JP2001209924A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 起動時動作性、耐久性に優れ、しかも表面潤
滑性が良好な磁気記録媒体を得る。 【解決手段】 非磁性基板１上に、少なくとも磁性層
２、保護膜層３、潤滑剤層４が順次積層さ、潤滑剤層４
が、重合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物
の重合物を含むものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
などの磁気記録装置に用いられる新規な磁気記録媒体お
よびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報処理装置の記憶装置として用いられ
る磁気記録装置であるハードディスク装置は、再生記録
用の磁気ヘッドと、磁性層を有する磁気記録媒体である
磁気ディスクを備えている。磁気ディスクにおいて磁性
層は、強磁性金属またはその合金をスパッタ、蒸着、無
電解メッキなどによって非磁性基板上に被着させて形成
される。ハードディスク装置には、通常、情報の記録、
再生方式としていわゆるＣＳＳ(Ｃｏｎｔａｃｔ Ｓｔａ
ｒｔ Ｓｔｏｐ)方式が採られている。ＣＳＳ方式を採用
したハードディスク装置では、起動時において磁気ヘッ
ドが磁気ディスクに接触した状態にあり、ディスクが回
転を開始すると磁気ヘッドがディスク上を摺動し、ディ
スクの回転速度が高まると磁気ヘッドがディスクから浮
上し、この状態で記録再生が行われる。停止時において
磁気ディスクの回転速度が低下する際には再び磁気ヘッ
ドがディスク上を摺動する。

【０００３】磁気ディスクでは、磁気ヘッドとの接触摺
動による摩耗損傷に起因して磁気ディスクの耐久性が劣
化するのを防ぐため、磁性層上に保護膜層や潤滑剤層を
設けて磁気ディスクの耐摩耗性を向上させ、磁気ヘッド
と磁気ディスクが接触摺動する際の静摩擦および動摩擦
を低減させることが行われている。保護膜層としては、
従来より、炭素質膜、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂などの酸化物
膜、窒化物膜、ホウ素化物膜などが一般的に使用されて
いる。また潤滑剤層は、一般に、液状のパーフロロポリ
エーテル化合物などの潤滑剤をディスク表面に塗布する
ことにより形成されている。

【０００４】磁気ディスクでは、一般に、潤滑剤層中の
フリーな易動性分子、および保護膜層表面への潤滑剤層
中の結合分子の量や性質が耐摩耗性に重要な影響を及ぼ
す。例えば潤滑剤層中に易動性分子が多すぎると、ディ
スクの静摩擦係数が増加し、磁気ヘッドとディスクとの
間に吸着現象(いわゆるスティクション)が起こりやすく
なり、少なすぎれば磁気ディスク表面の動摩擦係数が増
加し潤滑性が低くなり、ヘッドクラッシュが起こりやす
くなる。

【０００５】潤滑剤層については、記録密度の向上に伴
い、保護膜層との結合力を高めることが求められてい
る。これは以下の理由による。ハードディスク装置で
は、記録密度向上のため磁気ヘッドもＭＲ素子、ＧＭＲ
素子などの採用などにより小型化、軽量化されてきてお
り、磁気ヘッドへの負荷ともなる初期駆動力の低減のた
め、静摩擦係数を低くし起動時の動作性を向上させるこ
とが求められてきている。静摩擦係数を低減するには、
潤滑剤と保護膜層との結合力を高めることによって、潤
滑剤層中のフリーな易動性分子を少なくすることが有効
である。

【０００６】また記録密度の向上のため、記録再生時に
おいてディスクの回転速度を高速化することも行われて
いる。回転速度を高速化する場合には、遠心力により潤
滑剤が飛散する、いわゆるスピンオフ現象が生じ、これ
により潤滑剤層の膜厚が減少してしまう問題が生じるこ
とがある。スピンオフ現象を防ぎ耐久性を高めるために
も、保護膜層との結合力を高めることが望まれている。
なお潤滑剤と保護膜層との結合力を表す指標としては、
Ｂｏｎｄｅｄ ｒａｔｉｏがある。これは、潤滑剤層が
形成された磁気ディスクをフッ素系溶剤(例えば旭硝子
(株)製ＡＫ２２５など)で洗浄したときに残留した潤滑
剤の割合(％)を示した数値であり、潤滑剤層の保護膜層
に対する結合力の目安となる。

【０００７】このため、潤滑剤層の保護膜層に対する結
合力を高めることを目的として、潤滑剤層に各種の処理
を施すことが試みられている。例えば特開平１１−２５
４５２号公報では、塗布した潤滑剤に加熱処理を施し、
さらに紫外線照射処理を行う方法が開示されている。ま
た特開平８−１２４１４２号公報には、潤滑剤層形成
後、この潤滑剤層に波長１５０〜１８０ｎｍの紫外線照
射を行う方法が開示されている。また特開平７−８５４
６１号公報には、水素化カーボン保護膜上に潤滑剤を塗
布後、これに紫外線を照射する方法が開示されている。
また特開平５−２１７１６２号公報には、カーボン保護
膜上に潤滑剤を塗布した後、これを加熱処理する方法が
開示されている。

【０００８】しかしながら、これらの方法によって得ら
れた磁気記録媒体では、動摩擦係数を増加させることな
く、潤滑剤層の保護膜層に対する結合力を高めるのが難
しかった。このため、起動時動作性および耐久性の点で
優れ、しかも十分な表面潤滑性を示す磁気記録媒体が要
望されていた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
鑑みてなされたもので、起動時動作性、耐久性に優れ、
しかも表面潤滑性が良好な磁気記録媒体を得ることを目
的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め鋭意検討を重ねた結果、本発明者は、重合性不飽和基
を持ったパーフロロポリエーテル化合物を含む潤滑剤を
用い、この化合物の重合性不飽和基を活性エネルギー線
照射処理により重合させることによって、潤滑剤どうし
の結合力を高めるとともに、潤滑剤の保護膜層に対する
結合力を高め、静摩擦係数を低くし起動時動作性を向上
させ、かつ高い耐久性を得ることができるばかりでな
く、優れた表面潤滑性を得ることができることを見いだ
し、本発明を完成するに至った。本発明の磁気記録媒体
は、潤滑剤層が、重合性不飽和基含有パーフロロポリエ
ーテル化合物の重合物を含むことを特徴とする磁気記録
媒体である。上記重合性不飽和基含有パーフロロポリエ
ーテル化合物としては、下記一般式(1)、(2)、(3)また
は(4) F(CF₂CF₂CF₂O)_nCF₂CF₂CH₂O-A ・・・(1) F(CF(CF₃)CF₂O)_mCF(CF₃)CH₂O-A ・・・(2) A'-OCH₂CF₂O(CF₂O)_p(C₂F₄O)_qCF₂CH₂O-A ・・・(3) CF₃(OCF(CF₃)CF₂)_r(OCF₂)_sOCF₂CH₂O-A ・・・(4) (但し、上記式(1)ないし(4)においてｎ、ｍ、ｐ、ｑ、
ｒ、ｓは正の整数であり、Ａは重合性不飽和結合をもつ
有機基であり、Ａ'はＡと同様に重合性不飽和結合を持
つ有機基、または重合性不飽和基を持たない基であり、
この重合性不飽和基を持たない基はＣ、Ｈ、Ｏ、および
Ｎのうち少なくとも１つで構成されるものである。)で
表されるものを使用するのが好ましい。潤滑剤層は、重
合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物を含む
潤滑剤に活性エネルギー線を照射することにより前記重
合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物を重合
させることによって形成されたものとするのが好まし
い。活性エネルギー線を使用することによって、磁気記
録媒体の潤滑特性、耐久性をさらに高めることができ
る。これは、活性エネルギー線照射によってパーフロロ
ポリエーテル化合物の重合性基が化学的に活性化されて
重合する際に、その一部が保護膜層表面に強固に結合す
るためであると考えられる。また潤滑剤層は、重合性不
飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物を含む潤滑剤
を加熱処理することにより潤滑剤中の重合性不飽和基含
有パーフロロポリエーテル化合物を重合させることによ
って形成されたものであってもよい。加熱処理を採用す
ることによって、活性エネルギー線処理と同様に、磁気
記録媒体の潤滑特性、耐久性を高めることができる。本
発明の磁気記録媒体の製造方法は、潤滑剤層を形成する
にあたって、重合性不飽和基含有パーフロロポリエーテ
ル化合物を含む潤滑剤を塗布した後、この潤滑剤に活性
エネルギー線を照射することによって前記重合性不飽和
基含有パーフロロポリエーテル化合物を重合させること
を特徴とする製造方法である。また本発明の製造方法で
は、潤滑剤層を形成するにあたって、塗布された潤滑剤
を加熱処理することによって前記重合性不飽和基含有パ
ーフロロポリエーテル化合物を重合させる方法を採るこ
ともできる。また、重合性不飽和基含有パーフロロポリ
エーテル化合物としては、下記一般式(1)、(2)、(3)ま
たは(4) F(CF₂CF₂CF₂O)_nCF₂CF₂CH₂O-A ・・・(1) F(CF(CF₃)CF₂O)_mCF(CF₃)CH₂O-A ・・・(2) A'-OCH₂CF₂O(CF₂O)_p(C₂F₄O)_qCF₂CH₂O-A ・・・(3) CF₃(OCF(CF₃)CF₂)_r(OCF₂)_sOCF₂CH₂O-A ・・・(4) (但し、上記式(1)ないし(4)においてｎ、ｍ、ｐ、ｑ、
ｒ、ｓは正の整数であり、Ａは重合性不飽和結合をもつ
有機基であり、Ａ'はＡと同様に重合性不飽和結合を持
つ有機基、または重合性不飽和基を持たない基であり、
この重合性不飽和基を持たない基はＣ、Ｈ、Ｏ、および
Ｎのうち少なくとも１つで構成されるものである。)で
表されるものを使用できる。また保護膜層の材料として
は、他の層に対する結合力向上の点から、プラズマＣＶ
Ｄ法やスパッタ法などにより形成されたカーボン系材料
を用いるのが好ましい。スパッタ法により形成されたカ
ーボン保護膜層を用いる場合に比べ、プラズマＣＶＤ法
により形成されたカーボン保護膜層を用いる場合には、
特に大幅な上記結合力向上効果が得られる。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の磁気記録媒体の
一実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、
非磁性基板１上に、磁性層２、保護膜層３が順次積層さ
れ、最上層に潤滑剤層４が設けられて構成される。

【００１２】非磁性基板１の材料としては、アルミニウ
ム、アルミニウム合金などの金属材料、ガラス、セラミ
ック、チタン、カーボンなどの無機材料、ポリエチレン
テレフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボ
ネート、ポリスルホン、ポリエチレンナフタレート、ポ
リ塩化ビニル、環状炭化水素基含有ポリオレフィンなど
の高分子化合物などを用いることができる。またこれら
基板表面には、ＮｉＰ、および／または他の合金をメッ
キ、スパッタ法などにより蒸着させることもできる。

【００１３】磁性層２の材料としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ等の金属、あるいはＦｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｃｏ−
Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｂ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ
ｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉ等の合金、あるいはこ
れらの合金にＡｌ等の金属や、酸素、窒素、酸化物、窒
化物などを含有させたものなどが挙げられる。磁性層２
の膜厚は、残留磁化膜厚積Ｂｒ・ｄ（残留磁化Ｂｒと膜
厚ｄとの積（Ｇμｍ））が３０〜１５０Ｇμｍとなる範
囲で所定の記録再生信号が得られるように設定するのが
好ましい。

【００１４】保護膜層３としては、プラズマＣＶＤ法に
より形成されたＣＶＤカーボン、非晶質カーボン、含水
素カーボン、含窒素カーボン、含フッ素カーボンなどの
カーボン系材料、シリカ、ジルコニアなどのセラミック
系材料を用いることができる。なかでも、硬く緻密なＣ
ＶＤカーボンが、耐久性の面ばかりでなく経済性、生産
性などの面から好適に用いられる。保護膜層３の膜厚
は、薄いと耐久性が低下し、厚いと記録再生時の損失が
大きくなるため、２０〜１５０Å、好ましくは３０〜１
２０Åに設定される。

【００１５】最上層である潤滑剤層４は、重合性不飽和
基含有パーフロロポリエーテル化合物の重合物を含むも
のである。重合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル
化合物としては、主鎖であるパーフロロポリエーテルの
少なくとも一端に、重合性を有する不飽和結合を持つ有
機基が結合されてなる化合物を挙げることができる。

【００１６】このような重合性不飽和基含有パーフロロ
ポリエーテル化合物としては、下記一般式(1)、(2)、
(3)または(4)で表される化合物を挙げることができる。 F(CF₂CF₂CF₂O)_nCF₂CF₂CH₂O-A ・・・(1) F(CF(CF₃)CF₂O)_mCF(CF₃)CH₂O-A ・・・(2) A'-OCH₂CF₂O(CF₂O)_p(C₂F₄O)_qCF₂CH₂O-A ・・・(3) CF₃(OCF(CF₃)CF₂)_r(OCF₂)_sOCF₂CH₂O-A ・・・(4) (但し、上記式(1)ないし(4)においてｎ、ｍ、ｐ、ｑ、
ｒ、ｓは正の整数であり、Ａは重合性不飽和結合をもつ
有機基であり、Ａ'はＡと同様に重合性不飽和結合を持
つ有機基、または重合性不飽和基を持たない基であり、
この重合性不飽和基を持たない基はＣ、Ｈ、Ｏ、および
Ｎのうち少なくとも１つで構成されるものである。)

【００１７】式(3)における繰り返し単位(ＣＦ₂Ｏ)、
(Ｃ₂Ｆ₄Ｏ)、および式(4)における繰り返し単位(ＯＣＦ
(ＣＦ₃)ＣＦ₂)、(ＯＣＦ₂)は、ブロック型、ランダム型
のいずれでもよいが、通常はランダム型が用いられる。
式(1)〜(4)で表される化合物のパーフロロポリエーテル
鎖単位（Ａ、Ａ'を除く部分）の数平均分子量は、５０
０〜１００００の範囲、好ましくは２０００〜８０００
の範囲が望ましい。この数平均分子量は、５００未満で
あると化合物の揮発性が大きくなり蒸散しやすくなり、
１００００を越えるとスティクションが起こりやすくな
るため好ましくない。

【００１８】式(1)〜(4)に示す化合物において、重合性
不飽和基を持つ有機基Ａの具体的な例としては、(メタ)
アクリロイル基、３−((メタ)アクリロイルオキシル)−
２−ヒドロキシプロピル基、ビニル基、(メタ)アリル
基、プロペニル基、(メタ)アクリロイルオキシエチルカ
ルバモイル基、シンナモイル基、スチリル基、α−メチ
ルスチリル基、２−マレイイミドエチル基、マレイミド
プロピオニル基、マレイミドアセチル基、ビニルベンジ
ル基、ビニルベンゾイル基等が挙げられる。

【００１９】式(3)におけるＡ'は、Ａと同様に重合性不
飽和結合を持つ有機基(但し、ＡとＡ'とが互いに異なる
構造の基であってもよい)であってもよいし、重合性不
飽和基を持たない基であってもよい。ここで、この重合
性不飽和基を持たない基はＣ、Ｈ、Ｏ、およびＮのうち
少なくとも１つで構成されるものである。

【００２０】この重合性不飽和基を持たない基は、Ａの
重合性に影響を与えない構造であることが望ましい。そ
のような基の具体例としては、炭素数１〜１０の低級ア
ルキル基、炭素数２〜１１の低級アシル基、炭素数６〜
１８のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、２
−ヒドロキシエチル基、２，３−ジヒドロキシプロピル
基などのＯＨ基含有アルキル基、もしくはＮを含むピリ
ジル基、イミダゾリル基、オキサザリル基、インドリル
基、キノリル基、さらには、Ｏを含むフリル基、テトラ
ヒドロフリル基、グリシジル基などの複素環含有有機基
等が挙げられる。またＡ'は水素であってもよい。また
良好な潤滑特性を得るには、潤滑剤中の重合性不飽和基
含有パーフロロポリエーテルの含有量は３０重量％以上
とするのが好ましい。

【００２１】また本発明において潤滑剤層に用いられる
重合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物は、
２種以上の重合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル
化合物を混合した混合物であってもよい。

【００２２】また、潤滑剤には、重合性不飽和基含有パ
ーフロロポリエーテル化合物と、重合性不飽和基を持た
ないパーフロロポリエーテル化合物とを併用することも
可能である。重合性不飽和基を持たないパーフロロポリ
エーテル化合物の例としては、ダイキン社製デムナム
(Ｄｅｍｎｕｍ、下記一般式(5))、アウジモント社製フ
ォンブリン(Ｆｏｍｂｌｉｎ、一般式(6))、デュポン社
製クライトックス(一般式(7))等が挙げられる。

【００２３】以下にこれらの構造を示す。 F(CF₂CF₂CF₂O)_aCF₂CF₂-X ・・・(5) (但し、式中ａは正の整数を表し、Ｘは−ＣＨ₂ＯＨ、−
ＣＯＯＨ、または−ＣＯＯＲ(Ｒは炭素数１〜５のアル
キル基)を表す) X'-CF₂O(CF₂CF₂O)_b(CF₂O)_cCF₂-X' ・・・(6) (但し、式中ｂ、ｃは正の整数を表し、Ｘ'は−ＣＨ₂Ｏ
Ｈ、−ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ(ＯＨ)ＣＨ₂ＯＨ、−ＣＨ₂(Ｏ
ＣＨ₂ＣＨ₂)_e−ＯＨ（ｅは１〜５の整数）、−ＣＯＯ
Ｈ、−ＣＯＯＲ(Ｒは炭素数１〜５のアルキル基)、また
は

【化１】 を表す) F-(CF(CF₃)CF₂O)_dCF(CF₃)CH₂-X" ・・・(7) (但し、式中ｄは正の整数を表し、Ｘ”は−ＯＨまたは
−ＯＲ(Ｒは炭素数１〜５のアルキル基)を表す)

【００２４】ハードディスク装置においては、使用する
ヘッドの種類(特にヘッド荷重の大きさの違い)によっ
て、要求される潤滑剤層／保護膜層間の結合力が異な
る。これらの重合性不飽和基を持たないパーフロロポリ
エーテル化合物を併用することによって、潤滑剤層と保
護膜層との結合力を調整することが可能となる。良好な
潤滑性を得るためには、重合性不飽和基を持たないパー
フロロポリエーテル化合物の使用量に制限があり、この
使用量は併用混合物全体に対して７０重量％未満とする
のが望ましい。

【００２５】潤滑剤層４の厚さは、５〜５０Å、好まし
くは１０〜３０Åとするのが好ましい。この厚さが５Å
を下回ると、表面潤滑性が低下し、５０Åを越えると、
記録再生時において磁性層２とヘッドとの距離が大きく
なり間隔損失が増大するため好ましくない。

【００２６】次に、上記磁気記録媒体を製造する場合を
例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形
態について説明する。まず、非磁性基板１上に、スパッ
タ法などにより磁性層２を形成した後、プラズマＣＶＤ
法などにより保護膜層３を形成する。保護膜層３をプラ
ズマＣＶＤ法により形成する際には、プラズマＣＶＤ装
置のチャンバ内において、磁性層２表面を炭化水素を含
む反応ガスに曝す。この反応ガスとしては、炭化水素含
有ガスと不活性ガス（アルゴン等）を含む混合ガスを用
いるのが好ましい。炭化水素含有ガスとしては、炭化水
素と水素を体積比が２：１〜１：１００となるように混
合した混合ガスを用いるのが好ましい。この炭化水素と
しては、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、低級
環式炭化水素などを用いるのが好ましい。低級飽和炭化
水素としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、オ
クタン等を用いることができる。また低級不飽和炭化水
素としては、エチレン、プロピレン、ブチレン、ブタジ
エン、アセチレン等を用いることができる。また低級環
式炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、
スチレン、ナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサ
ジエン等を用いることができる。

【００２７】次いで、プラズマＣＶＤ装置のチャンバ内
において、好ましくは０．００１〜０．１ｔｏｒｒの圧
力条件下でプラズマを発生させ、上記炭化水素を原料と
するプラズマ化学気相成長により保護膜層３を形成す
る。プラズマＣＶＤ法により形成された保護膜層３は、
ダイヤモンドライクカーボンを多く含むため化学的に安
定であり、硬度が高く耐久性に優れたものとなる。

【００２８】プラズマＣＶＤ法により保護膜層３を形成
する際には、基板１上に磁性層２を形成したディスク
に、バイアス、例えば高周波バイアスまたはパルス直流
バイアスを印加するのが好ましい。高周波バイアスを用
いる場合には、１０〜３００Ｗ、好ましくは１０〜１５
０Ｗの高周波電力をディスクに印加するのが望ましい。
パルス直流バイアスを用いる場合には、−４００〜−１
０Ｖ、好ましくは−３００〜−５０Ｖの電圧（平均電
圧）をディスクに印加するのが望ましい。パルス直流バ
イアスのパルス幅は１０〜５００００ｎｓ、周波数は１
０ｋＨｚ〜１ＧＨｚとするのが好ましい。このように成
膜を行うことにより、保護膜層３は、ダイヤモンドライ
クカーボンをより多く含み、強度に優れたものとなる。

【００２９】次いで、重合性不飽和基含有パーフロロポ
リエーテル化合物を含む潤滑剤を保護膜層３上に塗布す
る。上記潤滑剤の塗布には、潤滑剤をフッ素系溶剤(パ
ーフロロヘキサン、ＡＫ２２５(旭硝子)など)に溶解し
ておき、この溶液をディップ法あるいはスピンコート法
などにより磁性層２上に塗布した後、溶剤を蒸散させる
方法を採用することができる。

【００３０】また潤滑剤には、必要に応じて、市販のア
ゾ系重合開始剤、パーエステル系重合開始剤、パーアル
コール系重合開始剤などの光重合開始剤やベンゾフェノ
ン等の光増感剤を添加することも可能である。特に、潤
滑剤中の重合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル化
合物を重合させるために潤滑剤に照射する活性エネルギ
ー線として可視光を用いる場合には、可視光波長領域で
効果のあるビスアシルホスフィンオキサイド系開始剤
(例えばチバ・スペシャリティー・ケミカルズ社製イル
ガキュア１７００、１４９、１８００、１８５０、８１
９)や、ジフェニルホスフィンオキサイド系開始剤(例え
ばバスフ社製ルシリンＴＰＯなど)やチオキサントン／
アミン系開始剤などの開始剤や、ローズベンガルなどの
色素系増感剤を添加して用いることも可能である。

【００３１】このように潤滑剤を塗布した後、塗布した
潤滑剤に活性エネルギー線照射処理を行う。活性エネル
ギー線としては、紫外線、可視光、電子線、ガンマ線な
どが挙げられるが、なかでも特に、取り扱いが容易であ
りかつ効率的な処理が可能となることから、紫外線が好
ましい。

【００３２】紫外線照射は、低圧水銀ランプ、高圧水銀
ランプ、メタルハライドランプなどを用いて行うことが
できる。照射強度が強すぎると保護膜層３に悪影響が及
び、弱すぎると上記重合性基の重合が不十分となるた
め、照射強度は０．１〜１００ｍＷ／ｃｍ²の範囲、好
ましくは０．５〜５０ｍＷ／ｃｍ²の範囲で設定するの
が好ましい。

【００３３】照射時間は、照射強度によって異なるため
一概に規定できないが、好ましくは１〜６０秒の範囲で
設定される。紫外線照射は、空気中で行うことも可能で
あるが、不活性ガス(窒素、アルゴンなど)中で行うのが
好ましい。空気中で照射を行う場合には、紫外線照射に
よって空気中の酸素からオゾンが発生し、保護膜層３や
潤滑剤層４の酸化分解が起こりやすくなることから、オ
ゾンの発生を抑制するために、３００ｎｍ以下の低波長
領域を遮光するフィルタを介して紫外線照射を行うのが
好ましい。

【００３４】上記活性エネルギー線照射処理を行うこと
によって、潤滑剤中の重合性基が反応し、保護膜層３上
にパーフロロポリエーテル化合物が重合した重合膜層で
ある潤滑剤層４が形成される。保護膜層３がカーボン系
材料からなるものである場合には、活性エネルギー線処
理により、保護膜層３表面のＣ−Ｃ、Ｃ＝Ｃなどの結合
の一部が切れてラジカル点が発生し、これが潤滑剤分子
（不飽和基含有パーフロロポリエーテル）の重合性基と
反応し、保護膜層３と潤滑剤層４との間に強固な共有結
合が生じる。また潤滑剤分子の重合性基どうしもラジカ
ル反応により重合し、保護膜層３と潤滑剤層４との間、
および潤滑剤層４内に、これらの結合からなる強固なネ
ットワークが形成され、その結果、これら保護膜層３と
潤滑剤層４との間の結合力が高められるとともに、潤滑
剤層４の強度が高められると推測される。このようにし
て形成された潤滑剤層４は、Ｂｏｎｄｅｄ ｒａｔｉｏ
が高く、安定性、耐久性に優れたものとなる。以上のよ
うにして、図１に示す磁気記録媒体が得られる。

【００３５】本実施形態の磁気記録媒体にあっては、潤
滑剤層４が、重合性不飽和基含有パーフロロポリエーテ
ル化合物の重合物を含むものであるので、潤滑剤層４表
面の静摩擦係数を十分に低くし、起動時の動作性を向上
させることができる。この磁気記録媒体では、保護膜層
３が、プラズマＣＶＤ法により形成されたＣＶＤカーボ
ンのように化学的に安定であり表面が不活性である材料
からなるものである場合でも、優れた起動時動作性を得
ることができる。この効果は、潤滑剤層４に上記化合物
の重合物を用いることによって、潤滑剤層の保護膜層３
に対する結合力が高まり、潤滑剤層４中の易動性分子が
少なくなることにより得られると考えられる。

【００３６】また、記録再生時の磁気記録媒体の回転速
度を高速化した場合でも、スピンオフ現象が起こるのを
防ぐことができ、耐久性を向上させることができる。ス
ピンオフ現象を防ぐことができるのは、重合性不飽和基
含有パーフロロポリエーテル化合物の重合物が、保護膜
層３表面に対し強固に結合することから、磁気記録媒体
を高速で回転させることにより潤滑剤層４に強い遠心力
が加わっても、この遠心力によって潤滑剤層４の一部が
他の部分から分離するのを防ぐことができるためである
と考えられる。

【００３７】一般に、耐久性に優れた潤滑剤層は、潤滑
剤層中に存在する易動性分子が少なく、潤滑剤層表面の
潤滑性が低くなる。しかしながら、本実施形態の磁気記
録媒体では、Ｂｏｎｄｅｄ ｒａｔｉｏが高いことから
潤滑剤層中に易動性分子がほとんど存在しないと考えら
れるにもかかわらず、良好な表面潤滑性を示す。この効
果が得られる理由は明確でないが、次のように推定する
ことができる。すなわち重合性不飽和基含有パーフロロ
ポリエーテル化合物の重合物を含む潤滑剤から形成され
た潤滑剤層４では、保護膜層３に接する部分付近の潤滑
剤分子の自由度は非常に低いものの、最表面部分に限っ
ては潤滑剤分子が比較的高い自由度をもつことから、優
れた表面潤滑性が得られると推定される。

【００３８】また、潤滑剤層４を、重合性不飽和基含有
パーフロロポリエーテル化合物を含む潤滑剤に紫外線な
どの活性エネルギー線を照射して上記重合性基を重合さ
せることにより形成することによって、潤滑剤層４の保
護膜層３に対する結合力を高めるとともに潤滑剤層４自
体の強度を向上させ、起動時動作性、耐久性をさらに高
めることができる。これは、上述のように、活性エネル
ギー線照射によってパーフロロポリエーテル化合物の重
合性基が重合する際に、重合性基の一部が保護膜層３表
面に共有結合などにより強固に結合するとともに、潤滑
剤分子の重合性基どうしがラジカル反応により重合する
ためであると考えられる。

【００３９】また上記実施形態の方法では、潤滑剤層４
を形成するにあたって、保護膜層３上に塗布した潤滑剤
に活性エネルギー線を照射し、潤滑剤中の重合性不飽和
基含有パーフロロポリエーテル化合物を重合させる方法
を採用したが、潤滑剤層４を形成する方法はこれに限ら
ず、塗布済みの潤滑剤を、汎用のヒータなどを用いた輻
射加熱、誘導加熱などにより加熱し、これによって重合
性不飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物を重合さ
せる方法を採用することもできる。

【００４０】また上記重合性不飽和基含有パーフロロポ
リエーテル化合物には、必要に応じて、市販の熱重合開
始剤を添加することも可能である。熱重合開始剤の添加
により、Ｂｏｎｄｅｄ ｒａｔｉｏを高くすることがで
きる。熱重合開始剤としては、脂溶性のものが使用でき
る。具体的には、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイ
ル、ｔ−ブチルパーオキシピバレート等の過酸化物、さ
らには、アゾビスブチロニトリル、アゾビスシクロヘキ
サンカルボニル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジ
メチルアゾビスイソブチレート等のアゾ化合物が挙げら
れる。重合開始剤の添加量は、重合性不飽和基含有パー
フロロポリエーテルに対して、０．１〜２０モル％とす
るのが好ましい。

【００４１】加熱処理を行う際の加熱温度は、低すぎれ
ば重合性基の重合が不十分となり、高すぎれば保護膜層
の劣化を招くことから、８０〜２００℃、好ましくは１
００〜１７０℃とするのが望ましい。また加熱時間は、
加熱温度にもよるが、長すぎれば保護膜層が劣化しやす
くなるとともに生産性の点で不利となり、短すぎれば潤
滑剤の重合が不十分となるため、５〜３０分とするのが
好ましい。また潤滑剤の加熱処理は、空気中で行うこと
も可能であるが、潤滑剤の酸化を防ぐため、不活性ガス
（窒素、アルゴンなど）雰囲気下で行うのが好ましい。

【００４２】上記加熱処理によれば、潤滑剤中の重合性
基が反応し、保護膜層３上にパーフロロポリエーテル化
合物が重合した重合膜層である潤滑剤層４が形成され
る。このようにして形成された潤滑剤層４は、活性エネ
ルギー線処理によって形成されたものと同様に、Ｂｏｎ
ｄｅｄ ｒａｔｉｏが高く、安定性、耐久性に優れたも
のとなるだけでなく、良好な表面潤滑性を示す。これは
以下の理由によるものであると考えられる。

【００４３】すなわち保護膜層３表面、特にスパッタ法
やプラズマＣＶＤ法により形成された保護膜層３の表面
には、ダングリングボンドと呼ばれる活性点が存在す
る。このダングリングボンドは、特に空気中において、
時間とともに活性を失っていくが、上記加熱処理を行う
ことにより、再び活性化されて潤滑剤中の重合性基と反
応し潤滑剤層４と保護膜層３の間に強固な結合を形成す
る。また加熱処理の際には、潤滑剤中の重合性基も反応
性が増加し、潤滑剤分子（不飽和基含有パーフロロポリ
エーテル）どうしの結合形成も促進され、これらの結合
からなる強固なネットワークが形成され、保護膜層３と
潤滑剤層４との間の結合力が高められるとともに、潤滑
剤層４の強度が高められると推測される。

【００４４】このようにして、潤滑剤層４が保護膜層３
表面に強固に結合するとともに、潤滑剤分子の重合性基
どうしの結合形成も促進され、その結果、活性エネルギ
ー線処理によって形成されたものと同様に、起動時動作
性に優れ、耐久性に富む磁気記録媒体が得られる。

【００４５】またこの磁気記録媒体では、潤滑剤に活性
エネルギー線照射を行った場合と同様に、保護膜層３に
接する部分付近の潤滑剤分子の自由度は非常に低いもの
の、最表面部分の潤滑剤分子が比較的高い自由度をもつ
ことから、優れた表面潤滑性が得られる。

【００４６】なお、潤滑剤層４をなす潤滑剤として、重
合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物と、重
合性基を持たない化合物とを併用する場合には、これら
化合物を混合し保護膜層３上に塗布した後、活性エネル
ギー線照射または加熱処理を行ってもよいし、重合性不
飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物からなる潤滑
剤を保護膜層３上に塗布し、これに活性エネルギー線照
射または加熱処理を行った後、その上に、重合性基を持
たない化合物からなる潤滑剤を塗布することもできる。

【００４７】また、本発明では、基板と磁性層との間に
下地層を設けることができる。この下地層の材料として
は、従来公知の非磁性下地層用材料、例えばＣｒ、Ｔ
ｉ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗなど（単一組成）や、これら
のうち１種または２種以上を主成分とした合金を使用す
ることができる。図２は、基板１と磁性層２との間に下
地層５を形成した例を示すものである。また本発明で
は、磁性層と下地層との間に中間層を設けることもでき
る。この中間層の材料としては、ＣｏＣｒ合金等が使用
できる。図３は、下地層５と磁性層２との間に中間層６
を形成した例を示すものである。

【００４８】

【実施例】以下、実施例および比較例を示して本発明を
さらに詳しく説明する。なお本発明の技術範囲はこれら
の実施例によって限定されるものでない。 (実施例１〜８および比較例１〜３)重合性不飽和基含有
パーフロロポリエーテル化合物として、以下の化合物を
調製した。アウジモント社製Ｆｏｍｂｌｉｎ−ＺＤＯＬ
(数平均分子量約４０００)とアリルブロマイドから下記
式に示す化合物１を合成した。

【化２】

【００４９】アウジモント社製Ｆｏｍｂｌｉｎ−ＺＤＯ
Ｌ(数平均分子量約４０００)とアクリルクロライドから
下記式に示す化合物２を合成した。

【化３】

【００５０】アウジモント社製Ｆｏｍｂｌｉｎ−ＺＤＯ
Ｌ(数平均分子量約４０００)とメタクリルクロライドか
ら下記式に示す化合物３を合成した。

【化４】

【００５１】ダイキン社製Ｄｅｍｎｕｍ−ＳＡ(数平均
分子量約２６００)とメタクリロイルオキシエチルイソ
シアネートから下記式で示す化合物４を合成した。

【化５】

【００５２】アウジモント社製Ｇａｌｄｅｎ ＭＦ４０
２(数平均分子量７００)とアクリルクロライドから下記
式で示す化合物５を合成した。

【化６】

【００５３】デュポン社製ＫＲＹＴＯＸ(数平均分子量
４０００)と、ビニルベンジルクロライドから下記式で
示す化合物６を合成した。

【化７】

【００５４】また、重合性不飽和基を持たない比較化合
物として、アウジモント社Ｆｏｍｂｌｉｎ−ＺＤＯＬ
(数平均分子量４０００)(比較化合物１)、ダイキン社製
Ｄｅｍｎｕｍ−ＳＡ(数平均分子量２６００)(比較化合
物２)を用意した。

【００５５】ＮｉＰメッキ膜を有するアルミニウム合金
基板（直径９５ｍｍ）上に、スパッタ法によりＣｒから
なる下地層(厚さ６００Å)を形成し、さらにＣｏ／Ｃｒ
／Ｔａ合金からなる磁性層(厚さ４００Å)を形成した。
次いで、プラズマＣＶＤ装置を用いてＣＶＤカーボンか
らなる保護膜層（厚さ８０Å）を形成した。次いで、保
護膜層上に、上記化合物１〜６、比較化合物１、２のパ
ーフロロヘキサン(ＰＦ５０６０)溶液(濃度：０．０５
重量％)を、溶液ディップ法により溶剤揮散後の膜厚が
２０Åとなるように塗布し積層板を得た（実施例１〜
６、比較例１、２）。またカーボン保護膜層を、スパッ
タ装置を用いてスパッタリングにより厚さ１２０Åとな
るよう形成し、保護膜層上に、上記化合物３を膜厚が２
０Åとなるように塗布すること以外は上記実施例と同様
にして積層板を得た（実施例７）。さらに、保護膜層の
材料としてＳｉＯ₂を用い、保護膜層上に、上記化合物
２を膜厚が２０Åとなるように塗布すること以外は上記
実施例と同様にして積層板を得た（実施例８）。

【００５６】このようにして潤滑剤を塗布して得た積層
板の表面に、低圧水銀灯を備えた紫外線照射装置を用い
て、照射強度４０ｍＷ／ｃｍ²(２５４ｍμ)の条件で、
窒素雰囲気下において紫外線を１０秒あるいは３０秒間
照射し、磁気記録媒体である磁気ディスクを作製した。
また紫外線照射処理を行わないこと以外は実施例１と同
様に化合物１を用いて磁気ディスクを作製した（比較例
３）。得られた磁気ディスクの性能を、次の試験により
確認した。

【００５７】試験１：Ｂｏｎｄｅｄ ｒａｔｉｏの測定 潤滑剤層の保護膜層に対する結合力の目安として、Ｂｏ
ｎｄｅｄ ｒａｔｉｏを次のようにして測定した。上記
磁気ディスクを、フッ素系溶剤ＡＫ２２５(旭硝子製)に
１５分間浸積して表面を洗浄し、洗浄前後の潤滑剤層の
厚さを半径２０ｍｍの位置においてＦＴＩＲを用いて測
定し、洗浄前の潤滑剤層厚さに対する洗浄後の潤滑剤層
厚さをＢｏｎｄｅｄ ｒａｔｉｏ(％)とした。結果を表
１に示す。

【００５８】

【表１】

【００５９】表１より、実施例１〜８では、Ｂｏｎｄｅ
ｄ ｒａｔｉｏの値が４０％を越えており、保護膜層に
対する潤滑剤の結合力が十分に大きくなったことがわか
る。

【００６０】試験２：動摩擦係数の測定(ＣＳＳ耐久テ
スト) まず各実施例、比較例の磁気ディスク（紫外線照射処理
時間３０秒間のもの）のＣＳＳ(Ｃｏｎｔａｃｔ Ｓｔａ
ｒｔ Ｓｔｏｐ)耐久テストを温度２５℃、湿度６０％Ｒ
Ｈの条件で行った。このテストでは、ＣＳＳテスタを用
い、磁気ヘッドには標準のＭＲヘッド(ＤＬＣコーティ
ング、３０％スライダ、荷重２．５ｇ)を用いて１万回
のＣＳＳ操作(最高回転数１００００ｒｐｍでの回転(１
秒維持)と静止(１秒)とを５秒間隔で繰り返す)を行っ
た。１万回のＣＳＳ操作後の磁気ディスク表面の動摩擦
係数を表２に示す。

【００６１】試験３：静摩擦係数の測定(ＣＳＳ耐久テ
スト) 試験２と同様のＣＳＳ耐久テストを温度４０℃、湿度８
０％ＲＨの条件で行った。１万回のＣＳＳ操作後、磁気
ディスクとヘッドを２４時間静置した後、磁気ディスク
表面の静摩擦係数を測定した。結果を表２に併せて示
す。

【００６２】試験４：膜厚減少率の測定(スピンオフテ
スト) 各実施例、比較例の磁気ディスク（紫外線照射処理時間
３０秒間のもの）を８０℃の環境下、回転速度１０００
０ｒｐｍで７２時間にわたり回転させた。この操作の前
後において、半径２０ｍｍの位置における潤滑剤層の厚
さを測定し、試験前後の潤滑剤層の膜厚減少率をフーリ
エ変換赤外分光法で測定した。結果を表２に併せて示
す。

【００６３】

【表２】

【００６４】表２に示すように、実施例の磁気ディスク
は、比較例に比べ静摩擦係数が小さく、優れた起動時動
作性を示すことがわかる。また実施例の磁気ディスクの
膜厚減少率は、０〜３％と、１０％未満の低い値を示し
たことから、比較例に比べ高い耐スピンオフ性を示し、
耐久性に優れていることがわかる。さらには、実施例の
磁気ディスクは、表１に示すとおり、Ｂｏｎｄｅｄ ｒ
ａｔｉｏが高く潤滑剤層中の易動性分子が少ないと考え
られるにもかかわらず、動摩擦係数は十分に低い値を示
し、優れた表面潤滑性を示したことがわかる。

【００６５】(実施例９、１０および比較例４)潤滑剤層
をなす潤滑剤として、化合物２と、重合性不飽和基を持
たない比較化合物１とを４０：６０（重量比）の割合で
混合した組成物を用いること以外は、実施例１と同様に
して潤滑剤層を形成し、磁気ディスクを作製した。(実
施例９)また、化合物２と、比較化合物１との混合比を
変えて潤滑剤層を形成した磁気ディスクを作製した。
(実施例１０、比較例４)これら実施例９、１０、比較例
４において、紫外線照射処理は、窒素雰囲気下において
照射強度４０ｍＷ／ｃｍ²の条件で３０秒間行った。こ
れら磁気ディスクのＢｏｎｄｅｄ ｒａｔｉｏ測定結果
を表３に示す。

【００６６】

【表３】

【００６７】表３に示すように、重合性不飽和基を持た
ないパーフロロポリエーテルを含有量が７０重量％未満
の範囲となるように併用した場合には、Ｂｏｎｄｅｄ
ｒａｔｉｏの値を４０％以上とすることができたことが
わかる。次いで、磁気ヘッドとして、３．５ｇ荷重のＴ
ｒｉｐａｄヘッドを用いたこと以外は試験２、３と同様
にしてＣＳＳ耐久テストによる動摩擦係数および静摩擦
係数の測定を行った。またスピンオフテストを行い、膜
厚減少率を測定した。結果を表４に示す。

【００６８】

【表４】

【００６９】表４より、化合物２と比較化合物１との混
合比を２０／８０とした比較例４では、膜厚減少率が１
０％を越え、静摩擦係数も１を越えたのに対し、化合物
２と比較化合物１との混合比を４０／６０、および７０
／３０とした実施例では、静摩擦係数が小さく起動時動
作性に優れ、膜厚減少率も１０％未満と低く耐久性に優
れ、しかも動摩擦係数が小さく、良好な表面潤滑性を示
したことがわかる。

【００７０】(実施例１１〜１８および比較例５、６)重
合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物とし
て、以下の化合物を調製した。

【００７１】アウジモント社製Ｆｏｍｂｌｉｎ−ＺＤＯ
Ｌ(数平均分子量約４０００)とマレイミドプロピオン酸
から下記式に示す化合物７を合成した。

【化８】

【００７２】アウジモント社製Ｇａｌｄｅｎ ＭＦ４０
２(数平均分子量７００)とアリルクロライドからアリル
エーテル化合物を合成しさらにそれを異性化してプロペ
ニルエーテル化合物である下記式の化合物８を合成し
た。

【化９】

【００７３】ＮｉＰメッキ膜を有するアルミニウム合金
基板（直径９５ｍｍ）上に、スパッタ法によりＣｒから
なる下地層(厚さ６００Å)を形成し、さらにＣｏ／Ｃｒ
／Ｔａ合金からなる磁性層(厚さ４００Å)を形成した。
次いで、プラズマＣＶＤ装置を用いてＣＶＤカーボンか
らなる保護膜層（厚さ８０Å）を形成した。次いで、保
護膜層上に、潤滑剤溶液（溶剤：旭硝子社製フロン系溶
剤ＡＫ２２５、潤滑剤濃度０．０５重量％）を溶液ディ
ップ法により溶剤揮散後の膜厚が２０Åとなるように塗
布し、積層板を得た。

【００７４】使用した潤滑剤は以下の通りである。化合
物２（実施例１１）、化合物３（実施例１２）、化合物
７（実施例１３）、化合物４（実施例１４）、化合物８
（実施例１５）、化合物６（実施例１６）、比較化合物
１（比較例５）、比較化合物２（比較例６）。また、潤
滑剤として、化合物２と、アウジモント社製Ｆｏｍｂｌ
ｉｎ−ＺＤＯＬ(数平均分子量約４０００)とを３：１
（重量比）となるよう混合した混合物を用いること以外
は上記方法と同様にして積層板を得た（実施例１７）。
また保護膜層を、スパッタ装置を用いてスパッタリング
により厚さ１００Åとなるよう形成し、保護膜層上に、
上記化合物２を膜厚が２０Åとなるように塗布すること
以外は上記実施例と同様にして積層板を得た（実施例１
８）。また、各実施例および比較例で用いた潤滑剤に、
重合開始剤としてＡＩＢＮ(アゾビスイソブチロニトリ
ル)を、含有量が５モル％となるように添加して積層板
を作製した。

【００７５】上記各積層板それぞれ複数枚用意し、これ
らを表５、表６に示す温度で１０分間加熱処理し、得ら
れた磁気ディスクのＢｏｎｄｅｄ ｒａｔｉｏ（表中で
はＢＲと表記）を測定した。結果を表５および表６に示
す。

【００７６】

【表５】

【００７７】

【表６】

【００７８】表５および表６より、加熱処理を行わなか
った場合に比べ、加熱処理を行った場合には、Ｂｏｎｄ
ｅｄ ｒａｔｉｏを高めることができたことがわかる。

【００７９】各積層板を窒素雰囲気下で１０分間加熱処
理した磁気ディスクについて、動摩擦係数、静摩擦係
数、膜厚減少率を測定した。結果を表７に示す。

【００８０】

【表７】

【００８１】表７に示すように、実施例の磁気ディスク
は、比較例に比べ静摩擦係数が小さく、優れた起動時動
作性を示すことがわかる。また実施例の磁気ディスクの
膜厚減少率は、１０％未満の低い値を示したことから、
比較例に比べ高い耐スピンオフ性を示し、耐久性に優れ
ていることがわかる。また実施例の磁気ディスクは、Ｂ
ｏｎｄｅｄ ｒａｔｉｏが高く潤滑剤層中の易動性分子
が少ないと考えられるにもかかわらず、動摩擦係数は十
分に低い値を示し、かつクラッシュが起こらず、優れた
表面潤滑性を示したことがわかる。

【００８２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体では、潤滑剤層が、重合性不飽和基含有パーフロロ
ポリエーテル化合物の重合物を含むものであるので、潤
滑剤層表面の静摩擦係数を十分に低くし起動時の動作性
を向上させ、かつスピンオフ現象を防ぎ耐久性を高める
ことができるばかりでなく、良好な表面潤滑性を得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す
一部断面図である。

【図２】 本発明の磁気記録媒体の他の実施形態を示
す一部断面図である。

【図３】 本発明の磁気記録媒体のさらに他の実施形
態を示す一部断面図である。

【符号の説明】

１・・・非磁性基板、２・・・磁性層、３・・・保護膜層、４・・・
潤滑剤層、５・・・下地層、６・・・中間層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田越 宏孝 千葉県千葉市緑区大野台１−１−１ 昭和 電工株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4H104 BD06A CD04A EA21A JA20 LA20 PA16 5D006 AA01 AA06 5D112 AA07 AA11 BC02 GA19 GB01

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護
   膜層、潤滑剤層が順次積層された磁気記録媒体におい
   て、該潤滑剤層が、重合性不飽和基含有パーフロロポリ
   エーテル化合物の重合物を含むことを特徴とする磁気記
   録媒体。
2. 【請求項２】 重合性不飽和基含有パーフロロポリエー
   テル化合物が下記一般式(1)、(2)、(3)または(4) F(CF₂CF₂CF₂O)_nCF₂CF₂CH₂O-A ・・・(1) F(CF(CF₃)CF₂O)_mCF(CF₃)CH₂O-A ・・・(2) A'-OCH₂CF₂O(CF₂O)_p(C₂F₄O)_qCF₂CH₂O-A ・・・(3) CF₃(OCF(CF₃)CF₂)_r(OCF₂)_sOCF₂CH₂O-A ・・・(4) (但し、上記式(1)ないし(4)においてｎ、ｍ、ｐ、ｑ、
   ｒ、ｓは正の整数であり、Ａは重合性不飽和結合をもつ
   有機基であり、Ａ'はＡと同様に重合性不飽和結合を持
   つ有機基、または重合性不飽和基を持たない基であり、
   この重合性不飽和基を持たない基はＣ、Ｈ、Ｏ、および
   Ｎのうち少なくとも１つで構成されるものである。)で
   表されることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
   体。
3. 【請求項３】 潤滑剤層は、重合性不飽和基含有パーフ
   ロロポリエーテル化合物を含む潤滑剤に活性エネルギー
   線を照射することにより前記重合性不飽和基含有パーフ
   ロロポリエーテル化合物を重合させることによって形成
   されたものであることを特徴とする請求項１または２記
   載の磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 潤滑剤層は、重合性不飽和基含有パーフ
   ロロポリエーテル化合物を含む潤滑剤を加熱処理するこ
   とにより前記重合性不飽和基含有パーフロロポリエーテ
   ル化合物を重合させることによって形成されたものであ
   ることを特徴とする請求項１または２記載の磁気記録媒
   体。
5. 【請求項５】 非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護
   膜層、潤滑剤層を順次形成する磁気記録媒体の製造方法
   において、潤滑剤層を形成するにあたって、重合性不飽
   和基含有パーフロロポリエーテル化合物を含む潤滑剤を
   塗布した後、この潤滑剤に活性エネルギー線を照射する
   ことによって前記重合性不飽和基含有パーフロロポリエ
   ーテル化合物を重合させることを特徴とする磁気記録媒
   体の製造方法。
6. 【請求項６】 非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護
   膜層、潤滑剤層を順次形成する磁気記録媒体の製造方法
   において、潤滑剤層を形成するにあたって、重合性不飽
   和基含有パーフロロポリエーテル化合物を含む潤滑剤を
   塗布した後、この潤滑剤を加熱処理することによって前
   記重合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物を
   重合させることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
7. 【請求項７】 重合性不飽和基含有パーフロロポリエー
   テル化合物が下記一般式(1)、(2)、(3)または(4) F(CF₂CF₂CF₂O)_nCF₂CF₂CH₂O-A ・・・(1) F(CF(CF₃)CF₂O)_mCF(CF₃)CH₂O-A ・・・(2) A'-OCH₂CF₂O(CF₂O)_p(C₂F₄O)_qCF₂CH₂O-A ・・・(3) CF₃(OCF(CF₃)CF₂)_r(OCF₂)_sOCF₂CH₂O-A ・・・(4) (但し、上記式(1)ないし(4)においてｎ、ｍ、ｐ、ｑ、
   ｒ、ｓは正の整数であり、Ａは重合性不飽和結合をもつ
   有機基であり、Ａ'はＡと同様に重合性不飽和結合を持
   つ有機基、または重合性不飽和基を持たない基であり、
   この重合性不飽和基を持たない基はＣ、Ｈ、Ｏ、および
   Ｎのうち少なくとも１つで構成されるものである。)で
   表されることを特徴とする請求項５または６記載の磁気
   記録媒体の製造方法。