JP2019015815A - 電子写真装置 - Google Patents

Abstract

【課題】逆帯電メモリーを抑制した電子写真装置を提供する。【解決手段】電子写真感光体１００１を帯電する帯電手段１００２と、静電潜像を形成する潜像形成手段と、静電潜像をトナー像として反転現像する現像手段１００４と、トナー像を転写材に転写する転写手段１００５と、電子写真感光体１００１上の残留トナーを除去するクリーニング手段１００７と、クリーニング後に残留電荷を除去する前露光手段１０１０とを有する電子写真装置において、クリーニング手段１００７がクリーニングブレード１００８を有し、クリーニングブレード１００８は電子写真感光体と接触する部分に被覆層１００９を備え、被覆層１００９は非晶質炭素膜からなり、体積抵抗率が１．００×１０９Ω・ｃｍ以下であり、被覆層１００９は電子写真感光体１００１の帯電極性と同極性の電圧を印加され、又は電気的に接地されている。【選択図】図１

Description

本発明は電子写真装置に関する。

電子写真感光体（以下、感光体とも表記する。）を利用した電子写真装置としては、複写機、ファクシミリ装置、コンピュータの出力手段であるプリンターなどに広く利用されている。
このような電子写真装置は、その画質の良さや高速なプリントなどの特徴を有しているため注目を浴びている。
近年、電子写真装置の高速化およびフルカラー化が着実に進んでおり、これまで以上に安定して高画質を保つことが要求されている。

中でも画像メモリーの発生の有無は、出力画像の画質を直接左右するため重要である。
画像メモリーとは前回の電子写真プロセス工程で形成した画像の残像が次回の電子写真プロセス工程で現れてしまう現象である。このような画像メモリーの発生は写真のように中間調画像をコピーした場合、あるいはカラー画像をコピーした場合に特に電子写真画像の画質を大きく損なうものである。

特に反転現像を用いたシステムにおいては、転写帯電によって明部電位の極性が、帯電電位と逆転することで、再帯電時に、明部と暗部との電位差が生じ、逆帯電メモリーが生じることがある。
特許文献１においては帯電前に除電装置を設けることで逆帯電メモリーを抑制する技術が示されている。

特開２００２−１０８１５４号公報

しかしながら従来の方法では、除電装置を設ける必要があるため、除電装置の設置スペースの確保が問題となることがある。特に高速機などでは帯電部材が大型化するため、除電装置の設置スペースの確保は難しい場合もある。また高速機においては耐久性の高い電子写真感光体が使用されることがあるが、耐久性の高い電子写真感光体を使用すると、逆帯電メモリーが発生しやすいことがある。このような高速機においても、スペースをとらずかつ逆帯電メモリーを抑制するシステムが求められている。

本発明の一態様によれば、電子写真感光体を帯電する帯電手段と、前記電子写真感光体に静電潜像を形成する潜像形成手段と、前記静電潜像をトナー像として反転現像する現像手段と、前記トナー像を転写材に転写する転写手段と、前記電子写真感光体上の残留トナーを除去するクリーニング手段と、前記クリーニング手段によるクリーニング後に残留電荷を除去する前露光手段とを有する電子写真装置において、
前記クリーニング手段がクリーニングブレードを有し、
前記クリーニングブレードは前記電子写真感光体と接触する部分に被覆層を備え、
前記被覆層は非晶質炭素膜からなり、前記被覆層の体積抵抗率が１．００×１０^９Ω・ｃｍ以下であり、前記被覆層は前記電子写真感光体の帯電極性と同極性の電圧を印加され、又は電気的に接地されている電子写真装置が提供される。

本発明によれば、電子写真感光体周りのスペースを新たに使わずに逆帯電メモリーの抑制が可能となる。

本発明に係る電子写真装置の画像形成プロセスの一例を示す概略図。 本発明に係る電子写真装置に使用できる電子写真感光体の層構成の一例を示す図。 本発明に係る電子写真装置に使用可能なクリーニングブレードの被覆層および電子写真感光体を作製する形成装置の概略図。 逆帯電メモリー評価に用いたチャートの模式図。

（電子写真装置）
図１は、本発明に係る電子写真装置の構成の一例を示す概略図である。以下、図１を用いて電子写真装置による画像形成プロセス（電子写真プロセス）を説明する。電子写真装置は、帯電手段と、潜像形成手段と、現像手段と、転写手段と、クリーニング手段と、前露光手段とを有する。帯電手段は、電子写真感光体を帯電する。潜像形成手段は、電子写真感光体に静電潜像を形成する。現像手段は、静電潜像をトナー像として反転現像する。転写手段は、トナー像を転写材に転写する。クリーニング手段は、電子写真感光体上の残留トナーを除去する。前露光手段は、クリーニング手段によるクリーニング後に残留電荷を除去する。具体的には以下のとおりである。

回転駆動機構（不図示）により、円筒状の電子写真感光体１００１が矢印１０１１の方向に回転される。電子写真感光体１００１の表面（外周面）に対向する位置に配置された帯電器１００２を有する帯電装置により、回転する電子写真感光体１００１の表面が帯電される。その後、画像露光装置（不図示）により、電子写真感光体１００１の表面に画像露光光１００３が照射され、電子写真感光体１００１の表面に静電潜像が形成される。その後、現像装置１００４内のトナーにより、電子写真感光体１００１の表面に形成された静電潜像が現像され、電子写真感光体１００１の表面にトナー像が形成される。

このトナー像は感光体１００１と中間転写ベルト１００６とのニップ部を通過する過程で、一次転写バイアスが不図示のバイアス電源から一次転写ローラ１００５に印加されることにより、中間転写ベルト１００６の外周面に順次、中間転写される。一般的に転写電圧を大きくすると転写効率が上がるため、転写過程で感光体上に帯電極性とは逆極性の電荷が付与される場合がある。

トナー像が中間転写ベルト１００６に転写された後も感光体１００１の表面に残留しているトナー（転写残トナー）は、感光体１００１の表面に接触配置されたクリーニングブレード１００８を有するクリーニング装置１００７によって除去される。
クリーニングブレード１００８は感光体１００１と接触する部分に被覆層１００９を備える。被覆層１００９は非晶質炭素膜からなる。被覆層１００９は電圧が印加され、又は電気的に接地されている。その後、前露光装置１０１０により、電子写真感光体１００１の表面に前露光光を照射し、電子写真感光体１００１の表面を除電する。
以上のプロセスを繰り返すことで画像形成が連続的に行われる。

（クリーニングブレード）
本発明に係る電子写真装置に使用可能なクリーニングブレードの材質は、適度な弾性と硬度を有する材料であればいずれでもよい。一般的なものとして、例えば以下のものが挙げられる。ポリウレタン、スチレン−ブタジエン共重合体、クロロプレンゴム、ブタジエンゴム、エチレン−プロピレン−ジエン系ゴム、クロロスルホン化ポリエチレンゴム、フッ素ゴム、シリコーンゴム、アクリルゴム、二トリルゴム、クロロプレンゴム等のエラストマー等。電子写真感光体と接触する部分には被覆層として非晶質炭素膜を有する。

クリーニングブレードに被覆する非晶質炭素膜の体積抵抗率を１．００×１０^９Ω・ｃｍ以下にし、被覆層が電子写真感光体の帯電極性と同極性の電圧を印加され、又は電気的に接地されていることで本発明の効果が得られる。ここで、逆帯電メモリーの発生メカニズムは以下のように推察する。

電子写真プロセスにおいては、感光体に静電潜像が形成され、形成された潜像はトナーによってトナー像として現像される。形成されたトナー像は、一次転写ローラにより電圧が印加され、中間転写ベルトに転写される。
上記のような電子写真プロセスにおいて、反転現像方式の場合、一次転写ローラにより、帯電極性とは逆極性の電界が印加され、感光体上にも帯電極性とは逆極性の電荷が付与される場合がある。電子写真感光体に帯電極性とは逆極性の電荷が付与されると、マイナス帯電用感光体の場合、暗部においては帯電電荷と結合して、正電荷は概ね消去される。一方、明部においては帯電電荷が光照射ですでに消去されているために、正電荷が保持されてしまう場合がある。このとき、感光体表面に帯電した正電荷を消去するために基体側から負電荷が注入してきて再結合する必要があるが、これには時間がかかるため、一部の正電荷は残留することになる。

このため次の工程で帯電を行った時に、残留した正電荷分だけ明部の電位と暗部の電位差が生じ、逆帯電メモリーが生じてしまうと考えられる。
本発明において、例えば負帯電用電子写真感光体を用いて、クリーニングブレードの被覆層に電圧を印加、又は被覆層を電気的に接地した場合には、電子写真感光体の明部に生じた正電荷が被覆層を通して減少する方向に動く。このため、次の帯電工程時の明部、暗部の電位差が軽減され、逆極性メモリーが軽減されると考える。

また、被覆層に印加する電圧の値しだいでは、明部が負に帯電する場合もあるが、電子写真感光体上の負電荷は前露光によって除去することが可能であるため逆極性メモリーは軽減されると考える。
また、被覆する非晶質炭素の膜中の水素原子と炭素原子の原子比Ｈ／（Ｈ＋Ｃ）値は、クリーニングブレードが電子写真感光体と接触することにともなう変形に対する高い追従性が得られるという観点から０．３０以上０．４０以下であることが好ましい。ここで追従性とは変形による力で、被覆層にクラックなどの発生のしにくさを意味する。Ｈ／（Ｈ＋Ｃ）が０．３０以上０．４０以下においては被覆層のｓｐ^３性と結合力が向上する傾向にあるため、柔軟性と強度とのバランスがよくなり追従性がよくなると考えられる。
被覆層の形成方法として、後述のＲＦプラズマＣＶＤ方が好適に用いることができる。また被覆層の原料ガスとしては、メタン（ＣＨ_４）やアセチレン（Ｃ_２Ｈ_２）などの炭化水素ガスが好適に用いることができる。

（電子写真感光体）
電子写真感光体としてはアモルファスシリコン感光体や、有機感光体を用いることが可能であるが、アモルファスシリコン感光体の方が逆帯電メモリーが顕在化しやすいため本発明の効果が得られやすい。なお、アモルファスシリコンを、以下「ａ−Ｓｉ」とも表記する。ａ−Ｓｉ感光体は有機感光体に比べて単位面積当たりの静電容量が大きいため、感光体表面電位を大きくしづらいことがある。そのため十分な現像コントラスを確保するために、明部電位が比較的低く設定されることがあるため、転写帯電によって明部が逆極性に反転しやすくなる。

図２は、本発明に係る電子写真装置に搭載可能なａ−Ｓｉ感光体の層構成の一例を示す図である。図２中、円筒状の基体２００１の上に、基体２００１から光導電層２００３への電荷の注入を阻止するために下部阻止層２００２が設けられており、その上に光導電層２００３、上部阻止層２００４、および表面層２００５がこの順に設けられている。

（表面層）
表面層２００５は、連続繰り返し使用に対する耐性、耐湿性、使用環境耐性などに関して良好な特性を得るために設けられている。また、電気特性に関しては帯電極性の電荷は保持し、逆極性の電荷は通す整流性を有していることが好ましい。
表面層２００５には、例えば、アモルファスシリコンカーバイド系やアモルファスカーボン系の材料が用いられる。また電子写真感光体の耐久性をあげるためには、表面層の膜厚を大きくすることが有効である。しかし表面層を厚くした場合には、表面層の抵抗が高くなり、逆極性電荷が再結合によって緩和する時間が長くなるため、逆極性メモリーが顕著に表れることがある。

（光導電層）
光導電層２００３は、電子写真特性上の性能を満足できる光導電特性を有するものであればいずれのものであってもよいが、耐久性、安定性の観点から、ａ−Ｓｉが好ましい。
光導電層２００３としてａ−Ｓｉで構成された光導電層を用いる場合は、ａ−Ｓｉ中の未結合手を補償するため、水素原子に加えて、ハロゲン原子を含有させることができる。

水素原子（Ｈ）およびハロゲン原子（Ｘ）の含有量の合計（Ｈ＋Ｘ）は、ケイ素原子（Ｓｉ）、水素原子（Ｈ）およびハロゲン原子（Ｘ）の含有量の合計（Ｓｉ＋Ｈ＋Ｘ）に対して１０原子％以上であることが好ましく、１５原子％以上であることがより好ましい。一方、３０原子％以下であることが好ましく、２５原子％以下であることがより好ましい。
光導電層２００３には必要に応じて伝導性を制御するための原子を含有させてもよい。伝導性を制御するための原子は、光導電層中にまんべんなく均一に分布した状態で含有されていてもよいし、また、層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。

伝導性を制御するための原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができる。すなわち、ｐ型伝導性を与える周期表１３族に属する原子またはｎ型伝導性を与える周期表１５族に属する原子を用いることができる。周期表１３族に属する原子の中でも、ホウ素原子、アルミニウム原子、ガリウム原子が好ましい。周期表１５族に属する原子の中でも、リン原子、ヒ素原子が好ましい。

光導電層２００３の伝導性を制御するための原子の含有量は、ケイ素原子（Ｓｉ）に対して１×１０^−２原子ｐｐｍ以上、１×１０^２原子ｐｐｍ以下であることが好ましい。
光導電層２００３の層厚は、所望の電子写真特性が得られること、経済的効果などの点から、１５μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。

なお、光導電層は、単一の層で構成されてもよいし、複数の層（たとえば、電荷発生層と電荷輸送層）で構成されてもよい。
光導電層の形成は、ケイ素原子供給用の原料ガスとしては、たとえば、シラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）などのシラン類が好適に使用できる。また、水素原子供給用の原料ガスとしては、上記シラン類に加えて、たとえば、水素（Ｈ_２）も好適に使用できる。
また、上述のハロゲン原子、伝導性を制御するための原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子など光導電層を含有させる場合には、それぞれの原子を含むガス状または容易にガス化しうる物質を材料として適宜使用すればよい。

（下部阻止層）
本発明においては、基体２００１と光導電層２００３との間に基体側からの電荷の注入を阻止する働きを有する下部阻止層２００２を設けることが好ましい。下部阻止層２００２は、電子写真感光体の表面が一定極性の帯電処理を受けた際、基体から光導電層への電荷の注入を阻止する機能を有する層である。このような機能を付与するために、下部阻止層２００２は、光導電層２００３を構成する材料をベースとしたうえで、伝導性を制御するための原子を光導電層に比べて比較的多く含有させる。

伝導性を制御するために下部阻止層２００２に含有させる原子は、下部阻止層中にまんべんなく均一に分布した状態で含有されていてもよいし、また、層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。分布濃度が不均一な場合には、基体側に多く分布するように含有させるのが好適である。層厚方向に均一又は不均一、いずれの場合においても、伝導性を制御するための原子が基体の表面に対して平行面内方向においては均一な分布で下部阻止層に含有されることが、特性の均一化を図る上からも好ましい。
伝導性を制御するために下部阻止層に含有させる原子としては、帯電極性に応じて周期表１３族または１５族に属する原子を用いることができる。

さらに、下部阻止層２００２には、炭素原子、窒素原子および酸素原子のうち少なくとも１種の原子を含有させることにより、下部阻止層と基体との間の密着性を向上させることができる。密着性を向上させるために下部阻止層に含有される炭素原子、窒素原子および酸素原子のうち少なくとも１種の原子は、下部阻止層中にまんべんなく均一に分布した状態で含有されていてもよい。また、基体の表面に対して平行面内方向においては均一に含有されてはいるが、層厚方向には不均一に分布する状態で含有されている部分があってもよい。いずれの場合にも、伝導性を制御するための原子が基体の表面に対して平行面内方向において均一な分布で下部阻止層に含有されることが、特性の均一化を図る上からも好ましい。

下部阻止層２００２の層厚は、所望の電子写真特性が得られること、経済的効果などの点から、０．１〜１０μｍであることが好ましく、０．３〜５μｍであることがより好ましい。層厚を０．１μｍ以上にすることにより、基体からの電荷注入阻止能を十分に有することができ、好ましい帯電能を得ることができる。一方、５μｍ以下にすることにより、下部阻止層形成時間の延長に起因する製造コストの増加を防ぐことができる。

（基体）
基体２００１は、基体２００１の上に形成される光導電層２００３および表面層２００５を保持しうるものであればよく、導電性を有するもの（導電性基体）が好ましい。
基体の材質としては、例えば、アルミニウム、ステンレス、銅、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンやこれらの合金を用いることができる。中でも加工性や製造コストを考慮するとアルミニウムが優れており、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかに統一して用いることが好ましい。

本発明においてａ−Ｓｉ感光体とは上記のごとく光導電層がａ−Ｓｉを用いたものを指す。すなわち、上記例示の層構成のほか、適宜層構成を変更したものや、表面層の材料を変更したものも含むものとする。

（本発明に係る電子写真装置に使用できるクリーニングブレードの被覆層、および電子写真感光体を形成するための形成装置および形成方法）
図３は、本発明に係る電子写真装置に使用できるクリーニングブレードの被覆層および電子写真感光体を形成するための高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による形成装置の一例を模式的に示した図である。

この装置は大別すると、反応容器３１１０を有する堆積装置３１００、原料ガス供給装置３２００、および、反応容器３１１０内を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されている。堆積装置３１００中の反応容器３１１０内にはアースに接続された導電性基体３１１２、導電性基体加熱用ヒーター３１１３、および、原料ガス導入管３１１４が設置されている。さらにカソード電極３１１１には高周波マッチングボックス３１１５を介して高周波電源３１２０が接続されている。

原料ガス供給装置３２００は、ＳｉＨ_４，Ｈ_２，ＣＨ_４，ＮＯ，Ｂ_２Ｈ_６等の原料ガスボンベ３２２１〜３２２５、バルブ３２３１〜３２３５、圧力調整器３２６１〜３２６５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５およびマスフローコントローラ３２１１〜３２１５から構成されている。各原料ガスを封入したガスのボンベは補助バルブ３２６０を介して反応容器３１１０内の原料ガス導入管３１１４に接続されている。

次にこの装置を使った堆積膜の形成方法について説明する。まず、あらかじめ脱脂洗浄した導電性基体３１１２を反応容器３１１０に受け台３１２３を介して設置する。クリーニングブレードの被覆層を形成する場合は、クリーニングブレードを固定できる導電性基体３１１２を用いる。次に、排気装置（図示せず）を運転し、反応容器３１１０内を排気する。真空計３１１９の表示を見ながら、反応容器３１１０内の圧力がたとえば１Ｐａ以下の所定の圧力になったところで、基体加熱用ヒーター３１１３に電力を供給し、導電性基体３１１２を例えば２５℃から３５０℃の所望の温度に加熱する。このとき、ガス供給装置３２００より、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを反応容器３１１０に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。

次に、ガス供給装置３２００より堆積膜形成に用いるガスを反応容器３１１０に供給する。すなわち、必要に応じバルブ３２３１〜３２３５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５を開き、マスフローコントローラ３２１１〜３２１５に流量設定を行う。各マスフローコントローラの流量が安定したところで、真空計３１１９の表示を見ながらメインバルブ３１１８を操作し、反応容器３１１０内の圧力が所望の圧力になるように調整する。所望の圧力が得られたところで高周波電源３１２０より高周波電力を印加すると同時に高周波マッチングボックス３１１５を操作し、反応容器３１１０内にプラズマ放電を生起する。その後、速やかに高周波電力を所望の電力に調整し、堆積膜の形成を行う。所定の堆積膜の形成が終わったところで、高周波電力の印加を停止し、バルブ３２３１〜３２３５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５、および補助バルブ３２６０を閉じ、原料ガスの供給を終える。同時に、メインバルブ３１１８を全開にし、反応容器３１１０内を１Ｐａ以下の圧力まで排気する。

以上で、堆積層の形成を終えるが、複数の堆積層を形成する場合、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すれば良い。原料ガス流量や、圧力等を光導電層形成用の条件に一定の時間で変化させて、接合領域の形成を行うこともできる。
すべての堆積膜形成が終わったのち、メインバルブ３１１８を閉じ、リークバルブ３１１７を開いて、反応容器３１１０内に不活性ガスを導入し大気圧に戻した後、導電性基体３１１２を取り出す。
以下、実施例および比較例により、本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。

〔実施例１−１〜１−３および比較例１−１〜１−２〕
（クリーニングブレードの被覆層の形成）
クリーニングブレードの材料としてウレタンゴムからなる弾性ブレードを用いた。円筒状の基体として長さ３８１ｍｍ、厚さ３ｍｍ、外径８４ｍｍのアルミニウム製のサンプルホルダーを用意した。クリーニングブレードをサンプルホルダーに固定し、図３に示す形成装置を用いて表１の条件で実施例１−１、１−２、１−３、比較例１−２として、被覆層を形成した。被覆層を形成したクリーニングブレードはそれぞれの条件に対して２つずつ用意した。

（電子写真感光体の形成）
円筒状の基体として長さ３８１ｍｍ、厚さ３ｍｍ、外径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダーを準備した。その外周面上に、図３に示した形成装置を用い、表２に示した条件で、下部阻止層、光導電層、上部阻止層、表面層を順次形成し、負帯電用電子写真感光体を用意した。表面層は膜厚を厚くし、逆帯電メモリーには不利な条件とした。

実施例１−１〜１−３および比較例１−２のそれぞれにおいて被覆層を形成した２つのクリーニングブレードのうちの１つを分析用試料とし、被覆層の体積抵抗率を後述の分析方法により求めた。
一方、実施例１−１〜１−３および比較例１−２の各形成条件において被覆層を形成した残りの１本のクリーニングブレードと作製した電子写真感光体を用いて、後述の評価条件にて逆帯電メモリーの評価を行った。
比較例１−１においてはクリーニングブレードに被覆層を形成していないものについて逆帯電メモリーの評価を行った。
実施例１−１〜１−３および比較例１−１〜１−２の結果を表３に示す。

（被覆層の体積抵抗率の算出）
分析用試料をアルバック（株）製の真空蒸着機（ＭＯＤＥＬ：ＥＸ―４００−Ｄ６）で櫛形マスクを用いてクロムメッキを施し電極を設けた。蒸着後の試料をＨｅｗｌｅｔｔＰａｃｋａｒｄ製の電源（ＭＯＤＥＬ：４１４０）と試験機（ＭＯＤＥＬ：Ｔｅｓｔ Ｆｉｘｔｕｒｅ １６０５５Ａ）を用いて、測定される電流値と電圧の傾きから抵抗を求めた。またケーエルエー・テンコール社製の膜厚測定器（ＭＯＤＥＬ：αステップ５００）で被覆層の膜厚を測定し、求めた抵抗値と膜厚から体積抵抗率を算出した。

（逆帯電メモリーの評価）
逆帯電メモリーの評価は、キヤノン（株）製のデジタル電子写真装置「ｉｍａｇｅ ＲＵＮＮＥＲ ＡＤＶＡＮＣＥ Ｃ７０６５」（商品名）の改造機を用いた。改造機は、一次帯電および現像バイアスを外部電源から印加できる構成とした。またクリーニングブレードの被覆層についても外部電源より電圧を印加、又は電気的に接地できる構成とした。

暗部電位は−４５０Ｖ、明部電位は−１００Ｖとし、現像バイアスは−３００Ｖとした。また、転写電流は５０μＡに設定し逆帯電メモリーが起こりやすい条件とした。また、クリーニングブレードの被覆層は０Ｖに接地する構成とした。プロセススピードは５００ｍｍ／秒とした。

また、画像データは、プリンタードライバーを介さずに直接出力可能な構成とし、図４に示すＡ３のテストチャートを使用した。このテストチャートは、画像の先端側にベタ白とベタ黒の繰り返しパターンがあり、その後、６００ｄｐｉの１ドット１スペースの面積比率２５％のハーフトーンで形成されている。感光体の１周目でベタ白ベタ黒の画像を形成した感光体部の２周目に対応するハーフトーン部の画像濃度を反射濃度計（Ｘ−Ｒｉｔｅ Ｉｎｃ製：５０４ 分光濃度計）により測定した。具体的にはベタ黒画像部に対応する５点の平均濃度とベタ白画像部に対応する５点の平均濃度の差を求めた。
この評価において、比較例１−１の濃度差を１とした時の相対値を評価値とした。評価値は数値が小さいほど良好である、つまり逆帯電メモリーが発生しにくい、ことを示す。評価値が０．７未満で本発明の効果があらわれていると判断した。

本実施例および比較例より被覆層の体積抵抗率を１．００×１０^９Ω・ｃｍ以下にすることで本発明の効果が得られていることがわかる。体積抵抗率が１．００×１０^９Ω・ｃｍ以下になることで逆極性電荷が被覆層を通して移動しやすくなり、明部と暗部の電位差が低減したためだと考えられる。

〔実施例２〕
実施例２においては実施例１−１で使用したクリーニングブレードを用い、被覆層にＴｒｅｋ製外部電源（ＭＯＤＥＬ：６１０Ｃ）より電圧を印加し、印加する電圧を変化させた。それ以外は実施例１と同様の構成で評価を行った。結果を表４に示す。

実施例１−１、実施例２−１〜２−３より被覆層に印加する電圧が高い方が本発明の効果をより得られていることがわかる。電圧が高いほど逆帯電電荷が緩和されるためだと考えられる。また印加する電圧は表面層の膜厚や転写帯電の設定によって適宜調節すればよい。

〔実施例３〕
実施例３においては表５に示す条件で図３に示す形成装置を用いて被覆層を形成したクリーニングブレードをそれぞれ２つ用意した。
実施例３においては被覆層の形成条件を調節することで被覆層の体積抵抗率を維持しながら、被覆層中の水素原子の原子数（Ｈ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する水素原子の原子数（Ｈ）の比（Ｈ／（Ｈ＋Ｃ））を変化させた。被覆層に印加する電圧は−１００Ｖとした。作製したクリーニングブレードの１つについて体積抵抗率と後述のＨ／（Ｈ＋Ｃ）の分析試料として使用し、もうひとつについて逆帯電メモリーの評価と後述の追従性の評価を行った。それ以外は実施例１と同様の構成にし、同様の評価を行った。結果を表６に示す。

（被覆層のＨ／（Ｈ＋Ｃ）の測定）
分析用試料をＲＢＳ（ラザフォード後方散乱法）（日新ハイボルテージ（株）製：後方散乱測定装置 ＡＮ−２５００）により、ＲＢＳの測定面積における被覆層中の炭素原子の原子数を測定した。

ＲＢＳと同時に、上記測定用試料をＨＦＳ（水素前方散乱法）（日新ハイボルテージ（株）製：後方散乱測定装置 ＡＮ−２５００）により、ＨＦＳの測定面積における被覆層中の水素原子の原子数を測定した。ＨＦＳの測定面積から求めた水素原子の原子数と、ＲＢＳの測定面積から求めた炭素原子の原子数により、Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）の値を求めた。

ＲＢＳおよびＨＦＳの具体的な測定条件は、入射イオン：４Ｈｅ^＋、入射エネルギー：２．３ＭｅＶ、入射角：７５°、試料電流：３５ｎＡ、入射ビーム経：１ｍｍである。また、ＲＢＳの検出器は、散乱角：１６０°、アパーチャ径：８ｍｍとし、ＨＦＳの検出器は、反跳角：３０°、アパーチャ径：８ｍｍ＋Ｓｌｉｔとして測定を行った。

（被覆層追従性の評価）
表５に示す条件において被覆層を形成したクリーニングブレードと、表２に示す条件で作製した電子写真感光体とを前述の画像形成装置に設置して評価を行った。前述の画像形成装置において、ベタ白画像を１，０００枚出力し、出力後のクリーニングブレードの被覆層表面のクラックの有無を光学顕微鏡（50倍）を用いて評価した。１ｍｍ×１ｍｍの面積内にクラックが発生している箇所の個数を数えた。この評価において、以下の基準で評価を行った。
Ａ…クラックが観察されない
Ｂ…クラックが数か所観察されるが実用上問題なし
Ｃ…クラックが数十か所観察される
クラックの数が少ないほどクリーニングブレードの変形に対する追従性が高いと判断した。

表６に示すように、実施例３−１〜３−５においては体積抵抗率が０．１０×１０^９Ω・ｃｍ以下であるため逆帯電メモリーがより発生しにくい。またＨ／（Ｈ＋Ｃ）の値が０．３０以上０．４０以下において追従性がよい結果となっていることが分かる。長期利用をする場合、クラックに起因する被覆層のハガレやクリーニング性を考えるとＨ／（Ｈ＋Ｃ）の値が０．３０以上０．４０以下であることがより好ましい。

１００１‥‥電子写真感光体
１００２‥‥帯電器
１００３‥‥画像露光光
１００４‥‥現像装置
１００５‥‥一次転写ローラ
１００６‥‥中間転写ベルト
１００７‥‥クリーニング装置
１００８‥‥クリーニングブレード
１００９‥‥被覆層
１０１０‥‥前露光装置

Claims (3)

1. 電子写真感光体を帯電する帯電手段と、前記電子写真感光体に静電潜像を形成する潜像形成手段と、前記静電潜像をトナー像として反転現像する現像手段と、前記トナー像を転写材に転写する転写手段と、前記電子写真感光体上の残留トナーを除去するクリーニング手段と、前記クリーニング手段によるクリーニング後に残留電荷を除去する前露光手段とを有する電子写真装置において、
   前記クリーニング手段がクリーニングブレードを有し、
   前記クリーニングブレードは前記電子写真感光体と接触する部分に被覆層を備え、
   前記被覆層は非晶質炭素膜からなり、前記被覆層の体積抵抗率が１．００×１０^９Ω・ｃｍ以下であり、前記被覆層は前記電子写真感光体の帯電極性と同極性の電圧を印加され、又は電気的に接地されていることを特徴とする電子写真装置。
2. 前記被覆層において水素原子の原子数（Ｈ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する水素原子の原子数（Ｈ）の比（Ｈ／（Ｈ＋Ｃ））が０．３０以上０．４０以下である請求項１に記載の電子写真装置。
3. 前記電子写真感光体はアモルファスシリコン感光体である請求項１又は２に記載の電子写真装置。