JP2006121653A - Ｍｅｍｓ振動子の周波数調整方法およびｍｅｍｓ振動子 - Google Patents

Ｍｅｍｓ振動子の周波数調整方法およびｍｅｍｓ振動子 Download PDF

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Abstract

【課題】 ＭＥＭＳ振動子の可動電極および集積回路へのダメージがなく、簡易に周波数の調整ができるＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板４１に形成したＭＥＭＳ振動子１において、あらかじめＭＥＭＳ振動子１の周波数を所望の共振周波数より高く作りこみ、可動電極３０の重り部３３に、インクジェット方式によりインク６１を塗布し、その後硬化処理をすることにより、可動電極３０の質量を増加させ、ＭＥＭＳ振動子１の共振周波数が低くなる方向に調整を行う。
【選択図】 図２

Description

本発明は、ＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法、および当該周波数調整方法にて周波数調整されたＭＥＭＳ振動子に関する。
近年、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）技術を用い、微小なＭＥＭＳ振動子が製作されている。ここで、ＭＥＭＳ振動子とは、半導体製造技術を用いて製作された微小な機能素子にて構成された振動子と、定義する。このＭＥＭＳ振動子は、従来使用されてきた水晶などの圧電材料を利用した振動子または共振器とは異なり、固定部と可動部を備え、固定部と可動部間に生ずる静電力により可動部が励振振動するように構成されている。
このような、ＭＥＭＳ振動子において、製造工程のばらつきから、従来の振動子と同じく周波数調整を行う必要がある。その場合には、例えば、特許文献１に示すようなレーザアシストエッチング加工技術を用いて、可動部（振動部）をエッチングして、ＭＥＭＳ振動子の周波数を調整する方法がとられている。
特開平８−１４６０２９号公報
しかしながら、レーザアシストエッチング加工を行うには大規模な設備を必要とし、レーザ照射により可動部にダメージを与えるおそれがある。また、ＭＥＭＳ振動子の周辺に機能回路を設けた場合に、集積回路へダメージを与えるという問題がある。
本発明の目的は上記課題を解消し、ＭＥＭＳ振動子の可動部とその周辺に設けた集積回路へのダメージがなく、簡易に周波数の調整ができるＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法および、当該ＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法で周波数が調整されたＭＥＭＳ振動子を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法は、基板上に形成され櫛歯部を備えた固定電極としての駆動電極と、前記駆動電極に対向するように配置され櫛歯部を備えた固定電極としての検出電極と、前記駆動電極と前記検出電極の間に配置された可動電極と、を有するＭＥＭＳ振動子であって、前記可動電極は、前記駆動電極と前記検出電極のそれぞれの櫛歯部と噛み合うように設けられた櫛歯部を有する重り部と、前記重り部と連結される梁部と、前記梁部に連結され前記基板上に固定され前記重り部および前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、前記可動電極の前記重り部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することにより、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とする。
このＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法によれば、ＭＥＭＳ振動子における可動電極の重り部にインクジェット方式でインクを塗布し、その後、インクを硬化処理することで重り部に質量を付加し、その質量効果で共振周波数を低くする方向で周波数を調整ができる。そして、インク塗布後のインクの硬化処理は低温で処理が可能であり、ＭＥＭＳ振動子の可動電極にダメージを与えることなく、信頼性を向上させることができる。このように、簡易な方法で周波数の調整ができるＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法を提供できる。
また、本発明のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法は、基板上に形成され櫛歯部を備えた固定電極としての駆動電極と、前記駆動電極に対向するように配置され櫛歯部を備えた固定電極としての検出電極と、前記駆動電極と前記検出電極の間に配置された可動電極と、を有するＭＥＭＳ振動子であって、前記可動電極は、前記駆動電極と前記検出電極のそれぞれの櫛歯部と噛み合うように設けられた櫛歯部を有する重り部と、前記重り部と連結される梁部と、前記梁部に連結され前記基板上に固定され前記重り部および前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、前記梁部から前記基板にかけてインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とする。
このＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法によれば、可動電極における梁部から基板にかけてインクジェット方式でインクを塗布し、その後、インクを硬化処理することにより梁部の一部と基板とを固着する。このことから、梁部の長さが短くなり、梁部のバネ定数を大きくし、共振周波数を高くする方向で周波数を調整することが可能となる。そして、インク塗布後のインクの硬化処理は低温で処理が可能であり、ＭＥＭＳ振動子の可動電極にダメージを与えることなく、信頼性を向上させることができる。このように、簡易な方法で周波数の調整ができるＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法を提供できる。
また、本発明のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法は、基板上に形成され櫛歯部を備えた固定電極としての駆動電極と、前記駆動電極に対向するように配置され櫛歯部を備えた固定電極としての検出電極と、前記駆動電極と前記検出電極の間に配置された可動電極と、を有するＭＥＭＳ振動子であって、前記可動電極は、前記駆動電極と前記検出電極のそれぞれの櫛歯部と噛み合うように設けられた櫛歯部を有する重り部と、前記重り部と連結される梁部と、前記梁部に連結され前記基板上に固定され前記重り部および前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、前記梁部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とする。
このＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法によれば、可動電極の梁部にインクジェット方式でインクを塗布し、その後、インクを硬化処理することにより梁部のバネ定数を大きくし、共振周波数を高くする方向で周波数を調整することが可能となる。そして、インク塗布後のインクの硬化処理は低温で処理が可能であり、ＭＥＭＳ振動子の可動電極にダメージを与えることなく、信頼性を向上させることができる。このように、簡易な方法で周波数の調整ができるＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法を提供できる。
また、本発明のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法は、基板上に形成され櫛歯部を備えた固定電極としての駆動電極と、前記駆動電極に対向するように配置され櫛歯部を備えた固定電極としての検出電極と、前記駆動電極と前記検出電極の間に配置された可動電極と、を有するＭＥＭＳ振動子であって、前記可動電極は、前記駆動電極と前記検出電極のそれぞれの櫛歯部と噛み合うように設けられた櫛歯部を有する重り部と、前記重り部と連結される梁部と、前記梁部に連結され前記基板上に固定され前記重り部および前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、前記可動電極の前記重り部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理すること、および前記梁部から前記基板にかけてインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とする。
このＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法によれば、例えば、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数を下げる方向である重り部へのインク塗布・硬化処理を行い、そのときに所望の共振周波数から低い周波数にはずれてしまった場合に、次に共振周波数を上げる方向である梁部から基板にかけてのインク塗布を行えば、所望の共振周波数を得ることができる。また、その逆も可能であり、このような調整を繰り返して行うことにより、高精度に共振周波数を合わせ込む事も可能となる。
また、本発明のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法は、基板上に形成され櫛歯部を備えた固定電極としての駆動電極と、前記駆動電極に対向するように配置され櫛歯部を備えた固定電極としての検出電極と、前記駆動電極と前記検出電極の間に配置された可動電極と、を有するＭＥＭＳ振動子であって、前記可動電極は、前記駆動電極と前記検出電極のそれぞれの櫛歯部と噛み合うように設けられた櫛歯部を有する重り部と、前記重り部と連結される梁部と、前記梁部に連結され前記基板上に固定され前記重り部および前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、前記可動電極の前記重り部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理すること、および前記梁部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とする。
このＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法によれば、例えば、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数を下げる方向である重り部へのインク塗布・硬化処理を行い、そのときに所望の共振周波数から低い周波数にはずれてしまった場合に、次に共振周波数を上げる方向である梁部にインク塗布を行えば、所望の共振周波数を得ることができる。また、このような調整を繰り返して行うことにより、高精度に共振周波数を合わせ込む事も可能となる。
また、本発明のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法は、基板上に形成された固定電極としての駆動電極と検出電極とを有し、前記基板上に空間を保って配置される可動電極と、を備えたＭＥＭＳ振動子であって、前記可動電極は前記検出電極上に配置された重り部と、前記重り部と連結される梁部と、前記梁部と連結され前記駆動電極に接続され前記重り部と前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、前記可動電極の前記重り部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することにより、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とする。
このＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法によれば、ＭＥＭＳ振動子における可動電極の重り部にインクジェット方式でインクを塗布し、その後、インクを硬化処理することで重り部に質量を付加し、その質量効果で共振周波数を低くする方向で周波数を調整ができる。そして、インク塗布後のインクの硬化処理は低温で処理が可能であり、ＭＥＭＳ振動子の可動電極にダメージを与えることなく、信頼性を向上させることができる。このように、簡易な方法で周波数の調整ができるＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法を提供できる。
また、本発明のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法は、基板上に形成された固定電極としての駆動電極と検出電極とを有し、前記基板上に空間を保って配置される可動電極と、を備えたＭＥＭＳ振動子であって、前記可動電極は前記検出電極上に配置された重り部と、前記重り部と連結される梁部と、前記梁部と連結され前記駆動電極に接続され前記重り部と前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、前記梁部から前記基板にかけてインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とする。
このＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法によれば、可動電極における梁部から基板にかけてインクジェット方式でインクを塗布し、その後、インクを硬化処理することにより梁部の一部と基板とを固着する。このことから、梁部の長さが短くなり、梁部のバネ定数を大きくし、共振周波数を高くする方向で周波数を調整することが可能となる。そして、インク塗布後のインクの硬化処理は低温で処理が可能であり、ＭＥＭＳ振動子の可動電極にダメージを与えることなく、信頼性を向上させることができる。このように、簡易な方法で周波数の調整ができるＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法を提供できる。
また、本発明のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法は、基板上に形成された固定電極としての駆動電極と検出電極とを有し、前記基板上に空間を保って配置される可動電極と、を備えたＭＥＭＳ振動子であって、前記可動電極は前記検出電極上に配置された重り部と、前記重り部と連結される梁部と、前記梁部と連結され前記駆動電極に接続され前記重り部と前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、前記梁部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とする。
このＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法によれば、可動電極の梁部にインクジェット方式でインクを塗布し、その後、インクを硬化処理することにより梁部のバネ定数を大きくし、共振周波数を高くする方向で周波数を調整することが可能となる。そして、インク塗布後のインクの硬化処理は低温で処理が可能であり、ＭＥＭＳ振動子の可動電極にダメージを与えることなく、信頼性を向上させることができる。このように、簡易な方法で周波数の調整ができるＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法を提供できる。
また、本発明のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法は、基板上に形成された固定電極としての駆動電極と検出電極とを有し、前記基板上に空間を保って配置される可動電極と、を備えたＭＥＭＳ振動子であって、前記可動電極は前記検出電極上に配置された重り部と、前記重り部と連結される梁部と、前記梁部と連結され前記駆動電極に接続され前記重り部と前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、前記可動電極の前記重り部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整すること、および前記梁部から前記基板にかけてインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とする。
このＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法によれば、例えば、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数を下げる方向である重り部へのインク塗布・硬化処理を行い、そのときに所望の共振周波数から低い周波数にはずれてしまった場合に、次に共振周波数を上げる方向である梁部から基板にかけてのインク塗布・硬化処理を行えば、所望の共振周波数を得ることができる。また、その逆も可能であり、このような調整を繰り返して行うことにより、高精度に共振周波数を合わせ込む事も可能となる。
また、本発明のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法は、基板上に形成された固定電極としての駆動電極と検出電極とを有し、前記基板上に空間を保って配置される可動電極と、を備えたＭＥＭＳ振動子であって、前記可動電極は前記検出電極上に配置された重り部と、前記重り部と連結される梁部と、前記梁部と連結され前記駆動電極に接続され前記重り部と前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、前記可動電極の前記重り部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整すること、および前記梁部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とする。
このＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法によれば、例えば、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数を下げる方向である重り部へのインク塗布・硬化処理を行い、そのときに所望の共振周波数から低い周波数にはずれてしまった場合に、次に共振周波数を上げる方向である梁部にインク塗布・硬化処理を行えば、所望の共振周波数を得ることができる。また、このような調整を繰り返して行うことにより、高精度に共振周波数を合わせ込む事も可能となる。
また、本発明のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法は、基板上に形成された固定電極としての駆動電極と検出電極とを有し、前記検出電極上に配置された重り部と、前記重り部に連結され前記駆動電極に接続され前記重り部を前記基板との空間を保って支持する支持部を設けた可動電極と、を備えたＭＥＭＳ振動子であって、前記可動電極の前記重り部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することにより、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とする。
このＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法によれば、ＭＥＭＳ振動子の可動電極の重り部にインクジェット方式でインクを塗布し硬化処理することで、質量を付加し、その質量効果で周波数を低くする方向で周波数を調整ができる。また、ＭＥＭＳ振動子の可動電極の重り部にインクジェット方式でインクを、重り部のバネ定数が大きくなる程度に多量に塗布し硬化処理をすれば、共振周波数を高くする方向で周波数を調整することができる。そして、インク塗布後のインクの硬化処理では低温で処理が可能であり、ＭＥＭＳ振動子の可動電極にダメージを与えることなく、信頼性を向上させることができる。このように、簡易な方法で周波数の調整ができるＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法を提供できる。
また、本発明のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法において、前記インクは金属を含むことが望ましい。
また、本発明のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法において、前記インクは無機物を含むことが望ましい。
また、本発明のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法において、前記インクは有機物を含むことが望ましい。
このように、インクジェット方式で吐出されるインクの材料として、金属を含むインクを用いた場合には、金属の比重が大きいため、少量のインクで質量を付加することができ、生産性が良いＭＥＭＳ振動子の周波数調整ができる。また、無機物あるいは有機物を含むインクを用いた場合には、金属に比べて比重が小さいため、周波数調整精度の良いＭＥＭＳ振動子の周波数調整ができる。
さらに、インク材料として金属または無機物の中で、硬さの硬い材料を選択し、厚くインクを塗布することで、可動電極のバネ定数を大きくすることにより周波数を調整することも可能である。
また、本発明のＭＥＭＳ振動子は、上記ＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法にて周波数調整されたＭＥＭＳ振動子であることを特徴とする。
このように、上記ＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法で周波数調整されたＭＥＭＳ振動子は、精度よく周波数調整される。また、ＭＥＭＳ振動子の可動電極へのダメージがなく、信頼性を向上させ、特性の良好なＭＥＭＳ振動子を得ることができる。
また、上記本発明のＭＥＭＳ振動子において、前記ＭＥＭＳ振動子と、集積回路が同一半導体基板に形成されたことが望ましい。
このように、ＭＥＭＳ振動子の可動電極および周辺に形成された集積回路へのダメージがなく、信頼性を向上させ、特性の良好なＭＥＭＳ振動子を得ることができる。また、例えば集積回路に発振回路を設ければ、発振回路の出力周波数をモニターしながらＭＥＭＳ振動子の周波数調整を行うことが可能となる。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従い説明する。
（第１の実施形態）
実施形態の説明に先立って、横振動型ＭＥＭＳ振動子の一例について、作動原理を説明する。
図１は櫛歯構造の電極を持つＭＥＭＳ振動子の構成を示す構成図であり、図１（ａ）は斜視図、図１（ｂ）は平面図、図１（ｃ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ断線に沿う断面図である。
ＭＥＭＳ振動子１は、半導体基板２の上に成膜された絶縁膜３上に形成され、駆動電極１０、検出電極２０、可動電極３０から構成されている。駆動電極１０は、絶縁膜３上に形成された固定電極であり、櫛歯部１１と、櫛歯部１１に接続するパッド部１２を有している。また、検出電極２０は、絶縁膜３上に形成された固定電極であり、櫛歯部２１と、櫛歯部２１に接続するパッド部２２を有し、駆動電極１０と対向するように配置されている。
そして、対向する駆動電極１０と検出電極２０の間には、可動電極３０が配置されている。可動電極３０は、絶縁膜３上に形成された支持部３１と、支持部３１から延出した梁部３２と、梁部３２に接続される重り部３３と、重り部３３から２方向に伸びる櫛歯を持った櫛歯部３４，３５から構成されている。可動電極３０は、支持部３１により絶縁膜３上に固定され、梁部３２、重り部３３、櫛歯部３４，３５が絶縁膜３との間に空間を保つように配置されている。また、重り部３３は駆動電極１０と検出電極２０との間の信号経路も兼ねている。
また、可動電極３０の櫛歯部３４と駆動電極１０の櫛歯部１１、および可動電極３０の櫛歯部３５と検出電極２０の櫛歯部２１が噛み合う状態で配置されている。なお、可動電極３０は、シリコン、ポリシリコンあるいは金属の薄膜で形成され、電極として作用し、特定の共振周波数ｆで振動が生ずるように寸法、形状、質量、材質を最適化し設計されている。
このような構成のＭＥＭＳ振動子１において、可動電極３０に直流電圧が印加されると、可動電極３０の櫛歯部３４と駆動電極１０の間および、可動電極３０の櫛歯部３５と検出電極２０の間に電位差が生ずる。そして、駆動電極１０と検出電極２０の電極表面にはそれぞれの電位差に応じた電荷がチャージされる。この状態で、駆動電極１０に交流電圧（共振周波数ｆの信号）を印加すると、駆動電極１０の櫛歯部１１と、可動電極３０の櫛歯部３４の間に静電力が働く。例えば、駆動電極１０と可動電極３０の電位差が大きくなると、静電力が大きくなり可動電極３０が駆動電極１０に引き寄せられ、また、駆動電極１０と可動電極３０の電位差が小さくなると、静電力も小さくなり、可動電極３０に設けられた梁部３２の復元力により元の位置に押し戻される。
ここで、駆動電極１０と可動電極３０の電位差が最大になった場合、電位差に加え電極間の容量も増加するため、駆動電極１０と検出電極２０に励起される電荷は増大する。これに対して、可動電極３０が駆動電極１０側に移動することにより、検出電極２０と可動電極３０の間隔が増大するため、可動電極３０と検出電極２０の間の容量は減少し、かつ、電位差は変わらないため電極表面の電荷が減少する。つまり、電荷の移動が生じ、検出電極２０に電流が流れる。
逆に、駆動電極１０と可動電極３０の電位差が減少していった場合、可動電極３０の梁部３２の復元力により、可動電極３０は駆動電極１０側から離れ、梁部３２のバネ性により元の位置以上に動き、検出電極２０側へ移動する。このときに、可動電極３０と検出電極２０との間の容量が増大し、かつ、電位差は変わらないため、再び電極表面の電荷が増加する。つまり、電荷の移動が生じ、検出電極２０に前記と逆方向に電流が流れる。
以上の動作が繰り返され、可動電極３０が図１（ｂ）の矢印Ｖで示す方向に振動し、検出電極２０から固有の共振周波数ｆを有する信号が出力される。
なお、共振周波数ｆ以外の信号を駆動電極１０に印加した場合には、可動電極３０が可動しないため、共振周波数ｆは出力されない。
このように、ＭＥＭＳ振動子１は、固定部（駆動電極１０、検出電極２０）と可動部としての可動電極３０を備え、駆動電極１０と可動電極３０間に生ずる静電力により可動電極３０が励振振動し、その振動により励起される電荷の移動を検出電極２０が検出して、共振周波数ｆを得るように構成されている。
また、ＭＥＭＳ振動子１の共振周波数ｆは、可動電極の質量をｍ（以下、「質量ｍ」と書く）とし、可動電極のバネ定数（構造体の硬さ）をｋ（以下、「バネ定数ｋ」と書く）とすると、下記の式（１）で表される。
ｆ＝（１／２π）×（ｋ／ｍ）0.5 （１）
この式（１）は、質量ｍを大きくすると共振周波数ｆは低くなり、質量ｍを小さくすると共振周波数ｆは高くなることを示している。また、バネ定数ｋを大きくすると共振周波数ｆは高くなり、バネ定数ｋを小さくすると共振周波数ｆは低くなることを示している。このように、微小な質量ｍまたはバネ定数ｋの変化が、共振周波数ｆを大きく増減させることがわかる。
以下、本発明に係るＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法について説明する。
図２は、第１の実施形態の周波数調整方法について説明する図である。図２（ａ）はインクジェット方式でインクを塗布する方法の模式断面図、図２（ｂ）はインクを塗布する領域を示すＭＥＭＳ振動子１の平面図である。
ＭＥＭＳ振動子１の周波数調整は、あらかじめＭＥＭＳ振動子１の共振周波数を所望の周波数より高く作りこみ、図２（ａ）に示すように、インクジェットヘッド６０からインク６１を吐出させ、可動電極３０の重り部３３にインク６１を塗布することで行われる。インク６１は、例えば、５ｎｍ程度の銀ナノ粒子紛と有機溶媒としてのバインダー樹脂とを混合したものを使用する。インク６１を塗布後、熱処理などの硬化処理が行われる。また、図２（ｂ）に示すように、インク６１を塗布する領域は重り部３３のインク塗布領域６２内である。周波数の調整量に応じて、インク塗布領域６２の全面あるいは一部に塗布する。インク６１の塗布量（以下、「インク塗布量」と書く）は、硬化処理における質量の変化があるため、インク塗布量と硬化処理後の質量の関係をあらかじめ把握しておき、硬化処理後に共振周波数が所望の値になる量である。
このインク塗布領域６２に塗布するインク６１の塗布位置について詳しくは、例えば、ＭＥＭＳ振動子１の共振周波数の初期値が所望の共振周波数に近い場合には、図３（ａ）に示すように、重り部３３の中心部から図中左右に中心線Ｈ−Ｈに沿うようにインク６１の塗布が行われる。また、ＭＥＭＳ振動子１の共振周波数の初期値が所望の共振周波数から大きく離れている場合には、図３（ｂ）に示すように、重り部３３の中心部から図中左右に中心線Ｈ−Ｈに沿うようにインク６１の塗布を行った後、その両側（図中上下方向）へ均等にインク６１を塗布する。
このようにすれば、可動電極３０へのインク６１による質量付加はバランスよく形成でき、可動電極３０の安定な動作を確保することができる。
次に、ＭＥＭＳ振動子１における周波数調整の手順の一例について説明する。図４は周波数調整の手順を示すフローチャートである。
可動電極３０の支持部３１に直流のバイアス電圧を印加した状態で、駆動電極１０を計測機器であるネットワークアナライザの入力側に、検出電極２０を前記ネットワークアナライザの出力側にプローブピンにより接続する。前記ネットワークアナライザの入力側から所望の共振周波数Ｆｔｇ付近の信号を、例えば設計共振周波数Ｆｔｇ±３％の周波数帯域で周波数スイープし、共振周波数Ｆｒを計測する（ステップＳ１）。
次に、計測された共振周波数Ｆｒがあらかじめ規定した所望の範囲内、即ち共振周波数Ｆｔｇに入っているか確認する（ステップＳ２）。
上記計測された共振周波数Ｆｒが所望の範囲内に収まっている場合は周波数調整を終了するが、上記計測された共振周波数Ｆｒが所望の範囲内に収まっていない場合は、計測された共振周波数Ｆｒから塗布するインク塗布量を計算し、インク塗布量の設定を行う（ステップＳ３）。そして、重り部３３にインク塗布を行う（ステップＳ４）。
その後、インクの熱処理などの硬化処理を行い（ステップＳ５）、再度、共振周波数Ｆｒの測定をする（ステップＳ６）。
測定した共振周波数Ｆｒが目標値に収まっている場合は、ＭＥＭＳ振動子１の周波数調整を終了するとともに、インク塗布量をデータとして保管し、次回以降の周波数調整に適用する（ステップＳ７）。また、測定した共振周波数Ｆｒが目標値に収まっていない場合は、ステップＳ３に戻り、以下同様に、周波数調整の作業が継続する。
なお、インクジェット方式とは、質量となる材料を溶媒に溶解または分散させたインクを用い、そのインクの組成物をインクジェットヘッドから吐出させ、所定の位置に塗布して、その後、乾燥、熱処理などの硬化処理を経て、インクの組成物を被吐出物に定着させる方式である。
また、インクの材料としては、非絶縁基板であるシリコン基板との絶縁を確保するために、導体材料以外のものを使用するが、基板表面に酸化膜または窒化膜などの絶縁物が形成されている場合には、銀などの導体材料を利用することができる。具体的には、銀以外の他の金属あるいは無機物の微小粒子と有機溶媒を混合したペースト状のもの、あるいは樹脂から構成される有機物であっても使用できる。例えば、５ｎｍ程度の粒径を有するセラミック微小粒子紛と有機溶媒としてのバインダー樹脂とを混合したもの、ＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂などであってもよい。
また、比重の軽い物質をインクとして選択し質量として付加することで、より精度の高い周波数調整が行える。
このように、インクジェット方式によりインク６１を可動電極３０の重り部３３に塗布することにより、重り部３３の質量が大きくなり、共振周波数Ｆｒが低くなる方向に周波数が調整され、所望の共振周波数Ｆｔｇを得ることができる。そして、インク塗布後のインクの硬化処理は低温で処理が可能であり、ＭＥＭＳ振動子の可動電極にダメージを与えることなく、信頼性を向上させることができる。
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態として、上記第１の実施形態で示した横振動型ＭＥＭＳ振動子における、他の周波数調整方法について説明する。この横振動型ＭＥＭＳ振動子は第１の実施形態と同様な構成のため、構成要素については同符号を付し、説明を省略する。
図５はＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法について説明する説明図であり、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は同図（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。
本実施形態におけるＭＥＭＳ振動子１の周波数調整方法は、可動電極３０の梁部３２から半導体基板２の上に形成された絶縁膜３にかけて、インク６５を塗布・硬化処理して、梁部３２と絶縁膜３とを固着することで行われる。つまり、梁部３２と絶縁膜３とを固着することで梁部３２の長さを短くして梁部３２のバネ定数ｋを大きくし、可動電極３０の共振周波数が高くなる方向で周波数の調整を可能としている。
例えば、あらかじめＭＥＭＳ振動子の共振周波数を所望の周波数より低く作りこみ、まず、可動電極３０における支持部３１と梁部３２との連結部に、梁部３２から半導体基板２の絶縁膜３にかけて、インク６５を塗布する。このインク６５の塗布は、支持部３１に連結される４本の梁についてほぼ同位置でインク塗布量はほぼ同量に行われる。
そして、インク６５を熱処理などの硬化処理を行って、梁部３２と半導体基板２の絶縁膜３を固着し、その結果、梁部３２の長さが短くなり、梁部３２のバネ定数ｋが大きくなる。このことから、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数が高くなり、所望の周波数に調整が可能となる。また、共振周波数が所望の周波数に至らないときには、図７の梁部の部分平面図に示すように、再度、インク６５を梁部３２から半導体基板２の絶縁膜３にかけて塗布する。周波数調整量によりこの塗布位置を調整することができ、周波数調整量が少ないときには、前にインクを塗布した位置に少しずらすことで微調整することができる。また、周波数調整量が多く必要なときには、前にインクを塗布した位置から離して、梁の長さが短くなる位置にインクを塗布すれば共振周波数を大きく調整することができる。
次に、ＭＥＭＳ振動子１における周波数調整の手順の一例について説明する。図６は周波数調整の手順を示すフローチャートである。
まず、ネットワークアナライザの入力側から所望の共振周波数Ｆｔｇ付近の信号を、例えば設計共振周波数Ｆｔｇ±３％の周波数帯域で周波数スイープし、共振周波数Ｆｒを計測する（ステップＳ１１）。
次に、計測された共振周波数Ｆｒがあらかじめ規定した所望の範囲内、即ち共振周波数Ｆｔｇに入っているか確認する（ステップＳ１２）。
上記計測された共振周波数Ｆｒが所望の範囲内に収まっている場合は周波数調整を終了するが、上記計測された共振周波数Ｆｒが所望の範囲内に収まっていない場合は、計測された共振周波数Ｆｒから塗布するインク塗布量を計算し、インク塗布量の設定を行う（ステップＳ１３）。そして、梁部３２から半導体基板２の絶縁膜３にかけてインク塗布を行う（ステップＳ１４）。その後、インクの熱処理などの硬化処理を行い（ステップＳ１５）、再度、共振周波数Ｆｒの測定をする（ステップＳ１６）。
測定した共振周波数Ｆｒが目標値に収まっている場合は、ＭＥＭＳ振動子１の周波数調整を終了するとともに、インク塗布量をデータとして保管し、次回以降の周波数調整に適用する（ステップＳ１７）。また、測定した共振周波数Ｆｒが目標値に収まっていない場合は、ステップＳ１３に戻り、以下同様に、周波数調整の作業が継続する。
このＭＥＭＳ振動子１の周波数調整方法によれば、可動電極３０における梁部３２から半導体基板２にかけてインクジェット方式でインク６５を塗布しインク６５を硬化処理することにより、梁部３２の一部と半導体基板２とを固着する。このことから、梁部３２の長さが短くなり、梁部３２のバネ定数ｋを大きくし、共振周波数を高くする方向で周波数を調整することが可能となる。
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態として、上記第１および第２の実施形態で示した横振動型ＭＥＭＳ振動子における、他の周波数調整方法について説明する。
第３の実施形態におけるＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法は、第２の実施形態と異なり、梁部３２のみにインクを塗布する実施形態である。この横振動型ＭＥＭＳ振動子は第１の実施形態と同様な構成のため、構成要素については同符号を付して説明を省略し、可動電極における梁部の部分平面図のみを図８に示す。
本実施形態では、可動電極３０における梁部３２のインク塗布領域６６にインクを塗布し、インクの硬化処理を行う。インク塗布領域６６は、支持部３１に連結する付近の梁部３２に設けられ、このインク塗布領域６６部分は、可動電極３０の固有振動に大きく影響を与える部分である。
このように、インク塗布領域６６部分にインクを塗布して硬化させることにより、梁部３２のバネ定数ｋが大きくなり、共振周波数を高くする方向で周波数を調整することが可能となる。
（第４の実施形態）
第４の実施形態としては、上記第１の実施形態における周波数調整方法と第２の実施形態における周波数調整方法または第３の実施形態における周波数調整方法を組み合わせた実施形態である。
周波数調整前のＭＥＭＳ振動子は、製造のばらつきから所望の共振周波数に対して、高い周波数および低い周波数が存在する。また、一方向の周波数調整（例えば、周波数を低くする方向だけの周波数調整）では周波数調整中に所望の共振周波数を超えて、周波数調整がそれ以上できない場合がある。このような場合に対応できるように、本実施形態では周波数を低くする調整方法と周波数を高くする周波数調整方法を組み合わせている。
図９は、上記第１の実施形態における周波数調整方法と第２の実施形態における周波数調整方法の両者を用いた周波数調整方法の手順を示すフローチャートである。
まず、ネットワークアナライザの入力側から所望の共振周波数Ｆｔｇ付近の信号を、例えば設計共振周波数Ｆｔｇ±３％の周波数帯域で周波数スイープし、共振周波数Ｆｒを計測する（ステップＳ２１）。
次に、計測された共振周波数Ｆｒがあらかじめ規定した所望の範囲内、即ち共振周波数Ｆｔｇに入っているか確認する（ステップＳ２２）。
上記計測された共振周波数Ｆｒが所望の範囲内に収まっている場合は周波数調整を終了するが、上記計測された共振周波数Ｆｒが所望の範囲内に収まっていない場合は、次に共振周波数Ｆｒが所望の範囲から高い周波数であるか低い周波数であるかを判断する（ステップＳ２３）。
ここで、共振周波数Ｆｒが所望の範囲から低い周波数である場合、ステップＳ３０に進む。また、共振周波数Ｆｒが所望の範囲から高い周波数である場合、可動電極３０の重り部３３にインクを塗布すべく、塗布するインク塗布量を計算し、インク塗布量の設定を行う（ステップＳ２４）。そして、重り部３３にインクの塗布を行う（ステップＳ２５）。その後、インクの熱処理などの硬化処理を行い（ステップＳ２６）、再度、共振周波数Ｆｒの測定をする（ステップＳ２７）。
そして、測定した共振周波数Ｆｒが目標値に収まっているかどうかの判断を行う（ステップＳ２８）。測定した共振周波数Ｆｒが目標値に収まっている場合は、ＭＥＭＳ振動子１の周波数調整を終了するが、測定した共振周波数Ｆｒが目標値に収まっていない場合は、共振周波数Ｆｒが所望の範囲から高い周波数であるか低い周波数であるかを判断する（ステップＳ２９）。共振周波数Ｆｒが所望の範囲から高い周波数である場合には、ステップＳ２４に戻り、以下同様に、周波数調整の作業が継続する。
また、ステップＳ２９で共振周波数Ｆｒが所望の範囲から低い周波数であった場合には、可動電極３０の梁部３２から半導体基板の絶縁膜にかけてインクを塗布すべく、塗布するインク塗布量を計算し、インク塗布量の設定を行う（ステップＳ３０）。
そして、梁部３２から半導体基板２の絶縁膜３にかけてインク塗布を行う（ステップＳ３１）。その後、インクの熱処理などの硬化処理を行い（ステップＳ３２）、再度、共振周波数Ｆｒの測定をする（ステップＳ３３）。
次に、測定した共振周波数Ｆｒが目標値に収まっているかどうかを判断する（ステップＳ３４）。測定した共振周波数Ｆｒが目標値に収まっている場合は、ＭＥＭＳ振動子１の周波数調整を終了するが、測定した共振周波数Ｆｒが目標値に収まっていない場合は、ステップＳ２３に戻り、以下同様に、周波数調整の作業が継続する。
このＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法によれば、例えば、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数を下げる方向である重り部へのインク塗布・硬化処理を行い、そのときに所望の共振周波数から低い周波数にはずれてしまった場合に、次に共振周波数を上げる方向である梁部から半導体基板にかけてのインク塗布・硬化処理を行えば、所望の共振周波数を得ることができる。また、その逆も可能であり、また、このような調整を繰り返して行うことにより、高精度に共振周波数を合わせ込む事も可能となる。
また、第１の実施形態における周波数調整方法と第３の実施形態における周波数調整方法を用いた周波数調整方法も可能であり、上記と同様の効果を得ることができる。
以上の横振動型のＭＥＭＳ振動子１において、インクジェット方式を用い、可動電極３０の重り部３３にインクの塗布・硬化処理を行い、質量ｍを大きくすることで、ＭＥＭＳ振動子１の共振周波数が低くなる方向で調整できる。また、梁部３２から半導体基板２の絶縁膜３にかけてインクを塗布・硬化処理を行い、梁部３２のバネ定数ｋを大きくすることで、ＭＥＭＳ振動子１の共振周波数が高くなる方向で調整できる。さらに、インクジェット方式を用い、インクを可動電極３０の梁部３２に塗布・硬化処理を行い、バネ定数ｋを大きくすることで、ＭＥＭＳ振動子１の共振周波数が高くなる方向で調整できる。
また、このインクジェット方式を用いれば、インク塗布後のインクの硬化処理ではおおよそ２００℃以下の低温で処理が可能であり、ＭＥＭＳ振動子１の可動電極３０へのダメージがなく、良好に周波数の調整ができるＭＥＭＳ振動子１の周波数調整方法を提供できる。さらに、従来のように周波数調整に大規模な設備を必要とせず、簡易な設備でＭＥＭＳ振動子１の周波数調整ができる。
（第５の実施形態）
次に他の実施形態として、以下に縦振動型ＭＥＭＳ振動子における周波数の調整方法について説明をする。実施形態の説明に先立ち、縦振動型ＭＥＭＳ振動子の一例について、作動原理を説明する。
図１０は縦振動型ＭＥＭＳ振動子の構成を示す構成図であり、図１０（ａ）は平面図、図１０（ｂ）は同図（ａ）のＦ−Ｆ断線に沿う断面図である。
ＭＥＭＳ振動子１２０は、半導体基板１３０の上に成膜された絶縁膜１３１上に形成され、駆動電極１２１、検出電極１２２、可動電極１３２から構成されている。駆動電極１２１および検出電極１２２は、絶縁膜１３１上に形成された固定電極である。
可動電極１３２は駆動電極１２１上に形成された支持部１２５と、支持部１２５から延出した梁部１２４と、梁部１２４に接続される重り部１２３から構成されている。重り部１２３は検出電極１２２の上方に位置し、梁部１２４および重り部１２３と半導体基板１３０の絶縁膜１３１との間に空間を保つように、支持部１２５により支持されている。
なお、可動電極１３２は、シリコン、ポリシリコンあるいは金属の薄膜で形成され、電極として作用し、特定の共振周波数で振動が生ずるように寸法、形状、質量、材質を最適化し設計されている。
このようなＭＥＭＳ振動子１２０において、駆動電極１２１を介して、可動電極１３２に直流電圧が印加されると、可動電極１３２と検出電極１２２の間に電位差が生じ、可動電極１３２と検出電極１２２の間に静電力が働く。ここで、さらに可動電極１３２に可動電極部の固有振動数と等しい周波数の交流電圧が印加されると、駆動電極１２１と可動電極１３２の間の静電力に変位が生じ、可動電極１３２が図１０（ｂ）に示す矢印Ｔ方向に振動する。このとき、検出電極１２２の電極表面では、電荷の移動が生じ、検出電極１２２に電流が流れる。そして、振動が繰り返されることから、検出電極１２２から固有の共振周波数が出力される。
以上の構成の縦振動型ＭＥＭＳ振動子における周波数調整方法を、図１１にて説明する。図１１はＭＥＭＳ振動子１２０の周波数調整について説明する平面図である。
ＭＥＭＳ振動子１２０の周波数調整は、あらかじめＭＥＭＳ振動子１２０の共振周波数を所望の周波数より高く作りこみ、インクジェット方式によりインク１２６を可動電極１３２の重り部１２３に塗布し、熱処理などの硬化処理をすることで行われる。インク１２６の質量が重り部１２３に付加され、ＭＥＭＳ振動子１２０の共振周波数は低くなる方向で共振周波数の調整が行われる。
インク塗布量は、周波数調整量により応じて決定され、インクの硬化処理における質量変化があるため、インク塗布量と硬化処理後の質量の関係をあらかじめ把握しておき、硬化処理後に共振周波数が所望の値になる量を塗布する。
また、インク１２６を塗布する位置は、重り部１２３の中心部より塗布し、この中心部より外側に向かい、中心に対して点対称となる位置に塗布されるのが好ましい。
このようにすることで、重り部１２３のバランスが保たれ、安定した振動を確保することができる。
以上のＭＥＭＳ振動子１２０の周波数調整方法によれば、ＭＥＭＳ振動子１２０における可動電極１３２の重り部１２３にインクジェット方式でインク１２６を塗布し硬化処理することで、重り部１２３に質量を付加し、その質量効果で共振周波数を低くする方向で周波数を調整ができる。そして、インク塗布後のインクの硬化処理では低温で処理が可能であり、ＭＥＭＳ振動子１２０の可動電極１３２にダメージを与えることなく、信頼性を向上させることができる。
（第６の実施形態）
次に、上記縦振動型ＭＥＭＳ振動子における、他の周波数調整方法について説明する。 図１２は、他の周波数調整方法を説明する説明図であり、図１２（ａ）は平面図、図１２（ｂ）は同図（ａ）のＧ−Ｇ断線に沿う断面図である。
この縦振動型ＭＥＭＳ振動子は第５の実施形態と同様な構成のため、構成要素については同符号を付し、説明を省略する。
ＭＥＭＳ振動子１２０の周波数調整は、あらかじめＭＥＭＳ振動子１２０の共振周波数を所望の周波数より低く作りこみ、インクジェット方式によりインク１２７を可動電極１３２の梁部１２４から半導体基板１３０の絶縁膜１３１にかけて塗布し、熱処理などの硬化処理をすることで行われる。このようにすることで、梁部と半導体基板１３０の絶縁膜１３１とが固着され、梁部１２４の長さが短くなる。このため、梁部１２４のバネ定数ｋが大きくなり、ＭＥＭＳ振動子１２０の共振周波数は高くなる方向で共振周波数の調整が行われる。
インク１２７の塗布位置は、まず可動電極１３２における支持部１２５と梁部１２４とが連結される部分に行われ、各４本の梁部１２４にほぼ均等な量のインクを塗布する。さらに、周波数の調整量が必要な場合には、支持部１２５から重り部１２３に向かい、各梁部１２４の長さが短くなる方向に、ほぼ同位置にインクを塗布・硬化処理を行う。
上記、ＭＥＭＳ振動子１２０の周波数調整方法によれば、可動電極１３２における梁部１２４から半導体基板１３０の絶縁膜１３１にかけてインクジェット方式でインク１２７を塗布しインクを硬化処理することにより、梁部１２４の一部と半導体基板１３０の絶縁膜１３１とを固着する。このことから、梁部１２４の長さが短くなり、梁部１２４のバネ定数ｋを大きくし、共振周波数を高くする方向で周波数を調整することが可能となる。そして、インク塗布後のインクの硬化処理では低温で処理が可能であり、ＭＥＭＳ振動子１２０の可動電極１３２にダメージを与えることなく、信頼性を向上させることができる。
（第７の実施形態）
次に、上記縦振動型ＭＥＭＳ振動子における、他の周波数調整方法について説明する。 図１３は、他の周波数調整方法を説明する平面図である。この縦振動型ＭＥＭＳ振動子は第５の実施形態と同様な構成のため、構成要素については同符号を付し、説明を省略する。
ＭＥＭＳ振動子１２０の周波数調整は、あらかじめＭＥＭＳ振動子１２０の共振周波数を所望の周波数より低く作りこみ、インクジェット方式によりインクを可動電極１３２の梁部１２４の一面１３５に塗布し、熱処理などの硬化処理をすることで行われる。
梁部１２４へのインクの塗布はほぼ梁部１２４の一面１３５に均一に行うことが望ましく、その厚さは、梁部１２４の断面積が大きくなり梁部１２４のバネ定数ｋを変化させる程度に厚く塗布するのが好ましい。
このようにすることで、梁部１２４の断面積が大きくなり、梁部１２４のバネ定数ｋが大きくなり、ＭＥＭＳ振動子１２０の共振周波数は高くなる方向で共振周波数の調整が行われる。
このＭＥＭＳ振動子１２０の周波数調整方法によれば、可動電極１３２における梁部１２４の一面１３５にインクジェット方式でインクを塗布しインクを硬化処理することにより、梁部１２４のバネ定数を大きくし、共振周波数を高くする方向で周波数を調整することが可能となる。そして、インク塗布後のインクの硬化処理では低温で処理が可能であり、ＭＥＭＳ振動子１２０の可動電極１３２にダメージを与えることなく、信頼性を向上させることができる。
（第８の実施形態）
第８の実施形態は、上記第５の実施形態における周波数調整方法と第６の実施形態における周波数調整方法または第７の実施形態における周波数調整方法を組み合わせた実施形態である。
周波数調整前のＭＥＭＳ振動子は、製造のばらつきから所望の共振周波数に対して、高い周波数および低い周波数が存在する。また、一方向の周波数調整（例えば、周波数を低くする方向だけの周波数調整）では周波数調整中に所望の共振周波数を超えて、周波数調整がそれ以上できない場合がある。このような、場合に対応できるように、本実施形態では周波数を低くする調整方法と周波数を高くする周波数調整方法を組み合わせている。
周波数調整方法として、例えば、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数を下げる方向である重り部へのインク塗布（第５の実施形態）を行い、そのときに所望の共振周波数から低い周波数にはずれてしまった場合に、次に共振周波数を上げる方向である梁部から半導体基板にかけてのインク塗布（第６の実施形態）を行えば、所望の共振周波数を得ることができる。また、その逆も可能であり、このような調整を繰り返して行うことにより、高精度に共振周波数を合わせ込む事も可能となる。
もう一つの周波数調整方法として、例えば、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数を下げる方向である重り部へのインク塗布（第５の実施形態）を行い、そのときに所望の共振周波数から低い周波数にはずれてしまった場合に、次に共振周波数を上げる方向である梁部にインク塗布（第７の実施形態）を行えば、所望の共振周波数を得ることができる。また、その逆も可能であり、このような調整を繰り返して行うことにより、高精度に共振周波数を合わせ込む事も可能となる。
以上の縦振動型のＭＥＭＳ振動子１２０において、インクジェット方式を用い、可動電極１３２の重り部１２３にインクの塗布・硬化処理を行い、質量ｍを大きくすることで、ＭＥＭＳ振動子１２０の共振周波数が低くなる方向で調整できる。また、梁部１２４から半導体基板１３０の絶縁膜１３１にかけてインクを塗布・硬化処理を行い、梁部１２４のバネ定数ｋを大きくすることで、ＭＥＭＳ振動子１２０の共振周波数が高くなる方向で調整できる。さらに、インクジェット方式を用い、インクを可動電極１３２の梁部１２４に塗布・硬化処理を行い、バネ定数ｋを大きくすることで、ＭＥＭＳ振動子１２０の共振周波数が高くなる方向で調整できる。
また、このインクジェット方式を用いれば、インク塗布後のインクの硬化処理ではおおよそ２００℃以下の低温で処理が可能であり、ＭＥＭＳ振動子１２０の可動電極１３２へのダメージがなく、良好に周波数の調整ができるＭＥＭＳ振動子１２０の周波数調整方法を提供できる。さらに、従来のように周波数調整に大規模な設備を必要とせず、簡易な設備でＭＥＭＳ振動子１２０の周波数調整ができる。
（第９の実施形態）
次に、他の縦振動型ＭＥＭＳ振動子における周波数調整方法について説明する。
図１４は、他の縦振動型ＭＥＭＳ振動子の構成を示す構成図であり、図１４（ａ）は斜視図、図１４（ｂ）は平面図、図１４（ｃ）は同図（ｂ）のＤ−Ｄ断線に沿う断面図である。
縦振動型のＭＥＭＳ振動子１００は、半導体基板１１０の上に成膜された絶縁膜１１１上に形成され、駆動電極１０２，１０３、検出電極１０１、可動電極１０４から構成されている。駆動電極１０２，１０３および検出電極１０１は、絶縁膜１１１上に形成された固定電極である。駆動電極１０２と駆動電極１０３の間のほぼ中央部には検出電極１０１が配置されている。そして、可動電極１０４は、駆動電極１０２，１０３の上に形成された支持部１０６に支持され、検出電極１０１を跨ぎ、絶縁膜１１１および検出電極１０１の間に空間を保つように配置されている。
なお、可動電極１０４は、シリコン、ポリシリコン、金属などの薄膜で形成され、電極として作用し、特定の共振周波数で振動が生ずるように寸法、形状、質量、材質を最適化し設計されている。
このようなＭＥＭＳ振動子１００において、駆動電極１０２，１０３を介して、可動電極１０４に直流電圧が印加されると、可動電極１０４と検出電極１０１の間に電位差が生じ、可動電極１０４と検出電極１０１の間に静電力が働く。ここで、さらに可動電極１０４に可動電極部の固有振動数と等しい周波数の交流電圧が印加されると、駆動電極１０２，１０３と可動電極１０４との間の静電力に変位が生じ、可動電極１０４が図１４（ａ）に示す矢印Ｓ方向に振動する。このとき、検出電極１０１の電極表面では、電荷の移動が生じ、検出電極１０１に電流が流れる。そして、振動が繰り返されることから、検出電極から固有の共振周波数が出力される。
図１５は縦振動ビーム型のＭＥＭＳ振動子における、ＭＥＭＳ振動子１００の周波数調整について説明する図である。図１５（ａ）はインクジェット方式でインクを塗布するＭＥＭＳ振動子１００の模式断面図、図１５（ｂ）はインクを塗布する領域を示すＭＥＭＳ振動子１００の平面図である。
ＭＥＭＳ振動子１００の周波数調整は、あらかじめＭＥＭＳ振動子１００の共振周波数を所望の周波数より高く作りこみ、図１５（ａ）に示すように、インクジェットヘッド６０からインク６１を吐出させ、可動電極１０４のインク塗布領域１０５にインク６１を塗布する。インク塗布領域１０５には、周波数調整量に応じて、インク塗布領域１０５の全面または一部にインクが塗布され、インク塗布後、熱処理などの硬化処理が行われる。インク６１の塗布量は、硬化処理における質量の変化があるため、インク塗布量と硬化処理後の質量の関係をあらかじめ把握しておき、硬化処理後に共振周波数が所望の値になる量を塗布する。
このように、インクジェット方式によりインク６１を可動電極１０４のインク塗布領域１０５に塗布することにより、可動電極１０４の質量ｍが大きくなり、共振周波数が低くなる方向に周波数が調整され、所望の共振周波数を得ることができる。
さらに、可動電極１０４のインク塗布領域１０５に、硬さの硬い材料のインクなどを厚く塗布することによってもＭＥＭＳ振動子の周波数調整を行うこともできる。あらかじめＭＥＭＳ振動子の共振周波数を所望の周波数より低く作りこみ、例えばセラミック微粒子紛を主成分とするインクを可動電極１０４のインク塗布領域１０５に厚く塗布する。このことにより、可動電極１０４のバネ定数ｋが大きくなり、共振周波数が高くなる方向に調整でき、所望の共振周波数を得ることができる。
以上、縦振動型ＭＥＭＳ振動子１００の周波数調整において、インクジェット方式を用い、インク６１を可動電極１０４のインク塗布領域１０５に塗布し、質量ｍを大きくすることで、ＭＥＭＳ振動子１００の共振周波数が低くなる方向で調整できる。また、インクジェット方式を用い、インクを可動電極１０４のインク塗布領域１０５に厚く塗布し、バネ定数ｋを大きくすることで、ＭＥＭＳ振動子１００の共振周波数が高くなる方向で調整が可能である。
なお、ＭＥＭＳ振動子の周波数調整に使用されるインクの材料として、金属を含むもの、無機物を含むもの、有機物を含むもの、それぞれを混合したものなどが使用できる。
インクジェット方式で吐出されるインクの材料として、金属を含むインクを用いた場合には、金属の比重が大きいため、少量のインクで質量を付加することができ、生産性が良いＭＥＭＳ振動子の周波数調整ができる。また、無機物あるいは有機物を含むインクを用いた場合には、金属に比べて比重が小さいため、周波数調整精度の良いＭＥＭＳ振動子の周波数調整ができる。
さらに、インク材料として金属または無機物の中で、硬さの硬い材料を選択し、厚くインクを塗布することで、可動電極のバネ定数を大きくすることにより周波数を調整することも可能である。
また、上記においては半導体基板上にＭＥＭＳ振動子を形成した例を示しているが、この限りではなく、その他の電子部品における各種基板上に形成したＭＥＭＳ振動子に関しても上記の周波数調整方法は実施可能である。
また、上記ＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法で周波数調整されたＭＥＭＳ振動子は、精度よく周波数調整され、ＭＥＭＳ振動子の可動電極および周辺に形成された集積回路へのダメージがなく、特性が良好で信頼性に優れたＭＥＭＳ振動子を得ることができる。
（第１０の実施形態）
図１６は、半導体基板内に集積回路とＭＥＭＳ振動子を一体形成した実施形態を示す。図１６（ａ）は斜視図であり、図１６（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ断線に沿う断面図である。
集積回路を備えたＭＥＭＳ振動子４０は、半導体基板４１上に形成されている。半導体基板４１には、ＩＣ形成部４２が設けられ、ＩＣ形成部４２上には接続パッド４６，５２が配置されている。ＩＣ形成部４２は発振回路の能動回路部及びＭＥＭＳ振動子１のバイアス電圧供給回路が構成されている。半導体基板４１上には絶縁膜４３が形成され、絶縁膜４３上にはアルミ配線４８，５４が設けられている。そして、絶縁膜４３を貫通するように設けられたスルホール配線４７，５３により、接続パッド４６，５２とアルミ配線４８，５４がそれぞれ接続されている。
さらに、絶縁膜４３上には、絶縁膜４４が設けられ、絶縁膜４４上には図１で説明したＭＥＭＳ振動子１が形成されている。ＭＥＭＳ振動子１は、駆動電極１０、検出電極２０、可動電極３０から構成されている。そして、絶縁膜４４を貫通するように設けられたスルホール配線４９により、アルミ配線４８とＭＥＭＳ振動子１の駆動電極１０が接続されている。また、一方、絶縁膜４４を貫通するように設けられたスルホール配線５５により、アルミ配線５４とＭＥＭＳ振動子１の検出電極２０が接続されている。
そして、絶縁膜４４上にはＭＥＭＳ振動子１を除く部分に絶縁膜４５が設けられている。絶縁膜４５上には駆動電極側引出し部５１および検出電極側引出し部５７が形成され、絶縁膜４５を貫通するように設けられたスルホール配線５０，５６により、駆動電極側引出し部５１とＭＥＭＳ振動子１の駆動電極１０および、検出電極側引出し部５７とＭＥＭＳ振動子１の検出電極２０が接続されている。
また、絶縁膜４５上に形成された電極引出し部５８及び５９はＩＣ形成部４２と接続されており（図示せず）、ＩＣ形成部４２内の半導体回路の電源供給部または信号出力部となる。また、ＭＥＭＳ振動子１内の可動電極３０の支持部３１はスルホールおよび内部のアルミ配線により前記ＩＣ形成部４２に接続され（図示せず）、バイアス電圧が供給される。
なお、半導体基板の材質としては、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＳｎ、ＰｂＳ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＺｎＳｅなどを用いることができる。
このような構成の集積回路を備えたＭＥＭＳ振動子４０において、駆動電極１０に交流電圧を印加し、可動電極３０に直流電圧を印加することにより、可動電極３０が振動を行い、検出電極２０に電流が流れ、固有の共振周波数を得ることができる。
このように、集積回路が半導体基板に形成されたＭＥＭＳ振動子１においても、ＭＥＭＳ振動子１の周波数調整は第１の実施形態から第４の実施形態の説明で述べた方法を用いることができる。なお、図５で説明したＭＥＭＳ振動子１２０を用いた場合には、第５の実施形態から第８の実施形態の説明で述べた周波数調整方法を用いることができる。
本実施形態のように半導体基板４１にＭＥＭＳ振動子１と集積回路を一体化し、発振回路を構成している場合は、発振回路の出力周波数をモニターしながらＭＥＭＳ振動子１の周波数調整を行うことも可能となる。即ち、最初に、発振回路を動作させた状態でその出力信号の周波数を確認する。発振周波数が所望の周波数より高い場合は、前記可動電極３０のインク塗布領域６２にインク６１を、発振回路の動作を停止した状態で塗布する。また、発振周波数が所望の周波数より低い場合は、前記可動電極３０の梁部３２にインク６５を発振回路の動作を停止した状態で塗布する。その後、乾燥、熱処理などの硬化処理を経てインクの組成物を被吐出物に定着させた後、再度発振回路を動作させ、周波数を確認する。確認された発振周波数が所望の目標値に到達している場合は、周波数調整を終了するとともに、塗布したインク量をデータとして保管する。確認された発振周波数が所望の目標値に到達していない場合は、再度同様な調整作業を所望の発振周波数が得られるまで繰り返す。
以上のように、このインクジェット方式による周波数調整方法を用いれば、インク塗布後のインクの硬化処理ではおおよそ２００℃以下の低温で処理が可能であり、ＭＥＭＳ振動子１の可動電極３０と集積回路へのダメージがなく、良好に周波数の調整ができるＭＥＭＳ振動子１の周波数調整方法を提供できる。さらに、従来のように周波数調整に大規模な設備を必要とせず、簡易な設備でＭＥＭＳ振動子１の周波数調整ができる。
（第１１の実施形態）
図１７は、半導体基板内に集積回路とＭＥＭＳ振動子を一体形成した他の実施形態を示す。図１７（ａ）は斜視図であり、図１７（ｂ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ断線に沿う断面図である。
集積回路を備えたＭＥＭＳ振動子７０は、ＩＣが形成していない領域に絶縁膜を積層して、ＭＥＭＳ振動子１が積層され形成されている。
半導体基板７１には、ＩＣ形成部７２が設けられ、ＩＣ形成部７２上には接続パッド７６，８１が配置されている。半導体基板７１上には絶縁膜７３が形成され、絶縁膜７３上にはアルミ配線７８，８２が設けられている。そして、絶縁膜７３を貫通するように設けられたスルホール配線７７，８６により、接続パッド７６，８１とアルミ配線７８，８２がそれぞれ接続されている。また、絶縁膜７３上に設けたアルミ配線８４は、アルミ配線７８に接続されている。さらに、絶縁膜７３上には絶縁膜７４が形成され、絶縁膜７４上にはＭＥＭＳ振動子１が形成されている。ＭＥＭＳ振動子１は、ＩＣ形成部７２から離れた位置（ＩＣ形成部７２の上方でない位置）に配置され、駆動電極１０、検出電極２０、可動電極３０から構成されている。
そして、絶縁膜７４を貫通するように設けられたスルホール配線８３により、アルミ配線８２とＭＥＭＳ振動子１の駆動電極１０が接続されている。また、一方、絶縁膜７４を貫通するように設けられたスルホール配線８５により、アルミ配線８４とＭＥＭＳ振動子１の検出電極２０が接続されている。また、ＭＥＭＳ振動子１内の可動電極３０の支持部３１はスルホールおよび内部のアルミ配線により前記ＩＣ形成部７２に接続され（図示せず）、バイアス電圧が供給される。
そして、絶縁膜７４上にはＭＥＭＳ振動子１を除く部分に絶縁膜７５が設けられている。絶縁膜７５上にはパッド８０が形成され、絶縁膜７５および絶縁膜７４を貫通するように設けられたスルホール配線７９により、接続パッド８９を介してパッド８０とＩＣ形成部７２が接続されている。
このような集積回路を備えたＭＥＭＳ振動子７０においても同様に、インクジェット方式を用いることで共振周波数の周波数調整が可能であり、前記実施形態と同様の効果を享受できる。
また、本実施形態ではＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法について説明をしたが、ＭＥＭＳ技術を利用したジャイロセンサなどのセンサの周波数調整においても、実施が可能である。
本発明の周波数調整方法で調整されたＭＥＭＳ振動子は、バンドパスフィルタ等に利用され、通信機器などの電子機器に備えることにより、特性が優れた電子機器を提供することができる。
横振動型ＭＥＭＳ振動子の構成を示す構成図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ断線に沿う断面図。 第１の実施形態における横振動型ＭＥＭＳ振動子の周波数調整について説明する図であり、（ａ）はインクジェット方式でインクの塗布を説明する模式断面図、（ｂ）はインクを塗布する領域を示す平面図。 （ａ）、（ｂ）は第１の実施形態における横振動型ＭＥＭＳ振動子のインクの塗布状態を説明する説明図。 第１の実施形態における周波数調整の手順を示すフローチャート。 第２の実施形態における周波数調整について説明する説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＥ−Ｅ断線に沿う断面図。 第２の実施形態における周波数調整の手順を示すフローチャート。 第２の実施形態におけるインク塗布位置を示す部分平面図。 第３の実施形態におけるインク塗布領域を示す部分平面図。 第４の実施形態における周波数調整の手順を示すフローチャート。 縦振動型ＭＥＭＳ振動子の構成を示す構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＦ−Ｆ断線に沿う断面図。 第５の実施形態におけるインク塗布位置を示す平面図。 第６の実施形態における周波数調整について説明する説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＧ−Ｇ断線に沿う断面図。 第７の実施形態におけるインク塗布領域を示す平面図。 他の縦振動型ＭＥＭＳ振動子の構成を示す構成図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は同図（ｂ）のＤ−Ｄ断線に沿う断面図。 第９の実施形態として縦振動型ＭＥＭＳ振動子の周波数調整について説明する図であり、（ａ）はインクジェット方式でインクの塗布を説明する模式断面図、（ｂ）はインクを塗布する領域を示す平面図。 ＭＥＭＳ振動子と集積回路を一体形成した第１０の実施形態を示し、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ断線に沿う断面図。 他のＭＥＭＳ振動子と集積回路を一体形成した第１１の実施形態を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ断線に沿う断面図。
符号の説明
１…ＭＥＭＳ振動子、２…基板としての半導体基板、３…絶縁膜、１０…駆動電極、１１…櫛歯部、１２…パッド部、２０…検出電極、２１…櫛歯部、２２…パッド部、３０…可動電極、３１…支持部、３２…梁部、３３…重り部、３４，３５…櫛歯部、６０…インクジェットヘッド、６１…インク、６２…インク塗布領域、１００…ＭＥＭＳ振動子、１０１…検出電極、１０２，１０３…駆動電極、１０４…可動電極、１０６…支持部、１０５…インク塗布領域、１２０…ＭＥＭＳ振動子、１２１…駆動電極、１２２…検出電極、１２３…重り部、１２４…梁部、１２５…支持部、１３２…可動電極。

Claims (16)

  1. 基板上に形成され櫛歯部を備えた固定電極としての駆動電極と、
    前記駆動電極に対向するように配置され櫛歯部を備えた固定電極としての検出電極と、 前記駆動電極と前記検出電極の間に配置された可動電極と、を有するＭＥＭＳ振動子であって、
    前記可動電極は、前記駆動電極と前記検出電極のそれぞれの櫛歯部と噛み合うように設けられた櫛歯部を有する重り部と、
    前記重り部と連結される梁部と、
    前記梁部に連結され前記基板上に固定され前記重り部および前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、
    前記可動電極の前記重り部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することにより、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とするＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法。
  2. 基板上に形成され櫛歯部を備えた固定電極としての駆動電極と、
    前記駆動電極に対向するように配置され櫛歯部を備えた固定電極としての検出電極と、 前記駆動電極と前記検出電極の間に配置された可動電極と、を有するＭＥＭＳ振動子であって、
    前記可動電極は、前記駆動電極と前記検出電極のそれぞれの櫛歯部と噛み合うように設けられた櫛歯部を有する重り部と、
    前記重り部と連結される梁部と、
    前記梁部に連結され前記基板上に固定され前記重り部および前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、
    前記梁部から前記基板にかけてインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とするＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法。
  3. 基板上に形成され櫛歯部を備えた固定電極としての駆動電極と、
    前記駆動電極に対向するように配置され櫛歯部を備えた固定電極としての検出電極と、 前記駆動電極と前記検出電極の間に配置された可動電極と、を有するＭＥＭＳ振動子であって、
    前記可動電極は、前記駆動電極と前記検出電極のそれぞれの櫛歯部と噛み合うように設けられた櫛歯部を有する重り部と、
    前記重り部と連結される梁部と、
    前記梁部に連結され前記基板上に固定され前記重り部および前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、
    前記梁部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とするＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法。
  4. 基板上に形成され櫛歯部を備えた固定電極としての駆動電極と、
    前記駆動電極に対向するように配置され櫛歯部を備えた固定電極としての検出電極と、 前記駆動電極と前記検出電極の間に配置された可動電極と、を有するＭＥＭＳ振動子であって、
    前記可動電極は、前記駆動電極と前記検出電極のそれぞれの櫛歯部と噛み合うように設けられた櫛歯部を有する重り部と、
    前記重り部と連結される梁部と、
    前記梁部に連結され前記基板上に固定され前記重り部および前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、
    前記可動電極の前記重り部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理すること、および前記梁部から前記基板にかけてインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整するＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法。
  5. 基板上に形成され櫛歯部を備えた固定電極としての駆動電極と、
    前記駆動電極に対向するように配置され櫛歯部を備えた固定電極としての検出電極と、 前記駆動電極と前記検出電極の間に配置された可動電極と、を有するＭＥＭＳ振動子であって、
    前記可動電極は、前記駆動電極と前記検出電極のそれぞれの櫛歯部と噛み合うように設けられた櫛歯部を有する重り部と、
    前記重り部と連結される梁部と、
    前記梁部に連結され前記基板上に固定され前記重り部および前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、
    前記可動電極の前記重り部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理すること、および前記梁部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整するＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法。
  6. 基板上に形成された固定電極としての駆動電極と検出電極とを有し、
    前記基板上に空間を保って配置される可動電極と、を備えたＭＥＭＳ振動子であって、
    前記可動電極は前記検出電極上に配置された重り部と、
    前記重り部と連結される梁部と、
    前記梁部と連結され前記駆動電極に接続され前記重り部と前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、
    前記可動電極の前記重り部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することにより、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とするＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法。
  7. 基板上に形成された固定電極としての駆動電極と検出電極とを有し、
    前記基板上に空間を保って配置される可動電極と、を備えたＭＥＭＳ振動子であって、
    前記可動電極は前記検出電極上に配置された重り部と、
    前記重り部と連結される梁部と、
    前記梁部と連結され前記駆動電極に接続され前記重り部と前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、
    前記梁部から前記基板にかけてインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とするＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法。
  8. 基板上に形成された固定電極としての駆動電極と検出電極とを有し、
    前記基板上に空間を保って配置される可動電極と、を備えたＭＥＭＳ振動子であって、
    前記可動電極は前記検出電極上に配置された重り部と、
    前記重り部と連結される梁部と、
    前記梁部と連結され前記駆動電極に接続され前記重り部と前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、
    前記梁部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とするＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法。
  9. 基板上に形成された固定電極としての駆動電極と検出電極とを有し、
    前記基板上に空間を保って配置される可動電極と、を備えたＭＥＭＳ振動子であって、
    前記可動電極は前記検出電極上に配置された重り部と、
    前記重り部と連結される梁部と、
    前記梁部と連結され前記駆動電極に接続され前記重り部と前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、
    前記可動電極の前記重り部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整すること、および前記梁部から前記基板にかけてインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整するＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法。
  10. 基板上に形成された固定電極としての駆動電極と検出電極とを有し、
    前記基板上に空間を保って配置される可動電極と、を備えたＭＥＭＳ振動子であって、
    前記可動電極は前記検出電極上に配置された重り部と、
    前記重り部と連結される梁部と、
    前記梁部と連結され前記駆動電極に接続され前記重り部と前記梁部を前記基板との空間を保って支持する支持部と、を備え、
    前記可動電極の前記重り部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整すること、および前記梁部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することによりＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整するＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法。
  11. 基板上に形成された固定電極としての駆動電極と検出電極とを有し、
    前記検出電極上に配置された重り部と、前記重り部に連結され前記駆動電極に接続され前記重り部を前記基板との空間を保って支持する支持部を設けた可動電極と、を備えたＭＥＭＳ振動子であって、
    前記可動電極の前記重り部にインクジェット方式でインクを塗布し前記インクを硬化処理することにより、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数を調整することを特徴とするＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法。
  12. 請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法において、 前記インクは金属を含むことを特徴とするＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法。
  13. 請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法において、 前記インクは無機物を含むことを特徴とするＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法。
  14. 請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法において、 前記インクは有機物を含むことを特徴とするＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法。
  15. 請求項１乃至１４のいずれか一項に記載のＭＥＭＳ振動子の周波数調整方法にて周波数調整されたＭＥＭＳ振動子。
  16. 請求項１５に記載のＭＥＭＳ振動子において、集積回路が同一半導体基板に形成されたことを特徴とするＭＥＭＳ振動子。
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