JP2019033630A - Mems振動素子の製造方法およびmems振動素子 - Google Patents
Mems振動素子の製造方法およびmems振動素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019033630A JP2019033630A JP2017154474A JP2017154474A JP2019033630A JP 2019033630 A JP2019033630 A JP 2019033630A JP 2017154474 A JP2017154474 A JP 2017154474A JP 2017154474 A JP2017154474 A JP 2017154474A JP 2019033630 A JP2019033630 A JP 2019033630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elastic support
- movable electrode
- support portion
- electrode
- fixed electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 32
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 21
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 6
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
- H02N1/06—Influence generators
- H02N1/08—Influence generators with conductive charge carrier, i.e. capacitor machines
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0035—Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
- B81B3/0037—For increasing stroke, i.e. achieve large displacement of actuated parts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
- B81C1/00166—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
- H01G5/01—Details
- H01G5/013—Dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/02—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N2/00—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
- H02N2/18—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing electrical output from mechanical input, e.g. generators
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0136—Comb structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/04—Electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0128—Processes for removing material
- B81C2201/013—Etching
- B81C2201/0132—Dry etching, i.e. plasma etching, barrel etching, reactive ion etching [RIE], sputter etching or ion milling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
【解決手段】固定電極3と、可動電極4と、可動電極4を固定電極3に対して弾性支持する弾性支持部5とを有するMEMS振動素子の製造方法は、第1の厚さt1のデバイス層102をエッチング加工して、固定電極3および可動電極4を形成することと、デバイス層102をエッチング加工して、弾性支持部5を第1の厚さt1よりも薄い第2の厚さt2に形成することとを含む。
【選択図】図2
Description
本発明の第2の態様によるMEMS振動素子は、基材に形成される固定電極と、前記基材に形成される可動電極と、前記基材に形成され、前記可動電極を前記固定電極に対して弾性支持する弾性支持部とを備え、前記弾性支持部の少なくとも一部は、基材厚さ方向の寸法が、前記固定電極および前記可動電極の基材厚さ方向の寸法よりも小さい。
f=(1/2π)√(k/m) …(1)
k=(Eb/4L3)t3 …(2)
次に、図3〜5を参照して、振動発電素子1の形成方法の一例について説明する。ここでは、SOI基板を用いて形成する場合について説明するが、シリコン基板を用いた場合も同様に形成することができる。なお、図3において、図示上段の図は平面図であって、図示下段の図はB−B断面図を示す。また、図4,5において、図示上段の図は平面図であって、図示中段の図はC−C断面図で、図示下側の図はD−D断面図である。
図6,7は、振動発電素子1の形成方法の他の例を説明する図である。図3〜5で説明した形成方法では、固定電極3および可動電極4を形成した後に弾性支持部5を形成したが、図6,7に示す形成方法では、弾性支持部5を形成した後に固定電極3および可動電極4を形成するようにした。
上述した実施形態では、弾性支持部5は片持ち梁構造で、櫛歯40が櫛歯30に対してz方向に振動する構成としたが、図8に示す変形例1のように可動電極4を一対の弾性支持部200により支持する構成としてもよい。図8に示す例では、可動電極4を弾性支持する弾性支持部200は矢印R2で示すx方向に撓むように変形し、x方向に振動する。弾性支持部200の厚さ(z方向の寸法)はt2に設定され、固定電極3および可動電極4の厚さはt1(>t2)に設定されている。このようにx方向に振動する場合、前述した式(2)の寸法tは弾性支持部200のx方向の寸法が対応し、寸法bは弾性支持部200のz方向の寸法が対応する。この場合も、弾性支持部200のz方向の寸法を調整することで、振動発電素子1の共振周波数を調整することができる。
また、固定電極3および可動電極4の形態としては上述したような櫛歯構造に限らず、例えば、図9に示す変形例2のような平行平板型の電極構造であっても良い。この場合も、弾性支持部200の厚さt2は、固定電極3および可動電極4の厚さt1に対してt2<t1のように設定される。可動電極4はx方向に振動することで固定電極3と可動電極4とのギャップ寸法gが変化し、それによって発電が行われる。
さらに、図10に示す変形例3のように、弾性支持部5を、厚さt2の変形部51と厚さt1の電極接続部52とで構成するようにしても良い。
Claims (6)
- 固定電極と、可動電極と、前記可動電極を前記固定電極に対して弾性支持する弾性支持部とを有するMEMS振動素子の製造方法において、
第1の厚さの基材をエッチング加工して、前記固定電極および前記可動電極を形成することと、
前記基材をエッチング加工して、前記弾性支持部を前記第1の厚さよりも薄い第2の厚さに形成することとを含む、MEMS振動素子の製造方法。 - 請求項1に記載のMEMS振動素子の製造方法において、
前記固定電極および前記可動電極を形成した後に前記弾性支持部を形成する、MEMS振動素子の製造方法。 - 請求項1または2に記載のMEMS振動素子の製造方法において、
前記固定電極および前記可動電極は櫛歯構造の電極である、MEMS振動素子の製造方法。 - 基材に形成される固定電極と、
前記基材に形成される可動電極と、
前記基材に形成され、前記可動電極を前記固定電極に対して弾性支持する弾性支持部とを備え、
前記弾性支持部の少なくとも一部は、基材厚さ方向の寸法が、前記固定電極および前記可動電極の基材厚さ方向の寸法よりも小さい、MEMS振動素子。 - 請求項4に記載のMEMS振動素子において、
前記固定電極および前記可動電極は櫛歯構造の電極である、MEMS振動素子。 - 請求項5に記載のMEMS振動素子において、
前記弾性支持部の前記一部の弾性支持部延在方向に沿った長さ寸法は、前記可動電極の櫛歯の長さ寸法よりも大きい、MEMS振動素子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017154474A JP7037144B2 (ja) | 2017-08-09 | 2017-08-09 | Mems振動素子の製造方法およびmems振動素子 |
PCT/JP2018/029842 WO2019031565A1 (ja) | 2017-08-09 | 2018-08-08 | Mems振動素子の製造方法およびmems振動素子 |
CN201880051334.8A CN111051236B (zh) | 2017-08-09 | 2018-08-08 | Mems振动元件的制造方法及mems振动元件 |
US16/636,777 US11527968B2 (en) | 2017-08-09 | 2018-08-08 | Method of manufacturing MEMS vibration element and MEMS vibration element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017154474A JP7037144B2 (ja) | 2017-08-09 | 2017-08-09 | Mems振動素子の製造方法およびmems振動素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019033630A true JP2019033630A (ja) | 2019-02-28 |
JP7037144B2 JP7037144B2 (ja) | 2022-03-16 |
Family
ID=65272030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017154474A Active JP7037144B2 (ja) | 2017-08-09 | 2017-08-09 | Mems振動素子の製造方法およびmems振動素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11527968B2 (ja) |
JP (1) | JP7037144B2 (ja) |
CN (1) | CN111051236B (ja) |
WO (1) | WO2019031565A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11496820B2 (en) * | 2016-12-29 | 2022-11-08 | Gmems Tech Shenzhen Limited | MEMS device with quadrilateral trench and insert |
JP7369399B2 (ja) * | 2020-02-19 | 2023-10-26 | 国立大学法人静岡大学 | 振動素子の製造方法、振動発電素子の製造方法、振動素子、および振動発電素子 |
US11368792B1 (en) * | 2020-12-30 | 2022-06-21 | Aac Acoustic Technologies (Shenzhen) Co., Ltd. | Sound transducer and electronic device |
US20240056744A1 (en) * | 2022-08-09 | 2024-02-15 | Aac Acoustic Technologies (Shenzhen) Co., Ltd. | Cantilever microphone |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006005731A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Seiko Epson Corp | マイクロメカニカル静電振動子 |
JP2009171394A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Oki Semiconductor Co Ltd | 共振器 |
JP2013013256A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Aoi Electronics Co Ltd | エレクトレット膜およびこれを用いた振動発電素子 |
WO2014034602A1 (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | アオイ電子株式会社 | 静電誘導型変換装置およびdc-dcコンバータ |
JP2016082836A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | 国立大学法人静岡大学 | エレクトレット素子、当該エレクトレット素子を搭載したマイクロフォン、及び、当該エレクトレット素子の製造方法 |
WO2017057317A1 (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | 国立大学法人 東京大学 | 振動発電素子 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004082288A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 静電型アクチュエータ及びそれを用いた光スイッチ |
JP2004276201A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Seiko Epson Corp | マイクロ構造体およびその製造方法 |
JP2005159620A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | マイクロレゾネータ及びその製造方法並びに電子機器 |
KR100586967B1 (ko) * | 2004-05-28 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 회전형 빗살 구동 액츄에이터 및 이를 이용한 가변 광감쇄기 |
JP2006121653A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-05-11 | Seiko Epson Corp | Mems振動子の周波数調整方法およびmems振動子 |
JP5098254B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2012-12-12 | 富士通株式会社 | マイクロ揺動素子 |
US8089194B2 (en) * | 2006-10-30 | 2012-01-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electrostatic acting device including an electret film and an electrostatic power generator including an electret film |
US7880246B2 (en) * | 2007-11-29 | 2011-02-01 | Stichting Imec Nederland | Microstructure with enlarged mass and electrode area for kinetic to electrical energy conversion |
EP2245738B1 (en) * | 2008-01-24 | 2015-06-17 | Murata Electronics Oy | A micromechanical resonator |
DE102008059634B4 (de) * | 2008-11-28 | 2012-12-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikromechanischer Aktuator mit elektrostatischem Kamm-Antrieb |
JP2010166201A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Seiko Epson Corp | Memsデバイス及びその製造方法 |
JP2012205465A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Osaka Prefecture Univ | 振動発電素子 |
JP2013118784A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Murata Mfg Co Ltd | 発電装置及びその製造方法 |
JP2013135596A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Panasonic Corp | 振動発電素子 |
JP2013172523A (ja) | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Panasonic Corp | 振動発電素子およびそれを用いた振動発電装置 |
JP5504298B2 (ja) * | 2012-02-22 | 2014-05-28 | アオイ電子株式会社 | 振動発電素子およびその製造方法 |
JP2014011531A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Seiko Epson Corp | 振動デバイス、電子機器 |
JP5763023B2 (ja) | 2012-08-30 | 2015-08-12 | アオイ電子株式会社 | 立体型櫛歯エレクトレット電極の製造方法 |
CN103731116A (zh) * | 2012-10-12 | 2014-04-16 | 精工爱普生株式会社 | 振子、振子的制造方法、电子设备以及移动体 |
JP2014212409A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | セイコーエプソン株式会社 | Mems振動子、電子機器、及び移動体 |
CN103312291B (zh) * | 2013-06-19 | 2016-04-13 | 江苏物联网研究发展中心 | 静电梳齿谐振器 |
JP6653902B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2020-02-26 | 国立大学法人静岡大学 | アクチュエータ |
US10566912B2 (en) * | 2014-02-27 | 2020-02-18 | The University Of Tokyo | Vibration-driven energy harvester |
JP2016139009A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | キヤノン株式会社 | アクチュエータ、及びアクチュエータを用いた可変形状ミラー |
JP2016209935A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | アオイ電子株式会社 | エレクトレットの形成方法、mems装置 |
TWI621582B (zh) * | 2015-08-14 | 2018-04-21 | 先進微系統科技股份有限公司 | 梳形致動器 |
US10266389B2 (en) * | 2017-07-31 | 2019-04-23 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Forming an offset in an interdigitated capacitor of a microelectromechanical systems (MEMS) device |
-
2017
- 2017-08-09 JP JP2017154474A patent/JP7037144B2/ja active Active
-
2018
- 2018-08-08 WO PCT/JP2018/029842 patent/WO2019031565A1/ja active Application Filing
- 2018-08-08 CN CN201880051334.8A patent/CN111051236B/zh active Active
- 2018-08-08 US US16/636,777 patent/US11527968B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006005731A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Seiko Epson Corp | マイクロメカニカル静電振動子 |
JP2009171394A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Oki Semiconductor Co Ltd | 共振器 |
JP2013013256A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Aoi Electronics Co Ltd | エレクトレット膜およびこれを用いた振動発電素子 |
WO2014034602A1 (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | アオイ電子株式会社 | 静電誘導型変換装置およびdc-dcコンバータ |
JP2016082836A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | 国立大学法人静岡大学 | エレクトレット素子、当該エレクトレット素子を搭載したマイクロフォン、及び、当該エレクトレット素子の製造方法 |
WO2017057317A1 (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | 国立大学法人 東京大学 | 振動発電素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7037144B2 (ja) | 2022-03-16 |
CN111051236B (zh) | 2023-08-01 |
WO2019031565A1 (ja) | 2019-02-14 |
US20210376767A1 (en) | 2021-12-02 |
CN111051236A (zh) | 2020-04-21 |
US11527968B2 (en) | 2022-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6682106B2 (ja) | 振動発電素子 | |
JP7037144B2 (ja) | Mems振動素子の製造方法およびmems振動素子 | |
US11259124B2 (en) | Acoustic transducer with gap-controlling geometry and method of manufacturing an acoustic transducer | |
WO2018101017A1 (ja) | 振動発電素子 | |
US10033305B2 (en) | Energy harvesting device and method for forming the same | |
JP5237705B2 (ja) | 発電デバイス | |
US9293689B2 (en) | Method of manufacturing a piezoelectric micro energy harvester | |
CN110036560B (zh) | 振动发电装置 | |
Fu et al. | MEMS vibration electret energy harvester with combined electrodes | |
JP2008252847A (ja) | 静電型トランスデューサ | |
KR101764226B1 (ko) | 멤스 음향 센서 및 그 제조 방법 | |
US11117795B2 (en) | MEMS vibration element, method of manufacturing MEMS vibration element, and vibration-driven energy harvester | |
JP2008252854A (ja) | 静電型トランスデューサおよびその製造方法 | |
KR101300749B1 (ko) | 음향 센서 및 이의 제조 방법 | |
JP2008259062A (ja) | 静電型トランスデューサ | |
EP4242170A1 (en) | Vibration power generation element and method for manufacturing same | |
JP2013055647A (ja) | Mems共振器およびそれを用いた電気機器 | |
JP7128493B2 (ja) | 振動発電素子 | |
JP2023076648A (ja) | 振動発電素子 | |
JP2021069280A (ja) | 振動発電素子 | |
JP2021089149A (ja) | 電圧センサ | |
JP4995675B2 (ja) | 振動子デバイス及び発振器 | |
JP2013110493A (ja) | Mems振動子および発振器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170908 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200703 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20210428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210922 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7037144 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |