JP2019071385A - 現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
現像処理装置は、回転保持部に保持された基板の表面に現像液とは異なるプリウェット液を供給する第二供給部を更に備え、制御部は、スキャンイン制御の実行前、回転保持部が基板を回転させているときに、プリウェット液を基板の表面に供給するように第二供給部を制御するプリウェット制御を更に実行するように構成されていてもよい。この場合、スキャンイン制御において、現像液をよりスムーズに塗り広げることができる。
基板処理システム1は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム1は、塗布・現像装置2と露光装置3とを備える。露光装置3は、ウェハW(基板)上に形成されたレジスト膜(感光性被膜)の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置2は、露光装置3による露光処理の前に、ウェハW(基板)の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置2の構成を説明する。図1〜図3に示すように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インタフェースブロック6と、コントローラ100(制御部)とを備える。
続いて、塗布・現像装置2が含む現像処理装置20について説明する。図4に示すように、現像処理装置20は、上述した処理モジュール17の液処理ユニットU1と、コントローラ100とを備える。液処理ユニットU1は、回転保持部30と、現像液供給部40(第一供給部)と、リンス液供給部50(第二供給部)とを有する。
続いて、現像処理方法の一例として、現像処理装置20が実行する現像処理手順を説明する。この現像処理手順は、ウェハWを保持して回転させることと、吐出口42から現像液を吐出させ、回転するウェハWの表面Waの現像液に接液面43を接触させながらノズル41をウェハWの外周Wb側から回転中心RC側に移動させることと、ノズル41を外周Wb側から回転中心RC側に移動させた後、吐出口42から現像液を吐出させ、回転するウェハWの表面Waの現像液に接液面43を接触させながらノズル41を回転中心RC側から外周Wb側に移動させることと、ノズル41が吐出口42から現像液を吐出しながら回転中心RC側から外周Wb側に移動しているときに、接液面43の中心が外周Wbに近付くのに応じてウェハWの回転速度を低下させることと、を含む。
図8は、ステップS01の内容を例示するフローチャートである。図8に示すように、コントローラ100は、まずステップS11を実行する。ステップS11では、プリウェット制御部111が、ウェハWの回転を開始するように回転保持部30を制御する。例えばプリウェット制御部111は、保持機構31がウェハWを保持した状態にて、回転機構32による保持機構31の回転を開始するように回転保持部30を制御する。以後、プリウェット制御部111は、予め設定された回転速度ω1にてウェハWの回転を継続するように回転保持部30を制御する。回転速度ω1は、例えば1000〜2000rpmであり、1200〜1800rpmであってもよく、1400〜1600rpmであってもよい。
図10は、上記ステップS02の内容を例示するフローチャートである。図10に示すように、コントローラ100は、まずステップS21を実行する。ステップS21では、スキャンイン制御部112が、ウェハWの回転速度を予め設定された回転速度ω2に調整するように回転保持部30を制御する。回転速度ω2は、回転速度ω1よりも低い値に設定されている。回転速度ω2は、例えば400〜1200rpmであり、600〜1000rpmであってもよく、700〜900rpmであってもよい。
図12は、上記ステップS03の内容を例示するフローチャートである。図12に示すように、コントローラ100は、まずステップS31を実行する。ステップS31では、スキャンアウト制御部113が、ウェハWの回転速度を予め設定された回転速度ω3に調整するように回転保持部30を制御する(図13の(a)参照)。回転速度ω3は、後の減速制御におけるウェハWの回転速度の変化量に比較して、上記回転速度ω2との差が小さくなるように設定されている。例えば、回転速度ω3は、回転速度ω2と同じであってもよい。
図14は、上記ステップS04の内容を例示するフローチャートである。図14に示すように、コントローラ100は、まずステップS51を実行する。ステップS51では、洗浄・乾燥制御部115が、現像時間の経過を待機する。現像時間は、現像処理の進行の程度を適正化するように予め設定されている。
以上に説明したように、現像処理装置20は、ウェハWを保持して回転させる回転保持部30と、回転保持部30に保持されたウェハWの表面Waに対向する接液面43及び接液面43に開口する吐出口42を含むノズル41を有する現像液供給部40と、コントローラ100と、を備え、コントローラ100は、回転保持部30がウェハWを回転させているときに、吐出口42から現像液を吐出させ、接液面43をウェハWの表面Waの現像液に接触させながらノズル41をウェハWの外周Wb側から回転中心RC側に移動させるように現像液供給部40を制御するスキャンイン制御と、スキャンイン制御の実行後、回転保持部30がウェハWを回転させているときに、吐出口42から現像液を吐出させ、接液面43をウェハWの表面Waの現像液に接触させながらノズル41をウェハWの回転中心RC側から外周Wb側に移動させるように現像液供給部40を制御するスキャンアウト制御と、スキャンアウト制御の実行中に、接液面43の中心がウェハWの外周Wbに近付くのに応じてウェハWの回転速度を徐々に低下させるように回転保持部30を制御する減速制御と、を実行するように構成されている。
Claims (10)
- 基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部に保持された前記基板の表面に対向する接液面及び前記接液面に開口する吐出口を含むノズルを有する第一供給部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記回転保持部が前記基板を回転させているときに、前記吐出口から現像液を吐出させ、前記接液面を前記基板の表面の前記現像液に接触させながら前記ノズルを前記基板の外周側から回転中心側に移動させるように前記第一供給部を制御するスキャンイン制御と、
前記スキャンイン制御の実行後、前記回転保持部が前記基板を回転させているときに、前記吐出口から前記現像液を吐出させ、前記接液面を前記基板の表面の前記現像液に接触させながら前記ノズルを前記基板の回転中心側から外周側に移動させるように前記第一供給部を制御するスキャンアウト制御と、
前記スキャンアウト制御の実行中に、前記接液面の中心が前記基板の外周に近付くのに応じて前記基板の回転速度を徐々に低下させるように前記回転保持部を制御する減速制御と、を実行するように構成されている、現像処理装置。 - 前記減速制御において、前記制御部は、前記接液面の中心が前記基板の外周に近付くのに応じて前記基板の回転の減速度を徐々に低下させるように前記回転保持部を制御する、請求項1記載の現像処理装置。
- 前記減速制御において、前記制御部は、前記接液面内のいずれか一点が前記基板の表面に対して一定の速さで移動するように前記回転保持部を制御する、請求項2記載の現像処理装置。
- 前記スキャンアウト制御において、前記制御部は、前記減速制御における前記基板の回転速度の変化量に比較して、前記スキャンイン制御の終了時から前記減速制御の開始時までの間における前記基板の回転速度の変化を小さくするように前記回転保持部を制御する、請求項1〜3のいずれか一項記載の現像処理装置。
- 前記減速制御において、前記制御部は、前記スキャンイン制御の実行時間に比較して長い時間にわたって前記基板の回転速度の減速を継続するように前記回転保持部を制御する、請求項1〜4のいずれか一項記載の現像処理装置。
- 前記スキャンアウト制御において、前記制御部は、前記接液面の中心が前記基板の回転中心から離れて外周側に向かう途中で前記吐出口からの前記現像液の吐出を開始するように前記第一供給部を制御する、請求項1〜5のいずれか一項記載の現像処理装置。
- 前記スキャンイン制御において、前記制御部は、前記接液面の中心が前記基板の回転中心に到達する前に前記吐出口からの前記現像液の吐出を停止するように前記第一供給部を制御する、請求項6記載の現像処理装置。
- 前記回転保持部に保持された前記基板の表面に前記現像液とは異なるプリウェット液を供給する第二供給部を更に備え、
前記制御部は、前記スキャンイン制御の実行前、前記回転保持部が前記基板を回転させているときに、前記プリウェット液を前記基板の表面に供給するように前記第二供給部を制御するプリウェット制御を更に実行するように構成されている、請求項1〜7のいずれか一項記載の現像処理装置。 - 基板を保持して回転させることと、
接液面及び前記接液面に開口する吐出口を含むノズルの吐出口から現像液を吐出させ、回転する基板の表面の前記現像液に前記接液面を接触させながら前記ノズルを前記基板の外周側から回転中心側に移動させることと、
前記ノズルを前記基板の外周側から回転中心側に移動させた後、前記吐出口から前記現像液を吐出させ、回転する基板の表面の現像液に前記接液面を接触させながら前記ノズルを前記基板の回転中心側から外周側に移動させることと、
前記ノズルが前記吐出口から前記現像液を吐出しながら前記基板の回転中心側から外周側に移動しているときに、前記接液面の中心が前記基板の外周に近付くのに応じて前記基板の回転速度を低下させることと、を含む現像処理方法。 - 請求項9記載の現像処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017197728A JP6994346B2 (ja) | 2017-10-11 | 2017-10-11 | 現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体 |
TW107133969A TWI772526B (zh) | 2017-10-11 | 2018-09-27 | 顯影處理裝置、顯影處理方法及記錄媒體 |
KR1020180118240A KR102628747B1 (ko) | 2017-10-11 | 2018-10-04 | 현상 처리 장치, 현상 처리 방법 및 기억 매체 |
US16/152,603 US10359702B2 (en) | 2017-10-11 | 2018-10-05 | Development processing apparatus, development processing method, and storage medium |
CN201811181921.7A CN109656108B (zh) | 2017-10-11 | 2018-10-11 | 显影处理装置、显影处理方法以及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017197728A JP6994346B2 (ja) | 2017-10-11 | 2017-10-11 | 現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019071385A true JP2019071385A (ja) | 2019-05-09 |
JP6994346B2 JP6994346B2 (ja) | 2022-01-14 |
Family
ID=66109994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017197728A Active JP6994346B2 (ja) | 2017-10-11 | 2017-10-11 | 現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10359702B2 (ja) |
JP (1) | JP6994346B2 (ja) |
KR (1) | KR102628747B1 (ja) |
CN (1) | CN109656108B (ja) |
TW (1) | TWI772526B (ja) |
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-
2017
- 2017-10-11 JP JP2017197728A patent/JP6994346B2/ja active Active
-
2018
- 2018-09-27 TW TW107133969A patent/TWI772526B/zh active
- 2018-10-04 KR KR1020180118240A patent/KR102628747B1/ko active IP Right Grant
- 2018-10-05 US US16/152,603 patent/US10359702B2/en active Active
- 2018-10-11 CN CN201811181921.7A patent/CN109656108B/zh active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102628747B1 (ko) | 2024-01-23 |
JP6994346B2 (ja) | 2022-01-14 |
CN109656108B (zh) | 2024-01-05 |
US10359702B2 (en) | 2019-07-23 |
CN109656108A (zh) | 2019-04-19 |
US20190146344A1 (en) | 2019-05-16 |
TW201923829A (zh) | 2019-06-16 |
TWI772526B (zh) | 2022-08-01 |
KR20190040898A (ko) | 2019-04-19 |
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