JP2014072269A - プラズマエッチングの終点検出方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被エッチング層と下層膜を有するワークの該被エッチング層に対し、等方性エッチング工程と保護膜形成工程と底面エッチング工程の3つの工程によりプラズマエッチングを行う方法において、前記被エッチング層をエッチングすることにより生成されるエッチング生成物がプラズマと反応することにより生じる光の強度を、前記底面エッチング工程において測定し、該底面エッチング工程において測定した光の強度の変化から、エッチングが前記下層膜まで到達したか否かを判定する。
【選択図】図3
Description
そこで、上記の終点検出方法では、エッチング工程を、多量のSF6ガスを供給する多量供給工程と、少量のSF6ガスを供給する少量供給工程の2つの工程に分け、前記多量供給工程においてSi層のエッチングを高速に行った後、前記少量供給工程においてSi層のエッチングを低速に行いつつ、エッチングの終点検出を行っている。SF6ガスの供給量が少ないとラジカルやエッチング生成物の生成も少ないもののそれらの移動が阻害されないので強い発光を観察することができる。
被エッチング層と、前記被エッチング層の下面に設けられた下層膜を有するワークの該被エッチング層に等方性エッチングを行う等方性エッチング工程と、前記等方性エッチング工程においてエッチングされた部分の面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜が形成された面のうち、底面に形成された保護膜をイオンの照射により選択的に除去する底面エッチング工程と、を有するプラズマエッチングにおいて、
前記被エッチング層をエッチングすることにより生成されるエッチング生成物が前記プラズマと反応することにより生じる光の強度を、前記底面エッチング工程において測定し、該底面エッチング工程において測定した光の強度の変化から、エッチングが前記下層膜まで到達したか否かを判定する
ことを特徴とする。
本工程では、制御部29は、第1MFC24により第1供給源22から流量1000sccmのSF6ガスを反応室10内に導入すると共に、真空ポンプ26により反応室10内の圧力を10Paに調整する。なお、本工程では、第2供給源23から反応室10へのC4F8ガスの導入は行わない。また、第1高周波電源18から下部電極12への高周波電力の投入も行わない。
本工程では、制御部29は、第1MFC24により第1供給源22から反応室10へのSF6ガスを止め、第2MFC24により第2供給源22から流量400sccmのC4F8ガスを反応室10内に導入する。それと共に、真空ポンプ26により反応室10内の圧力を4Paに調整する。なお、本工程においても、第1高周波電源18から下部電極12への高周波電力の投入は行わない。
本工程では、制御部29は、第2MFC25により第2供給源23から反応室10へのC4F8ガスの供給を中止し、第1MFC24により第1供給源22から流量400sccmのSF6ガスを反応室10内に導入する。それと共に、真空ポンプ26により反応室10内の圧力を4Paに保つ。また、第1高周波電源18から周波数13.56MHzの高周波電力100Wを下部電極12に投入する。
11…ワーク
12…下部電極
13…誘電体窓
14…ガス導入口
15…ガス排気口
16…ブロッキングコンデンサ
17…第1整合器
18…第1高周波電源
19…コイル
20…第2整合器
21…第2高周波電源
22…第1ガス供給源
23…第2ガス供給源
24…第1MFC
25…第2MFC
26…真空ポンプ
27…観察窓
28…光検出部
29…制御部
30…Si基板(被エッチング層)
31…SiO2層(下層膜)
32…マスク
33…縦穴
34…保護膜
Claims (1)
- 被エッチング層と、前記被エッチング層の下面に設けられた下層膜を有するワークの該被エッチング層に等方性エッチングを行う等方性エッチング工程と、前記等方性エッチング工程においてエッチングされた部分の面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜が形成された面のうち、底面に形成された保護膜をイオンの照射により選択的に除去する底面エッチング工程と、を有するプラズマエッチングにおいて、
前記被エッチング層をエッチングすることにより生成されるエッチング生成物が前記プラズマと反応することにより生じる光の強度を、前記底面エッチング工程において測定し、該底面エッチング工程において測定した光の強度の変化から、エッチングが前記下層膜まで到達したか否かを判定する
ことを特徴とするプラズマエッチングのエッチング終点検出方法。
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