JP2018524154A - ブロックコポリマーと別の化合物との間の界面の表面エネルギーを制御するための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
したがって、本発明の目的は、先行技術の欠点の少なくとも一つを克服することである。本発明は、一方では、生成されたパターンが基材及び上部界面に垂直に配向するように、ブロックコポリマーのブロックの自己集合化を、他方では、パターンの非垂直に関する欠陥の著しい減少を可能にするように、ブロックコポリマーの上部界面での表面エネルギーを制御することができるようにするために、簡潔であり、産業的に行われうる代替解決策を提供することを特に目的とする。
− 第一のブロックコポリマー及び第二のブロックコポリマーは、一段階において、基材の予備中和された表面上で、共通の溶媒でブレンドされ、同時に堆積し、
− 二のブロックコポリマーは互いに混和せず、
− ナノ構造化される第一のブロックコポリマーは前記基材の予備中和された表面上に堆積し、次いで、第二のブロックコポリマーは、上部表面の中和を可能にするために、第一のブロックコポリマー(BCP1)上に堆積し、
− 二のブロックコポリマーの堆積に続く段階は、二のブロックコポリマーのうちの少なくとも一をナノ構造化するために、基材、中和層、第一のブロックコポリマー及び第二のブロックコポリマーを含む得られたスタックを熱処理することにあり、
− 二のブロックコポリマーのナノ構造化は、単一のアニーリング温度での唯一の熱処理段階において行われ、
− 第二のブロックコポリマーの組織化に必要な時間は、第一のブロックコポリマーの組織化に必要な時間以下であり、
− 二のブロックコポリマーのナノ構造化は、異なるアニーリング温度及び/又は時間を使用して、複数の連続的な熱処理段階において行われ、第二のブロックコポリマーは、第一のブロックコポリマーよりも迅速に、又は低温で組織化され、
− 第二のブロックコポリマーは、第一のブロックコポリマーの組織化温度で構造化されていないこと、及び第二のブロックコポリマーのブロックの全ては、第一のブロックコポリマーのブロックのそれぞれに関して同等の表面エネルギーを呈するように、第二のブロックコポリマーのブロック又はブロックのセットの表面エネルギーは、別のブロック又はブロックのセットの存在により調節される。
− 一方では、第二のブロックコポリマー、及び第一のブロックコポリマーからのパターンのうちの少なくとも一の取り出しは、一又は複数の連続する段階で行われ、
− 取り出し段階は、第一のブロックコポリマーが少なくとも部分的に溶けない溶媒又は溶媒の混合物中の第二のブロックコポリマーの洗い流し又はドライエッチングにより行われ、
− 取り出し段階前に、基材、下部中和層、第一のブロックコポリマー及び第二のブロックコポリマーから成るスタックの全部又は一部にわたって刺激が適用され、
− 刺激は、スタックの全部若しくは一部のUV可視光への曝露、電子ビーム又は酸/塩基若しくは酸化/還元特性を呈する液体から成り、
− 刺激の適用後、第一のブロックコポリマーは、刺激への曝露前及び/又は後に、少なくとも部分的に溶けない、溶媒又は溶媒の混合物における溶解により、第二のブロックコポリマーが除去され、
− 第一のブロックコポリマーの少なくとも一のブロックは、第二のブロックコポリマーと同時に除去されるように、適用される刺激に感受性である。
− ブロックコポリマーは、少なくとも二の異なるブロック又はブロックのセットを含み、
− ブロックコポリマーは、当業者に知られる技術又は技術の組合せにより合成することができ、
− ブロックコポリマーの各ブロックは、ブロック型、グラジエント型、統計型、ランダム型、交互型又は櫛型のアーキテクチャ下で一緒に共重合化されているコモノマーのセットから成ることができ、
− ブロックコポリマーは、二のブロックコポリマーの全構成ブロックのうち表面エネルギーが最も低い第一のブロック又はブロックのセットと、第一のブロックコポリマーのブロックのそれぞれに対してゼロ又は同等の親和性を呈する第二のブロック又はブロックのセットを含み、
− ブロックコポリマーはmのブロックを含み、mは≧2且つ≦11、好ましくは≦5の整数であり、
− ブロックコポリマーの形態は好ましくはラメラであるが、他の可能な形態を除外することなく、
− ブロックコポリマーの各ブロックの体積分率は、ブロックコポリマーの体積に対して、5から95%で変化し、
− エネルギーが最も低い第一のブロック又はブロックのセットは、第二のブロックコポリマーの体積に対して、50%から70%の間の体積分率を呈し、
− 第二のブロックコポリマーは、第一のブロックコポリマー以下のアニーリング温度を呈し、
− ブロックコポリマーの分子量は1000から500000g/molの間で変化し、
− ブロックコポリマーの各ブロックは、第一のブロックコポリマーのバックボーンに存在するコモノマーを含むことができ、
− エネルギーが最も低い第一のブロック又はブロックのセットは、取り出される際に、溶媒又は溶媒混合物におけるブロックコポリマーの溶解を促進するように、前記溶媒又は溶媒混合物に溶け、
− 上部表面中和層は、第一及び第二のブロックコポリマーの組織化の温度で固体、気体又は液体でありうる、規定の構成及び規定の表面エネルギーの化合物又は化合物の混合物と接触している。
A1−b−B1−b−C1−b−D1−b−….−b−Z1
[上式中、A1、B1、C1、D1,…、Z1は、純粋な化学物質、即ち、各ブロックが、一緒に重合化された、同一の化学性質のモノマーのセットであるか、又は、全部若しくは一部がブロック若しくは統計若しくはランダム若しくはグラジエント若しくは交互コポリマーの形態の、一緒に共重合化されたコモノマーのいずれかを表す、非常に多くのブロック「i1」…「j1」である。]
A2−b−B2−b−C2−…−b−Z2,
[上式中、A2、B2、C2、D2,…、Z2は、純粋な化学物質、即ち、各ブロックが、一緒に重合化された、同一の化学性質のモノマーのセットであるか、又は、全部若しくは一部がブロック若しくは統計若しくはランダム若しくはグラジエント若しくは交互コポリマーの形態の、一緒に共重合化されたコモノマーのいずれかを表す、非常に多くのブロック「i2」…「j2」である。]
式中、ラジカルRLは15.0342g/molを超えるモル質量を呈する。ラジカルRLは、15.0342を超えるモル質量を有する限り、塩素、臭素又はヨウ素などのハロゲン原子であっても、飽和若しくは不飽和、及び直鎖状、分岐状若しくは環状炭化水素基(例えば、アルキルラジカル又はフェニルラジカル)、又はエステル基−COOR、又はアルコキシル基−OR、又はホスホン酸エステル基−PO(OR)2であってもよい。一価であるラジカルRLは、ニトロキシドラジカルの窒素原子に関してβの位置にあるといわれる。式(1)の炭素原子及び窒素原子の残りの原子価は、種々のラジカル、例えば、水素原子、又は1から10個の炭素原子を含む炭化水素ラジカル、例えばアルキル、アリール又はアリールアルキルラジカルに結合しうる。式(1)の炭素原子と窒素原子が二価のラジカルを介して環を形成するように互いに結合していることは除外されない。しかし、式(1)の炭素原子と窒素原子の残りの原子価は、好ましくは一価のラジカルに結合している。ラジカルRLは、好ましくは、30g/molを超えるモル質量を呈する。ラジカルRLは、例えば、40から450g/molのモル質量を有しうる。例として、ラジカルRLは、ホスホリル基を含むラジカルであってもよく、場合によって前記ラジカルRLは、以下の式:
により表され、
式中、R3及びR4(これらは同一でも異なっていてもよい)は、アルキル、シクロアルキル、アルコキシル、アリールオキシル、アリール、アラルキルオキシル、ペルフルオロアルキル又はアラルキルラジカルから選択され、1から20個の炭素原子を含みうる。R3及び/又はR4はまた、塩素又は臭素又はフッ素又はヨウ素原子のようなハロゲン原子でありうる。ラジカルRLはまた、例えばフェニルラジカル又はナフチルラジカルについては少なくとも一の芳香環を含んでもよく、場合によって後者は、例えば1から4個の炭素原子を含むアルキルラジカルで置換されている。
− N−(tert−ブチル)−1−フェニル−2−メチルプロピルニトロキシド、
− N−(tert−ブチル)−1−(2−ナフチル)−2−メチルプロピルニトロキシド、
− N−(tert−ブチル)−1−ジエチルホスホノ−2,2−ジメチルプロピルニトロキシド、
− N−(tert−ブチル)−1−ジベンジルホスホノ−2,2−ジメチルプロピルニトロキシド、
− N−フェニル−1−ジエチルホスホノ−2,2−ジメチルプロピルニトロキシド、
− N−フェニル−1−ジエチルホスホノ−1−メチルエチルニトロキシド、
− N−(1−フェニル−2−メチルプロピル)−1−ジエチルホスホノ−1−メチルエチルニトロキシド、
− 4−オキソ−2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペリジニルオキシ、
− 2,4,6−トリ(tert−ブチル)フェノキシ
Claims (29)
- ブロックコポリマー(BCP1)の上部界面の表面エネルギーを制御するための方法であって、該ブロックコポリマーの下部界面が基材(S)の予備中和された表面と接触しており、二の下部及び上部界面と垂直な前記ブロックコポリマー(BCP1)のナノドメインの配向性を得ることを可能にするために、前記ブロックコポリマー(BCP1)の上部表面を上部表面中和層(TC)でカバーすることから成り、前記上部表面中和層(TC)が第二のブロックコポリマー(BCP2)から成ることを特徴とする、方法。
- 第一のブロックコポリマー(BCP1)及び第二のブロックコポリマー(BCP2)が、基材の予備中和された表面上で、一段階で、共通の溶媒中でブレンドされ、同時に堆積することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 二のブロックコポリマー(BCP1及びBCP2)が互いに混和しないことを特徴とする、請求項2に記載の方法。
- ナノ構造化される第一のブロックコポリマー(BCP1)が前記基材の予備中和された表面上に堆積し、次いで、第二のブロックコポリマー(BCP2)が、その上部表面の中和を可能にするために、第一のブロックコポリマー(BCP1)上に堆積することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 二のブロックコポリマー(BCP1及びBCP2)の堆積に続く段階が、二のブロックコポリマーのうちの少なくとも一をナノ構造化するために、基材(S)、中和層(N)、第一のブロックコポリマー(BCP1)及び第二のブロックコポリマー(BCP2)を含む、得られたスタックを熱処理することから成ることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 二のブロックコポリマー(BCP1及びBCP2)のナノ構造化が、単一のアニーリング温度での唯一の熱処理段階において行われることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 第二のブロックコポリマー(BCP2)の組織化に必要な時間が、第一のブロックコポリマー(BCP1)の組織化に必要な時間以下であることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 二のブロックコポリマー(BCP1及びBCP2)のナノ構造化が、異なるアニーリング温度及び/又は時間を使用して、複数の連続的な熱処理段階において行われ、第二のブロックコポリマー(BCP2)が、第一のブロックコポリマー(BCP1)よりも迅速に、又は低温で組織化されることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 第二のブロックコポリマー(BCP2)が、第一のブロックコポリマー(BCP1)の組織化温度で構造化されていないこと、及び第二のブロックコポリマー(BCP2)のブロックの全てが、第一のブロックコポリマー(BCP1)のブロックのそれぞれに関して同等の表面エネルギーを呈するように、第二のブロックコポリマーの、ブロック又はブロックのセット「r2」の表面エネルギーが、別のブロック又はブロックのセット「s2」の存在により調節されることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 下部界面が、内在する基材(S)の予備中和された表面(N)と接触している、ブロックコポリマー(BCP1)から開始するナノリソグラフィレジストの製造のための方法であって、請求項1から8のいずれか一項に記載の前記ブロックコポリマー(BCP1)の上部界面の表面エネルギーを制御するための方法の段階を含み、上部中和層を形成する第二のブロックコポリマー(BCP2)及び前記第一のブロックコポリマー(BCP1)において生成されるパターンの少なくとも一が、レジストとして機能することが意図されているフィルムを作成するために、第一のブロックコポリマー(BCP1)のナノ構造化後に、除去されることを特徴とする、方法。
- 一方では、第二のブロックコポリマー(BCP2)、及び第一のブロックコポリマー(BCP1)からのパターンのうちの少なくとも一の取り出しが、一又は複数の連続的な段階で行われることを特徴とする、請求項10に記載の方法。
- 取り出し段階が、第一のブロックコポリマーが少なくとも部分的に溶けない溶媒又は溶媒の混合物(MS2)中の第二のブロックコポリマー(BCP2)の洗い流し又はドライエッチングにより行われることを特徴とする、請求項10及び11のいずれか一項に記載の方法。
- 基材(S)、下部中和層(N)、第一のブロックコポリマー(BCP1)及び第二のブロックコポリマー(BCP2)から成るスタックの全部又は一部にわたって、取り出し段階前に刺激が適用されることを特徴とする、請求項10から12のいずれか一項に記載の方法。
- 刺激が、スタックの全部若しくは一部のUV可視光への曝露、電子ビーム又は酸/塩基若しくは酸化/還元特性を呈する液体から成ることを特徴とする、請求項13に記載の方法。
- 第二のブロックコポリマー(BCP2)が、第一のブロックコポリマー(BCP1)が刺激への曝露前及び/又は後に少なくとも部分的に溶けない溶媒又は溶媒の混合物(MS3)における溶解により、刺激の適用後に除去されることを特徴とする、請求項13及び14のいずれか一項に記載の方法。
- 第一のブロックコポリマー(BCP1)の少なくとも一のブロックが、第二のブロックコポリマー(BCP2)と同時に除去されるように、適用される刺激に感受性であることを特徴とする、請求項13から15のいずれか一項に記載の方法。
- 下部及び上部表面と垂直なブロックコポリマー(BCP1)のナノドメインの配向性を得ることを可能にするために、下部界面が基材(S)の予備中和された表面(N)と接触している該ブロックコポリマー(BCP1)の上部表面をカバーすることが意図されている上部表面中和層であって、第二のブロックコポリマー(BCP2)から成ることを特徴とする、上部表面中和層。
- ブロックコポリマー(BCP2)が少なくとも二の異なるブロック又はブロックのセットを含むことを特徴とする、請求項17に記載の上部表面中和層。
- ブロックコポリマー(BCP2)の各ブロックが、ブロック型、グラジエント型、統計型、ランダム型、交互型又は櫛型のアーキテクチャ下で一緒に共重合化されているコモノマーのセットから成りうることを特徴とする、請求項17及び18のいずれか一項に記載の上部表面中和層。
- ブロックコポリマー(BCP2)が、二のブロックコポリマー(BCP1及びBCP2)の全構成ブロックのうち表面エネルギーが最も低い第一のブロック又はブロックのセット(「s2」)と、第一のブロックコポリマー(BCP1)のブロックのそれぞれに関してゼロ又は同等の親和性を呈する第二のブロック又はブロックのセット(「r2」)とを含むことを特徴とする、請求項17から19のいずれか一項に記載の上部表面中和層。
- ブロックコポリマー(BCP2)が「m」のブロックを含み、mが≧2且つ≦11、好ましくは≦5の整数であることを特徴とする、請求項17から20のいずれか一項に記載の上部表面中和層。
- ブロックコポリマー(BCP2)の形態が好ましくはラメラであることを特徴とする、請求項17から21のいずれか一項に記載の上部表面中和層。
- ブロックコポリマー(BCP2)の各ブロックの体積分率が、ブロックコポリマーの体積に対して、5から95%で変化することを特徴とする、請求項17から22のいずれか一項に記載の上部表面中和層。
- エネルギーが最も低い第一のブロック又はブロックのセット(「s2」)が、第二のブロックコポリマー(BCP2)の体積に対して、50%から70%の間の体積分率を呈することを特徴とする、請求項20から23のいずれか一項に記載の上部表面中和層。
- 第二のブロックコポリマー(BCP2)が、第一のブロックコポリマー(BCP1)以下のアニーリング温度を呈することを特徴とする、請求項17から24のいずれか一項に記載の上部表面中和層。
- ブロックコポリマー(BCP2)のモル重量が、1000から500000g/molの間で変化することを特徴とする、請求項17から25のいずれか一項に記載の上部表面中和層。
- ブロックコポリマー(BCP2)の各ブロック(i2…j2)が、第一のブロックコポリマー(BCP1)のバックボーンに存在するコモノマーを含みうることを特徴とする、請求項17から26のいずれか一項に記載の上部表面中和層。
- エネルギーが最も低い第一のブロック又はブロックのセット(「s2」)が、取り出される際に、溶媒又は溶媒混合物(MS2)におけるブロックコポリマー(BCP2)の溶解を促進するように、前記溶媒又は溶媒混合物(MS2)に溶けることを特徴とする、請求項20から27のいずれか一項に記載の上部表面中和層。
- 第一及び第二のブロックコポリマーの組織化の温度で、固体、気体又は液体でありうる、規定の構成及び規定の表面エネルギーの化合物又は化合物の混合物と接触していることを特徴とする、請求項17から28のいずれか一項に記載の上部表面中和層。
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