JP2017537500A - 発振器およびリアルタイムクロック用途のための複合バネmems共振器 - Google Patents
発振器およびリアルタイムクロック用途のための複合バネmems共振器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017537500A JP2017537500A JP2017519315A JP2017519315A JP2017537500A JP 2017537500 A JP2017537500 A JP 2017537500A JP 2017519315 A JP2017519315 A JP 2017519315A JP 2017519315 A JP2017519315 A JP 2017519315A JP 2017537500 A JP2017537500 A JP 2017537500A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- spring
- mass
- mems resonator
- mems
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000006353 environmental stress Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000004557 technical material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
- H02N1/002—Electrostatic motors
- H02N1/006—Electrostatic motors of the gap-closing type
- H02N1/008—Laterally driven motors, e.g. of the comb-drive type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/2447—Beam resonators
- H03H9/2452—Free-free beam resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H2009/02251—Design
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H2009/02283—Vibrating means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H2009/02283—Vibrating means
- H03H2009/02291—Beams
- H03H2009/02307—Dog-bone-like structure, i.e. the elongated part of the "bone" is doubly clamped
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H2009/02283—Vibrating means
- H03H2009/0233—Vibrating means comprising perforations
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H2009/02488—Vibration modes
- H03H2009/02496—Horizontal, i.e. parallel to the substrate plane
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/2431—Ring resonators
Abstract
Description
本願は、2014年10月22日出願の米国仮特許出願第62/067,230号「MULTIPLE COIL SPRING RESONATORS」の優先権を主張する。当該出願は、すべての目的のために参照により本明細書に組み込まれる。
Claims (20)
- MEMS共振器であって、
第1バネマス部分および第2バネマス部分を備えた共振器本体であって、各バネマス部分は、基端および開放端を有する複合バネ構造と、前記複合バネ構造の前記開放端に取り付けられたマスとを備え、前記第1および第2バネマス部分は、前記共振器本体の共振振動中に前記共振器本体の最小移動の1ペアの節点を形成する前記基端で接続され、前記複合バネ構造は、1または複数のバネユニットセルから形成され、各バネユニットセルは、折り畳みバネ構造を備える共振器本体と、
基板に接続され、前記節点で前記共振器本体の両側に取り付けられた1ペアのアンカと、
前記基板に取り付けられ、前記第1バネマス部分のマスに容量結合されるように形成された駆動電極と、
前記基板に取り付けられ、前記第2バネマス部分のマスに容量結合されるように形成された検知電極と
を備えるMEMS共振器。 - 請求項1に記載のMEMS共振器であって、さらに、
前記基板の上方に吊り下げられた1ペアの吊りビームを備え、各アンカは、前記吊りビームの1つを通して前記共振器本体に前記節点で取り付けられているMEMS共振器。 - 請求項1に記載のMEMS共振器であって、前記駆動電極と、前記第1バネマス部分の前記マスとは、第1ギャップだけ分離され、前記検知電極と、前記第2バネマス部分の前記マスとは、第2ギャップだけ分離され、前記第1および第2ギャップの各々は、1μm以下であるMEMS共振器。
- 請求項1に記載のMEMS共振器であって、前記共振器本体は、20〜30μmの厚さを有するMEMS共振器。
- 請求項1に記載のMEMS共振器であって、前記共振器本体は、単結晶シリコン層および多結晶シリコン層から選択された材料で形成されるMEMS共振器。
- 請求項1に記載のMEMS共振器であって、前記基板は、絶縁層を上に形成されたシリコン基層を含むMEMS共振器。
- 請求項1に記載のMEMS共振器であって、前記バネユニットセルは、長方形の折り畳みバネ構造を備えるMEMS共振器。
- 請求項1に記載のMEMS共振器であって、各バネマス部分において前記複合バネ構造の前記開放端に取り付けられた前記マスは、リリース穴を形成されており、前記リリース穴は、前記マスの重さを調整するMEMS共振器。
- 請求項1に記載のMEMS共振器であって、前記折り畳みバネ構造を形成するビームの寸法を含む前記バネユニットセルの寸法、前記複合バネ構造内のバネユニットセルの数、ならびに、各バネマス部分の前記マスのサイズおよび重さが、前記MEMS共振器の共振周波数を調節するために選択されるMEMS共振器。
- MEMS共振器であって、
1または複数の共振器ユニットを備えた共振器本体であって、各共振器ユニットは、
第1バネマス部分および第2バネマス部分であって、各バネマス部分は、基端および開放端を有する複合バネ構造と、前記複合バネ構造の前記開放端に取り付けられたマスとを備え、前記第1および第2バネマス部分は、前記共振器ユニットの共振振動中に前記共振器ユニットの最小移動の1ペアの節点を形成する前記基端で接続され、前記複合バネ構造は、1または複数のバネユニットセルから形成され、各バネユニットセルは、折り畳みバネ構造を備える第1バネマス部分および第2バネマス部分と、
基板に接続され、前記節点で前記共振器ユニットの両側に取り付けられた1ペアのアンカとを備え、
前記1または複数の共振器ユニットの前記第1バネマス部分の前記マスは、連続的な構造として形成されて第1マスを形成し、前記1または複数の共振器ユニットの前記第2バネマス部分の前記マスは、連続的な構造として形成されて第2マスを形成し、前記第1マスおよび前記第2マスは、前記共振器ユニットを並列に接続するように形成される共振器本体と、
前記基板に取り付けられ、前記第1マスに容量結合されるように形成された駆動電極と、
前記基板に取り付けられ、前記第2マスに容量結合されるように形成された検知電極と
を備えるMEMS共振器。 - 請求項10に記載のMEMS共振器であって、各共振器ユニットは、さらに、
前記基板の上方に吊り下げられた1ペアの吊りビームを備え、各アンカは、前記吊りビームの1つを通して前記共振器ユニットに前記節点で取り付けられているMEMS共振器。 - 請求項10に記載のMEMS共振器であって、前記駆動電極と、前記第1マスとは、第1ギャップだけ分離され、前記検知電極と、前記第2マスとは、第2ギャップだけ分離され、前記第1および第2ギャップの各々は、1μm以下であるMEMS共振器。
- 請求項10に記載のMEMS共振器であって、前記共振器本体は、20〜30μmの厚さを有するMEMS共振器。
- 請求項10に記載のMEMS共振器であって、前記共振器本体は、単結晶シリコン層および多結晶シリコン層から選択された材料で形成されるMEMS共振器。
- 請求項10に記載のMEMS共振器であって、前記基板は、絶縁層を上に形成されたシリコン基層を含むMEMS共振器。
- 請求項10に記載のMEMS共振器であって、前記バネユニットセルは、長方形の折り畳みバネ構造を備えるMEMS共振器。
- 請求項10に記載のMEMS共振器であって、前記第1マスおよび前記第2マスは、各々、リリース穴を形成されており、前記リリース穴は、前記第1または第2マスの重さを調整するMEMS共振器。
- 請求項10に記載のMEMS共振器であって、前記折り畳みバネ構造を形成するビームの寸法を含む前記バネユニットセルの寸法、前記複合バネ構造内のバネユニットセルの数、ならびに、各バネマス部分の前記マスのサイズおよび重さが、前記MEMS共振器の共振周波数を調節するために選択されるMEMS共振器。
- 請求項10に記載のMEMS共振器であって、前記共振器本体内の共振器ユニットの数は、前記MEMS共振器の所望の電気的特性を得るように選択されるMEMS共振器。
- 請求項19に記載のMEMS共振器であって、前記共振器本体内の共振器ユニットの数は、前記MEMS共振器の所望の動インピーダンスを得るように選択されるMEMS共振器。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462067230P | 2014-10-22 | 2014-10-22 | |
US201462067206P | 2014-10-22 | 2014-10-22 | |
US62/067,206 | 2014-10-22 | ||
US62/067,230 | 2014-10-22 | ||
US14/883,435 | 2015-10-14 | ||
US14/883,435 US9923545B2 (en) | 2014-10-22 | 2015-10-14 | Compound spring MEMS resonators for frequency and timing generation |
PCT/US2015/056000 WO2016064678A1 (en) | 2014-10-22 | 2015-10-16 | Compound spring mems resonator for oscillators and real-time clock applications |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017537500A true JP2017537500A (ja) | 2017-12-14 |
JP6421239B2 JP6421239B2 (ja) | 2018-11-07 |
Family
ID=54396982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017519315A Active JP6421239B2 (ja) | 2014-10-22 | 2015-10-16 | 発振器およびリアルタイムクロック用途のための複合バネmems共振器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9923545B2 (ja) |
EP (1) | EP3210303B1 (ja) |
JP (1) | JP6421239B2 (ja) |
KR (1) | KR101917088B1 (ja) |
CN (1) | CN107251426B (ja) |
TW (1) | TWI581471B (ja) |
WO (1) | WO2016064678A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020019102A (ja) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | 株式会社東芝 | Memsデバイス |
JP2021513243A (ja) * | 2018-02-08 | 2021-05-20 | キョーセラ ティキティン オーユーKyocera Tikitin Oy | 結合mems共振器 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9923545B2 (en) | 2014-10-22 | 2018-03-20 | Microchip Technology Incorporated | Compound spring MEMS resonators for frequency and timing generation |
US9866200B2 (en) * | 2014-10-22 | 2018-01-09 | Microchip Technology Incorporated | Multiple coil spring MEMS resonator |
US10247621B1 (en) | 2015-09-13 | 2019-04-02 | Sitime Corporation | High resolution temperature sensor |
US10110198B1 (en) | 2015-12-17 | 2018-10-23 | Hrl Laboratories, Llc | Integrated quartz MEMS tuning fork resonator/oscillator |
US10389392B1 (en) * | 2016-11-03 | 2019-08-20 | Hrl Laboratories, Llc | High-Q quartz-based inductor array for antenna matching |
US11239823B1 (en) | 2017-06-16 | 2022-02-01 | Hrl Laboratories, Llc | Quartz MEMS piezoelectric resonator for chipscale RF antennae |
US11101786B1 (en) | 2017-06-20 | 2021-08-24 | Hrl Laboratories, Llc | HF-VHF quartz MEMS resonator |
FI128436B (en) * | 2018-02-08 | 2020-05-15 | Tikitin Oy | MEMS resonator |
US10921360B2 (en) | 2018-02-09 | 2021-02-16 | Hrl Laboratories, Llc | Dual magnetic and electric field quartz sensor |
US10819276B1 (en) | 2018-05-31 | 2020-10-27 | Hrl Laboratories, Llc | Broadband integrated RF magnetic antenna |
US11614328B2 (en) | 2019-01-08 | 2023-03-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Sensing device |
CN113196009A (zh) | 2019-01-08 | 2021-07-30 | 松下知识产权经营株式会社 | 感测设备 |
US11563420B1 (en) | 2019-03-29 | 2023-01-24 | Hrl Laboratories, Llc | Femto-tesla MEMS RF antenna with integrated flux concentrator |
FI130145B (en) * | 2019-04-15 | 2023-03-13 | Tikitin Oy | MICROELECTROMECHANICAL RESONATOR |
FR3120700B1 (fr) * | 2021-03-10 | 2023-02-10 | Office National Detudes Rech Aerospatiales | Resonateur en vibration de flexion a haut facteur de qualite pour la realisation de references de temps, de capteurs de force ou de gyrometres |
CN113271080A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-08-17 | 中国科学院半导体研究所 | 环形结构酒杯模态射频微机电谐振器 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07131280A (ja) * | 1993-10-28 | 1995-05-19 | Toyota Motor Corp | 振動子の支持構造 |
JP2005510108A (ja) * | 2001-11-15 | 2005-04-14 | サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェサイアンティフィク(セエヌエールエス) | 実質的に平面的な微細機械構造及び相当する電気機械的共振器の二つの機械要素のギャップ調整に対する方法 |
JP2006121653A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-05-11 | Seiko Epson Corp | Mems振動子の周波数調整方法およびmems振動子 |
WO2008146244A1 (en) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Nxp B.V. | Mems resonators |
US7616077B1 (en) * | 2007-03-22 | 2009-11-10 | Sandia Corporation | Microelectromechanical resonator and method for fabrication |
US7750759B1 (en) * | 2007-04-30 | 2010-07-06 | Rf Micro Devices, Inc. | Multi-mode MEMS resonator array |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5025346A (en) | 1989-02-17 | 1991-06-18 | Regents Of The University Of California | Laterally driven resonant microstructures |
US5767405A (en) | 1992-04-07 | 1998-06-16 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Comb-drive micromechanical tuning fork gyroscope with piezoelectric readout |
WO1994014240A1 (en) * | 1992-12-11 | 1994-06-23 | The Regents Of The University Of California | Microelectromechanical signal processors |
US5491604A (en) * | 1992-12-11 | 1996-02-13 | The Regents Of The University Of California | Q-controlled microresonators and tunable electronic filters using such resonators |
US5450751A (en) | 1993-05-04 | 1995-09-19 | General Motors Corporation | Microstructure for vibratory gyroscope |
JPH09145740A (ja) | 1995-09-22 | 1997-06-06 | Denso Corp | 加速度センサ |
US6686807B1 (en) | 1999-11-02 | 2004-02-03 | Eta Sa Fabriques D'ebauches | Time base comprising an integrated micromechanical ring resonator |
US6401536B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-06-11 | Motorola, Inc. | Acceleration sensor and method of manufacture |
US6630871B2 (en) | 2001-09-28 | 2003-10-07 | Intel Corporation | Center-mass-reduced microbridge structures for ultra-high frequency MEM resonator |
AU2003290513A1 (en) | 2002-08-07 | 2004-04-08 | Georgia Tech Research Corporation | Capacitive resonators and methods of fabrication |
JP2006516836A (ja) | 2002-12-10 | 2006-07-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 変換器および電子装置 |
DE10310161B4 (de) | 2003-03-07 | 2009-04-09 | Infineon Technologies Ag | Monolithisch integrierte Schaltkreis-Anordnung |
TWI260104B (en) | 2003-07-25 | 2006-08-11 | Sony Corp | MEMS type resonator, method for manufacturing the same, and communication device |
DE60317513T2 (de) | 2003-09-26 | 2008-09-18 | Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza | Planarer Inertialsensor, insbesondere für tragbare Vorrichtungen mit Standby-Funktion |
US7211926B2 (en) | 2005-03-09 | 2007-05-01 | The Regents Of The University Of California | Temperature compensated oscillator including MEMS resonator for frequency control |
US7227432B2 (en) * | 2005-06-30 | 2007-06-05 | Robert Bosch Gmbh | MEMS resonator array structure and method of operating and using same |
US7562573B2 (en) | 2005-07-21 | 2009-07-21 | Evigia Systems, Inc. | Integrated sensor and circuitry and process therefor |
US7495199B2 (en) * | 2006-02-10 | 2009-02-24 | Stmicroelectronics, Inc. | MEMS radiometer |
EP1997225B1 (en) | 2006-03-09 | 2009-09-02 | Nxp B.V. | Mems resonator having at least one resonator mode shape |
US7591201B1 (en) * | 2007-03-09 | 2009-09-22 | Silicon Clocks, Inc. | MEMS structure having a compensated resonating member |
CN101711348B (zh) * | 2007-06-04 | 2011-08-17 | Nxp股份有限公司 | 压力计 |
CN100588119C (zh) * | 2007-09-10 | 2010-02-03 | 北京大学 | 一种平面电容谐振器及其制备方法 |
US7908922B2 (en) | 2008-01-24 | 2011-03-22 | Delphi Technologies, Inc. | Silicon integrated angular rate sensor |
WO2010052683A2 (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-14 | Nxp B.V. | Mems resonator |
US20110210801A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Imec | Temperature measurement system comprising a resonant mems device |
EP2395660B1 (en) * | 2010-06-10 | 2013-08-14 | Nxp B.V. | MEMS resonators |
EP2403139A1 (en) | 2010-07-02 | 2012-01-04 | Nxp B.V. | Resonator |
EP2515436A1 (en) * | 2011-04-18 | 2012-10-24 | Nxp B.V. | MEMS resonator and method of controlling the same |
WO2012169205A1 (ja) | 2011-06-09 | 2012-12-13 | パナソニック株式会社 | 発振器 |
EP2544370B1 (en) | 2011-07-06 | 2020-01-01 | Nxp B.V. | MEMS resonator |
TWI519066B (zh) | 2012-06-28 | 2016-01-21 | 清華大學 | 微機電共振器及其訊號處理方法以及製造方法 |
US9509278B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-11-29 | Silicon Laboratories Inc. | Rotational MEMS resonator for oscillator applications |
US9209778B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-12-08 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Microelectromechanical resonators |
US9412934B2 (en) * | 2013-05-20 | 2016-08-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Microelectromechanical resonator |
US9866200B2 (en) | 2014-10-22 | 2018-01-09 | Microchip Technology Incorporated | Multiple coil spring MEMS resonator |
US9923545B2 (en) * | 2014-10-22 | 2018-03-20 | Microchip Technology Incorporated | Compound spring MEMS resonators for frequency and timing generation |
US9584092B2 (en) * | 2015-04-14 | 2017-02-28 | International Business Machines Corporation | Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material |
-
2015
- 2015-10-14 US US14/883,435 patent/US9923545B2/en active Active
- 2015-10-16 CN CN201580057311.4A patent/CN107251426B/zh active Active
- 2015-10-16 KR KR1020177010414A patent/KR101917088B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-16 JP JP2017519315A patent/JP6421239B2/ja active Active
- 2015-10-16 WO PCT/US2015/056000 patent/WO2016064678A1/en active Application Filing
- 2015-10-16 EP EP15790356.8A patent/EP3210303B1/en active Active
- 2015-10-20 TW TW104134413A patent/TWI581471B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07131280A (ja) * | 1993-10-28 | 1995-05-19 | Toyota Motor Corp | 振動子の支持構造 |
JP2005510108A (ja) * | 2001-11-15 | 2005-04-14 | サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェサイアンティフィク(セエヌエールエス) | 実質的に平面的な微細機械構造及び相当する電気機械的共振器の二つの機械要素のギャップ調整に対する方法 |
JP2006121653A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-05-11 | Seiko Epson Corp | Mems振動子の周波数調整方法およびmems振動子 |
US7616077B1 (en) * | 2007-03-22 | 2009-11-10 | Sandia Corporation | Microelectromechanical resonator and method for fabrication |
US7750759B1 (en) * | 2007-04-30 | 2010-07-06 | Rf Micro Devices, Inc. | Multi-mode MEMS resonator array |
WO2008146244A1 (en) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Nxp B.V. | Mems resonators |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JIZE YAN, ET AL.: "Suppression of parasitic resonance in piezoresistively transduced longitudinal mode MEMS resonators", ULTRASONICS SYMPOSIUM(IUS), 2009 IEEE INTERNATIONAL, JPN6018021927, 23 September 2009 (2009-09-23), pages 2149 - 2152, XP031654478 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021513243A (ja) * | 2018-02-08 | 2021-05-20 | キョーセラ ティキティン オーユーKyocera Tikitin Oy | 結合mems共振器 |
JP7374910B2 (ja) | 2018-02-08 | 2023-11-07 | キョーセラ ティキティン オーユー | 結合mems共振器 |
JP2020019102A (ja) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | 株式会社東芝 | Memsデバイス |
JP7074605B2 (ja) | 2018-08-01 | 2022-05-24 | 株式会社東芝 | Memsデバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107251426A (zh) | 2017-10-13 |
KR101917088B1 (ko) | 2018-11-12 |
TW201626609A (zh) | 2016-07-16 |
US9923545B2 (en) | 2018-03-20 |
KR20170058978A (ko) | 2017-05-29 |
TWI581471B (zh) | 2017-05-01 |
CN107251426B (zh) | 2021-02-09 |
WO2016064678A1 (en) | 2016-04-28 |
JP6421239B2 (ja) | 2018-11-07 |
EP3210303B1 (en) | 2020-05-27 |
EP3210303A1 (en) | 2017-08-30 |
US20160118954A1 (en) | 2016-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6421239B2 (ja) | 発振器およびリアルタイムクロック用途のための複合バネmems共振器 | |
JP6481028B2 (ja) | 発振器およびリアルタイムクロック用途のための複数コイルバネmems共振器 | |
JP4745575B2 (ja) | 一体形マイクロ機械的リング振動子を有する時間基準部 | |
US8742873B2 (en) | MEMS resonator devices | |
JP2004515992A (ja) | 集積されたマイクロメカニカル音叉共振器を備えるタイムベース | |
US8872603B2 (en) | Resonator and resonator array | |
JP2007175577A (ja) | Mems振動子 | |
JP2009100009A (ja) | 発振子及び該発振子を有する発振器 | |
TWI519066B (zh) | 微機電共振器及其訊號處理方法以及製造方法 | |
JP4965962B2 (ja) | マイクロメカニカル共振器 | |
JP2006303558A (ja) | Memsレゾネータ | |
JP4930769B2 (ja) | 発振器 | |
KR20180111719A (ko) | 확률 공진을 통한 진동 에너지 수확기 및 이를 이용한 진동 에너지 수확 시스템 | |
JP2009118281A (ja) | マイクロメカニカル共振器 | |
JP2014072876A (ja) | Mems素子および発振器 | |
JP2013110493A (ja) | Mems振動子および発振器 | |
JP2013030905A (ja) | Mems振動子および発振器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180919 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181002 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181015 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6421239 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |