外观效果的不良。
因而，现有的电子设备壳体的相关技术仍有待改进。
发明内容
在本申请的一个方面，本申请提供了一种电子设备壳体。可以理解的是，该电子设备壳体包括：基材层；漆层，所述漆层设置在所述基材层的第一表面上；纹理层，所述纹理层设置在所述漆层远离所述基材层的表面上，且形成所述纹理层的材料包括光阻油墨；和光学镀膜层，所述光学镀膜层设置在所述纹理层远离所述漆层的表面上。该电子设备壳体可实现绚丽多彩的纹理外观效果，且其表面不易产生褶皱。
在本申请的另一个方面，本申请提供了一种制作前面所述的电子设备壳体的方法。可以理解的是，该方法包括：在基材层的第一表面上形成漆层；在所述漆层远离所述基材层的表面上形成纹理层；在所述纹理层远离所述漆层的表面上形成光学镀膜层，以便得到所述电子设备壳体。该方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，且可以有效制作得到前面所述的电子设备壳体。
在本申请的又一个方面，本申请提供了一种电子设备。可以理解的是，该电子设备包括：前面所述的电子设备壳体，所述电子设备壳体中具有容纳空间；和显示屏，所述显示屏设置在所述容纳空间中，且所述显示屏的出光面朝向远离所述电子设备壳体的一侧。该电子设备可实现绚丽多彩的纹理外观效果，其表面不易产生褶皱，且具有前面所述的电子设备壳体的所有特征和优点，在此不再过多赘述。
附图说明
图1显示了本申请的一个电子设备壳体的剖面结构示意图。
图2显示了本申请的另一个电子设备壳体的剖面结构示意图。
图3显示了本申请的又一个电子设备壳体的剖面结构示意图。
图4显示了本申请的再一个电子设备壳体的剖面结构示意图。
图5显示了本申请的再一个电子设备壳体的剖面结构示意图。
图6显示了本申请的再一个电子设备壳体的剖面结构示意图。
图7显示了本申请的一个制作电子设备壳体的方法的流程示意图。
图8a、图8b和图8c显示了本申请的另一个制作电子设备壳体的方法的流程示意图。
图9显示了本申请的又一个制作电子设备壳体的方法的流程示意图。
图10显示了本申请的再一个制作电子设备壳体的方法的流程示意图。
附图标记：
10：电子设备壳体 100：基材层 200：漆层 210：底漆层 220：色漆层 230：镀膜漆层 300：纹理层 400：光学镀膜层 410：第一镀层 420：第二镀层 430：第三镀层 700：底涂层 800：面漆层
具体实施方式
在本申请的一个方面，本申请提供了一种电子设备壳体。结合附图1，可以理解的是，该电子设备壳体10包括：基材层100；漆层200，所述漆层200设置在所述基材层100的第一表面上(在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征)；纹理层300，所述纹理层300设置在所述漆层200远离所述基材层100的表面上，且形成所述纹理层300的材料包括光阻油墨；和光学镀膜层400，所述光学镀膜层400设置在所述纹理层300远离所述漆层200的表面上。该电子设备壳体10可实现绚丽多彩的纹理外观效果，且其表面不易产生褶皱。
可以理解的是，本申请所述的电子设备壳体10可以具体是手机的金属中框或者手机的金属后盖等，当然，其也不仅仅限于上述种类，也可以是相关技术中的其他种类的电子设备壳体，在此不再过多赘述。
可以理解的是，所述基材层100的材料可以包括金属材料或者塑料中的至少一种。在本申请的一些具体示例中，所述基材层100的材料可以只采用金属材料，或者也可以只材料塑料，亦或是由金属材料与塑料的层叠结构形成，多种基材层的材料均可以适用于本申请中的电子设备壳体10，应用范围较为广泛，商业前景好。另外，所述基材层100的厚度本领域技术人员可以根据实际需要进行灵活选择，在此不再过多赘述。
由于在本申请所述的电子设备壳体10中，采用光阻油墨形成纹理层300，因此，结合附图2，即使是在前面所述的基材层100的至少部分所述第一表面为曲面的前提下，该电子设备壳体10同样可以实现绚丽多彩的纹理外观效果，且其表面不易产生褶皱。可以理解的是，在本申请的一些示例中，所述曲面上任意一点处的曲率D可以满足0＜D＜180°。具体地，所述曲率可以是30°、60°、90°、120°或者150°等。由此，本申请所述的电子设备壳体10可以实现在各种曲率的曲面上形成绚丽多彩的纹理外观效果，且其表面不易产生褶皱，应用范围广泛，商业前景好。
结合附图3，可以理解的是，所述漆层可以进一步包括：底漆层210，所述底漆层210设置在所述第一表面上；色漆层220，所述色漆层220设置在所述底漆层210远离所述基材层100的表面上；和镀膜漆层230，所述镀膜漆层230设置在所述色漆层220远离所述底漆层210的表面上。由此，一方面，可以使得电子设备壳体10具有较佳的颜色的同时，也可以增加后面所述的其他膜层与基材层100之间的结合力；另一方面，可以使得所述电子设备壳体10的表面平整度较高；又一方面，可以使得所述电子设备壳体10表面光泽度高，进而实现高光泽度的外观效果。
具体而言，所述底漆层210可以是PU型树脂漆，其起到遮盖基材层100，提供整平打磨的作用，所述底漆层210的颜色可以选用实色，以便遮盖基材层100；所述底漆层210的厚度可以是20μm～30μm，在本申请一些具体的示例中，所述底漆层210的厚度可以是20μm、22μm、24μm、26μm、28μm或者30μm等。由此，可以进一步使得电子设备壳体10具有较佳的颜色的同时，也可以增加后面所述的其他膜层与基材层100之间的结合力。
具体而言，所述色漆层220可以是PU型树脂漆，其可以根据实际情况选用透明或者半透明的PU型树脂漆，以实现透明或者半透明的视觉外观效果；所述色漆层220的厚度也可以是8μm～12μm，在本申请一些具体的示例中，所述色漆层220的厚度可以是8μm、9μm、10μm、11μm或者12μm等。由此，可以进一步使得所述电子设备壳体10的表面平整度较高。
具体而言，所述镀膜漆层230可以是UV型树脂漆，形成所述镀膜漆层230的材料可以包括硅氧化物、钛氧化物或者锆氧化物中的至少一种；其可以为透明式样，为所述电子设备壳体10提供较高的硬度，以使得其具有较好的耐磨性能，同时，所述镀膜漆层230也为所述电子设备壳体10提供了较为光洁的外观效果；所述镀膜漆层230的厚度可以是20μm～30μm，在本申请一些具体的示例中，所述镀膜漆层230的厚度可以是20μm、22μm、24μm、26μm、28μm或者30μm等。由此，可以进一步使得所述电子设备壳体10表面光泽度高，进而实现高光泽度的外观效果。
进一步地，可以理解的是，基于形成所述纹理层300的材料的总质量，形成所述纹理层300的材料还可以包括：质量百分含量为1％～10％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量不大于1％的纳米氧化物颗粒。具体而言，所述纳米氧化物颗粒可以包括氧化硅或者氧化铝中的至少一种；在所述纹理层中，纹理的深度可以为8μm～10μm，具体地，可以是8μm、9μm或者10μm等；纹理的宽度可以为30μm～60μm，具体地，可以是30μm、40μm、50μm或者60μm等；硬度可以为1H～2H，具体地，可以是1H、1.2H、1.4H、1.6H、1.8H或者2H等。
可以理解的是，形成所述光学镀膜层的材料可以包括钛氧化物、硅氧化物、铌氧化物和锆氧化物中的至少一种，在本申请一个具体的示例中，结合附图4，所述光学镀膜层可以进一步包括：第一镀层410，所述第一镀层410设置在所述纹理层300远离所述漆层的表面上；第二镀层420，所述第二镀层420设置在所述第一镀层410远离所述纹理层300的表面上；和第三镀层430，所述第三镀层430设置在所述第二镀层420远离所述第一镀层410的表面上。由此，所述光学镀膜层还可以实现较佳的晶莹剔透的陶瓷外观质感，进而使得电子设备壳体10进一步实现高光泽度、高反射率的陶瓷外观效果。
进一步地，申请人对于形成前面所述的第一镀层410、第二镀层420和第三镀层430的材料进行了深入的考察和大量的实验验证后发现，当所述光学镀膜层满足以下任意一种时，相较于其他种类的光学镀膜层，其对于光线具有更佳的透射作用，可以使得电子设备壳体10的光泽度显著提高，颜色更加鲜亮，且所实现的陶瓷外观效果的质感较佳，从而使得电子设备壳体10产品的竞争力显著提高，商业前景好：(1)形成所述第一镀层410的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层420的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层430的材料为硅氧化物；(2)形成所述第一镀层410的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层420的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层430的材料为硅氧化物；(3)形成所述第一镀层410的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层420的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层430的材料为硅氧化物；(4)形成所述第一镀层410的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层420的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层430的材料为硅氧化物。
更进一步地，当前面所述的第二镀层420的厚度为所述光学镀膜层的总厚度的60％～70％时，具体地，可以是60％、62％、64％、66％、68％或者70％时，可以实现更为优异的陶瓷外观效果，从而进一步提升产品竞争力。
另外，可以理解的是，所述光学镀膜层的厚度可以是30nm～300nm，具体地，在本申请的一些示例中，其可以是40nm、80nm、100nm、120nm、150nm、200nm、220nm、250nm或者300nm等，其具体厚度可以根据电子设备壳体10的外观需要进行调整，在此不再过多赘述。
另外，结合附图5，可以理解的是，在本申请的另一些示例中，所述电子设备壳体10还可以包括：底涂层700，所述底涂层700设置在所述基材层100和漆层之间，形成所述底涂层700的材料可以具体为PU处理剂，其厚度可以是3μm～5μm，具体可以是3μm、4μm或者5μm等，进而可以使得前面所述的其他膜层与基材层100之间的结合力较高，电子设备壳体10的使用寿命更长。
结合附图6，可以理解的是，在本申请的又一些示例中，所述电子设备壳体10还可以包括：面漆层800，所述面漆层800设置在所述光学镀膜层远离所述纹理层300的表面上。具体而言，形成所述面漆层800的材料可以是UV型树脂漆，在该UV型树脂漆中，可以包括防指纹材料，例如氟硅烷等，其厚度可以是1nm～8nm，具体地，所述厚度可以是1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm或者8nm等，进而可以较好地实现防指纹疏水的效果。
在本申请的另一个方面，本申请提供了一种制作前面所述的电子设备壳体的方法。结合附图7，可以理解的是，该方法可以包括以下步骤：
S100：在基材层100的第一表面上形成漆层200(结构示意图参照图8a)。
可以理解的是，在基材层100的第一表面上形成漆层200的具体工艺可以是喷涂工艺，所述喷涂工艺中的烘烤温度可以是70℃～80℃，具体而言，可以是70℃、74℃、76℃或者80℃等，喷涂时间可以是20min～40min，具体地，可以是20min、30min或者40min等；UV能量可以为1000mj/cm2～1200mj/cm2，具体地，可以是1000mj/cm2、1100mj/cm2或者1200mj/cm2等，另外，本领域技术人员可以理解，在形成所述漆层200以后，还可以对所述漆层200进行打磨抛光处理，以使得所述漆层200具有较为平整光洁的外观效果。由此，操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，且可以有效制作得到漆层200。
S200：在所述漆层200远离所述基材层100的表面上形成纹理层300(结构示意图参照图8b)。
可以理解的是，在所述漆层200远离所述基材层100的表面上形成纹理层300的具体工艺可以是构图工艺，所述构图工艺可以包括在所述漆层200远离所述基材层100的表面上形成光阻油墨层、覆盖掩膜版、曝光、显影、刻蚀、去除掩膜版等步骤，从而形成纹理层300。所述构图工艺中的UV能量可以为800mj/cm2～1200mj/cm2，具体地，可以是800mj/cm2、900mj/cm2、1000mj/cm2、1100mj/cm2或者1200mj/cm2等；所述构图工艺中的显影液可以包括质量分数为0.8％～1.2％的Na2CO3溶液，具体地，所述Na2CO3溶液的质量分数可以是0.8％、0.9％、1.0％、1.1％或者1.2％等；所述构图工艺的显影温度可以是28℃～32℃，具体地，可以是28℃、29℃、30℃、31℃或者32℃等；所述构图工艺的显影时间可以是40s～60s，具体地，可以是40s、50s或者60s等；所述构图工艺的烘烤温度可以是150℃～180℃，具体地，可以是150℃、160℃、170℃或者180℃等；所述构图工艺的烘烤时间可以是20min～30min，具体地，可以是20min、22min、24min、26min、28min或者30min等。由此，在本申请中，通过在漆层200远离所述基材层100的表面上形成光阻油墨层，然后覆盖掩膜版，后在UV光照条件下固化成型，再通过所述显影液退镀未光固化部分的光阻油墨，进而形成具有预定深度及宽度的纹理层300。
S300：在所述纹理层300远离所述漆层200的表面上形成光学镀膜层400，以便得到所述电子设备壳体10(结构示意图参照图8c)。
可以理解的是，在所述纹理层300远离所述漆层200的表面上形成光学镀膜层400的工艺包括气相沉积技术，在本申请的一些具体的示例中，所述气相沉积技术可以为物理气相沉积技术，在进行所述物理气相沉积时，温度可以是40℃～60℃，具体地，可以是40℃、50℃或者60℃等。由此，操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，且可以有效制作得到光学镀膜层600，成本较低，良率较高。
另外，又进一步地，在本申请的再一些示例中，结合附图9，在形成所述漆层200之前，该方法还可以包括以下步骤：
S400：在所述第一表面上形成底涂层700(结构示意图参照附图5)。
可以理解的是，在所述第一表面上形成底涂层700的具体工艺可以是喷涂工艺，所述喷涂工艺中的烘烤温度可以是70℃～80℃，具体而言，可以是70℃、72℃、74℃、78℃或者80℃等，喷涂时间可以是20min～40min，具体地，可以是20min、30min或者40min等。由此，操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，且可以有效制作得到底涂层700。
另外，再进一步地，在本申请的再一些示例中，结合附图10，该方法还可以包括以下步骤：
S500：在所述光学镀膜层远离所述纹理层300的表面上形成面漆层800(结构示意图参照附图6)。
可以理解的是，在所述光学镀膜层远离所述纹理层300的表面上形成面漆层800的具体工艺可以是蒸镀，所述蒸镀温度可以是40℃～60℃，具体而言，可以是40℃、50℃或者60℃等。由此，操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，且可以有效制作得到面漆层800。
在本申请的又一个方面，本申请提供了一种电子设备。可以理解的是，该电子设备包括：前面所述的电子设备壳体，所述电子设备壳体中具有容纳空间；和显示屏，所述显示屏设置在所述容纳空间中，且所述显示屏的出光面朝向远离所述电子设备壳体的一侧。该电子设备可实现绚丽多彩的纹理外观效果，其表面不易产生褶皱，且具有前面所述的电子设备壳体的所有特征和优点，在此不再过多赘述。
可以理解的是，除前面所述的结构以外，该电子设备还可以包括其他常规电子设备的结构和部件，在此不再过多赘述。
可以理解的是，该电子设备可以包括但不限于手机、平板电脑、游戏机、智能手表等，在此不再过多赘述。由此，应用范围广泛。
下面详细描述本申请的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
实施例1
结合附图6，实施例1提供了一种电子设备壳体10，包括：基材层100；漆层，所述漆层设置在所述基材层100的第一表面上(所述漆层包括底漆层210；色漆层220；和镀膜漆层230)，所述第一表面为曲面；纹理层300，所述纹理层300设置在所述漆层远离所述基材层100的表面上，且形成所述纹理层300的材料包括光阻油墨；和光学镀膜层，所述光学镀膜层设置在所述纹理层300远离所述漆层的表面上；底涂层700，所述底涂层700设置在所述基材层100和所述漆层之间；面漆层800，所述面漆层800设置在所述光学镀膜层远离所述纹理层300的表面上，其中，
基于形成所述纹理层的材料的总质量，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为1％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝，其余各层的材料、厚度等具体参数均如前面所述。
测试该电子设备壳体10的硬度为1H(测试方法：三菱HB、1H、2H、3H铅笔，安装在铅笔硬度试验仪上，调节平衡后，加负重1000g力，在不同的位置划出3条3～5cm长的线条，橡皮擦去铅笔痕迹，若未出现痕迹，则该种铅笔的型号即为该电子设备壳体的硬度，下面实施例中的测试方法与此相同，在后文中不再重复赘述)，且其表面无褶皱。
实施例2
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为2％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为1H。
实施例3
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为3％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为1H。
实施例4
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为4％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为1H。
实施例5
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为5％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为2H。
实施例6
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为6％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为2H。
实施例7
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为7％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为2H。
实施例8
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为8％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为1H。
实施例9
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为9％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为1H。
实施例10
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为10％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为1H。
实施例11
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为0.8％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为HB。
实施例12
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为0.6％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为HB。
实施例13
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为11％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为HB。
实施例14
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为12％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为HB。
实施例15
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为1％的环氧树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为HB。
实施例16
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为1％的丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为HB。
实施例17
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为1％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1.2％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为HB。
实施例18
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为1％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1.5％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为HB。
实施例19
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为1％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为2％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅和氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为HB。
实施例20
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为1％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅。
测试该电子设备壳体10的硬度为HB。
实施例21
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为1％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒仅包括氧化硅。
测试该电子设备壳体10的硬度为HB。
实施例22
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为1％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒仅包括氧化铝。
测试该电子设备壳体10的硬度为HB。
实施例23
与实施例1的区别仅在于，形成所述纹理层的材料还包括：质量百分含量为1％的环氧丙烯酸树脂；和质量百分含量为1％的纳米氧化物颗粒，所述纳米氧化物颗粒包括氧化锆。
测试该电子设备壳体10的硬度为HB。
在本申请中，尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (17)
1.一种电子设备壳体，其特征在于，包括：
基材层；
漆层，所述漆层设置在所述基材层的第一表面上；
纹理层，所述纹理层设置在所述漆层远离所述基材层的表面上，且形成所述纹理层的材料包括光阻油墨；和
光学镀膜层，所述光学镀膜层设置在所述纹理层远离所述漆层的表面上。
2.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，至少部分所述第一表面为曲面。
3.根据权利要求2所述的电子设备壳体，其特征在于，所述曲面上任意一点处的曲率D满足0＜D＜180°。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电子设备壳体，其特征在于，基于形成所述纹理层的材料的总质量，形成所述纹理层的材料还包括：
质量百分含量为1％～10％的环氧丙烯酸树脂；和
质量百分含量不大于1％的纳米氧化物颗粒。
5.根据权利要求4所述的电子设备壳体，其特征在于，所述纹理层满足以下条件的至少之一：
所述纳米氧化物颗粒包括氧化硅或者氧化铝中的至少一种；
纹理的深度为8μm～10μm；
纹理的宽度为30μm～60μm；
硬度为1H～2H。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的电子设备壳体，其特征在于，所述漆层进一步包括：
底漆层，所述底漆层设置在所述第一表面上；
色漆层，所述色漆层设置在所述底漆层远离所述基材层的表面上；和
镀膜漆层，所述镀膜漆层设置在所述色漆层远离所述底漆层的表面上。
7.根据权利要求6所述的电子设备壳体，其特征在于，所述漆层满足以下条件的至少之一：
形成所述镀膜漆层的材料包括硅氧化物、钛氧化物或者锆氧化物中的至少一种；
所述镀膜漆层的厚度为20μm～30μm；
所述色漆层的厚度为8μm～12μm；
所述底漆层的厚度为20μm～30μm。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的电子设备壳体，其特征在于，所述光学镀膜层包括：
第一镀层，所述第一镀层设置在所述纹理层远离所述漆层的表面上；
第二镀层，所述第二镀层设置在所述第一镀层远离所述纹理层的表面上；和
第三镀层，所述第三镀层设置在所述第二镀层远离所述第一镀层的表面上，
其中，所述光学镀膜层满足以下任意一种：
(1)形成所述第一镀层的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物；
(2)形成所述第一镀层的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层的材料为钛氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物；
(3)形成所述第一镀层的材料为硅氧化物，形成所述第二镀层的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物；
(4)形成所述第一镀层的材料为锆氧化物，形成所述第二镀层的材料为铌氧化物，形成所述第三镀层的材料为硅氧化物。
9.根据权利要求8所述的电子设备壳体，其特征在于，所述第二镀层的厚度为所述光学镀膜层的总厚度的60％～70％。
10.根据权利要求1～3中任一项所述的电子设备壳体，其特征在于，还包括：
底涂层，所述底涂层设置在所述基材层和所述漆层之间。
11.根据权利要求1～3中任一项所述的电子设备壳体，其特征在于，还包括：
面漆层，所述面漆层设置在所述光学镀膜层远离所述纹理层的表面上。
12.一种制作权利要求1～11中任一项所述的电子设备壳体的方法，其特征在于，包括：
在基材层的第一表面上形成漆层；
在所述漆层远离所述基材层的表面上形成纹理层；
在所述纹理层远离所述漆层的表面上形成光学镀膜层，以便得到所述电子设备壳体。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述纹理层是通过构图工艺形成的。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述构图工艺满足以下条件的至少之一：
UV能量为800mj/cm2～1200mj/cm2；
显影液包括质量分数为0.8％～1.2％的Na2CO3溶液；
显影温度为28℃～32℃；
显影时间为40s～60s；
烘烤温度为150℃～180℃；
烘烤时间为20min～30min。
15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，满足以下条件的至少之一：
形成所述漆层的工艺包括喷涂工艺；
形成所述光学镀膜层的工艺包括气相沉积技术。
16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤的至少之一：
在形成所述漆层之前，在所述第一表面上形成底涂层；
在所述光学镀膜层远离所述纹理层的表面上形成面漆层。
17.一种电子设备，其特征在于，包括：
权利要求1～11中任一项所述的电子设备壳体，所述电子设备壳体中具有容纳空间；和
显示屏，所述显示屏设置在所述容纳空间中，且所述显示屏的出光面朝向远离所述电子设备壳体的一侧。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202010929346.5A CN112135452A (zh) | 2020-09-07 | 2020-09-07 | 电子设备壳体及其制作方法和电子设备 |
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| CN202010929346.5A CN112135452A (zh) | 2020-09-07 | 2020-09-07 | 电子设备壳体及其制作方法和电子设备 |
Publications (1)
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| CN112135452A true CN112135452A (zh) | 2020-12-25 |
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