JP2019019368A - プラズマcvd装置、磁気記録媒体の製造方法及び成膜方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[1]チャンバーと、
前記チャンバー内に配置された被成膜基板を保持する保持部と、
前記保持部に電気的に接続された第1の直流電源と、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部の一方側に配置された第1のアノードと、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部の一方側に配置された第1のカソードと、
前記第1のアノードに電気的に接続された第2の直流電源と、
前記第1のカソードに電気的に接続された第1の交流電源と、
前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
前記保持部に第1の電圧を、1/100msec以上1msec以下の周期(1kHz以上100kHz以下の周波数)で10%以上90%以下のDUTY比のパルス状に印加するように前記第1の直流電源を制御する制御部と、
を具備することを特徴とするプラズマCVD装置。
前記制御部は、前記第1の電圧が前記保持部に印加されない期間(前記周期の10%以上90%以下のDUTY比の残りの期間)に、前記保持部に第2の電圧を印加するように前記第1の直流電源を制御し、
前記第2の電圧は前記第1の電圧と正負が逆の電圧であることを特徴とするプラズマCVD装置。
前記第2の電圧の絶対値は、前記第1の電圧の絶対値の10%以上60%以下(好ましくは20%以上50%以下)の範囲内であることを特徴とするプラズマCVD装置。
前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記第1のアノード及び前記第1のカソードそれぞれとの間の空間を覆うように設けられ、フロート電位とされるプラズマウォールを含むことを特徴とするプラズマCVD装置。
前記チャンバー内に配置され、前記保持部の他方側に配置された第2のアノードと、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部の他方側に配置された第2のカソードと、
前記第2のアノードに電気的に接続された第3の直流電源と、
前記第2のカソードに電気的に接続された第2の交流電源と、
を具備することを特徴とするプラズマCVD装置。
非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した被成膜基板を前記保持部に保持し、
前記チャンバー内で前記第1のカソードと前記第1のアノードとの間の放電により前記原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された被成膜基板の表面に加速衝突させて炭素が主成分である保護膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
前記チャンバー内に前記被成膜基板を前記アノード及び前記カソードに対向するように配置し、
前記チャンバー内に原料ガスを供給し、且つ前記アノードに第1の直流電圧を印加し、且つ前記カソードに交流電圧を印加し、且つ前記保持部に第2の直流電圧を、1/100msec以上1msec以下の周期(1kHz以上100kHz以下の周波数)で10%以上90%以下のDUTY比のパルス状に印加することにより、前記チャンバー内で前記原料ガスをプラズマ状態として前記被成膜基板に加速衝突させて膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
前記保持部に前記第2の直流電圧を印加しない期間に、前記保持部に第3の直流電圧を印加し、
前記第3の直流電圧は前記第2の直流電圧と正負が逆の電圧であることを特徴とする成膜方法。
前記第3の直流電圧の絶対値は、前記第2の直流電圧の絶対値の10%以上60%以下(好ましくは20%以上50%以下)の範囲内であることを特徴とする成膜方法。
[10]上記[7]乃至[9]のいずれか一項において、
前記被成膜基板に前記膜を成膜している際に前記被成膜基板に流れる電流値が、前記保持部に前記第2の直流電圧を連続的に印加した場合に前記被成膜基板に流れる電流値の前記DUTY比に相当する電流値の1.2倍以上であることを特徴とする成膜方法。
上記[7]乃至[10]のいずれか一項に記載の成膜方法により保護膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
図1は、本発明の一態様に係るプラズマCVD装置を模式的に示す断面図である。このプラズマCVD装置は被成膜基板(例えばディスク基板)1に対して左右対称の構造を有しており、被成膜基板1の両面に同時に成膜可能な装置である。
バイアス電源112は、保持部に第2の直流電圧(第1の電圧ともいう)を、1/100msec以上1msec以下の周期(1kHz以上100kHz以下の周波数)で10%以上90%以下(好ましくは30%以上90%以下、より好ましくは30%以上80%以下、さらに好ましくは50%以上80%以下)のDUTY比のパルス状に印加するように制御される。これにより、上記の第2の直流電圧が保持部を介して被成膜基板1に供給される。
図1に示すプラズマCVD装置を用いて被成膜基板1にDLC膜を成膜する方法について説明する。
図3は、図1に示すプラズマCVD装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図であり、磁気記録媒体の一部を示している。磁気記録媒体は例えばHDD用のメディアである。
[サンプル(1)の成膜条件]
被成膜基板1:NiP/Alディスク
成膜装置:図1に示すプラズマCVD装置
出発原料:高純度トルエン(C7H8)
図1の左側の原料ガス流量:3.25sccm
図1の右側の原料ガス流量:3.5sccm
圧力 :0.3Pa
成膜時間:2sec
カソードフィラメント103a,103b:タングステンフィラメント
交流電源105a,105bの出力:360W
アノード電源107a,107bの電流:1650mA
アノード電源107a,107bの電圧:75V
バイアス電源112の第2の直流電圧:−250V
バイアス電源112の第3の直流電圧:+90V
第2の直流電圧が印加される周期:1/5msec
第2の直流電圧が印加される周波数:5kHz
第2の直流電圧がパルス状に印加されるDUTY比:70%
第3の直流電圧が印加される期間:第2の直流電圧が印加されない期間
外部磁場 : 50G
第2の直流電圧が印加される周期:1/10msec
第2の直流電圧が印加される周波数:10kHz
なお、サンプル(2)の上記の成膜条件以外の成膜条件は、サンプル(1)と同様である。
第2の直流電圧が印加される周期:1/20msec
第2の直流電圧が印加される周波数:20kHz
なお、サンプル(3)の上記の成膜条件以外の成膜条件は、サンプル(1)と同様である。
第2の直流電圧が印加される周期:1/30msec
第2の直流電圧が印加される周波数:30kHz
第2の直流電圧がパルス状に印加されるDUTY比:50%
なお、サンプル(4)の上記の成膜条件以外の成膜条件は、サンプル(1)と同様である。
第2の直流電圧が印加される周期:1/30msec
第2の直流電圧が印加される周波数:30kHz
なお、サンプル(5)の上記の成膜条件以外の成膜条件は、サンプル(1)と同様である。
第2の直流電圧が印加される周期:1/30msec
第2の直流電圧が印加される周波数:30kHz
第2の直流電圧がパルス状に印加されるDUTY比:90%
なお、サンプル(6)の上記の成膜条件以外の成膜条件は、サンプル(1)と同様である。
被成膜基板1:NiP/Alディスク
成膜装置:図1に示すプラズマCVD装置
出発原料:高純度トルエン(C7H8)
図1の左側の原料ガス流量:3.25sccm
図1の右側の原料ガス流量:3.5sccm
圧力 :0.3Pa
成膜時間:2sec
カソードフィラメント103a,103b:タングステンフィラメント
交流電源105a,105bの出力:360W
アノード電源107a,107bの電流:1650mA
アノード電源107a,107bの電圧:75V
バイアス電源112の第2の直流電圧:−250V
第2の直流電圧が印加される期間:連続(100%)
外部磁場 : 50G
11 非磁性基板
12 磁性層
13 DLC膜
102 チャンバー
103a 第1のカソード電極(第1のカソードフィラメント)
103b 第2のカソード電極(第2のカソードフィラメント)
104a 第1のアノード電極(第1のアノードコーン)
104b 第2のアノード電極(第2のアノードコーン)
105a 第1のカソード電源(第1の交流電源)
105b 第2のカソード電源(第2の交流電源)
106 アース電源
107a 第1のアノード電源(第1のDC電源、第2の直流電源)
107b 第2のアノード電源(第2のDC電源)
108a 第1のプラズマウォール
108b 第2のプラズマウォール
109a 第1のネオジウム磁石
109b 第2のネオジウム磁石
112 バイアス電源(DC電源,第1の直流電源)
118a,118b 膜厚補正板
121a 第1のスイッチ
121b 第2のスイッチ
130 制御部
Claims (11)
- チャンバーと、
前記チャンバー内に配置された被成膜基板を保持する保持部と、
前記保持部に電気的に接続された第1の直流電源と、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部の一方側に配置された第1のアノードと、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部の一方側に配置された第1のカソードと、
前記第1のアノードに電気的に接続された第2の直流電源と、
前記第1のカソードに電気的に接続された第1の交流電源と、
前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
前記保持部に第1の電圧を、1/100msec以上1msec以下の周期で10%以上90%以下のDUTY比のパルス状に印加するように前記第1の直流電源を制御する制御部と、
を具備することを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1において、
前記制御部は、前記第1の電圧が前記保持部に印加されない期間に、前記保持部に第2の電圧を印加するように前記第1の直流電源を制御し、
前記第2の電圧は前記第1の電圧と正負が逆の電圧であることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項2において、
前記第2の電圧の絶対値は、前記第1の電圧の絶対値の10%以上60%以下の範囲内であることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記第1のアノード及び前記第1のカソードそれぞれとの間の空間を覆うように設けられ、フロート電位とされるプラズマウォールを含むことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一項において、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部の他方側に配置された第2のアノードと、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部の他方側に配置された第2のカソードと、
前記第2のアノードに電気的に接続された第3の直流電源と、
前記第2のカソードに電気的に接続された第2の交流電源と、
を具備することを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載のプラズマCVD装置を用いた磁気記録媒体の製造方法において、
非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した被成膜基板を前記保持部に保持し、
前記チャンバー内で前記第1のカソードと前記第1のアノードとの間の放電により前記原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された被成膜基板の表面に加速衝突させて炭素が主成分である保護膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - チャンバー内に配置された被成膜基板を保持する保持部とアノードとカソードを有するプラズマCVD装置を用いて被成膜基板に成膜する成膜方法において、
前記チャンバー内に前記被成膜基板を前記アノード及び前記カソードに対向するように配置し、
前記チャンバー内に原料ガスを供給し、且つ前記アノードに第1の直流電圧を印加し、且つ前記カソードに交流電圧を印加し、且つ前記保持部に第2の直流電圧を、1/100msec以上1msec以下の周期で10%以上90%以下のDUTY比のパルス状に印加することにより、前記チャンバー内で前記原料ガスをプラズマ状態として前記被成膜基板に加速衝突させて膜を成膜することを特徴とする成膜方法。 - 請求項7において、
前記保持部に前記第2の直流電圧を印加しない期間に、前記保持部に第3の直流電圧を印加し、
前記第3の直流電圧は前記第2の直流電圧と正負が逆の電圧であることを特徴とする成膜方法。 - 請求項8において、
前記第3の直流電圧の絶対値は、前記第2の直流電圧の絶対値の10%以上60%以下の範囲内であることを特徴とする成膜方法。 - 請求項7乃至9のいずれか一項において、
前記被成膜基板に前記膜を成膜している際に前記被成膜基板に流れる電流値が、前記保持部に前記第2の直流電圧を連続的に印加した場合に前記被成膜基板に流れる電流値の前記DUTY比に相当する電流値の1.2倍以上であることを特徴とする成膜方法。 - 非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した後に炭素が主成分である保護膜を形成する磁気記録媒体の製造方法において、
請求項7乃至10のいずれか一項に記載の成膜方法により保護膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
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