JP2014072269A5 - - Google Patents
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Description
［等方性エッチング工程］
本工程では、制御部２９は、第１ＭＦＣ２４により第１ガス供給源２２から流量1000sccmのSF6ガスを反応室１０内に導入すると共に、真空ポンプ２６により反応室１０内の圧力を10Paに調整する。なお、本工程では、第２ガス供給源２３から反応室１０へのC4F8ガスの導入は行わない。また、第１高周波電源１８から下部電極１２への高周波電力の投入も行わない。
本工程では、制御部２９は、第１ＭＦＣ２４により第１ガス供給源２２から流量1000sccmのSF6ガスを反応室１０内に導入すると共に、真空ポンプ２６により反応室１０内の圧力を10Paに調整する。なお、本工程では、第２ガス供給源２３から反応室１０へのC4F8ガスの導入は行わない。また、第１高周波電源１８から下部電極１２への高周波電力の投入も行わない。
［保護膜形成工程］
本工程では、制御部２９は、第１ＭＦＣ２４により第１ガス供給源２２から反応室１０へのSF6ガスを止め、第２ＭＦＣ２５により第２ガス供給源２３から流量400sccmのC4F8ガスを反応室１０内に導入する。それと共に、真空ポンプ２６により反応室１０内の圧力を4Paに調整する。なお、本工程においても、第１高周波電源１８から下部電極１２への高周波電力の投入は行わない。
本工程では、制御部２９は、第１ＭＦＣ２４により第１ガス供給源２２から反応室１０へのSF6ガスを止め、第２ＭＦＣ２５により第２ガス供給源２３から流量400sccmのC4F8ガスを反応室１０内に導入する。それと共に、真空ポンプ２６により反応室１０内の圧力を4Paに調整する。なお、本工程においても、第１高周波電源１８から下部電極１２への高周波電力の投入は行わない。
［底面エッチング工程］
本工程では、制御部２９は、第２ＭＦＣ２５により第２ガス供給源２３から反応室１０へのC4F8ガスの供給を中止し、第１ＭＦＣ２４により第１ガス供給源２２から流量400sccmのSF6ガスを反応室１０内に導入する。それと共に、真空ポンプ２６により反応室１０内の圧力を4Paに保つ。また、第１高周波電源１８から周波数13.56MHzの高周波電力100Wを下部電極１２に投入する。
本工程では、制御部２９は、第２ＭＦＣ２５により第２ガス供給源２３から反応室１０へのC4F8ガスの供給を中止し、第１ＭＦＣ２４により第１ガス供給源２２から流量400sccmのSF6ガスを反応室１０内に導入する。それと共に、真空ポンプ２６により反応室１０内の圧力を4Paに保つ。また、第１高周波電源１８から周波数13.56MHzの高周波電力100Wを下部電極１２に投入する。
なお、本実施例のプラズマエッチングの終点検出方法において、底面エッチング工程でエッチングの終点検出を行う理由は以下の通りである。上記の通り、底面エッチング工程では、SF 6 ガスの流量及び反応室１０内の圧力は、等方性エッチング工程のものよりも低い。これは、イオン以外のラジカル等の他の浮遊粒子の量が多いと、イオンがこれらに衝突し、直線的にエッチング穴３３の底面に入射しなくなるためである。そうすると、保護膜３４のエッチングの異方性が低下し、それに伴って、最終的なエッチング穴３３のアスペクト比も低下する。そのため、底面エッチング工程では、元々、等方性エッチング工程のときよりもSF6ガスの供給量が少なく且つ圧力が低い（すなわち真空度が高い）状態で行われる。
比較例３及び４においても、図７及び図８に示すように発光強度の変化が見られたが、発光強度比は約1.1であり、本実施例の発光強度比よりも低かった。また、SiO2層へのエッチング到達時間は本実施例よりも比較例３では230秒、比較例４では240秒長くなった（図９）。
１０…反応室
１１…ワーク
１２…下部電極
１３…誘電体窓
１４…ガス導入口
１５…ガス排気口
１６…ブロッキングコンデンサ
１７…第１整合器
１８…第１高周波電源
１９…コイル
２０…第２整合器
２１…第２高周波電源
２２…第１ガス供給源
２３…第２ガス供給源
２４…第１ＭＦＣ
２５…第２ＭＦＣ
２６…真空ポンプ
２７…観察窓
２８…光検出部
２９…制御部
３０…Si基板（被エッチング層）
３１…SiO2層（下層膜）
３２…マスク
３３…エッチング穴
３４…保護膜
１１…ワーク
１２…下部電極
１３…誘電体窓
１４…ガス導入口
１５…ガス排気口
１６…ブロッキングコンデンサ
１７…第１整合器
１８…第１高周波電源
１９…コイル
２０…第２整合器
２１…第２高周波電源
２２…第１ガス供給源
２３…第２ガス供給源
２４…第１ＭＦＣ
２５…第２ＭＦＣ
２６…真空ポンプ
２７…観察窓
２８…光検出部
２９…制御部
３０…Si基板（被エッチング層）
３１…SiO2層（下層膜）
３２…マスク
３３…エッチング穴
３４…保護膜
Claims (1)
- 被エッチング層と、前記被エッチング層の下面に設けられた下層膜を有するワークの該被エッチング層に等方性エッチングを行う等方性エッチング工程と、前記等方性エッチング工程においてエッチングされた部分の面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜が形成された面のうち、底面に形成された保護膜をイオンの照射により選択的に除去する底面エッチング工程と、を有するプラズマエッチングにおいて、
前記被エッチング層をエッチングすることにより生成されるエッチング生成物がプラズマと反応することにより生じる光の強度を、前記底面エッチング工程において測定し、該底面エッチング工程において測定した光の強度の変化から、エッチングが前記下層膜まで到達したか否かを判定する
ことを特徴とするプラズマエッチングのエッチング終点検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012215537A JP5967710B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | プラズマエッチングの終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012215537A JP5967710B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | プラズマエッチングの終点検出方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014072269A JP2014072269A (ja) | 2014-04-21 |
| JP2014072269A5 true JP2014072269A5 (ja) | 2015-07-16 |
| JP5967710B2 JP5967710B2 (ja) | 2016-08-10 |
Family
ID=50747246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012215537A Active JP5967710B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | プラズマエッチングの終点検出方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
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| US20050112891A1 (en) * | 2003-10-21 | 2005-05-26 | David Johnson | Notch-free etching of high aspect SOI structures using a time division multiplex process and RF bias modulation |
| JP4101280B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2008-06-18 | 住友精密工業株式会社 | 終点検出可能なプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
| JP2008205436A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-09-04 | Toshiba Corp | 微細構造体の製造方法 |
| JP5654359B2 (ja) * | 2011-01-06 | 2015-01-14 | 株式会社アルバック | プラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置 |
-
2012
- 2012-09-28 JP JP2012215537A patent/JP5967710B2/ja active Active
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