JP2000187833A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 耐久性に優れ、かつ十分な高記録密度化が可
能となる磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 非磁性基板上に、非磁性下地膜、磁性膜
を形成したディスクＤ上に、炭化水素を含む反応ガスを
原料としてプラズマＣＶＤ法により水素化カーボン保護
膜を形成し、該水素化カーボン保護膜を、密度が２．２
ｇ／ｃｍ3以上であるものとするか、または、有機フッ
素化合物を含む反応ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法
によりフッ素化カーボン保護膜を形成し、該フッ素化カ
ーボン保護膜を、密度が２．０〜２．６ｇ／ｃｍ3であ
るものとする。
能となる磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 非磁性基板上に、非磁性下地膜、磁性膜
を形成したディスクＤ上に、炭化水素を含む反応ガスを
原料としてプラズマＣＶＤ法により水素化カーボン保護
膜を形成し、該水素化カーボン保護膜を、密度が２．２
ｇ／ｃｍ3以上であるものとするか、または、有機フッ
素化合物を含む反応ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法
によりフッ素化カーボン保護膜を形成し、該フッ素化カ
ーボン保護膜を、密度が２．０〜２．６ｇ／ｃｍ3であ
るものとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
などに用いられる磁気記録媒体およびその製造方法に関
するものである。
などに用いられる磁気記録媒体およびその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気記録媒体としては、非磁性基
板上に、非磁性下地膜、磁性膜を設け、その上に、スパ
ッタリング等の方法によりカーボンなどからなる保護膜
を形成し、さらにこの保護膜上に、パーフルオロポリエ
ーテルなどの潤滑剤を塗布することにより厚さ数１０Å
の潤滑膜を設けたものが用いられている。
板上に、非磁性下地膜、磁性膜を設け、その上に、スパ
ッタリング等の方法によりカーボンなどからなる保護膜
を形成し、さらにこの保護膜上に、パーフルオロポリエ
ーテルなどの潤滑剤を塗布することにより厚さ数１０Å
の潤滑膜を設けたものが用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年では、磁気記録媒
体を高記録密度化することが要求されており、スペーシ
ングロスを低減し得る磁気記録媒体が要望されている。
しかしながら、スペーシングロス低減のため保護膜、潤
滑膜の薄膜化を図ると、その分摺動耐久性が低下するた
め、摺動耐久性を低下させることなく十分な高記録密度
化を達成できる磁気記録媒体は得られていないのが現状
である。本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、
耐久性に優れ、かつ十分な高記録密度化が可能となる磁
気記録媒体およびその製造方法を提供することを目的と
する。
体を高記録密度化することが要求されており、スペーシ
ングロスを低減し得る磁気記録媒体が要望されている。
しかしながら、スペーシングロス低減のため保護膜、潤
滑膜の薄膜化を図ると、その分摺動耐久性が低下するた
め、摺動耐久性を低下させることなく十分な高記録密度
化を達成できる磁気記録媒体は得られていないのが現状
である。本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、
耐久性に優れ、かつ十分な高記録密度化が可能となる磁
気記録媒体およびその製造方法を提供することを目的と
する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体の
製造方法は、非磁性基板上に、非磁性下地膜、磁性膜を
形成したディスク上に、炭化水素を含む反応ガスを原料
としてプラズマＣＶＤ法により水素化カーボン保護膜を
形成し、該水素化カーボン保護膜を、密度が２．２ｇ／
ｃｍ3以上であるものとすることを特徴とするものであ
る。水素化カーボン保護膜の形成にあたっては、ディス
クにパルス直流バイアスを供給し、このパルス直流バイ
アスを、平均電圧が−７００〜−１５０Ｖ、好ましくは
−３５０〜−１５０Ｖであり、かつ正電圧波高値が１０
〜１００Ｖ、好ましくは２０〜７５Ｖであるものとする
のが好ましい。炭化水素としては、低級飽和炭化水素、
低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１
種または２種以上を用いるのが好ましい。また、本発明
の磁気記録媒体は、非磁性基板上に、非磁性下地膜、磁
性膜が設けられ、その上に、炭化水素を含む反応ガスを
原料としてプラズマＣＶＤ法により形成された水素化カ
ーボン保護膜が設けられ、該水素化カーボン保護膜の密
度が２．２ｇ／ｃｍ3以上とされたものであることを特
徴とする。この水素化カーボン保護膜は、磁気記録媒体
の最表面側に位置させることができる。また、本発明の
磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板上に、非磁性下
地膜、磁性膜を形成したディスク上に、有機フッ素化合
物を含む反応ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により
フッ素化カーボン保護膜を形成し、該フッ素化カーボン
保護膜を、密度が２．０〜２．６ｇ／ｃｍ3であるもの
とすることを特徴とする。フッ素化カーボン保護膜の形
成にあたっては、ディスクにパルス直流バイアスを供給
し、このパルス直流バイアスを、平均電圧が−４００〜
−１００Ｖ、好ましくは−３５０〜−１００Ｖであり、
かつ正電圧波高値が１０〜１００Ｖ、好ましくは２０〜
７５Ｖであるものとするのが好ましい。有機フッ素化合
物としては、低級飽和有機フッ素化合物、および低級不
飽和有機フッ素化合物のうちいずれかまたは両方を用い
るのが好ましい。また、本発明の磁気記録媒体は、非磁
性基板上に、非磁性下地膜、磁性膜が設けられ、その上
に、有機フッ素化合物を含む反応ガスを原料としてプラ
ズマＣＶＤ法により形成されたフッ素化カーボン保護膜
が設けられ、該フッ素化カーボン保護膜の密度が２．０
〜２．６ｇ／ｃｍ3とされたものとすることも可能であ
る。このフッ素化カーボン保護膜は、磁気記録媒体の最
表面側に位置させることができる。
製造方法は、非磁性基板上に、非磁性下地膜、磁性膜を
形成したディスク上に、炭化水素を含む反応ガスを原料
としてプラズマＣＶＤ法により水素化カーボン保護膜を
形成し、該水素化カーボン保護膜を、密度が２．２ｇ／
ｃｍ3以上であるものとすることを特徴とするものであ
る。水素化カーボン保護膜の形成にあたっては、ディス
クにパルス直流バイアスを供給し、このパルス直流バイ
アスを、平均電圧が−７００〜−１５０Ｖ、好ましくは
−３５０〜−１５０Ｖであり、かつ正電圧波高値が１０
〜１００Ｖ、好ましくは２０〜７５Ｖであるものとする
のが好ましい。炭化水素としては、低級飽和炭化水素、
低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１
種または２種以上を用いるのが好ましい。また、本発明
の磁気記録媒体は、非磁性基板上に、非磁性下地膜、磁
性膜が設けられ、その上に、炭化水素を含む反応ガスを
原料としてプラズマＣＶＤ法により形成された水素化カ
ーボン保護膜が設けられ、該水素化カーボン保護膜の密
度が２．２ｇ／ｃｍ3以上とされたものであることを特
徴とする。この水素化カーボン保護膜は、磁気記録媒体
の最表面側に位置させることができる。また、本発明の
磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板上に、非磁性下
地膜、磁性膜を形成したディスク上に、有機フッ素化合
物を含む反応ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により
フッ素化カーボン保護膜を形成し、該フッ素化カーボン
保護膜を、密度が２．０〜２．６ｇ／ｃｍ3であるもの
とすることを特徴とする。フッ素化カーボン保護膜の形
成にあたっては、ディスクにパルス直流バイアスを供給
し、このパルス直流バイアスを、平均電圧が−４００〜
−１００Ｖ、好ましくは−３５０〜−１００Ｖであり、
かつ正電圧波高値が１０〜１００Ｖ、好ましくは２０〜
７５Ｖであるものとするのが好ましい。有機フッ素化合
物としては、低級飽和有機フッ素化合物、および低級不
飽和有機フッ素化合物のうちいずれかまたは両方を用い
るのが好ましい。また、本発明の磁気記録媒体は、非磁
性基板上に、非磁性下地膜、磁性膜が設けられ、その上
に、有機フッ素化合物を含む反応ガスを原料としてプラ
ズマＣＶＤ法により形成されたフッ素化カーボン保護膜
が設けられ、該フッ素化カーボン保護膜の密度が２．０
〜２．６ｇ／ｃｍ3とされたものとすることも可能であ
る。このフッ素化カーボン保護膜は、磁気記録媒体の最
表面側に位置させることができる。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の磁気記録媒体の
製造方法の一実施形態を実施するために用いられる製造
装置の主要部となるプラズマＣＶＤ装置を示すもので、
ここに示すプラズマＣＶＤ装置は、保護膜を形成するべ
きディスクを収容するチャンバ１０と、チャンバ１０の
両側壁内面に相対向するように設置された電極１１、１
１と、これら電極１１、１１に高周波電力を供給する高
周波電源１２、１２と、チャンバ１０内のディスクに接
続されるバイアス電源１３と、ディスク上に形成するべ
き保護膜の原料となる反応ガスの供給源１４を備えたも
のとされる。
製造方法の一実施形態を実施するために用いられる製造
装置の主要部となるプラズマＣＶＤ装置を示すもので、
ここに示すプラズマＣＶＤ装置は、保護膜を形成するべ
きディスクを収容するチャンバ１０と、チャンバ１０の
両側壁内面に相対向するように設置された電極１１、１
１と、これら電極１１、１１に高周波電力を供給する高
周波電源１２、１２と、チャンバ１０内のディスクに接
続されるバイアス電源１３と、ディスク上に形成するべ
き保護膜の原料となる反応ガスの供給源１４を備えたも
のとされる。
【０００６】チャンバ１０には、供給源１４から供給さ
れた反応ガスをチャンバ１０内に導入する導入管１５、
１５と、チャンバ１０内のガスを系外に排出する排気管
１６が接続されている。排気管１６には排気量調節バル
ブ１７が設けられており、排気量を調節することによっ
て、チャンバ１０の内圧を任意の値に設定することがで
きるようになっている。
れた反応ガスをチャンバ１０内に導入する導入管１５、
１５と、チャンバ１０内のガスを系外に排出する排気管
１６が接続されている。排気管１６には排気量調節バル
ブ１７が設けられており、排気量を調節することによっ
て、チャンバ１０の内圧を任意の値に設定することがで
きるようになっている。
【０００７】高周波電源１２としては、水素化カーボン
保護膜形成時に電極１１に５０〜２０００Ｗの電力を供
給することができるものを用いるのが好ましい。バイア
ス電源１３としては、パルス直流電源または高周波電源
を用いることができる。
保護膜形成時に電極１１に５０〜２０００Ｗの電力を供
給することができるものを用いるのが好ましい。バイア
ス電源１３としては、パルス直流電源または高周波電源
を用いることができる。
【０００８】次に、上記製造装置を用いた場合を例とし
て、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を説
明する。まず、スパッタリング法等の方法を用いて、非
磁性基板の両面に非磁性下地膜、磁性膜を形成し、ディ
スクＤを得る。この非磁性基板としては、磁気記録媒体
用基板として一般に用いられるものが使用可能であり、
ＮｉＰメッキ膜が形成されたアルミニウム合金基板や、
ガラス、シリコンなどからなるものを用いることができ
る。非磁性基板は、その表面にメカニカルテクスチャ処
理などのテクスチャ処理を施したものとするのが好まし
く、特に、表面平均粗さＲａを１〜２０Åとしたものを
用いるのが好ましい。
て、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を説
明する。まず、スパッタリング法等の方法を用いて、非
磁性基板の両面に非磁性下地膜、磁性膜を形成し、ディ
スクＤを得る。この非磁性基板としては、磁気記録媒体
用基板として一般に用いられるものが使用可能であり、
ＮｉＰメッキ膜が形成されたアルミニウム合金基板や、
ガラス、シリコンなどからなるものを用いることができ
る。非磁性基板は、その表面にメカニカルテクスチャ処
理などのテクスチャ処理を施したものとするのが好まし
く、特に、表面平均粗さＲａを１〜２０Åとしたものを
用いるのが好ましい。
【０００９】非磁性下地膜の材料としては、Ｃｒまたは
Ｃｒ合金を用いることができ、Ｃｒ合金としては、Ｃｒ
／Ｔｉ系、Ｃｒ／Ｗ系、Ｃｒ／Ｖ系、Ｃｒ／Ｓｉ系の合
金を用いるのが好適である。磁性膜の材料としては、Ｃ
ｏ合金を用いることができ、Ｃｏ合金としては、Ｃｏ／
Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ系、Ｃ
ｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｔａ系等の合金を用いるのが好適であ
る。これら非磁性下地膜、磁性膜の厚さは、それぞれ５
０〜１０００Å、５０〜８００Åとするのが好ましい。
Ｃｒ合金を用いることができ、Ｃｒ合金としては、Ｃｒ
／Ｔｉ系、Ｃｒ／Ｗ系、Ｃｒ／Ｖ系、Ｃｒ／Ｓｉ系の合
金を用いるのが好適である。磁性膜の材料としては、Ｃ
ｏ合金を用いることができ、Ｃｏ合金としては、Ｃｏ／
Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ系、Ｃ
ｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｔａ系等の合金を用いるのが好適であ
る。これら非磁性下地膜、磁性膜の厚さは、それぞれ５
０〜１０００Å、５０〜８００Åとするのが好ましい。
【００１０】次いで、ディスクＤをプラズマＣＶＤ装置
のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から
供給された反応ガスを導入管１５を通してチャンバ１０
内に導入しつつチャンバ１０内のガスを排気管１６を通
して排出し、チャンバ１０内でガスを流通させ、ディス
クＤの表面をこの反応ガスに曝す。この反応ガスとして
は、炭化水素を含むもの、例えば炭化水素と水素の混合
ガスを主成分とするものを用いることができる。この混
合ガスにおける炭化水素と水素の混合割合は、炭化水
素：水素を２：１〜１：１００（体積比）に設定するの
が好ましい。なお、本明細書において、主成分とは当該
成分を９０ｖｏｌ％以上の割合で含むことを指す。
のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から
供給された反応ガスを導入管１５を通してチャンバ１０
内に導入しつつチャンバ１０内のガスを排気管１６を通
して排出し、チャンバ１０内でガスを流通させ、ディス
クＤの表面をこの反応ガスに曝す。この反応ガスとして
は、炭化水素を含むもの、例えば炭化水素と水素の混合
ガスを主成分とするものを用いることができる。この混
合ガスにおける炭化水素と水素の混合割合は、炭化水
素：水素を２：１〜１：１００（体積比）に設定するの
が好ましい。なお、本明細書において、主成分とは当該
成分を９０ｖｏｌ％以上の割合で含むことを指す。
【００１１】炭化水素としては、低級飽和炭化水素、低
級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１種
または２種以上を用いるのが好ましい。低級飽和炭化水
素としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、オク
タン等を用いることができる。また低級不飽和炭化水素
としては、イソプレン、エチレン、プロピレン、ブチレ
ン、ブタジエン等を用いることができる。また低級環式
炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、ス
チレン、ナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサジ
エン等を用いることができる。なお、ここでいう低級と
は、炭素数が１〜１０であることを指す。
級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１種
または２種以上を用いるのが好ましい。低級飽和炭化水
素としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、オク
タン等を用いることができる。また低級不飽和炭化水素
としては、イソプレン、エチレン、プロピレン、ブチレ
ン、ブタジエン等を用いることができる。また低級環式
炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、ス
チレン、ナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサジ
エン等を用いることができる。なお、ここでいう低級と
は、炭素数が１〜１０であることを指す。
【００１２】炭化水素として低級炭化水素を用いるのが
好ましいとしたのは、炭化水素の炭素数が上記範囲上限
値を越えると、ガスとして供給するのが困難となること
に加え、放電時の炭化水素の分解が進行しにくくなり、
水素化カーボン保護膜が、強度に劣る高分子成分を多く
含むものとなるためである。
好ましいとしたのは、炭化水素の炭素数が上記範囲上限
値を越えると、ガスとして供給するのが困難となること
に加え、放電時の炭化水素の分解が進行しにくくなり、
水素化カーボン保護膜が、強度に劣る高分子成分を多く
含むものとなるためである。
【００１３】また、この際、排気量調節バルブ１７を用
いてチャンバ１０内ガスの排出量を適宜調節することに
よって、チャンバ１０の内圧を０．１〜１０Ｐａとする
のが好ましい。また反応ガスの流量は５０〜５００ｓｃ
ｃｍとするのが好ましい。
いてチャンバ１０内ガスの排出量を適宜調節することに
よって、チャンバ１０の内圧を０．１〜１０Ｐａとする
のが好ましい。また反応ガスの流量は５０〜５００ｓｃ
ｃｍとするのが好ましい。
【００１４】同時に、高周波電源１２を用いて、好まし
くは５０〜２０００Ｗの高周波電力を電極１１に供給し
プラズマを発生させ、上記反応ガスを原料とするプラズ
マ化学気相成長により水素化カーボン保護膜をディスク
Ｄの両面に形成する。水素化カーボン保護膜の厚さは、
３０〜１００Å、好ましくは３０〜７５Åとすることが
できる。
くは５０〜２０００Ｗの高周波電力を電極１１に供給し
プラズマを発生させ、上記反応ガスを原料とするプラズ
マ化学気相成長により水素化カーボン保護膜をディスク
Ｄの両面に形成する。水素化カーボン保護膜の厚さは、
３０〜１００Å、好ましくは３０〜７５Åとすることが
できる。
【００１５】電極１１、１１に電力供給する際には、こ
れら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずら
せるのが好ましい。これは、これら電極１１、１１に供
給する電力の位相を互いにずらせることによって、成膜
レートの向上、保護膜の耐久性の向上を図ることができ
るためである。両電極に供給する電力の位相差は９０〜
２７０゜とするのが好ましく、特に、逆相（１８０゜）
とするのが好ましい。
れら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずら
せるのが好ましい。これは、これら電極１１、１１に供
給する電力の位相を互いにずらせることによって、成膜
レートの向上、保護膜の耐久性の向上を図ることができ
るためである。両電極に供給する電力の位相差は９０〜
２７０゜とするのが好ましく、特に、逆相（１８０゜）
とするのが好ましい。
【００１６】また、水素化カーボン保護膜形成時には、
バイアス電源１３を用いてパルス直流バイアスをディス
クＤに印加しつつ成膜を行うのが好ましい。ディスクＤ
に印加するパルス直流バイアスは、平均電圧が−７００
〜−１５０Ｖ、好ましくは−３５０〜−１５０Ｖである
ものとするのが好ましい。
バイアス電源１３を用いてパルス直流バイアスをディス
クＤに印加しつつ成膜を行うのが好ましい。ディスクＤ
に印加するパルス直流バイアスは、平均電圧が−７００
〜−１５０Ｖ、好ましくは−３５０〜−１５０Ｖである
ものとするのが好ましい。
【００１７】この平均電圧が上記範囲下限値未満である
と、ディスクＤ表面へのプラズマ衝撃性が高くなりす
ぎ、上記反応ガスがプラズマにより活性化された励起活
性種がディスクＤ上に定着しにくくなるため保護膜の緻
密化が不十分となりやすく、保護膜の摺動耐久性が低下
しやすい。また平均電圧が上記範囲上限値を越えると、
ディスクＤ表面へのプラズマ衝撃性が低くなりすぎ、保
護膜の緻密化が不十分となりやすく、保護膜の摺動耐久
性が低下しやすい。
と、ディスクＤ表面へのプラズマ衝撃性が高くなりす
ぎ、上記反応ガスがプラズマにより活性化された励起活
性種がディスクＤ上に定着しにくくなるため保護膜の緻
密化が不十分となりやすく、保護膜の摺動耐久性が低下
しやすい。また平均電圧が上記範囲上限値を越えると、
ディスクＤ表面へのプラズマ衝撃性が低くなりすぎ、保
護膜の緻密化が不十分となりやすく、保護膜の摺動耐久
性が低下しやすい。
【００１８】また上記パルス直流バイアスは、正電圧波
高値、すなわちパルス部分の正領域における波高値が１
０〜１００Ｖ、好ましくは２０〜７５Ｖであるものとす
るのが好ましい。この正電圧波高値が上記範囲下限値未
満であると、バイアス電圧が正の領域に至った時点でデ
ィスクＤ表面の負電荷蓄積を十分に打ち消すことができ
ず、励起活性種がディスクＤ上に定着しにくくなるため
保護膜の緻密化が不十分となりやすく、保護膜の摺動耐
久性が低下しやすい。また正電圧波高値が上記範囲上限
値を越えると、ディスクＤ表面において逆スパッタ現象
が起きやすくなり、保護膜の緻密化が不十分となりやす
く、保護膜の摺動耐久性が低下しやすい。
高値、すなわちパルス部分の正領域における波高値が１
０〜１００Ｖ、好ましくは２０〜７５Ｖであるものとす
るのが好ましい。この正電圧波高値が上記範囲下限値未
満であると、バイアス電圧が正の領域に至った時点でデ
ィスクＤ表面の負電荷蓄積を十分に打ち消すことができ
ず、励起活性種がディスクＤ上に定着しにくくなるため
保護膜の緻密化が不十分となりやすく、保護膜の摺動耐
久性が低下しやすい。また正電圧波高値が上記範囲上限
値を越えると、ディスクＤ表面において逆スパッタ現象
が起きやすくなり、保護膜の緻密化が不十分となりやす
く、保護膜の摺動耐久性が低下しやすい。
【００１９】このように、パルス直流バイアスの平均電
圧を上記範囲とすることによりディスクＤ表面へのプラ
ズマ衝撃性を十分なものとし、さらに正電圧波高値を上
記範囲とすることにより、バイアス電圧が正の領域に至
った時点でディスクＤ表面の負電荷蓄積を打ち消し、励
起活性種のディスクＤ上への定着を促進することができ
る。これにより、保護膜を緻密化し、その摺動耐久性を
向上させることができる。
圧を上記範囲とすることによりディスクＤ表面へのプラ
ズマ衝撃性を十分なものとし、さらに正電圧波高値を上
記範囲とすることにより、バイアス電圧が正の領域に至
った時点でディスクＤ表面の負電荷蓄積を打ち消し、励
起活性種のディスクＤ上への定着を促進することができ
る。これにより、保護膜を緻密化し、その摺動耐久性を
向上させることができる。
【００２０】また、上記パルス直流バイアスの周波数は
１ｋＨｚ〜１００ＧＨｚ（好ましくは１０ｋＨｚ〜１Ｇ
Ｈｚ）とするのが好ましい。上記周波数が上記範囲下限
値未満であると、バイアス電圧が正の領域に至った時点
でディスクＤ表面の負電荷蓄積を十分に打ち消すことが
できず、励起活性種がディスクＤ上に定着しにくくなる
ため保護膜の緻密化が不十分となりやすく、上記範囲上
限値を越えると、ディスクＤ表面において逆スパッタ現
象が起きやすくなり保護膜の緻密化が不十分となりやす
い。
１ｋＨｚ〜１００ＧＨｚ（好ましくは１０ｋＨｚ〜１Ｇ
Ｈｚ）とするのが好ましい。上記周波数が上記範囲下限
値未満であると、バイアス電圧が正の領域に至った時点
でディスクＤ表面の負電荷蓄積を十分に打ち消すことが
できず、励起活性種がディスクＤ上に定着しにくくなる
ため保護膜の緻密化が不十分となりやすく、上記範囲上
限値を越えると、ディスクＤ表面において逆スパッタ現
象が起きやすくなり保護膜の緻密化が不十分となりやす
い。
【００２１】また、上記パルス直流バイアスのパルス幅
は１ｎｓ〜５００μｓ（好ましくは１０ｎｓ〜５０μ
ｓ）とするのが好ましい。上記パルス幅が上記範囲下限
値未満であると、バイアス電圧が正の領域に至った時点
でディスクＤ表面の負電荷蓄積を十分に打ち消すことが
できず、励起活性種がディスクＤ上に定着しにくくなる
ため保護膜の緻密化が不十分となりやすく、上記範囲上
限値を越えると、ディスクＤ表面において逆スパッタ現
象が起きやすくなり保護膜の緻密化が不十分となりやす
い。
は１ｎｓ〜５００μｓ（好ましくは１０ｎｓ〜５０μ
ｓ）とするのが好ましい。上記パルス幅が上記範囲下限
値未満であると、バイアス電圧が正の領域に至った時点
でディスクＤ表面の負電荷蓄積を十分に打ち消すことが
できず、励起活性種がディスクＤ上に定着しにくくなる
ため保護膜の緻密化が不十分となりやすく、上記範囲上
限値を越えると、ディスクＤ表面において逆スパッタ現
象が起きやすくなり保護膜の緻密化が不十分となりやす
い。
【００２２】なお、本明細書において、パルス直流バイ
アスの正電圧波高値とは、例えば、図２中に実線で示す
パルス直流バイアスの電圧波形において、パルス部分の
正領域部分の波高値Ａを指す。またこの例においてパル
ス幅は、パルス部分の幅Ｂである。
アスの正電圧波高値とは、例えば、図２中に実線で示す
パルス直流バイアスの電圧波形において、パルス部分の
正領域部分の波高値Ａを指す。またこの例においてパル
ス幅は、パルス部分の幅Ｂである。
【００２３】また保護膜形成時には、バイアス電源１３
として高周波電源を用い、ディスクＤに、パルス直流バ
イアスに代えて高周波バイアスを印加することもでき
る。この場合には、１０〜３００Ｗ（好ましくは１０〜
１５０Ｗ）の高周波電力をディスクＤに印加するのが好
ましい。なお、バイアスをディスクＤに印加する際に
は、ディスクＤに直接印加してもよいし、図示せぬディ
スクキャリアを介してバイアス印加を行ってもよい。
として高周波電源を用い、ディスクＤに、パルス直流バ
イアスに代えて高周波バイアスを印加することもでき
る。この場合には、１０〜３００Ｗ（好ましくは１０〜
１５０Ｗ）の高周波電力をディスクＤに印加するのが好
ましい。なお、バイアスをディスクＤに印加する際に
は、ディスクＤに直接印加してもよいし、図示せぬディ
スクキャリアを介してバイアス印加を行ってもよい。
【００２４】上記実施形態の製造方法によって形成され
る水素化カーボン保護膜は、密度が２．２ｇ／ｃｍ3以
上、例えば２．２〜２．８５、好ましくは２．２〜２．
６ｇ／ｃｍ3、さらに好ましくは２．２〜２．５８ｇ／
ｃｍ3であるものとなる。これによって、水素化カーボ
ン保護膜は機械的な強度が高まり、その摺動耐久性が向
上する。水素化カーボン保護膜の密度を上記範囲とする
のは、この密度が上記範囲下限値未満であると、形成さ
れる水素化カーボン保護膜の耐久性が低下し、得られる
磁気記録媒体の耐久性が不十分となるためである。
る水素化カーボン保護膜は、密度が２．２ｇ／ｃｍ3以
上、例えば２．２〜２．８５、好ましくは２．２〜２．
６ｇ／ｃｍ3、さらに好ましくは２．２〜２．５８ｇ／
ｃｍ3であるものとなる。これによって、水素化カーボ
ン保護膜は機械的な強度が高まり、その摺動耐久性が向
上する。水素化カーボン保護膜の密度を上記範囲とする
のは、この密度が上記範囲下限値未満であると、形成さ
れる水素化カーボン保護膜の耐久性が低下し、得られる
磁気記録媒体の耐久性が不十分となるためである。
【００２５】上記製造方法によって製造された磁気記録
媒体の例としては、例えば図３に示すものを挙げること
ができる。この例の磁気記録媒体は、非磁性基板Ｓ上
に、非磁性下地膜１、磁性膜２、水素化カーボン保護膜
３を形成したものである。この磁気記録媒体には潤滑膜
が設けられておらず、該磁気記録媒体は、密度が上記範
囲とされた上記水素化カーボン保護膜３が最表面側に位
置するものとなっている。
媒体の例としては、例えば図３に示すものを挙げること
ができる。この例の磁気記録媒体は、非磁性基板Ｓ上
に、非磁性下地膜１、磁性膜２、水素化カーボン保護膜
３を形成したものである。この磁気記録媒体には潤滑膜
が設けられておらず、該磁気記録媒体は、密度が上記範
囲とされた上記水素化カーボン保護膜３が最表面側に位
置するものとなっている。
【００２６】本実施形態の磁気記録媒体の製造方法で
は、プラズマＣＶＤ法を用いて水素化カーボン保護膜を
形成し、この水素化カーボン保護膜を、密度が２．２ｇ
／ｃｍ 3以上であるものとするので、保護膜を摺動耐久
性、潤滑性に優れたものとすることができる。このた
め、従来の磁気記録媒体に用いられる潤滑膜の不要化
や、保護膜の薄膜化を可能とし、スペーシングロスを低
減することが可能な磁気記録媒体を得ることができる。
従って、耐久性に優れ、かつ十分な高記録密度化が可能
となる磁気記録媒体を得ることができる。また、潤滑膜
を不要化することができるため、製造時において、潤滑
膜形成工程を省略することができる。このため、製造工
程を簡略化し、生産効率の向上、製造コスト低減を図る
ことができる。
は、プラズマＣＶＤ法を用いて水素化カーボン保護膜を
形成し、この水素化カーボン保護膜を、密度が２．２ｇ
／ｃｍ 3以上であるものとするので、保護膜を摺動耐久
性、潤滑性に優れたものとすることができる。このた
め、従来の磁気記録媒体に用いられる潤滑膜の不要化
や、保護膜の薄膜化を可能とし、スペーシングロスを低
減することが可能な磁気記録媒体を得ることができる。
従って、耐久性に優れ、かつ十分な高記録密度化が可能
となる磁気記録媒体を得ることができる。また、潤滑膜
を不要化することができるため、製造時において、潤滑
膜形成工程を省略することができる。このため、製造工
程を簡略化し、生産効率の向上、製造コスト低減を図る
ことができる。
【００２７】また、本発明の磁気記録媒体の製造方法で
は、反応ガスとして、有機フッ素化合物含むもの、例え
ば下記の有機フッ素化合物を主成分とするものを用いて
保護膜を形成することもできる。有機フッ素化合物とし
ては、低級飽和有機フッ素化合物、および低級不飽和有
機フッ素化合物のうちいずれかまたは両方を用いること
ができる。低級飽和有機フッ素化合物としては、テトラ
フルオロメタンガス（ＣＦ4）、パーフルオロプロパン
（Ｃ3Ｈ8）、３フッ化メタン（ＣＨＦ3）、ヘキサフル
オロエタン（Ｃ2Ｆ6）等を用いることができる。また低
級不飽和有機フッ素化合物としては、ヘキサフルオロプ
ロペン（Ｃ3Ｆ6）、ヘキサフルオロ−２−ブチン（Ｃ4
Ｆ6）等を用いることができる。有機フッ素化合物とし
て低級有機フッ素化合物を用いるのが好ましいとしたの
は、有機フッ素化合物の炭素数が上記範囲上限値（１
０）を越えると、ガスとして供給するのが困難となるこ
とに加え、放電時の有機フッ素化合物の分解が進行しに
くくなり、フッ素化カーボン保護膜が、強度に劣る高分
子成分を多く含むものとなるためである。
は、反応ガスとして、有機フッ素化合物含むもの、例え
ば下記の有機フッ素化合物を主成分とするものを用いて
保護膜を形成することもできる。有機フッ素化合物とし
ては、低級飽和有機フッ素化合物、および低級不飽和有
機フッ素化合物のうちいずれかまたは両方を用いること
ができる。低級飽和有機フッ素化合物としては、テトラ
フルオロメタンガス（ＣＦ4）、パーフルオロプロパン
（Ｃ3Ｈ8）、３フッ化メタン（ＣＨＦ3）、ヘキサフル
オロエタン（Ｃ2Ｆ6）等を用いることができる。また低
級不飽和有機フッ素化合物としては、ヘキサフルオロプ
ロペン（Ｃ3Ｆ6）、ヘキサフルオロ−２−ブチン（Ｃ4
Ｆ6）等を用いることができる。有機フッ素化合物とし
て低級有機フッ素化合物を用いるのが好ましいとしたの
は、有機フッ素化合物の炭素数が上記範囲上限値（１
０）を越えると、ガスとして供給するのが困難となるこ
とに加え、放電時の有機フッ素化合物の分解が進行しに
くくなり、フッ素化カーボン保護膜が、強度に劣る高分
子成分を多く含むものとなるためである。
【００２８】反応ガスとして有機フッ素化合物を用いる
ことによって形成される保護膜は、フッ素を含むフッ素
化カーボン保護膜となる。フッ素化カーボン保護膜の厚
さは、３０〜１００Å、好ましくは３０〜７５Åとする
のが望ましい。
ことによって形成される保護膜は、フッ素を含むフッ素
化カーボン保護膜となる。フッ素化カーボン保護膜の厚
さは、３０〜１００Å、好ましくは３０〜７５Åとする
のが望ましい。
【００２９】また、フッ素化カーボン保護膜形成時に
は、バイアス電源１３を用いてパルス直流バイアスをデ
ィスクＤに印加しつつ成膜を行うのが好ましい。ディス
クＤに印加するパルス直流バイアスは、平均電圧が−４
００〜−１００Ｖ、好ましくは−３５０〜−１００Ｖで
あるものとするのが好ましい。
は、バイアス電源１３を用いてパルス直流バイアスをデ
ィスクＤに印加しつつ成膜を行うのが好ましい。ディス
クＤに印加するパルス直流バイアスは、平均電圧が−４
００〜−１００Ｖ、好ましくは−３５０〜−１００Ｖで
あるものとするのが好ましい。
【００３０】この平均電圧が上記範囲下限値未満である
と、ディスクＤ表面へのプラズマ衝撃性が高くなりす
ぎ、励起活性種がディスクＤ上に定着しにくくなるため
保護膜の緻密化が不十分となりやすく、保護膜の摺動耐
久性が低下しやすい。また平均電圧が上記範囲上限値を
越えると、ディスクＤ表面へのプラズマ衝撃性が低くな
りすぎ、保護膜の緻密化が不十分となりやすく、保護膜
の摺動耐久性が低下しやすい。
と、ディスクＤ表面へのプラズマ衝撃性が高くなりす
ぎ、励起活性種がディスクＤ上に定着しにくくなるため
保護膜の緻密化が不十分となりやすく、保護膜の摺動耐
久性が低下しやすい。また平均電圧が上記範囲上限値を
越えると、ディスクＤ表面へのプラズマ衝撃性が低くな
りすぎ、保護膜の緻密化が不十分となりやすく、保護膜
の摺動耐久性が低下しやすい。
【００３１】また上記パルス直流バイアスは、正電圧波
高値が１０〜１００Ｖ、好ましくは２０〜７５Ｖである
ものとするのが好ましい。この正電圧波高値が上記範囲
下限値未満であると、バイアス電圧が正の領域に至った
時点でディスクＤ表面の負電荷蓄積を十分に打ち消すこ
とができず、励起活性種がディスクＤ上に定着しにくく
なるため保護膜の緻密化が不十分となりやすく、保護膜
の摺動耐久性が低下しやすい。また正電圧波高値が上記
範囲上限値を越えると、ディスクＤ表面において逆スパ
ッタ現象が起きやすくなり、保護膜の緻密化が不十分と
なりやすく、保護膜の摺動耐久性が低下しやすい。
高値が１０〜１００Ｖ、好ましくは２０〜７５Ｖである
ものとするのが好ましい。この正電圧波高値が上記範囲
下限値未満であると、バイアス電圧が正の領域に至った
時点でディスクＤ表面の負電荷蓄積を十分に打ち消すこ
とができず、励起活性種がディスクＤ上に定着しにくく
なるため保護膜の緻密化が不十分となりやすく、保護膜
の摺動耐久性が低下しやすい。また正電圧波高値が上記
範囲上限値を越えると、ディスクＤ表面において逆スパ
ッタ現象が起きやすくなり、保護膜の緻密化が不十分と
なりやすく、保護膜の摺動耐久性が低下しやすい。
【００３２】また、上記パルス直流バイアスの周波数、
パルス幅は、上述のとおりとすることができる。
パルス幅は、上述のとおりとすることができる。
【００３３】また保護膜形成時には、バイアス電源１３
として高周波電源を用い、パルス直流バイアスに代え
て、例えば１０〜３００Ｗの高周波バイアスをディスク
Ｄに印加することもできる。
として高周波電源を用い、パルス直流バイアスに代え
て、例えば１０〜３００Ｗの高周波バイアスをディスク
Ｄに印加することもできる。
【００３４】上記製造方法によって形成されるフッ素化
カーボン保護膜は、密度が２．０〜２．６ｇ／ｃｍ3、
好ましくは２．０〜２．３ｇ／ｃｍ3、さらに好ましく
は２．０〜２．２７ｇ／ｃｍ3であるものとなる。これ
によって、フッ素化カーボン保護膜は機械的な強度が高
まり、その摺動耐久性が向上する。フッ素化カーボン保
護膜の密度を上記範囲とするのは、この密度が上記範囲
下限値未満または上限値を越えた値であると、保護膜の
耐久性が低下し、得られる磁気記録媒体の耐久性が不十
分となるためである。また、フッ素化カーボン保護膜
は、密度が２．０ｇ／ｃｍ3を越え、２．６ｇ／ｃｍ3以
下（好ましくは２．０ｇ／ｃｍ3を越え、２．３ｇ／ｃ
ｍ3以下、さらに好ましくは２．０ｇ／ｃｍ3を越え、
２．２７ｇ／ｃｍ3以下）とするのがさらに望ましい。
カーボン保護膜は、密度が２．０〜２．６ｇ／ｃｍ3、
好ましくは２．０〜２．３ｇ／ｃｍ3、さらに好ましく
は２．０〜２．２７ｇ／ｃｍ3であるものとなる。これ
によって、フッ素化カーボン保護膜は機械的な強度が高
まり、その摺動耐久性が向上する。フッ素化カーボン保
護膜の密度を上記範囲とするのは、この密度が上記範囲
下限値未満または上限値を越えた値であると、保護膜の
耐久性が低下し、得られる磁気記録媒体の耐久性が不十
分となるためである。また、フッ素化カーボン保護膜
は、密度が２．０ｇ／ｃｍ3を越え、２．６ｇ／ｃｍ3以
下（好ましくは２．０ｇ／ｃｍ3を越え、２．３ｇ／ｃ
ｍ3以下、さらに好ましくは２．０ｇ／ｃｍ3を越え、
２．２７ｇ／ｃｍ3以下）とするのがさらに望ましい。
【００３５】上記有機フッ素化合物を用いる製造方法に
よって得られる磁気記録媒体の例としては、図３に示す
構造を有するもの、すなわち非磁性基板Ｓ上に非磁性下
地膜１、磁性膜２が設けられ、最表面側に、密度が上記
範囲とされたフッ素化カーボン保護膜３が設けられたも
のを挙げることができる。
よって得られる磁気記録媒体の例としては、図３に示す
構造を有するもの、すなわち非磁性基板Ｓ上に非磁性下
地膜１、磁性膜２が設けられ、最表面側に、密度が上記
範囲とされたフッ素化カーボン保護膜３が設けられたも
のを挙げることができる。
【００３６】本実施形態の磁気記録媒体の製造方法で
は、フッ素化カーボン保護膜を、密度が２．０〜２．６
ｇ／ｃｍ3であるものとするので、保護膜を摺動耐久
性、潤滑性に優れたものとし、潤滑膜の不要化、保護膜
の薄膜化を可能とし、スペーシングロスを低減すること
が可能な磁気記録媒体を得ることができる。従って、耐
久性に優れ、かつ十分な高記録密度化が可能となる磁気
記録媒体を得ることができる。また、生産効率の向上、
製造コスト低減を図ることができる。
は、フッ素化カーボン保護膜を、密度が２．０〜２．６
ｇ／ｃｍ3であるものとするので、保護膜を摺動耐久
性、潤滑性に優れたものとし、潤滑膜の不要化、保護膜
の薄膜化を可能とし、スペーシングロスを低減すること
が可能な磁気記録媒体を得ることができる。従って、耐
久性に優れ、かつ十分な高記録密度化が可能となる磁気
記録媒体を得ることができる。また、生産効率の向上、
製造コスト低減を図ることができる。
【００３７】
【実施例】（試験例１〜９）
【００３８】ＮｉＰメッキを施したアルミニウム合金基
板（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）に、メカニカルテ
クスチャ加工を施し表面平均粗さＲａを１０Åとした
後、この基板両面に、ＤＣマグネトロンスパッタ装置
（アネルバ社製３０１０）を用いて、Ｃｒ合金からなる
非磁性下地膜、およびＣｏ合金からなる磁性膜を順次形
成し、ディスクＤを得た。
板（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）に、メカニカルテ
クスチャ加工を施し表面平均粗さＲａを１０Åとした
後、この基板両面に、ＤＣマグネトロンスパッタ装置
（アネルバ社製３０１０）を用いて、Ｃｒ合金からなる
非磁性下地膜、およびＣｏ合金からなる磁性膜を順次形
成し、ディスクＤを得た。
【００３９】次いで、ディスクＤ上に、図１に示すプラ
ズマＣＶＤ装置を用いてカーボン保護膜を形成した。こ
こで用いるプラズマＣＶＤ装置は、バイアス電源１３が
パルス直流電源であるものとした。ディスクＤをプラズ
マＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供
給源１４から供給された反応ガスをチャンバ１０内に供
給した。反応ガスとしては、表１に示すように、炭化水
素と水素の混合ガスを用いた。
ズマＣＶＤ装置を用いてカーボン保護膜を形成した。こ
こで用いるプラズマＣＶＤ装置は、バイアス電源１３が
パルス直流電源であるものとした。ディスクＤをプラズ
マＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供
給源１４から供給された反応ガスをチャンバ１０内に供
給した。反応ガスとしては、表１に示すように、炭化水
素と水素の混合ガスを用いた。
【００４０】同時に、８００Ｗの高周波電力（周波数１
３．５６ＭＨｚ）を電極１１に供給しプラズマを発生さ
せ、ディスクＤ両面に、厚さ５０Åの水素化カーボン保
護膜を形成し、図３に示す構成、すなわち基板Ｓ上に非
磁性下地膜１、磁性膜２を設け、最表面側に水素化カー
ボン保護膜３を形成した磁気記録媒体を得た。保護膜形
成の際には、バイアス電源１３を用いてパルス直流バイ
アスをディスクＤに印加した。反応ガスの種類、流量、
バイアス電源１３によりディスクＤに加えるパルス直流
バイアスの平均電圧および正電圧波高値を表１に示す。
また、パルス直流バイアスの周波数、パルス幅はそれぞ
れ２００ｋＨｚ、５００ｎｓとした。また、保護膜形成
時のディスクＤの温度は１７０℃とし、成膜レートは３
７０Å／ｍｉｎに設定した。また電極１１、１１とディ
スクＤの間の距離は３０ｍｍとした。チャンバ１０内の
反応ガス圧力は４Ｐａに設定した。
３．５６ＭＨｚ）を電極１１に供給しプラズマを発生さ
せ、ディスクＤ両面に、厚さ５０Åの水素化カーボン保
護膜を形成し、図３に示す構成、すなわち基板Ｓ上に非
磁性下地膜１、磁性膜２を設け、最表面側に水素化カー
ボン保護膜３を形成した磁気記録媒体を得た。保護膜形
成の際には、バイアス電源１３を用いてパルス直流バイ
アスをディスクＤに印加した。反応ガスの種類、流量、
バイアス電源１３によりディスクＤに加えるパルス直流
バイアスの平均電圧および正電圧波高値を表１に示す。
また、パルス直流バイアスの周波数、パルス幅はそれぞ
れ２００ｋＨｚ、５００ｎｓとした。また、保護膜形成
時のディスクＤの温度は１７０℃とし、成膜レートは３
７０Å／ｍｉｎに設定した。また電極１１、１１とディ
スクＤの間の距離は３０ｍｍとした。チャンバ１０内の
反応ガス圧力は４Ｐａに設定した。
【００４１】上記試験例１〜９の磁気記録媒体のカーボ
ン保護膜の密度測定結果を表１に示す。密度の測定は、
ラザフォード後方散乱分析法による原子数密度の測定結
果と断面ＴＥＭによる膜厚の測定結果から算出した。ま
た、上記磁気記録媒体のカーボン保護膜の硬度測定結果
を表１に併せて示す。硬度の測定は、力／変位トランス
デューサ（ＨＹＳＩＴＲＯＮ製）を用いて行った。
ン保護膜の密度測定結果を表１に示す。密度の測定は、
ラザフォード後方散乱分析法による原子数密度の測定結
果と断面ＴＥＭによる膜厚の測定結果から算出した。ま
た、上記磁気記録媒体のカーボン保護膜の硬度測定結果
を表１に併せて示す。硬度の測定は、力／変位トランス
デューサ（ＨＹＳＩＴＲＯＮ製）を用いて行った。
【００４２】上記試験例１〜９の磁気記録媒体を、次に
示すＣＳＳ試験に供した。ＣＳＳ試験は、ＭＲヘッドを
用い、４０℃、湿度８０％の環境下で、回転数７２００
ｒｐｍの条件で上記磁気記録媒体に対し２００００回の
ＣＳＳ操作を行い、磁気記録媒体を１時間静置した後、
ＣＳＳテスタを用いてダイナミックスティクション値を
測定するものとした。上記ＣＳＳ操作は、５秒立ち上
げ、１秒高速（上記回転速度での摺動操作）、５秒立ち
下げ、１秒パーキングという一連の操作を１サイクルと
した。試験結果を表１に併せて示す。なお、表中、Ｃｒ
ａｓｈとは上記２００００回のＣＳＳ操作を行う過程で
ヘッドクラッシュが発生したことを意味するものであ
る。
示すＣＳＳ試験に供した。ＣＳＳ試験は、ＭＲヘッドを
用い、４０℃、湿度８０％の環境下で、回転数７２００
ｒｐｍの条件で上記磁気記録媒体に対し２００００回の
ＣＳＳ操作を行い、磁気記録媒体を１時間静置した後、
ＣＳＳテスタを用いてダイナミックスティクション値を
測定するものとした。上記ＣＳＳ操作は、５秒立ち上
げ、１秒高速（上記回転速度での摺動操作）、５秒立ち
下げ、１秒パーキングという一連の操作を１サイクルと
した。試験結果を表１に併せて示す。なお、表中、Ｃｒ
ａｓｈとは上記２００００回のＣＳＳ操作を行う過程で
ヘッドクラッシュが発生したことを意味するものであ
る。
【００４３】（試験例１０〜１４）反応ガスとして、表
１に示す有機フッ素化合物を用いること以外は、上記試
験例と同様にして図３に示すものと同様の構造の磁気記
録媒体を作製し、得られた磁気記録媒体を上記ＣＳＳ試
験に供した。試験結果を表１に併せて示す。保護膜形成
時のディスクＤの温度は１７０℃とした。成膜レートは
２５０Å／ｍｉｎに設定した。
１に示す有機フッ素化合物を用いること以外は、上記試
験例と同様にして図３に示すものと同様の構造の磁気記
録媒体を作製し、得られた磁気記録媒体を上記ＣＳＳ試
験に供した。試験結果を表１に併せて示す。保護膜形成
時のディスクＤの温度は１７０℃とした。成膜レートは
２５０Å／ｍｉｎに設定した。
【００４４】（試験例１５〜１７）保護膜をスパッタリ
ングによって形成すること以外は上記試験例と同様にし
て磁気記録媒体を作製し、得られた磁気記録媒体を上記
ＣＳＳ試験に供した。試験結果を表１に併せて示す。試
験例１５では保護膜をカーボンのみからなるものとし
た。また試験例１６ではスパッタガスに窒素を含有させ
ることにより保護膜を５ａｔ％の窒素を含むものとし
た。また試験例１７では、スパッタガスに水素を含有さ
せることにより保護膜を１０ａｔ％の水素を含むものと
した。
ングによって形成すること以外は上記試験例と同様にし
て磁気記録媒体を作製し、得られた磁気記録媒体を上記
ＣＳＳ試験に供した。試験結果を表１に併せて示す。試
験例１５では保護膜をカーボンのみからなるものとし
た。また試験例１６ではスパッタガスに窒素を含有させ
ることにより保護膜を５ａｔ％の窒素を含むものとし
た。また試験例１７では、スパッタガスに水素を含有さ
せることにより保護膜を１０ａｔ％の水素を含むものと
した。
【００４５】
【表１】
【００４６】表１に示すＣＳＳ試験の結果より、反応ガ
スとして炭化水素と水素の混合ガスを用いて水素化カー
ボン保護膜を形成し、保護膜の密度を２．２ｇ／ｃｍ3
以上とした磁気記録媒体は、潤滑膜を設けていないにも
かかわらず、良好な摺動耐久性を示したことがわかっ
た。特に、保護膜の密度を２．２〜２．６ｇ／ｃｍ3と
した磁気記録媒体は、スティクション値が低く、良好な
摺動耐久性を示した。これに対し、保護膜密度を２．２
ｇ／ｃｍ3未満とした場合には、摺動耐久性が低下し
た。
スとして炭化水素と水素の混合ガスを用いて水素化カー
ボン保護膜を形成し、保護膜の密度を２．２ｇ／ｃｍ3
以上とした磁気記録媒体は、潤滑膜を設けていないにも
かかわらず、良好な摺動耐久性を示したことがわかっ
た。特に、保護膜の密度を２．２〜２．６ｇ／ｃｍ3と
した磁気記録媒体は、スティクション値が低く、良好な
摺動耐久性を示した。これに対し、保護膜密度を２．２
ｇ／ｃｍ3未満とした場合には、摺動耐久性が低下し
た。
【００４７】また、反応ガスとして有機フッ素化合物を
用いてフッ素化カーボン保護膜を形成し、保護膜の密度
を２．０〜２．６ｇ／ｃｍ3以上とした磁気記録媒体
も、潤滑膜を設けていないにも関わらず、良好な摺動耐
久性を示したことがわかった。特に、保護膜の密度を
２．０〜２．３ｇ／ｃｍ3とした磁気記録媒体は、ステ
ィクション値が低く、良好な摺動耐久性を示した。これ
に対し、保護膜の密度が２．０ｇ／ｃｍ3未満、または
２．６ｇ／ｃｍ3を越える場合には、摺動耐久性が低下
した。保護膜の密度が２．６ｇ／ｃｍ3を越える場合に
摺動耐久性が低下するのは、保護膜のフッ素含有量が高
くなりすぎ、保護膜の硬度が低下するためであると考え
られる。
用いてフッ素化カーボン保護膜を形成し、保護膜の密度
を２．０〜２．６ｇ／ｃｍ3以上とした磁気記録媒体
も、潤滑膜を設けていないにも関わらず、良好な摺動耐
久性を示したことがわかった。特に、保護膜の密度を
２．０〜２．３ｇ／ｃｍ3とした磁気記録媒体は、ステ
ィクション値が低く、良好な摺動耐久性を示した。これ
に対し、保護膜の密度が２．０ｇ／ｃｍ3未満、または
２．６ｇ／ｃｍ3を越える場合には、摺動耐久性が低下
した。保護膜の密度が２．６ｇ／ｃｍ3を越える場合に
摺動耐久性が低下するのは、保護膜のフッ素含有量が高
くなりすぎ、保護膜の硬度が低下するためであると考え
られる。
【００４８】また、フッ素化カーボン保護膜を設けた磁
気記録媒体と、水素化カーボン保護膜を設けた磁気記録
媒体を比較すると、保護膜の密度に対するスティクショ
ン値の比が、フッ素化カーボン保護膜を設けた磁気記録
媒体の方が低く、保護膜密度が互いに同一である場合に
は、フッ素化カーボン保護膜を設けた磁気記録媒体の方
が良好な摺動耐久性を示したことがわかる。
気記録媒体と、水素化カーボン保護膜を設けた磁気記録
媒体を比較すると、保護膜の密度に対するスティクショ
ン値の比が、フッ素化カーボン保護膜を設けた磁気記録
媒体の方が低く、保護膜密度が互いに同一である場合に
は、フッ素化カーボン保護膜を設けた磁気記録媒体の方
が良好な摺動耐久性を示したことがわかる。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
保護膜を摺動耐久性、潤滑性に優れたものとし、潤滑膜
の不要化、保護膜の薄膜化を可能とし、スペーシングロ
スを低減することが可能な磁気記録媒体を得ることがで
きる。従って、耐久性に優れ、かつ十分な高記録密度化
が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。また、
生産効率の向上、製造コスト低減を図ることができる。
保護膜を摺動耐久性、潤滑性に優れたものとし、潤滑膜
の不要化、保護膜の薄膜化を可能とし、スペーシングロ
スを低減することが可能な磁気記録媒体を得ることがで
きる。従って、耐久性に優れ、かつ十分な高記録密度化
が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。また、
生産効率の向上、製造コスト低減を図ることができる。
【図１】 本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形
態を実施するために用いられるプラズマＣＶＤ装置を示
す構成図である。
態を実施するために用いられるプラズマＣＶＤ装置を示
す構成図である。
【図２】 パルス直流バイアスの正電圧波高値を説明す
るための説明図である。
るための説明図である。
【図３】 本発明の磁気記録媒体の一例を示す断面図で
ある。
ある。
１・・・非磁性下地膜、２・・・磁性膜、３・・・水素化カーボ
ン保護膜、Ａ・・・正電圧波高値、Ｄ・・・ディスク、Ｓ・・・
非磁性基板
ン保護膜、Ａ・・・正電圧波高値、Ｄ・・・ディスク、Ｓ・・・
非磁性基板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年５月１８日（１９９９．５．１
８）
８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４５】
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島岡 英美 千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電 工株式会社ＨＤ研究開発センター内 (72)発明者 ▲高▼木 公惠 千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電 工株式会社ＨＤ研究開発センター内 Ｆターム(参考） 4K030 AA09 BA27 BB12 CA02 CA12 FA01 HA04 JA17 KA20 LA20 5D006 AA02 AA05 DA03 EA03 FA02 FA09 5D112 AA07 AA24 BC05 BC06 FA10 FB08 FB21
Claims (10)
- 【請求項１】 非磁性基板上に、非磁性下地膜、磁性膜
を形成したディスク上に、炭化水素を含む反応ガスを原
料としてプラズマＣＶＤ法により水素化カーボン保護膜
を形成し、該水素化カーボン保護膜を、密度が２．２ｇ
／ｃｍ3以上であるものとすることを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法
において、水素化カーボン保護膜の形成にあたり、ディ
スクにパルス直流バイアスを供給し、このパルス直流バ
イアスを、平均電圧が−７００〜−１５０Ｖであり、か
つ正電圧波高値が１０〜１００Ｖであるものとすること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の磁気記録媒体の
製造方法において、炭化水素として、低級飽和炭化水
素、低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のう
ち１種または２種以上を用いることを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 非磁性基板上に、非磁性下地膜、磁性膜
が設けられ、その上に、炭化水素を含む反応ガスを原料
としてプラズマＣＶＤ法により形成された水素化カーボ
ン保護膜が設けられ、該水素化カーボン保護膜は、密度
が２．２ｇ／ｃｍ3以上とされたものであることを特徴
とする磁気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項４記載の磁気記録媒体において、
水素化カーボン保護膜は、磁気記録媒体の最表面側に位
置していることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項６】 非磁性基板上に、非磁性下地膜、磁性膜
を形成したディスク上に、有機フッ素化合物を含む反応
ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法によりフッ素化カー
ボン保護膜を形成し、該フッ素化カーボン保護膜を、密
度が２．０〜２．６ｇ／ｃｍ3であるものとすることを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の磁気記録媒体の製造方法
において、フッ素化カーボン保護膜の形成にあたり、デ
ィスクにパルス直流バイアスを供給し、このパルス直流
バイアスを、平均電圧が−４００〜−１００Ｖであり、
かつ正電圧波高値が１０〜１００Ｖであるものとするこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 請求項６または７記載の磁気記録媒体の
製造方法において、有機フッ素化合物として、低級飽和
有機フッ素化合物、および低級不飽和有機フッ素化合物
のうちいずれかまたは両方を用いることを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 非磁性基板上に、非磁性下地膜、磁性膜
が設けられ、その上に、有機フッ素化合物を含む反応ガ
スを原料としてプラズマＣＶＤ法により形成されたフッ
素化カーボン保護膜が設けられ、該フッ素化カーボン保
護膜は、密度が２．０〜２．６ｇ／ｃｍ3とされたもの
であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 請求項９記載の磁気記録媒体におい
て、フッ素化カーボン保護膜は、磁気記録媒体の最表面
側に位置していることを特徴とする磁気記録媒体。
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|---|---|---|---|
| JP36570998A JP3396175B2 (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
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| US09/469,278 US6340505B1 (en) | 1998-12-22 | 1999-12-22 | Process for producing a magnetic recording medium |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP36570998A JP3396175B2 (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3396175B2 JP3396175B2 (ja) | 2003-04-14 |
Family
ID=18484921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36570998A Expired - Lifetime JP3396175B2 (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3396175B2 (ja) |
| SG (1) | SG82661A1 (ja) |
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| JP2010528400A (ja) * | 2007-05-22 | 2010-08-19 | ドルベック，マーク，エイ． | コンピュータの高性能ハードディスクドライブ |
| JP2019019368A (ja) * | 2017-07-14 | 2019-02-07 | アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 | プラズマｃｖｄ装置、磁気記録媒体の製造方法及び成膜方法 |
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| JPH05298689A (ja) * | 1992-04-16 | 1993-11-12 | Nec Corp | 磁気ディスク保護膜の形成方法 |
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-
1998
- 1998-12-22 JP JP36570998A patent/JP3396175B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-12-16 SG SG9906387A patent/SG82661A1/en unknown
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| Publication number | Publication date |
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| SG82661A1 (en) | 2001-08-21 |
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