JP2019033205A - 配線基板の製造方法、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
Description
ソルダーレジストに所定の開口パターンを形成する方法としては、例えば、露光現像法が知られている。露光現像法では、まず、ソルダーレジストの開口部にパターンが形成されたフォトマスクを積層して、写真法により露光する。その後、炭酸ナトリウムや水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウムハイドライド(TMAH)などの現像液で現像して、ソルダーレジストに開口部を形成する。
そこで、剛性、耐熱性、絶縁信頼性向上のため、ソルダーレジストを構成する材料として熱硬化性樹脂を用い、当該ソルダーレジストに対してマスク使用せずにレーザーで開口部を形成する方法が用いられている(例えば、特許文献1の図1、実施例参照。)。
高分子フィルムで構成されるキャリア基材上にソルダーレジスト膜が形成されたキャリア基材付き樹脂シートを準備する工程と、
回路基板の表面に形成された導電パターンを前記ソルダーレジスト膜で埋め込むように、前記回路基板の前記表面に前記キャリア基材付き樹脂シートの前記ソルダーレジスト膜を配向配置する工程と、
前記キャリア基材を分離することにより、前記ソルダーレジスト膜の表面を露出させる工程と、
前記ソルダーレジスト膜の露出した前記表面に、マスクを形成する工程と、
前記マスクを、選択的に除去することによりパターニングする工程と、
パターニングした前記マスクを介して、前記ソルダーレジスト膜を選択的に除去することにより、前記導電パターンの一部が露出した開口部を形成する開口部形成工程と、
前記マスクを除去する工程と、を含む、配線基板の製造方法が提供される。
これに対して、本発明者は、回路基板の表面に形成された導電パターンをソルダーレジスト膜で埋め込むように、キャリア基材付き樹脂シートの回路基板にラミネートした後、当該キャリア基材付き樹脂シートから高分子フィルムで構成されるキャリア基材を剥離することによって、ソルダーレジスト膜の露出面を平坦化できることが判明した。このように平坦化されたソルダーレジスト膜の表面に対してマスクを形成することにより、マスクとソルダーレジスト膜との密着性を高められるため、ソルダーレジスト膜に開口部を形成するときに、マスク剥離が抑制できることが分かった。したがって、本実施形態の配線基板の製造方法によれば、製造安定性を向上させることができる。
本実施形態の配線基板の製造方法の各工程について、図1、2、4を用いて詳述する。
図1、2、4は、実施形態に係る配線基板の製造工程の一例を示す断面模式図である。
本実施形態において、表面粗さRa(算術平均粗さ)は、例えば、JIS B 0601に準じて測定することが可能である。
上記ドライフィルムレジストは、例えば、光重合開始剤および光架橋性成分を含有することにより、露光処理によって光架橋構造を有することができる。
また、上記ドライフィルムレジストは、アルカリ水溶液等の現像液に対して溶解性を有する現像性成分を含有することにより、アルカリ溶解液等を用いた現像処理によってパターン構造を有することができる。この現像性成分は、例えば、カルボキシル基等の現像性基を含有することで、アルカリ溶解性を向上させることができる。
上記開口部28の形成方法としては、特に限定されず、例えば、レーザー加工法、ウェットエッチング等のエッチング処理またはブラスト工法、などの公知の方法を用いることができる。
本実施形態において、ソルダ−レジスト膜10の半硬化状態(Bステージ状態)とは、DSC(示差走査熱量計)の測定結果から算出される反応率が、0%を超え70%以下であり、好ましくは0.5%以上55%以下であり、さらに好ましくは1%以上50%以下の状態であることを意味する。
本実施形態において、硬化温度の下限値は、特に限定されないが、例えば、200℃以上でもよく、210℃以上でもよく、220℃以上でもよい。硬化温度の上限値としては、特に限定されないが、例えば、250℃以下とすることができる。
なお、めっき処理の前に、必要に応じて、露出した導電パターン24の導電部を洗浄する工程や、粗化する工程を行っても良い。
次に、半導体パッケージ102の製造方法について説明する。
本実施形態に係る電子装置(半導体パッケージ102)の製造方法は、次のような配線基板の製造方法で得られた配線基板20上に、半導体素子60(電子素子)を実装する工程を含むものである。
本実施形態に係る配線基板について説明する。
図2(b)は、実施形態における配線基板20の構造の例を示す模式図である。
本実施形態の配線基板は、基板(コア基板22)と、基板上に形成された導電回路(導電パターン24)と、基板の最外層に形成された硬化膜14と、を含むことができる。当該硬化膜14は、本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物を硬化させることにより得られる。例えば、上記硬化膜14は、本実施形態の樹脂シートの硬化物で構成することができる。
また、コア基板22が両面板もしくは多層板である場合、コア基板22の1つの表面(最外面)に設けられた導電パターン24は、反対側の表面(最外面)に設けられた導電パターン24やコア基板22の内部に設けられた配線層と、少なくとも一部の絶縁層を貫通するスルーホール(不図示)を介して互いに電気的に接続されている。
次に、本実施形態に係る半導体パッケージ102について説明する。
図3は本実施形態に係る半導体パッケージ102の構造の一例を示す断面模式図である。
本実施形態の電子装置(半導体パッケージ102)は、上記配線基板(配線基板20)と、配線基板上に実装された電子素子(半導体素子60)と、を含むことができる。すなわち、当該電子装置は半導体装置として利用できる。
ここでは、本実施形態に係る半導体パッケージ102としてフリップチップ接続のパッケージの例について説明したが、これに限定されず、ワイヤボンディングやTAB(Tape Automated Bonding)接続されるパッケージでもよい。
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物について、以下詳述する。
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物は、ワニス状の樹脂組成物である。当該ソルダーレジスト用樹脂組成物をフィルム状とすることにより、樹脂シートを得ることができる。かかる樹脂シートを硬化させることにより、上記硬化膜14が得られる。また、ソルダーレジスト用樹脂組成物の塗布膜を硬化させることにより、硬化膜14を得てもよい。
本実施形態に係るエポキシ樹脂(A)は、たとえばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂(4,4’−(1,3−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールP型エポキシ樹脂(4,4’−(1,4−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂(4,4’−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂)などのビスフェノール型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂;キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂;ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、2官能ないし4官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂などのナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂;アントラセン型エポキシ樹脂;フェノキシ型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂;ノルボルネン型エポキシ樹脂;アダマンタン型エポキシ樹脂;フルオレン型エポキシ樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、ソルダーレジスト膜の埋め込み性や、表面平滑性を向上させる観点からは、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがより好ましい。これにより、ソルダーレジスト膜の低線膨貼化および高弾性率化を図ることもできる。また、配線基板の剛性を向上させて作業性の向上に寄与することや、半導体パッケージにおける耐リフロー性の向上および反りの抑制を実現することも可能である。なお、ソルダーレジスト膜の埋め込み性を向上させる観点からは、3官能以上のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがとくに好ましい。
上記硬化剤としては、例えば、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤又はこれらのエポキシアダクトやマイクロカプセル化したもの、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤等を挙げることができる。これらは1種又は2種以上を使用することができる。この中でも、フェノール系硬化剤またはナフトール系硬化剤を用いることができる。
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を使用することができる。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、上記熱硬化性樹脂に加えて、充填材(B)をさらに含んでもよい。
本実施形態に係る充填材(B)としては、無機充填材を用いることができる。上記無機充填剤としては、特に限定されないが、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩;酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカなどの酸化物;炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩;水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物;硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩;ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩;窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物;チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。これらの中でも、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましい。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、シアネート樹脂(C)をさらに含むことができる。これにより、ソルダーレジスト膜について、低線膨張化や、弾性率および剛性の向上を図ることができる。また、得られる半導体装置の耐熱性や耐湿性の向上に寄与することも可能である。
これらの中でも、ソルダーレジスト膜の低線膨張化や、弾性率および剛性を向上させる観点からは、フェノールノボラック型シアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル樹脂、またはナフトールアラルキル型シアネート樹脂を含むことがより好ましく、フェノールノボラック型シアネート樹脂を含むことがとくに好ましい。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、たとえば硬化促進剤(D)をさらに含むことができる。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化性を向上させることができる。
上記硬化促進剤(D)としては、例えば、イミダゾール系化合物、ピリジン系化合物、有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。また、硬化促進剤(D)として、例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)、トリスアセチルアセトナートコバルト(III)などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンなどの3級アミン類、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート(TPP−K)、テトラフェニルホスホニウム・テトラキス(4−メチルフェニル)ボレート(TPP−MK)のような四級ホスホニウム系化合物、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−エチル−4−エチルイミダゾール、2−フェニル−4−エチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸、およびオニウム塩化合物が挙げられる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、硬化性をより効果的に向上させる観点からは、オニウム塩化合物を含むことがより好ましい。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、たとえば、着色剤(E)をさらに含むことができる。本実施形態の着色剤(E)は、たとえば緑、赤、青、黄、および黒等の染料、黒色顔料な等の顔料、および色素から選択される一種または二種以上を含む。これらの中でも、開口部の視認性等を向上させる観点から、緑色の着色剤を含むことができるが、緑色染料を含めてもよい。当該緑色の着色剤としては、たとえばアントラキノン系、フタロシアニン系、およびペリレン系等の公知の着色剤を一種または二種以上含むことができる。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物には、上記各成分以外に、必要に応じてカップリング剤、レベリング剤、感光剤、消泡剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、ゴム粒子、増粘剤およびイオン捕捉剤等から選択される一種または二種以上の添加物を添加してもよい。
本実施形態の樹脂シートは、たとえばワニス状の熱硬化性樹脂組成物を塗布して得られた塗布膜(樹脂膜)に対して、溶剤除去処理を行うことにより得ることができる。上記樹脂シートは、溶剤含有率が熱硬化性樹脂組成物全体に対して5重量%以下と定義することができる。本実施形態においては、たとえば100℃〜150℃、1分〜5分の条件で溶剤除去処理を行うことができる。これにより、熱硬化性樹脂膜の硬化が進行することを抑制しつつ、十分に溶剤を除去することが可能となる。
本実施形態において、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物は、たとえば溶剤を含むことができる。
上記溶剤としては、たとえばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびN−メチルピロリドン等の有機溶剤から選択される一種または二種以上を含むことができる。
本実施形態に係る樹脂シートは、上記熱硬化性樹脂組成物から得られたフィルムを含むことができる。本実施形態において、樹脂シートは、シート形状でもよく、巻き取り可能なロール形状でもよい。かかる樹脂シートを硬化することによりソルダーレジスト膜を得ることができる。また、上記熱硬化性樹脂組成物の塗布膜を硬化させることにより、ソルダーレジスト膜を得てもよい。
[1]熱硬化性樹脂組成物の調製
エポキシ樹脂としてナフタレン変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(DIC株式会社製、HP−5000)14.5質量%、シアネート樹脂としてフェノールノボラック型シアネートエステル樹脂(LONZA社製、PT−30)14.5質量%、フィラーとして球状シリカ粒子(株式会社アドマテックス製、SO−C4、平均粒径1.0μm、フェニルアミノシラン処理)70質量%、硬化促進剤としてテトラフェニルホスホニウム・テトラキス(4−メチルフェニル)ボレート(TPP−MK)0.5質量%、カップリング剤としてエポキシシラン(信越化学工業社製、KBM−403)0.5質量%を、メチルエチルケトンに溶解、分散させた後、高速撹拌装置を用いて1時間撹拌した。これにより、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
上記[1]で調整した樹脂ワニスを、キャリア基材であるPETフィルム上に塗布した。その後、PETフィルム上の樹脂ワニスを、140℃において2分間乾燥して、溶剤を除去し、樹脂シートの厚さが30μmのキャリア基材付き樹脂シート(絶縁性樹脂膜)を得た。
なお、上記PETフィルムの絶縁性樹脂膜と対向する面の表面粗さを、レーザー顕微鏡(株式会社キーエンス製、VK−X100)を用いて測定した。その結果、表面粗さRaは0.07μmであった。
コア基板の両面に銅箔が積層された銅張積層板(住友ベークライト株式会社製、LαZ4785GS−B)を準備した。この銅張積層板の両面の表面の銅箔をエッチングによりパターニングして、導電体パターンを形成した。これにより、両面の表面に導電体パターンが設けられたコア基板を作製した。
次に、上記[2]で作製したキャリア基材付き樹脂シートの絶縁性樹脂膜を、得られたコア基板の導電体パターンが設けられた上面・下面のそれぞれの面に対向させて、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度100℃、圧力1MPaにて真空加熱加圧成形させた後、120℃の乾燥装置で60分間乾燥した。その後、キャリア基材を除去することにより、絶縁性樹脂膜、コア基板、絶縁性樹脂膜がこの順番で積層された構造体を作製した。
ロールラミネーターを用いて、温度80℃、速度0.5m/min、圧力0.5MPaの条件で、マスクとしてドライフィルムレジスト(DFR、厚み:30μm、旭化成社製、AQ3058)を、上面側の絶縁性樹脂膜上にラミネートした。その後、露光によりパターニングし、炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、マスクに開口パターンを形成した。開口パターンを形成した後、マスクに対して1000mJの露光処理を行った。
次に、開口部が形成されたドライフィルムレジストをマスクとして、絶縁性樹脂膜に対して、液温が40℃のヒドラジン系薬液(三菱ガス化学社製、ELM−E3)を使用して浸漬処理を行い、コア基板上のランドが露出するように、絶縁性樹脂膜に開口部を形成した。開口部を形成した後、ドライフィルムレジストを剥離し、その後、構造体を220℃の乾燥装置で60分間加熱することにより、Bステージ状態の絶縁性樹脂膜を硬化させて、ソルダーレジスト膜を形成した。
次に、ソルダーレジスト膜の開口部に露出した導電体パターン(ランド)上にめっき層を形成した。具体的には、無電解ニッケルめっき層3μmを形成し、さらにその上に無電解金めっき層0.1μmを形成した。これにより、プリント配線板を得た。
[1]熱硬化性樹脂組成物の調製
実施例1の[1]と同様にして、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
実施例1の[2]と同様にして、キャリア基材付き樹脂シートを得た。
実施例1の[3]と同様にして、コア基板を作製した。
次に、上記[2]で作製したキャリア基材付き樹脂シートの絶縁性樹脂膜を、得られたコア基板の導電体パターンが設けられた上面・下面のそれぞれの面に対向させて、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度100℃、圧力1MPaにて真空加熱加圧成形させた。その後、キャリア基材を除去することにより、絶縁性樹脂膜、コア基板、絶縁性樹脂膜がこの順番で積層された構造体を作製した。
次に、得られた構造体の絶縁性樹脂膜上に、厚さ3μmの金属層(三井金属鉱業株式会社製、銅箔、MT18SD−H)を配置した。その後、100℃、0.8MPa、真空30秒、加圧30秒の条件にて、真空ラミネートを実施することにより、金属層を絶縁性樹脂膜に密着させた。次に、絶縁性樹脂膜を120℃の乾燥装置で60分間乾燥した。その後、構造体の金属箔に対して、エッチング処理を行い、金属層の所定の領域(コア基板の導電体パターンのランドに対応する領域)に開口部を形成した。
次に、開口部が形成された金属層をマスクとして、絶縁性樹脂膜に対して、液温が40℃のヒドラジン系薬液(三菱ガス化学社製、ELM−E3)を使用して浸漬処理を行い、コア基板上のランドが露出するように、絶縁性樹脂膜に開口部を形成した。開口部を形成した後、構造体を220℃の乾燥装置で60分間加熱することにより、Bステージ状態の絶縁性樹脂膜を硬化させて、ソルダーレジスト膜を形成した。次に、構造体の金属層に対して、フラッシュエッチングを行い、ソルダーレジスト膜の表面上の金属層を除去した。
次に、ソルダーレジスト膜の開口部に露出した導電体パターン(ランド)上にめっき層を形成した。具体的には、無電解ニッケルめっき層3μmを形成し、さらにその上に無電解金めっき層0.1μmを形成した。これにより、プリント配線板を得た。
上記実施例1と同様にして、構造体を準備した。その後、絶縁性樹脂膜上にマスクを形成せずに、絶縁性樹脂膜に対して直接レーザー照射によるエッチングを行い、コア基板上のランドが露出するように、絶縁性樹脂膜に開口部を形成した。その後、構造体を220℃の乾燥装置で60分間加熱することにより、Bステージ状態の絶縁性樹脂膜を硬化させて、ソルダーレジスト膜を形成した。
その後、実施例1と同様にして、ソルダーレジスト膜の開口部に露出した導電体パターン(ランド)上にめっき層を形成して、プリント配線板を得た。
各実施例および比較例のプリント配線板において、200μmの開口径を有するSolder Mask Defined(SMD)構造の開口部A、および300μmの開口径を有するNon Solder Mask Defined(NSMD)構造の開口部Bを、それぞれ10個、レーザー顕微鏡を用いて観察し評価を行った。
10 ソルダ−レジスト膜
11 面
12 マスク
13 面
14 硬化膜
20 配線基板
21 開口部
22 コア基板
24 導電パターン
28 開口部
30 半田ボール
40 封止樹脂層
50 ボンディングワイヤ
60 半導体素子
62 ダイアタッチ材
102 半導体パッケージ
242 ライン
244 ランド
246 めっき膜
Claims (13)
- 高分子フィルムで構成されるキャリア基材上にソルダーレジスト膜が形成されたキャリア基材付き樹脂シートを準備する工程と、
回路基板の表面に形成された導電パターンを前記ソルダーレジスト膜で埋め込むように、前記回路基板の前記表面に前記キャリア基材付き樹脂シートの前記ソルダーレジスト膜を配向配置する工程と、
前記キャリア基材を分離することにより、前記ソルダーレジスト膜の表面を露出させる工程と、
前記ソルダーレジスト膜の露出した前記表面に、マスクを形成する工程と、
前記マスクを、選択的に除去することによりパターニングする工程と、
パターニングした前記マスクを介して、前記ソルダーレジスト膜を選択的に除去することにより、前記導電パターンの一部が露出した開口部を形成する開口部形成工程と、
前記マスクを除去する工程と、を含む、配線基板の製造方法。 - 請求項1に記載の配線基板の製造方法であって、
前記開口部形成工程において、前記ソルダーレジスト膜はBステージ状態である、配線基板の製造方法。 - 請求項1または2に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ソルダーレジスト膜を選択的に除去した後、前記ソルダーレジスト膜を加熱により硬化する工程をさらに含む、配線基板の製造方法。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ソルダーレジスト膜は、熱硬化性樹脂と無機充填材とを含む、配線基板の製造方法。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記マスクの厚さが、3μm以上50μm以下である、配線基板の製造方法。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記マスクを形成する工程の後、前記開口部形成工程の前に、前記マスクおよび前記ソルダーレジスト膜を加熱する工程をさらに含む、配線基板の製造方法。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記マスクがドライフィルムレジストである、配線基板の製造方法。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記高分子フィルムの表面粗さRaは、0.01μm以上30μm以下である、配線基板の製造方法。 - 請求項1から8のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記開口部形成工程の後、前記開口部内を中和する工程をさらに含む、配線基板の製造方法。 - 請求項1から9のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ソルダーレジスト膜の表面を露出させる工程の後、前記マスクを形成する工程の前に、前記ソルダーレジスト膜の表面に、プラズマ処理、コロナ処理、火炎処理、プライマー処理からなる群から選択される一種以上を含む表面処理を施す工程をさらに含む、配線基板の製造方法。 - 請求項1から10のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ソルダーレジスト膜の厚さが、3μm以上50μm以下である、配線基板の製造方法。 - 請求項1から11のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記導電パターンを構成する金属が、銅、金、銀からなる群から選択される一種以上を含む、配線基板の製造方法。 - 請求項1から12のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法で得られた配線基板の上に半導体素子を実装する工程、を含む、半導体装置の製造方法。
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