JP2019073471A - 有機化合物、それを用いた光電変換素子および撮像装置 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 217
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 title claims description 85
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 39
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 27
- -1 cyano, phenyl Chemical group 0.000 claims abstract description 22
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 20
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 39
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical group C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 28
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 16
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 15
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 13
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 claims description 10
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 9
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 8
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims description 6
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical group C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical group C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 5
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004587 thienothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CS2)* 0.000 claims description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 2
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 2
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 112
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 36
- LJGCTMBVAAUJNM-UHFFFAOYSA-N 1h-benzo[de]quinoline Chemical class N1C=CC2=CC=CC3=CC=CC1=C32 LJGCTMBVAAUJNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-(2,4,6-trimethylphenyl)pent-4-en-2-one Chemical group CC(=C)CC(=O)Cc1c(C)cc(C)cc1C UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- MCXFBJRDLNFXHM-UHFFFAOYSA-N 7h-benzo[kl]acridine Chemical class C1=CC(C2=CC=CC=C2N2)=C3C2=CC=CC3=C1 MCXFBJRDLNFXHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 144
- 239000000463 material Substances 0.000 description 38
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 33
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 28
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 25
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 24
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 16
- 125000000641 acridinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 15
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 14
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 12
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 11
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 11
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 10
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 10
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 10
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 10
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 9
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 9
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 9
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 9
- SFHYNDMGZXWXBU-LIMNOBDPSA-N 6-amino-2-[[(e)-(3-formylphenyl)methylideneamino]carbamoylamino]-1,3-dioxobenzo[de]isoquinoline-5,8-disulfonic acid Chemical compound O=C1C(C2=3)=CC(S(O)(=O)=O)=CC=3C(N)=C(S(O)(=O)=O)C=C2C(=O)N1NC(=O)N\N=C\C1=CC=CC(C=O)=C1 SFHYNDMGZXWXBU-LIMNOBDPSA-N 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 7
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 4
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000499 benzofuranyl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- 125000004196 benzothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000031709 bromination Effects 0.000 description 2
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 150000003613 toluenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004191 (C1-C6) alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004973 1-butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATLMFJTZZPOKLC-UHFFFAOYSA-N C70 fullerene Chemical compound C12=C(C3=C4C5=C67)C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C(C%14=C%15C%16=%17)=C%18C%19=C%20C%21=C%22C%23=C%24C%21=C%21C(C=%25%26)=C%20C%18=C%12C%26=C%10C8=C4C=%25C%21=C5C%24=C6C(C4=C56)=C%23C5=C5C%22=C%19C%14=C5C=%17C6=C5C6=C4C7=C3C1=C6C1=C5C%16=C3C%15=C%13C%11=C4C9=C2C1=C34 ATLMFJTZZPOKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical group CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical group NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005576 amination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001543 aryl boronic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical group CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQRWAZOLUJHNDT-UHFFFAOYSA-N c12c3c4c5c6c7c8c9c%10c%11c%12c%13c%14c%15c%16c%17c(c1c1c4c7c%10c%13c%161)c1c2c2c4c7c%10c%13c%16c%18c%19c%20c%21c%22c%23c%24c%25c%26c%27c%28c%29c(c7c7c%13c%19c%22c%25c%287)c4c1c1c%17c%15c(c%27c%291)c1c%14c%12c(c%24c%261)c1c%11c9c(c%21c%231)c1c8c6c(c%18c%201)c1c5c3c2c%10c%161 Chemical compound c12c3c4c5c6c7c8c9c%10c%11c%12c%13c%14c%15c%16c%17c(c1c1c4c7c%10c%13c%161)c1c2c2c4c7c%10c%13c%16c%18c%19c%20c%21c%22c%23c%24c%25c%26c%27c%28c%29c(c7c7c%13c%19c%22c%25c%287)c4c1c1c%17c%15c(c%27c%291)c1c%14c%12c(c%24c%261)c1c%11c9c(c%21c%231)c1c8c6c(c%18c%201)c1c5c3c2c%10c%161 FQRWAZOLUJHNDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 125000002676 chrysenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=C4C=CC=CC4=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 125000005266 diarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004988 dibenzothienyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 125000003914 fluoranthenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC=C4C1=C23)* 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical group CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000004298 light response Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- IUTZKZLVPUPHDA-UHFFFAOYSA-N n-(4-chlorophenyl)-2h-triazol-4-amine Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1NC1=NNN=C1 IUTZKZLVPUPHDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 125000005412 pyrazyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N tert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VELSFHQDWXAPNK-UHFFFAOYSA-N tetracontacyclo[25.6.5.516,28.44,32.35,11.321,34.28,10.212,15.222,35.229,31.113,20.124,38.02,6.014,19.017,25.018,23.030,37.033,36.547,54.446,53.448,58.126,51.150,52.03,45.07,42.09,61.039,40.041,43.044,63.049,76.055,78.056,62.057,68.059,64.060,67.065,69.066,71.070,73.072,75.074,77]octaheptaconta-1,3(45),4(48),5(61),6,8,10,12,14,16,18,20,22,24(39),25,27(38),28,30,32,34(42),35(40),36,41(43),44(63),46,49(76),50(77),51,53,55(78),56(62),57,59,64,66,68,70(73),71,74-nonatriacontaene Chemical compound c12c3c4c5c6c1c1c7c8c2c2c3c3c9c4c4c5c5c%10c%11c%12c%13c%14c%15c%12c%12c%16c%17c%18c%19c%20c%21c%17c%17c%22c%21c%21c%23c%20c%20c%19c%19c%24c%18c%16c%15c%15c%24c%16c(c7c%15c%14c1c6c5%13)c8c1c2c2c3c3c(c%21c5c%22c(c%11c%12%17)c%10c4c5c93)c%23c2c%20c1c%19%16 VELSFHQDWXAPNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001269 time-of-flight mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N tricyclohexylphosphine Chemical compound C1CCCCC1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003960 triphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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-
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Abstract
Description
まず本発明の有機化合物について説明する。本発明に係る有機化合物は下記一般式[1]で示される化合物である。
次に、本発明の有機化合物の性質について説明する。
(1)長波長領域に吸収を有する。
(2)高い吸収係数を有する。
(3)熱安定性が高い。
一般に、有機光電変換素子において、光電変換効率を高くすることを目的として、光電変換層に、p型の有機半導体とn型の有機半導体から構成される混合層を用いることが知られている。p型の有機半導体とは、電子供与性に優れる有機化合物であり、n型の有機半導体とは、電子吸引性に優れる有機化合物である。
有機光電変換素子において、光電変換層を形成する有機材料は高い吸収係数を有することが望まれる。高い吸収係数を有する有機材料を用いることで、感度の向上が期待できるからである。また、光電変換層を薄膜化することもでき、より少ない電圧で高い電界強度を印加することができ、光電変換効率の向上も期待できるからである。
有機光電変換素子において、カラーフィルタ形成工程やワイヤーボンディング工程などの光センサの実装プロセスにおける高温下での熱安定性が求められる。
以下に本発明に係る有機化合物の具体的な構造式を例示する。ただし本発明は、これら具体例に限定されるものではない。
次に、本発明に係る有機化合物の製造方法について説明するが、他の合成法を利用して製造しても良い。
1.本発明の有機光電変換素子
(1)有機光電変換素子
本発明に係る光電変換素子は、電子捕集電極と正孔捕集電極と、前記電子捕集電極と前記正孔捕集電極との間に、少なくとも1つの光電変換層が配置されている光電変換素子であって、前記光電変換層は、前記一般式[1]で表わされる有機化合物を有することを特徴とする有機光電変換素子である。
本発明の有機光電変換素子を構成する光電変換層の構成材料について説明する。光電変換層としては、光吸収率が高いこと、受光した光を効率よく電荷分離すること、すなわち光電変換効率が高いことが好ましい。また生成した電荷、すなわち電子および正孔を速やかに捕集電極へ輸送できることが好ましい。また結晶化などの膜質の低下を抑制するために、ガラス転移温度が高い材料が好ましい。膜質向上の観点から、ガラス転移温度の高い材料との混合層としてもよい。
本発明の有機光電変換素子を構成する電子ブロッキング層の構成材料について説明する。電子ブロッキング層としては、正孔捕集電極から光電変換層への電子の注入を防ぐために、電子親和力が小さい(真空準位に近い)ことが好ましい。また、光電変換層で生成した正孔を速やかに正孔捕集電極へ輸送するため、正孔移動度が高い材料が好ましい。また結晶化による膜質の低下を抑制するために、ガラス転移温度が高い材料が好ましい。さらに、膜質向上の観点から、ガラス転移温度の高い材料との混合層としてもよい。以下に、電子ブロッキング材料として用いられる化合物の具体例を示すが、もちろんこれらに限定されるものではない。
次に、本発明の有機光電変換素子を構成する正孔ブロッキング層の構成材料について説明する。正孔ブロッキング層としては、電子捕集電極から光電変換層への正孔の注入を防ぐために、イオン化ポテンシャルが高い(真空準位から遠い)ことが好ましい。また、光電変換層で生成した電子を速やかに電子捕集電極へ輸送するため、電子移動度が高い材料が好ましい。また結晶化などの膜質の低下を抑制するために、ガラス転移温度が高い材料が好ましい。膜質向上の観点から、ガラス転移温度の高い材料との混合層としてもよい。以下に、正孔ブロッキング材料として用いられる化合物の具体例を示すが、もちろんこれらに限定されるものではない。
次に、本発明の有機光電変換素子を構成する有機化合物層以外の部材の構成材料について説明する。
図2においては図示されていないが、本発明の有機光電変換素子は、基板を有していてもよい。基板として、例えば、ガラス基板、フレキシブル基板等が挙げられる。
正孔捕集電極は、光電変換層で発生した電荷のうちの正孔を捕集する電極である。撮像素子の構成においては画素電極であってよい。正孔捕集電極を構成する材料は導電性が高く、透明性を有していれば制限されない。
電子捕集電極は、光電変換層で発生した電荷のうち電子を捕集する電極である。撮像素子の構成においては画素電極であってよい。電子捕集電極は、正孔捕集電極よりも画素回路側に配置されてよい。
保護層は、電極の上部に形成する層であり、絶縁層であることが好ましい。保護層は単一の材料で形成されていても、複数の材料で構成されていてもよい。複数の材料で構成される場合は、複数の層を積層しても、複数の材料が混合された層であってもよい。保護層の構成材料としては、例えば、樹脂等の有機材料、SiNxやSiOx、Al2O3等の無機材料が挙げられる。Xは、元素の比を表わす数値である。
カラーフィルタは、平坦化層の上に設けられる。平坦化層を有さない場合は、保護層の上に設けられる。カラーフィルタ層は、光電変換素子の光入射側に配置されるということもできる。
マイクロレンズは、外部からの光を光電変換層へ集光するための光学部材である。図2においては、半球形状のレンズを例示しているが、形状はこれに限られない。
本発明の有機光電変換素子は、光電変換層の構成材料を適宜設定することで、異なる波長の光に対応する有機光電変換素子とすることができる。このように異なる波長に対応する有機光電変換素子を複数種類有する場合において、これら複数種類の有機光電変換素子を正孔捕集電極から電子捕集電極の方向に積層させると、図2に示されるカラーフィルタを必要としない有機光電変換装置が得られる。この有機光電変換装置に含まれる複数種類の有機光電変換素子のうち、少なくとも一種類の有機光電変換素子は、本発明の有機光電変換素子である。
下記のスキームにより例示化合物A1を合成した。
300mlのフラスコに以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物J1:2.00g(6.98mmol)
化合物J2:1.38g(6.98mmol)
酢酸パラジウム:0.10g(0.36mmol)
トリシクロヘキシルホスフィン:0.20g(0.70mmol)
ナトリウム tert−ブトキシド:2.01g(21.mmol)
脱水トルエン:70ml
100mlのフラスコに以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物J3:1.50g(4.67mmol)
脱水DMF:60ml
100mlのフラスコに以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物J4:0.90g(2.33mmol)
脱水THF:20ml
100mlのフラスコに以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物J5:0.27g(0.77mmol)
化合物J6:0.17g(1.16mmol)
エタノール:20ml
実測値:m/z=477.55 計算値:C34H23NO2=477.11
吸収スペクトルの測定は、石英セル中にそれぞれの化合物のクロロホルム溶液を調製し、測定装置として日本分光社製のV−560を用いて行った。極大吸収波長(λmax)は615nmであった。
実施例1で用いられる有機化合物J2を下記表に示すジアリールアミン化合物に変更し、有機化合物J6を下記表に示す電子吸引性化合物に変更する以外は実施例1と同様の反応、精製で例示化合物を得た。得られた化合物の同定は、実施例1と同様に質量分析によって行った。得られた結果を表2に示す。
下記のスキームにより例示化合物B1を合成した。
100mlのフラスコに以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物J5:0.27g(0.77mmol)
化合物J7:0.17g(1.16mmol)
ジクロロメタン:20ml
トリエチルアミン:数滴
実施例7で用いられる有機化合物J5を下記表に示す有機化合物J8に変更する以外は実施例7と同様の反応、精製で例示化合物を得た。得られた化合物の同定は、実施例1と同様に質量分析によって行った。
下記のスキームにより例示化合物F2を合成した。
300mLナスフラスコに、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物J1:2.00g(4.10mmol)
化合物J9:1.83g(10.3mmol)
テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0):95mg(0.08mmol)
トルエン:40ml
エタノール:20ml
2M 炭酸セシウム水溶液:40ml
300mlのフラスコに以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物J10:2.00g(6.98mmol)
化合物J11:1.38g(6.98mmol)
酢酸パラジウム:0.10g(0.36mmol)
tert−ブチルホスフィン:0.20g(0.70mmol)
ナトリウム tert−ブトキシド:2.01g(21.mmol)
脱水トルエン:70ml
100mlのフラスコに以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物J10:1.50g(4.67mmol)
脱水DMF:60ml
300mLナスフラスコに、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物J13:2.00g(4.10mmol)
化合物J14:1.83g(10.3mmol)
テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0):95mg(0.08mmol)
トルエン:40ml
エタノール:20ml
2M 炭酸セシウム水溶液:40ml
100mlのフラスコに以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物J15:0.27g(0.77mmol)
化合物J16:0.17g(1.16mmol)
ジクロロメタン:20ml
トリエチルアミン:数滴
実施例9で用いられる有機化合物J9を下記表に示すボロン酸化合物に変更し、有機化合物J11を下記表に示すアミン化合物に変更し、有機化合物J14を下記表に示すホルミル基を有するボロン酸化合物に変更する以外は実施例9と同様の反応、精製で例示化合物を得た。得られた化合物の同定は、実施例1と同様に質量分析によって行った。得られた結果を表3に示す。
実施例1の(4)において、化合物J5を化合物J15に変更する以外は実施例1と同様の反応、精製で例示化合物E5を得た。得られた化合物の同定は、実施例1と同様に質量分析によって行った。
300mLナスフラスコに、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物J4:2.00g(4.10mmol)
化合物J17:1.83g(10.3mmol)
テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0):95mg(0.08mmol)
トルエン:40ml
エタノール:20ml
2M 炭酸セシウム水溶液:40ml
100mlのフラスコに以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物J18:0.90g(2.33mmol)
脱水THF:20ml
本実施例では、基板上に、正孔捕集電極、電子ブロッキング層、光電変換層、正孔ブロッキング層、電子捕集電極を順次形成された光電変換素子を作製した。
実施例16において、電子ブロッキング層、光電変換層、正孔ブロッキング層を下記表5に示すように変更した以外は、実施例16と同様の方法により有機光電変換素子を得た。
得られた素子について、5Vの電圧を印加し、その際の外部量子効率を測定した。外部量子効率は素子に対して、正孔捕集電極と電子捕集電極との間に、10Vの電圧を印加した状態で、450nm、500nmおよび600nmのそれぞれにおける、強度50μW/cm2の単色光を素子へ照射した時に流れる光電流密度を測定することで算出した。ここで、光電流密度は、光照射時の電流密度から、遮光時での暗電流密度を差し引いて求めた。尚、光電流密度の測定の際に用いた単色光は、キセノンランプ(装置名:XB−50101AA−A、ウシオ電機製)から出射される白色光を、モノクロメータ(装置名:MC−10N、リツー応用光学製)で単色化したものである。素子への電圧印加及び電流計測は、ソースメータ(装置名:R6243、アドバンテスト製)を用いて行った。また、素子内部の光吸収率及び外部量子効率の測定において、光の入射は、素子に対して垂直に、かつ上部電極(電子捕集電極)側から行った。結果を下記表6に示す。
10、111 電子ブロッキング層
11、112 光電変換層
12、113 正孔ブロッキング層
13、110 正孔捕集電極
14、114 電子捕集電極
15、513 読み出し回路
16 無機保護層
17 カラーフィルタ
18 マイクロレンズ
102 リセットトランジスタ
103 増幅トランジスタ
104 選択トランジスタ
105 転送トランジスタ
130 出力線
512 垂直走査回路
514 水平走査回路
515 出力アンプ
516 周辺領域
517 信号処理部
Claims (15)
- 下記一般式[1]で表わされることを特徴とする有機化合物。
一般式[1]において、Ar1およびAr2は、炭素原子数6乃至18のアリール基、炭素原子数3乃至15のヘテロアリール基からそれぞれ独立に選ばれ、環Aは環状構造を表し、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環、フルオレン環、ピリジン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環から独立に選ばれる。
mは0乃至2の整数であり、mが2の場合、Ar2はそれぞれ同じでも異なっても良い。
前記Ar1、前記Ar2および前記環Aは、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数1乃至6のアルキル基、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、トリフルオロメチル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基を、それぞれ独立に置換基としてさらに有してもよい。
Qは、下記一般式[1−1]及び[1−2]から独立に選ばれる電子吸引性の置換基であり、*は結合する位置を示している。
一般式[1−1]及び[1−2]において、R1乃至R6は、水素原子、シアノ基、アミノ基、炭素原子数1乃至4のアルキルアミノ基、炭素原子数1乃至4のアミド基、炭素原子数2乃至4のアルケニル基、炭素原子数2乃至4のアルキニル基、メトキシ基、エトキシ基、メチル基、エチル基、iso−プロピル基、tert−ブチル基、フェニル基、ピリジル基からそれぞれ独立に選ばれる。
前記R1乃至R6は、さらに、塩素原子、フッ素原子、シアノ基、メチル基、tert−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基を置換基として有してもよい。
R2とR3、及びR4とR6は互いに結合して環を形成してもよく、nは0乃至2の整数であり、nが2の場合、R4とR5はそれぞれ同じでも異なっても良い。
一般式[1−1]において、Z1及びZ2は以下の一般式[2−1]乃至[2−3]からそれぞれ独立に選ばれる。*は結合する位置を示している。
- 下記一般式[4]で表わされることを特徴とする請求項1に記載の有機化合物。
一般式[4]において、R7およびR8は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、メチル基、tert−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ピリジル基、チエニル基からそれぞれ独立に選ばれる。
R7およびR8は、フッ素原子、シアノ基、メチル基、tert−ブチル基、メトキシ基、フェニル基、チエニル基をさらに置換基として有してもよく、R7とR8は互いに結合して環を形成してもよい。 - 前記R7とR8が互いに結合して形成される環は、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環のいずれかであることを特徴とする請求項2に記載の有機化合物。
- 下記一般式[5]で表わされることを特徴とする請求項1に記載の有機化合物。
一般式[5]において、R9は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、メチル基、tert−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ピリジル基、チエニル基からそれぞれ独立に選ばれる。
前記R9は、フッ素原子、シアノ基、メチル基、tert−ブチル基、メトキシ基、フェニル基、を置換基としてさらに有してよい。 - 前記Ar2は、チエニル基、チエノチエニル基、フラニル基のいずれかであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機化合物。
- 前記mは、0または1であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の有機化合物。
- 前記環Aは、ベンゼン環、ナフタレン環のいずれかであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の有機化合物。
- 電子捕集電極と、正孔捕集電極と、前記電子捕集電極と前記正孔捕集電極との間に配置されている有機化合物層を有する光電変換素子であって、前記有機化合物層が、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の有機化合物を含む光電変換素子。
- 前記有機化合物層は光電変換層を有し、前記光電変換層はn型の有機半導体を含むことを特徴とする請求項8に記載の光電変換素子。
- 前記n型の有機半導体が、フラーレン又はフラーレン誘導体であることを特徴とする請求項9に記載の光電変換素子。
- 請求項8乃至10のいずれか一項に記載の光電変換素子と、前記光電変換素子に接続されている読み出し回路と、前記読み出し回路に接続されている信号処理回路と、を有することを特徴とする撮像素子。
- 撮像光学系と、前記撮像光学系を通過した光を受光する撮像素子とを有し、前記撮像素子が請求項11に記載の撮像素子であることを特徴とする撮像装置。
- 請求項11に記載の撮像素子と、前記撮像素子を収容する筐体とを有する撮像装置であって、前記筐体は撮像光学系と接合な可能な接合部を有することを特徴とする撮像装置。
- 前記撮像装置は、外部からの信号を受信する受信部をさらに有し、前記信号は、前記撮像装置の撮像範囲、撮像の開始、撮像の終了の少なくともいずれかを制御する信号であることを特徴とする請求項12に記載の撮像装置。
- 前記撮像装置は、取得した画像を外部に送信する送信部をさらに有することを特徴とする請求項12に記載の撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017200399A JP7016662B2 (ja) | 2017-10-16 | 2017-10-16 | 有機化合物、それを用いた光電変換素子および撮像装置 |
US16/157,655 US10903433B2 (en) | 2017-10-16 | 2018-10-11 | Organic compound, and photoelectric conversion element and imaging device using the organic compound |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017200399A JP7016662B2 (ja) | 2017-10-16 | 2017-10-16 | 有機化合物、それを用いた光電変換素子および撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019073471A true JP2019073471A (ja) | 2019-05-16 |
JP7016662B2 JP7016662B2 (ja) | 2022-02-07 |
Family
ID=66096154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017200399A Active JP7016662B2 (ja) | 2017-10-16 | 2017-10-16 | 有機化合物、それを用いた光電変換素子および撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10903433B2 (ja) |
JP (1) | JP7016662B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110444672B (zh) * | 2019-07-25 | 2021-07-02 | 武汉理工大学 | 一种富勒烯衍生物、其制备方法及应用 |
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JP2011213706A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-10-27 | Fujifilm Corp | 光電変換材料、該材料を含む膜、光電変換素子及びその製造方法、光センサ、撮像素子、並びにそれらの使用方法 |
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JP2015032711A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換材料、光電変換素子およびその使用方法、光センサ、撮像素子 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7977570B2 (en) * | 2005-05-24 | 2011-07-12 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Dye-sensitized photoelectric conversion device |
-
2017
- 2017-10-16 JP JP2017200399A patent/JP7016662B2/ja active Active
-
2018
- 2018-10-11 US US16/157,655 patent/US10903433B2/en active Active
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JP2011213706A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-10-27 | Fujifilm Corp | 光電変換材料、該材料を含む膜、光電変換素子及びその製造方法、光センサ、撮像素子、並びにそれらの使用方法 |
JP2013214730A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-10-17 | Fujifilm Corp | 光電変換素子およびその使用方法、撮像素子、光センサ、化合物 |
JP2015032711A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換材料、光電変換素子およびその使用方法、光センサ、撮像素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190115545A1 (en) | 2019-04-18 |
JP7016662B2 (ja) | 2022-02-07 |
US10903433B2 (en) | 2021-01-26 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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