JP7268989B2 - 電子装置及びその背面カバーガラス製造方法 - Google Patents
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Description
また、本発明のカバーガラスの製造方法によれば、所定の条件の下で複数回の硬化プロセスを通じてガラスプレートに積層されたコーティング層の高い耐久性及び耐化学性を提供することができる。
101、330 ディスプレイ
102 前面プレート
103 マイク穴(オーディオモジュール)
104 近接センサ(照度センサ)(センサモジュール)
105 第1のカメラ装置(カメラモジュール)
106 インジケータ
107 スピーカ穴(オーディオモジュール)
108 第1のコネクタ穴
109 第2のコネクタ穴(イヤホンジャック)
110 ハウジング
110A 第1の面(前面)
110B 第2の面(背面)
110C 側面
110D 第1の領域
110E 第2の領域
111 背面プレート
112 第2のカメラ装置(カメラモジュール)
113 フラッシュ(カメラモジュール)
114 通話用レシーバ穴(オーディオモジュール)
115 ホームキーボタン(キー入力装置)
116 タッチパッド(キー入力装置)
117 サイドキーボタン(キー入力装置)
118 側面ベゼル構造(側面部材)
119 第3のセンサモジュール(HRMセンサ)(センサモジュール)
310 側面ベゼル構造
311 第1の支持部材(ブラケット)
320 前面プレート
340 印刷回路基板
350 バッテリー
360 第2の支持部材(背面ケース)
370 アンテナ
380 背面プレート
400、500 カバーガラス
410、510 ガラスプレート
411 第1の面
412 第2の面
430、530 第1のコーティング層
450 第2のコーティング層
531 谷部
533 ピーク部
Claims (14)
- 電子装置であって、
前面カバー及び背面カバーを含むハウジングと、
前記ハウジング内に配置されたバッテリーと、
前記ハウジング内に配置され、前記前面カバーを通じて露出する画面領域を含むディスプレイと、を備え、
前記背面カバーは、
前記電子装置の少なくとも一部を形成するガラスプレートと、
前記ガラスプレートの一面に配置され、ポリシラザンを適用した複数回のコーティングを通じた表面処理によって少なくとも一つの凹凸形状のヘイズ状態を有する第1のコーティング層と、
前記第1のコーティング層の一面に配置され、前記第1のコーティング層の前記少なくとも一つの凹凸形状に対応する形状に積層され、フッ化炭素鎖又は炭化水素鎖を含む第2のコーティング層と、を含み、
前記第1のコーティング層は、シリコン(Si)、酸素(O)、及び少なくとも一つの不純物を含み、
Si-Oの結合は、前記第1のコーティング層の80重量%以上であることを特徴とする電子装置。 - 前記第1のコーティング層は、熱処理により少なくとも2200MPaの硬度特性を示すことを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
- 前記第1のコーティング層の前記少なくとも一つの凹凸形状は、長さ方向に沿って形成された特定のピッチ、及び前記長さ方向に対して垂直方向に形成された特定の高さを有し、
前記少なくとも一つの凹凸形状の特定のピッチは、20μm~60μmの範囲の値を有し、
前記少なくとも一つの凹凸形状の特定の高さは、0.5μm~0.9μmの範囲の値を有することを特徴とする請求項2に記載の電子装置。 - 前記第1のコーティング層の前記少なくとも一つの凹凸形状は、長さ方向に沿って形成された特定のピッチ、及び前記長さ方向に対して垂直方向に形成された特定の高さを有し、
前記特定のピッチに対する前記特定の高さの比率は、0.004~0.015の範囲を有することを特徴とする請求項2に記載の電子装置。 - 前記第1のコーティング層は、ヘイズが5%~35%の範囲であり、透過率が91%以下であることを特徴とする請求項3に記載の電子装置。
- 前記第1のコーティング層の前記少なくとも一つの凹凸形状は、特定の表面粗さを有し、
前記第1のコーティング層の前記表面粗さの平均値(Ra)は100nm~300nmの範囲の値を有するか、又は前記第1のコーティング層の前記表面粗さの二乗平均(RMS)は130nm~400nmの範囲の値を有することを特徴とする請求項3に記載の電子装置。 - 前記少なくとも一つの凹凸形状は、谷部及びピーク部を含み、
前記谷部は、前記第1のコーティング層の一部に位置し、厚さが300nm~600nmの範囲の値を有し、
前記ピーク部は、第1のコーティング層の一部に位置し、厚さが0.6μm~2μmの範囲の値を有することを特徴とする請求項2に記載の電子装置。 - 前記第2のコーティング層は、透明材質を有し、前記第1のコーティング層の厚さよりも薄い厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
- 電子装置の背面カバーガラスの製造方法であって、
ガラスプレートを用意するプロセスと、
前記ガラスプレートの一面に湿式スプレー方式で第1のコーティング層を塗布し、複数回の硬化処理を通じて前記第1のコーティング層を積層するプロセスと、
前記第1のコーティング層の一面に第2のコーティング層を積層するプロセスと、を有し、
前記第1のコーティング層を積層するプロセスは、ポリシラザンを適用した複数回のコーティングを通じた表面処理によって少なくとも一つの凹凸形状のヘイズ状態を有するように提供し、
前記第2のコーティング層は、前記第1のコーティング層の前記少なくとも一つの凹凸形状に対応する形状に積層され、フッ化炭素鎖又は炭化水素鎖を含むことを特徴とする背面カバーガラス製造方法。 - 前記第1のコーティング層を積層するプロセスにおいて、
前記湿式スプレー方式で提供されるコーティング溶液のポリシラザンと溶媒との重量%比率は、5:95~20:80の範囲で構成され、
前記ガラスプレートの一面に前記コーティング溶液が到達する比率は、30%~40%であることを特徴とする請求項10に記載の背面カバーガラス製造方法。 - 前記第1のコーティング層を積層するプロセスは、前記湿式スプレー方式で前記コーティング溶液を塗布した後に、熱乾燥プロセス、一次硬化プロセス、及び二次硬化プロセスを含み、
前記熱乾燥プロセスは、50℃~200℃の範囲で2min~20minの範囲の熱乾燥を進行して前記コーティング溶液内の溶剤を除去し、
前記二次硬化プロセスは、過酸化水素処理プロセスを含み、
前記二次硬化プロセスで処理された前記第1のコーティング層は、少なくとも2200MPaの硬度特性を示すことを特徴とする請求項12に記載の背面カバーガラス製造方法。 - 前記一次硬化プロセスにおいて、
過熱蒸気を通じて前記無機ポリシラザンをSiO2膜に変化させ、プロセス温度を100℃~300℃の範囲で行うことを特徴とする請求項13に記載の背面カバーガラス製造方法。
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