JP2019087626A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. ＳｉＯ２を含むエッチング対象膜上に形成された所定の開口パターンを有する金属含有マスクを介して、フルオロカーボンガス及び酸素含有ガスを含む処理ガスから生成されるプラズマにより前記エッチング対象膜をエッチングするエッチング工程と、
   前記処理ガスのプラズマが生成されている期間に、前記プラズマ中のイオンを引き込むための高周波電力を間欠的に印加する高周波電力印加工程と
   を含み、
   前記高周波電力が印加されていない場合に、フロオロカーボン含有保護膜が前記金属含有マスク上に形成される、プラズマエッチング方法。
2. 前記金属含有マスクの上にはマスク膜が形成されており、
   前記エッチング工程の前に、前記マスク膜をマスクとして、前記金属含有マスクの上面の少なくとも一部が露出するまで、前記エッチング対象膜をエッチングするプレエッチング工程をさらに含む、請求項１に記載のプラズマエッチング方法。
3. 前記エッチング工程の前に、所定の開口パターンを有するマスク膜をマスクとして、前記金属含有マスクに前記所定の開口パターンをパターニングするパターニング工程をさらに含む、請求項１に記載のプラズマエッチング方法。
4. 前記高周波電力印加工程において、前記高周波電力の周波数を変化させる、請求項１〜３のいずれか一つに記載のプラズマエッチング方法。
5. 前記高周波電力印加工程において、前記高周波電力のパルス周期を変化させる、請求項１〜３のいずれか一つに記載のプラズマエッチング方法。
6. 前記プラズマエッチング方法は、前記エッチング対象膜及び前記金属含有マスクを有する被処理体が載置される載置台と、前記載置台と対向する上部電極とを有する装置を用いて実行され、
   前記高周波電力印加工程において、前記上部電極に直流電圧を印加する、請求項１〜５のいずれか一つに記載のプラズマエッチング方法。
7. 前記高周波電力印加工程において、前記高周波電力が印加されていないときに、前記上部電極に負の直流電圧を間欠的に印加する、請求項６に記載のプラズマエッチング方法。
8. 前記高周波電力印加工程において、前記エッチング対象膜のアスペクト比が高くなるにつれて、前記高周波電力の周波数を下げる、又は前記高周波電力の大きさを増加させる、請求項１〜７のいずれか一つに記載のプラズマエッチング方法。
9. 前記高周波電力印加工程において、前記高周波電力のデューティ及び／又は前記高周波電力の周波数を変更する、請求項１〜８のいずれか一つに記載のプラズマエッチング方法。
10. ＳｉＯ２を含むエッチング対象膜上に形成された所定の開口パターンを有する金属含有マスクに対して、フルオロカーボンガス及び酸素含有ガスを含む第１の処理ガスによりフルオロカーボン保護膜を形成する保護膜形成工程と、
    前記フルオロカーボン保護膜が形成された前記金属含有マスクを介して、第２の処理ガスのプラズマにより前記エッチング対象膜をエッチングするエッチング工程と
    を含む、プラズマエッチング方法。
11. 前記保護膜形成工程と前記エッチング工程とは、少なくとも２回以上交互に繰り返される、請求項１０に記載のプラズマエッチング方法。
12. 前記金属含有マスクの上にはマスク膜が形成されており、
    前記保護膜形成工程の前に、前記マスク膜をマスクとして、前記金属含有マスクの上面の少なくとも一部が露出するまで、前記エッチング対象膜をエッチングするプレエッチング工程をさらに含む請求項１０又は１１に記載のプラズマエッチング方法。
13. 前記保護膜形成工程の前に、所定の開口パターンを有するマスク膜をマスクとして、前記金属含有マスクに前記所定の開口パターンをパターニングするパターニング工程をさらに含む請求項１０又は１１に記載のプラズマエッチング方法。
14. 前記マスク膜のエッチングレートは、前記エッチング対象膜のエッチングレートよりも低い請求項１２に記載のプラズマエッチング方法。