KR101941382B1 - 블록 공중합체들 및 중합체들의 혼합물들에 의해 얻어진 막들의 결함율을 제어하는 방법 - Google Patents

블록 공중합체들 및 중합체들의 혼합물들에 의해 얻어진 막들의 결함율을 제어하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101941382B1
KR101941382B1 KR1020177006580A KR20177006580A KR101941382B1 KR 101941382 B1 KR101941382 B1 KR 101941382B1 KR 1020177006580 A KR1020177006580 A KR 1020177006580A KR 20177006580 A KR20177006580 A KR 20177006580A KR 101941382 B1 KR101941382 B1 KR 101941382B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
orientation
single crystal
large single
distance
crystal surfaces
Prior art date
Application number
KR1020177006580A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170042666A (ko
Inventor
크리스토쁘 나바로
셀리아 니꼴레
사비에 슈발리에
Original Assignee
아르끄마 프랑스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아르끄마 프랑스 filed Critical 아르끄마 프랑스
Publication of KR20170042666A publication Critical patent/KR20170042666A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101941382B1 publication Critical patent/KR101941382B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/002—Pretreatement
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L25/00—Compositions of, homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L25/02—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons
    • C08L25/04—Homopolymers or copolymers of styrene
    • C08L25/06—Polystyrene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L25/00—Compositions of, homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L25/02—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons
    • C08L25/04—Homopolymers or copolymers of styrene
    • C08L25/08—Copolymers of styrene
    • C08L25/14—Copolymers of styrene with unsaturated esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D125/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D125/02—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons
    • C09D125/04—Homopolymers or copolymers of styrene
    • C09D125/08—Copolymers of styrene
    • C09D125/14—Copolymers of styrene with unsaturated esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D153/00—Coating compositions based on block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof

Abstract

본 발명은 표면 상에 데포짓된 블록 공중합체들 및 중합체의 블렌드를 포함하는 조성물을 사용하여 얻어진 막들에서의 결함들 레벨을 제어하는 방법에 관한 것이다. 중합체들은 블록 공중합체들 중 하나의 블록 또는 다른 블록에 존재하는 것들과 동일한 적어도 하나의 단량체를 포함한다.

Description

블록 공중합체들 및 중합체들의 혼합물들에 의해 얻어진 막들의 결함율을 제어하는 방법{METHOD FOR CONTROLLING THE DEFECT RATE IN FILMS OBTAINED WITH MIXTURES OF BLOCK COPOLYMERS AND POLYMERS}
본 발명은 표면 상에 데포짓된 블록 공중합체들 및 중합체의 블렌드를 포함하는 조성물을 사용하여 얻어진 막들에서의 결함들 레벨을 제어하는 방법에 관한 것이다. 중합체들은 블록 공중합체들 중 하나의 블록 또는 다른 블록에 존재하는 것들과 동일한 적어도 하나의 단량체를 포함한다.
나노구조화의 능력으로 인해, 재료 및 전자 공학 또는 광전자 공학 분야에서 블록 공중합체의 사용은 현재 잘 알려져 있다. 이 새로운 기술은 몇 나노미터에서 수십 나노미터 범위의 크기면에서 해상도를 가진 객체 및 조제물 제조를 위한 고급 나노리소그래피 프로세스에 대한 액세스를 허용한다.
특히 공중합체를 구성하는 블록의 배열을 100 nm 이하의 스케일로 구조화하는 것이 가능하다. 불행히도 결함이 없는 막을 얻는 것은 어렵다.
일부 저자는 블록 공중합체에 하나 이상의 호모중합체를 첨가할 때의 가능한 효과를 조사했다.
Macromolecules 1991, 24, 6182-6188, Winey K. et al. 에는 호모폴리스티렌의 존재하에 폴리스티렌-b-폴리이소프렌 시스템에서 라멜라 모르폴로지에 대한, 특히 라멜라 및 층의 두께에 대한 이 효과에 대해 논의되어 있다.
Macromolecules, 1995, 28, 5765-5773, Matsen M.에서는 SCFT (self-consistent field theory) 시뮬레이션에 의해 블록 공중합체와 (공)중합체의 블랜드의 거동을 조사한다. 이러한 시뮬레이션은 호모 폴리머의 첨가가 육각형 모르폴로지의 안정화까지조차 블렌드의 최종 모르폴로지에 영향을 미친다는 것을 보여준다.
Macromolecules 1997, 30, 5698-5703, Torikai N. et al.에는, 여전히 라멜라 모르폴로지의 분야에서, 첨가된 호모중합체의 분자량의 가능한 효과를 보여주는 유사한 연구가 제시되어 있다. 연구된 시스템은 폴리스티렌 또는 폴리비닐 피리딘의 존재하에서 폴리스티렌-b-폴리비닐 피리딘이다.
Adv. Mater. 2004, 16, No. 6, 533-536, Russel et al. 에서는, 폴리메틸 메타크릴레이트 (PMMA) 의 폴리스티렌-b-폴리메틸 메타크릴레이트 (PS-b-PMMA) 공중합체에의 첨가가 막의 두께에 관계없이 수직 원통 모르폴로지를 얻을 수 있게 하며, 폴리메틸 메타크릴레이트 호모중합체의 크기가 대응하는 블록 공중합체의 폴리메틸 메타크릴레이트 블록의 크기보다 약간 더 크다.
보다 최근, Langmuir, 2007, 23, 6404-6410, Kitano H. et al. 에서는 폴리스티렌 호모중합체를 폴리스티렌-b-폴리메틸 메타크릴레이트에 첨가하여 실린더 도메인의 우선적인 수직 제어를 보고하고 있다. 이들은, 이러한 성질이 폴리스티렌 첨가시 육각형 대칭에 의한 응력 감소에서 기인한다고 제안한다. 폴리메틸 메타크릴레이트를 첨가함으로써 동일한 효과가 입증된다.
Soft Matter, 2008, 1454-1466, Up Ahn D. et al.에는 또한, 실린더의 크기, 안정성 및 주기성에 대한 블록 공중합체에 첨가된 호모중합체의 분자량의 영향에 대한 연구에 초점을 맞춘 유사한 논의가 제안되어 있다.
마지막으로, Macromolecules 2009, 42, 5861-5872, Su-Mi Hur et al. 에는 블록 공중합체와 호모중합체의 블렌드에서 유래된 모르폴로지의 시뮬레이션을 조사한다. 이들은 공중합체를 첨가함으로써 순수한 블록 공중합체의 경우가 아닌 안정된 정방정계 대칭을 달성할 수 있음을 보여준다.
이들 연구는 얻어진 막의 거동에 대한 중합체 (호모중합체 또는 공중합체) 의 존재의 영향을 나타내지만, 이들 연구 중 어느 것도 결함을 정량화하는 것에 관한 어떠한 지시도 제공하지 않으며, 이들을 최소화하는 최선의 방법에 대해서는 말할 것도 없다. 더욱이, 거리의 결함, 배위 수 (coordination number) 의 감소 또는 CDU (Critical Dimension Uniformity) 의 개선에 관한 연구도 없다.
사실상, 본 발명의 방법에 의해 처리된 표면을 갖는 블록 공중합체의 나노구조화는 헤르만-마구인 (Hermann-Mauguin) 표기법에 따른 실린더 (육각형 대칭 ("6mm" 기본 육각형 네트워크 대칭) 또는 정방형/이차 대칭 ("4mm" 기본 정사각형 네트워크 대칭)), 구형 대칭 (육각형 대칭 ("6mm" 또는 "6/mmm" 기본 육각형 네트워크 대칭), 또는 정방형/이차 대칭 ("4mm" 기본 사각형 네트워크 대칭), 또는 구형 대칭 ("m⅓m" 네트워크 대칭)), 라멜라 또는 자이로이드 등의 형태를 취할 수 있다. 바람직하게는, 나노구조화에 의해 가정된 바람직한 형태는 실린더 육각형 형태이다.
본 발명에 따라 처리된 표면에 대한 블록 공중합체들의 자기 조립 공정은 열역학 법칙에 의해 지배된다. 자체 조립이 실린더 형태의 모르폴로지로 이어진다면, 결함이 없는 경우 각각의 실린더는 6개의 등거리 인접 실린더로 둘러싸인다. 따라서 몇 가지 유형의 결함이 확인될 수 있다. 제 1 유형은 블록 공중합체의 배열에 의해 형성된 실린더 주위의 이웃 수의 평가에 기반하며 배위 수의 결함이라고도 불린다. 5 ~ 7 개의 실린더가 문제의 실린더를 둘러싸는 경우, 배위수의 결함이 있는 것으로 간주될 것이다. 제 2 유형의 결함은 문제의 실린더를 둘러싼 실린더 사이의 평균 거리를 고려한다. [W.Li, F.Qiu, Y.Yang, and A.C.Shi, Macromolecules 43, 2644 (2010); K. Aissou, T. Baron, M. Kogelschatz, and A. Pascale, Macromol. 40, 5054 (2007); R. A. Segalman, H. Yokoyama, and E. J. Kramer, Adv. Matter. 13, 1152 (2003); R. A. Segalman, H. Yokoyama, and E. J. Kramer, Adv. Matter. 13, 1152 (2003)]. 두 이웃 사이의 이러한 거리가 두 이웃 사이의 평균 거리의 2 퍼센트를 초과하면, 결함이 있는 것으로 간주될 것이다. 이 두 가지 유형의 결함을 결정하기 위해, 고전적으로 보로노이 구조 및 연관된 델로니 삼각측량이 사용된다. 이미지의 디지털화 이후, 각 실린더의 중심이 식별된다. 델로니 삼각측량은 1차 이웃의 수를 식별하고 두 이웃 사이의 평균 거리를 계산하는 것을 가능하게 한다. 따라서, 결함 수를 결정하는 것이 가능하다.
이 계산 방법은 Tiron et al.의 기사에서 설명된다 (J. Vac. Sci. Technol. B 29(6), 1071-1023, 2011).
마지막 유형의 결함은 표면에 데포짓된 블록 공중합체의 실린더 각도에 관한 것이다. 블록 공중합체가 표면에 더 이상 수직이 아닌 경우, 배향 결함이 있는 것으로 간주될 것이다.
본 발명의 방법은 큰 단결정 표면상의 배향성, 배위수 또는 거리의 최소 결함을 갖는 막의 형태로 나노구조화된 어셈블리를 얻는 것을 가능하게 한다.
마지막으로, 본 발명의 방법은 임계 치수 균일성의 개선된 파라미터로 막을 제조할 수 있게 한다.
실린더 모르폴로지를 갖는 블록 공중합체 막의 임계 치수 균일성 (CDU) 은 실린더의 직경의 균일한 크기에 대응한다. 이상적인 경우, 모든 실린더의 직경이 동일해야 하며, 이 직경의 임의의 변화는 고려되는 애플리케이션에 대한 성능 (전도도, 전달 곡선의 특성, 방출되는 열 동력, 저항 등) 의 변화를 유도할 것이다.
본 출원인은, 블록 공중합체들 및 블록 공중합체들의 하나 또는 다른 블록에 존재하는 것과 동일한 적어도 하나의 단량체를 포함하는 블렌드들이, 중합체들의 질량과 블록 공중합체들의 질량의 비 및 블록 공중합체들과 블렌딩된 중합체들의 질량과 관련하여 최적에 의해 수반되는 상기 언급된 결함들의 상당한 감소를 허용한다는 것을 밝혀냈다.
발명의 요약
본 발명은 블록 공중합체들 및 중합체의 블렌드의 막의 형태로 나노구조화된 어셈블리의 CDU (Critical Dimension Uniformity) 를 개선하여 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법에 관한 것으로서, 상기 블렌드는 n개의 블록 공중합체들 및 상기 블록 공중합체들의 하나의 블록 또는 다른 블록에 존재하는 것들과 동일한 적어도 하나의 단량체를 포함하는 m개의 중합체들을 포함하며,
- 용매 중에 블록 공중합체들 및 중합체들을 포함하는 혼합물의 단계,
- 이 혼합물의 표면 상으로의 데포지션의 단계,
- 어닐링의 단계를 포함한다.
"표면"은 평탄하거나 그렇지 않을 수도 있는 표면을 의미한다.
"어닐링 (annealing)"은 용매가 존재할 때 용매를 증발시켜 필요한 나노구조화를 확립하는 가열 단계를 의미한다.
임의의 블록 공중합체는 그 연관된 모르폴로지에 상관없이, 그것이 디블록, 선형 또는 스타 트리블록, 선형 멀티블록, 콤 또는 스타 공중합체인지 여부를, 본 발명과 관련하여 사용할 수 있다. 바람직하게는, 이들은 디블록 또는 트리블록 공중합체이고, 보다 바람직하게는 디블록 공중합체이다.
중합체는 호모중합체이거나 랜덤 공중합체일 것이다.
본 발명과 관련하여, n개의 블록 공중합체를 m개의 중합체와 블렌딩할 수 있으며, n은 1 내지 10의 정수이다. 바람직하게, n은 1 내지 5이고, 바람직하게 n은 1 내지 2이고, 보다 바람직하게 n은 1이고, m은 1 내지 10의 정수이다. 바람직하게, m은 1 내지 5이고, 바람직하게 m은 1 내지 2이고, 보다 바람직하게 m은 1이다.
이들 블록 공중합체들 및 중합체들은 당업자에 의해 공지된 임의의 기술에 의해 합성될 수 있으며, 그 중에서 중축합, 개환 중합, 음이온성, 양이온성 또는 라디칼 중합을 언급할 수 있으며, 상기 기술은 제어되거나 제어되지 않을 수 있으며, 서로 결합되거나 결합되지 않을 수 있다. 공중합체가 라디칼 중합에 의해 제조되는 경우, 라디칼 중합은 NMP ("니트록시드 매개 중합 (Nitroxide Mediated Polymerization)"), RAFT ("가역적 첨가 및 단편화 전이 (Reversible Addition and Fragmentation Transfer)"), ATRP ("원자 전이 리디칼 중합 (Atom Transfer Radical Polymerization)"), INIFERTER ("개시제 전이 종결 (Initiator-Transfer-Termination)"), RITP ("역방향 요오드 전이 중합 (Reverse Iodine Transfer Polymerization)"), ITP ("요오드 전이 중합 (Iodine Transfer Polymerization)") 등의 임의의 알려진 기술에 의해 제어될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 블록 공중합체들 및 중합체들은 제어된 라디칼 중합에 의해, 보다 더 특히 니트록시드, 특히 N-tert-부틸-1-디에틸포스포노-2,2-디메틸프로필 니트록시드에 의해 제어된 중합에 의해 조제된다.
본 발명의 제 2 바람직한 실시형태에 따르면, 블록 공중합체들 및 중합체들은 음이온성 중합에 의해 조제된다.
중합이 라디칼 중합에 의해 수행되는 경우, 블럭 공중합체들 및 중합체들의 구성 단량체들은 다음: 적어도 하나의 비닐계, 비닐리덴계, 디엔계, 올레핀계, 알릴계 또는 (메트)아크릴계 단량체 중에서 선택될 것이다. 이 단량체는 보다 특별히 비닐 방향족 단량체, 예컨대 스티렌 또는 치환된 스티렌, 특히 알파-메틸스티렌, 실릴화된 스티렌, 아크릴 단량체, 예컨대 아크릴산 또는 이들의 염, 알킬, 시클로알킬 또는 아릴 아크릴레이트, 예컨대 메틸, 에틸, 부틸, 에틸헥실 또는 페닐 아크릴레이트, 히드록시알킬 아크릴레이트, 예컨대 2-히드록시에틸 아크릴레이트, 에테르-알킬 아크릴레이트, 예컨대 2-메톡시에틸 아크릴레이트, 알콕시- 또는 아릴옥시-폴리알킬렌 글리콜 아크릴레이트, 예컨대 메톡시폴리에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 에톡시폴리에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌 글리콜 아크릴레이트, 메톡시-폴리에틸렌 글리콜-폴리프로필렌 글리콜 아크릴레이트 또는 이들의 블렌드들, 아미노알킬 아크릴레이트, 예컨대 2-(디메틸아미노)에틸 아크릴레이트 (DMAEA), 불소화된 아크릴레이트, 실릴화된 아크릴레이트, 인 함유 아크릴레이트, 예컨대 알킬렌 글리콜 포스페이트의 아크릴레이트, 글리시딜 아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸 아크릴레이트, 메타크릴계 단량체, 예컨대 메타크릴산 또는 이들의 염들, 알킬, 시클로알킬, 알케닐 또는 아릴 메타크릴레이트, 예컨대 메틸 메타크릴레이트 (MMA), 라우릴, 시클로헥실, 알릴, 페닐 또는 나프틸 메타크릴레이트, 히드록시알킬 메타크릴레이트, 예컨대 2-히드록시에틸 메타크릴레이트 또는 2-히드록시프로필 메타크릴레이트, 에테르-알킬 메타크릴레이트, 예컨대 2-에톡시에틸 메타크릴레이트, 알콕시- 또는 아릴옥시-폴리알킬렌 글리콜 메타크릴레이트, 예컨대 메톡시폴리에틸렌 글리콜 메타크릴레이트, 에톡시폴리에틸렌 글리콜 메타크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌 글리콜 메타크릴레이트, 메톡시-폴리에틸렌 글리콜-폴리프로필렌 글리콜 메타크릴레이트 또는 이들의 블렌드들, 아미노알킬 메타크릴레이트, 예컨대 2-(디메틸아미노)에틸 메타크릴레이트 (DMAEMA), 불소화된 메타크릴레이트, 예컨대 2,2,2-트리플루오로에틸 메타크릴레이트, 실릴화된 메타크릴레이트, 예컨대 3-메타크릴로일프로필트리메틸실란, 인 함유 메타크릴레이트, 예컨대 알킬렌 글리콜 포스페이트의 메타크릴레이트, 히드록시-에틸이미다졸리돈 메타크릴레이트, 히드록시-에틸이미다졸리디논 메타크릴레이트, 2-(2-옥소-1-이미다졸리디닐)에티닐 메타크릴레이트, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 또는 치환된 아크릴아미드, 4-아크릴로일모르폴린, N-메틸올아크릴아미드, 메타크릴아미드 또는 치환된 메타크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, 메타크릴아미도-프로필트리메틸 암모늄 클로라이드 (MAPTAC), 글리시딜 메타크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸 메타크릴레이트, 이타콘산, 말레산 또는 이들의 염이들의 염산 무수물, 알킬 또는 알콕시- 또는 아릴옥시-폴리알킬렌 글리콜 말레에이트 또는 헤미말레이트, 비닐피리딘, 비닐피롤리디논, (알콕시)폴리(알킬렌 글리콜) 비닐 에테르 또는 디비닐 에테르, 예컨대 메톡시 폴리(에틸렌 글리콜) 비닐 에테르, 폴리(에틸렌 글리콜) 디비닐 에테르, 올레핀계 단량체 (그 중에서 에틸렌, 부텐, 헥센 및 1-옥텐을 들 수 있음), 디엔 단량체 (부타디엔, 이소프렌, 그리고 불소화된 올레핀계 중합체들을 포함), 그리고 비닐리덴 단량체들 (그 중에서 불소화된 비닐리덴을 단독으로 또는 상기 언급된 적어도 2개의 단량체와 혼합하여 들 수 있음) 중에서 선택된다.
바람직하게 블록 공중합체들은 블록 중 하나가 스티렌 단량체를 포함하고 다른 블록이 메타크릴산 단량체를 포함하는 블록 공중합체로 이루어지고; 보다 바람직하게는 블록 공중합체들은 블록 중 하나가 스티렌을 포함하고 다른 블록이 메틸 메타크릴레이트를 포함하는 블록 공중합체로 이루어진다.
중합체는 바람직하게 스티렌 단량체 또는 메타크릴산 단량체를 포함하고; 보다 바람직하게 중합체는 스티렌 또는 메틸 메타크릴레이트를 포함한다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 중합체들은 스티렌으로 이루어진다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 블록 공중합체들 및 중합체들의 합성을 위해, 마이크로 믹서를 채용한 EP0749987호에 기재된 바와 같이 비극성 용매, 바람직하게는 톨루엔에서의 음이온성 중합 방법이 사용될 것이다. 하기 엔티티들로부터 선택된 단량체가 바람직할 것이다: 적어도 하나의 비닐계, 비닐리덴계, 디엔계, 올레핀계, 알릴계 또는 (메트)아크릴 단량체. 이들 단량체들은 보다 특별히 비닐 방향족 단량체, 예컨대 스티렌 또는 치환된 스티렌, 특히 알파-메틸스티렌, 실릴화된 스티렌, 아크릴 단량체, 예컨대 알킬, 시클로알킬 또는 아릴 아크릴레이트, 예컨대 메틸, 에틸, 부틸, 에틸헥실 또는 페닐 아크릴레이트, 에테르-알킬 아크릴레이트, 예컨대 2-메톡시에틸 아크릴레이트, 알콕시- 또는 아릴옥시-폴리알킬렌 글리콜 아크릴레이트, 예컨대 메톡시폴리에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 에톡시폴리에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌 글리콜 아크릴레이트, 메톡시-폴리에틸렌 글리콜-폴리프로필렌 글리콜 아크릴레이트 또는 이들의 블렌드들, 아미노알킬 아크릴레이트, 예컨대 2-(디메틸아미노)에틸 아크릴레이트 (DMAEA), 불소화된 아크릴레이트, 실릴화된 아크릴레이트, 인 함유 아크릴레이트, 예컨대 알킬렌 글리콜 포스페이트의 아크릴레이트, 글리시딜 아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸 아크릴레이트, 알킬, 시클로알킬, 알케닐 또는 아릴 메타크릴레이트, 예컨대 메틸 메타크릴레이트 (MMA), 라우릴, 시클로헥실, 알릴, 페닐 또는 나프틸, 에테르-알킬 메타크릴레이트, 예컨대 2-에톡시에틸 메타크릴레이트, 알콕시- 또는 아릴옥시-폴리알킬렌 글리콜 메타크릴레이트, 예컨대 메톡시폴리에틸렌 글리콜 메타크릴레이트, 에톡시폴리에틸렌 글리콜 메타크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌 글리콜 메타크릴레이트, 메톡시-폴리에틸렌 글리콜-폴리프로필렌 글리콜 메타크릴레이트 또는 이들의 블렌드들, 아미노알킬 메타크릴레이트, 예컨대 2-(디메틸아미노)에틸 메타크릴레이트 (DMAEMA), 불소화된 메타크릴레이트, 예컨대 2,2,2-트리플루오로에틸 메타크릴레이트, 실릴화된 메타크릴레이트, 예컨대 3-메타크릴로일프로필트리메틸실란, 인 함유 메타크릴레이트, 예컨대 알킬렌 글리콜 포스페이트의 메타크릴레이트, 히드록시-에틸이미다졸리돈 메타크릴레이트, 히드록시-에틸이미다졸리디논 메타크릴레이트, 2-(2-옥소-1-이미다졸리디닐)에티닐 메타크릴레이트, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 또는 치환된 아크릴아미드, 4-아크릴로일모르폴린, N-메틸올아크릴아미드, 메타크릴아미드 또는 치환된 메타크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, 메타크릴아미도-프로필트리메틸 암모늄 클로라이드 (MAPTAC), 글리시딜 메타크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸 아크릴레이트, 말레산 무수물, 알킬 또는 알콕시- 또는 아릴옥시-폴리알킬렌 글리콜 말레에이트 또는 헤미말레이트, 비닐피리딘, 비닐피롤리디논, (알콕시)폴리(알킬렌 글리콜) 비닐 에테르 또는 디비닐 에테르, 예컨대 메톡시 폴리(에틸렌 글리콜) 비닐 에테르, 폴리(에틸렌 글리콜) 디비닐 에테르, 올레핀계 단량체 (그 중에서 에틸렌, 부텐, 헥센 및 1-옥텐을 들 수 있음), 디엔 단량체 (부타디엔, 이소프렌, 그리고 불소화된 올레핀계 중합체들을 포함), 그리고 비닐리덴 단량체들 (그 중에서도 필요에 따라 단독으로 또는 상기 언급된 적어도 2개의 단량체와 혼합되어 음이온성 중합 방법과 양립가능하도록 보호되는, 비닐리덴 플루오라이드, 락톤, 락티드, 글리콜리드, 시클릭 카보네이트, 실록산을 들 수 있음) 중에서 선택된다.
합성의 대안의 실시형태에 따르면, 블록 공중합체들은 음이온성 중합에 의해 조제되고 중합체들은 제어된 라디칼 중합에 의해 조제될 것이다.
본 발명에서 사용되는 블록 공중합체들은 각각 다음의 특성들을 갖는다:
500 g/mol 내지 500000 g/mol, 바람직하게는 20000 g/mol 내지 150000 g/mol의 수 평균 분자량, 및 1 내지 3, 바람직하게는 1 내지 2의 분산 지수.
본 발명에서 사용되는 중합체들은 각각 다음의 특성들을 갖는다:
500 g/mol 내지 500000 g/mol, 바람직하게는 20000 g/mol 내지 150000 g/mol의 수 평균 분자량, 및 3 아래의 분산 지수.
블록 공중합체들 대 중합체들의 중량비는 99/1 내지 1/99, 바람직하게는 97/03 내지 03/97, 더욱 바람직하게는 97/03 내지 55/45, 이상적으로는 95/05 내지 60/40이다.
중합체와 혼합된 블록 공중합체를 사용하는 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 중합체의 블록 공중합체에 대한 수 평균 분자량의 비는 0.2와 4 사이, 바람직하게는 1과 3 사이, 보다 바람직하게는 1과 2 사이이다.
본 발명은 특히 리소그래피 마스크 또는 막뿐만 아니라 얻어진 마스크 및 막을 제조하기 위한 본 발명에 따른 방법의 용도에 관한 것이다.
그러나, 리소그래피의 경우, 요구되는 구조화 (예를 들어, 표면에 수직인 도메인의 생성) 는 표면 에너지를 제어하기 위해 중합체 블렌드가 데포짓되는 표면의 준비를 필요로 한다. 공지된 가능성 중에서, 랜덤 공중합체가 표면 상에 데포짓되며, 그 단량체는 데포짓될 블록 공중합체에 사용된 것들과 완전히 또는 부분적으로 동일할 수 있다. 선구자인 Mansky et al. (Science, 275권, 페이지 1458-1460, 1997이들의 염서는 당업자에게 이제 익숙한 이 기술의 좋은 설명을 제공한다.
바람직한 표면 중에서 우리는 규소로 이루어지는 표면을 들 수 있고, 이 규소는 네이티브 층 또는 열 산화물, 게르마늄, 백금, 텅스텐, 금, 티타늄 질화물, 그라핀, BARC (Bottom Anti-Reflective Coating) 의 층 또는 리소그래피에서 사용되는 임의의 다른 반사 방지층을 갖는다.
일단 표면이 제조되면, 블록 공중합체들의 블렌드의 용액을 데포짓시킨 다음, 당업자에게 공지된 기술, 예를 들어 "스핀-코팅", "닥터 블레이드", "나이프 시스템", "슬롯 다이 시스템" 기술을 사용하지만, 건조 데포지션과 같은 임의의 다른 기술이, 즉 사전 용해없이 사용될 수 있다.
다음, 열 처리 또는 용매 기상 처리 (어닐링) 가 실행되거나, 또는 두 처리의 조합, 또는 블록 공중합체의 블렌드를 정확하게 조직화 (나노구조화의 확립) 할 수 있는 당업자에 의해 공지된 임의의 다른 처리가 실행된다.
이러한 가이드가 화학적 가이드 타입 ("화학적-에피택시에 의한 가이드"로 불림) 이든 또는 물리적/토포그래픽 가이드 ("그래포에피택시에 의한 가이드"로 불림) 이든 간에, 표면은 "프리 (free)" (토포그래픽하게 및 화학적으로 모두 평평하고 균질한 표면) 로 칭해질 수 있거나 또는 블록 공중합체의 "패턴" 가이드 구조들을 가질 수 있다.
다음 예들은 본 발명의 범주를 예시하지만 제한하지 않는다:
이러한 블록 공중합체들은 EP0749987, EP0749987 및 EP0524054에 기술된 프로토콜에 따라 조제된 PS-b-PMMA 공중합체이며, 합성 말기의 비-용매에서의 침전에 의한 해당 블록 공중합체가 회수되며, 예를 들어 시클로헥산/헵탄의 80/20 부피 혼합물이다. 중합체는 동일한 프로토콜에 따라 조제된 PS의 호모중합체이며, 제 2 단계 (PMMA) 는 실행되지 않는다; 리빙 PS는 메탄올/염산 혼합물 또는 임의의 다른 양성자 도너를 첨가함으로써 비활성화된다.
이들은 다음의 특성을 갖는다:
Figure 112017023466115-pct00001
수 평균 분자량 (Mn) 에 대한 중량 평균 분자량 (Mw) 의 비에 해당하는 분자량 및 분산성은, 2개의 AGILENT 3㎛ ResiPore 컬럼을 직렬로 사용하여, 1 g/L로 농축된 샘플을 갖는 40℃에서 1 mL/min의 유속으로 BHT로 안정화된 THF의 매체에서, Easical PS-2 제조된 팩을 이용하여 폴리스티렌의 교정된 샘플들로 사전에 교정된, SEC (Size Exclusion Chromatography) 에 의해 획득된다.
PS/PMMA 중량비는 PS의 5 방향족 양성자와 PMMA의 메톡시의 3 양성자를 통합하여 Bruker 400 기기에서 양성자 NMR에 의해 얻어진다.
본 발명은 또한 다른 블록 공중합체 및 일부 다른 기원의 다른 PS를 사용하여 실행될 수도 있다.
예 1:
표면 상의 용액들의 데포지션이 다음과 같이 실행된다:
표면 준비, SiO2 상의 그래프팅:
규소판 (결정학적 배향 {100}) 을 수작업으로 3x4cm 조각으로 절단하고 15분 동안 H2SO4/H2O2 2:1 (v:v) 로 처리하여 세정한 후, 탈이온수로 린싱하고, 그리고 관능화 바로 전에 질소 스트림 하에서 건조시킨다. 나머지 과정은 Mansky et al. (Science, 1997, 1458) 에 의해 기재된 것과 같으며, 단지 하나의 변형예 (어닐링은 주위 대기하에서 실행되며 진공하에서 실행되지 않음) 를 갖는다. 표면을 중화하기 위한, WO20121400383의 예 1 및 예 2 (공중합체 10) 에 기재된 프로토콜에 따라, NMP 기술을 사용하여 제어된 라디칼 중합에 의해 조제된, 분자량 10,000g/mol 및 PS/PMMA 비가 74/26인 PS-r-PMMA 랜덤 공중합체를 톨루엔에 용해시켜 1.5 중량%의 용액을 얻는다. 이 용액을 새롭게 세정된 웨이퍼 상에 수작업으로 디스펜싱한 다음, 약 700 rev/min으로 스핀-코팅으로 스프레딩하여 약 40nm 두께의 막을 얻는다. 다음, 주위 대기하에서 가변 시간 동안 미리 원하는 온도로 가열된 가열판 상에 기판을 단순히 데포짓한다. 다음, 표면으로부터 비그래프트된 중합체를 제거하기 위해 기판을 몇 분 동안 수개의 톨루엔 배쓰에서 초음파 처리하여 세척한 다음, 질소 스트림하에서 건조시킨다. 이 과정에 걸쳐, 톨루엔 대신에 PGMEA를 사용하는 것도 가능하다는 점에 유의해야 한다.
중화에 적합한 스티렌 및 MMA의 조성물이 선택된다면 임의의 다른 공중합체를, 통상적으로 만스키 (Mansky) 에 의해 사용되는 P(MMA-co-스티렌) 랜덤 공중합체를 사용할 수 있다.
다음, 블록 공중합체 또는 블록 공중합체와 중합체의 혼합물 (프로필렌 글리콜-모노메틸 에테르 아세테이트 중 1 wt%) 의 용액을 이전에 처리된 표면 상에 "스핀-코팅"에 의해 데포짓시킨 후 열 어닐링을 230℃에서 용매를 증발시키고 모르폴로지가 확립될 시간을 주기 위해 적어도 5분 동안 실행한다.
이것은 블록 공중합체 또는 블록 공중합체의 블렌드의 막의 두께가 40nm인 방식으로 실행된다. 통상적으로, 데포짓될 용액 (PGMEA에서 1%) 은 700 rev/min으로 스핀 코팅함으로써 2.7 X 2.7 cm 표본에 데포짓된다.
막 두께의 측정은 Prometrix UV1280 엘립소미터에서 수행된다.
다음 블렌드가 고려된다:
샘플들: 13P16CL2, 13P13CG3
모든 블록 공중합체/호모중합체 블렌드들은 9/1의 중량비를 갖는다.
Figure 112017023466115-pct00002
도 1은 중합체의 수 평균 분자량 대 블록 공중합체의 수 평균 분자량의 비의 함수로서 검출된 실린더들의 개수 중 배위 수의 결함들의 백분율을 나타낸다. 블록 공중합체와 중합체의 블렌드는 배위 수의 결함이 적고, 중합체의 수 평균 분자량 대 블록 공중합체의 수 평균 분자량의 비에 대해 1과 2 사이의 최적값이 관찰된다는 것을 알 수 있다.

Claims (23)

  1. 블록 공중합체/중합체 블렌드의 막 형태로 나노구조화된 어셈블리의 CDU (Critical Dimension Uniformity) 를 개선하여 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법으로서,
    상기 블렌드는 n개의 블록 공중합체들 및 상기 블록 공중합체들의 하나의 블록 또는 다른 블록에 존재하는 것들과 동일한 적어도 하나의 단량체를 포함하는 m개의 중합체들을 포함하며,
    상기 중합체의 상기 블록 공중합체에 대한 수 평균 분자량들의 비가 1과 2 사이이며,
    - 용매 중에 블록 공중합체들 및 중합체들을 포함하는 혼합물의 단계,
    - 이 혼합물의 표면 상으로의 데포지션의 단계,
    - 어닐링의 단계를 포함하는, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    n은 1이고 m은 1인, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 블록 공중합체는 디블록 공중합체인, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 중합체는 랜덤 공중합체인, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 중합체는 메틸 메타크릴레이트를 포함하는 공중합체인, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 중합체가 스티렌을 포함하는 공중합체인, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 공중합체는 PS 호모중합체인, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 블록 공중합체들은 상기 블록들 중 하나의 블록에 메타크릴계 단량체를 포함하고 상기 다른 블록에 스티렌 단량체를 포함하는, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 블록 공중합체는 PS-PMMA 공중합체인, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 블록 공중합체들의 수 평균 분자량들은 500 내지 500000 g/mol 인, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    블록 공중합체들 대 중합체들의 중량비는 99/1 내지 1/99 인, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 블록 공중합체들은 제어된 라디칼 중합에 의해 조제되는, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 중합체들은 제어된 라디칼 중합에 의해 조제되는, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    니트록시드-제어된 라디칼 중합이 실행되는, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    라디칼 중합이 실행되고, N-tert-부틸-1-디에틸포스포노-2,2-디메틸프로필 니트록시드에 의해 제어되는, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 블록 공중합체들 및 상기 중합체들은 음이온성 중합에 의해 조제되는, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 블록 공중합체들은 음이온성 중합에 의해 조제되고 상기 중합체들은 제어된 라디칼 중합에 의해 조제되는, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 막의 두께는 40 nm 이상인, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  19. 삭제
  20. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면은 프리 (free) 인, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  21. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면은 가이드되는, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  22. 제 1 항 내지 제 18 항, 제 20 항 및 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
    리소그래피 마스크들 또는 막들을 제조하기 위해 이용되는, 큰 단결정 표면들 상에서의 배향성, 배위 수 또는 거리의 결함들의 레벨을 제어하는 방법.
  23. 제 22 항에 따라 얻어진 리소그래피 마스크 또는 막.
KR1020177006580A 2014-09-10 2015-09-09 블록 공중합체들 및 중합체들의 혼합물들에 의해 얻어진 막들의 결함율을 제어하는 방법 KR101941382B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1458477A FR3025616A1 (fr) 2014-09-10 2014-09-10 Procede de controle du taux de defauts dans des films obtenus avec des melanges de copolymeres a blocs et de polymeres
FR14.58477 2014-09-10
PCT/FR2015/052389 WO2016038298A1 (fr) 2014-09-10 2015-09-09 Procede de controle du taux de defauts dans des films obtenus avec des melanges de copolymeres a blocs et de polymeres

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170042666A KR20170042666A (ko) 2017-04-19
KR101941382B1 true KR101941382B1 (ko) 2019-01-22

Family

ID=51726818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177006580A KR101941382B1 (ko) 2014-09-10 2015-09-09 블록 공중합체들 및 중합체들의 혼합물들에 의해 얻어진 막들의 결함율을 제어하는 방법

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20170307973A1 (ko)
EP (1) EP3191894A1 (ko)
JP (1) JP6628791B2 (ko)
KR (1) KR101941382B1 (ko)
CN (1) CN106687862B (ko)
FR (1) FR3025616A1 (ko)
SG (1) SG11201701876XA (ko)
TW (1) TWI593724B (ko)
WO (1) WO2016038298A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3051964B1 (fr) * 2016-05-27 2018-11-09 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de formation d’un motif de guidage fonctionnalise pour un procede de grapho-epitaxie

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2843394B1 (fr) * 2002-08-07 2005-12-30 Atofina Alcoxyamines issues de nitroxydes b-phosphore, leur utilisation en polymerisation radicalaire
US8133534B2 (en) * 2004-11-22 2012-03-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Methods and compositions for forming patterns with isolated or discrete features using block copolymer materials
JP5136999B2 (ja) * 2005-11-18 2013-02-06 国立大学法人京都大学 パターン基板の製造方法、パターン転写体、磁気記録用パターン媒体、及び高分子薄膜
US20080312377A1 (en) * 2005-12-16 2008-12-18 Arkema, Inc. Low Surface Energy Block Copolymer Preparation Methods and Applications
JP2008239861A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Asahi Kasei Chemicals Corp 水素添加スチレン系樹脂組成物
US8404124B2 (en) * 2007-06-12 2013-03-26 Micron Technology, Inc. Alternating self-assembling morphologies of diblock copolymers controlled by variations in surfaces
KR101865314B1 (ko) * 2010-03-18 2018-06-08 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 블록 공중합체의 정렬을 위한 표면 처리
US20120135159A1 (en) * 2010-11-30 2012-05-31 Seagate Technology Llc System and method for imprint-guided block copolymer nano-patterning
FR2983773B1 (fr) * 2011-12-09 2014-10-24 Arkema France Procede de preparation de surfaces
JP5891075B2 (ja) * 2012-03-08 2016-03-22 東京応化工業株式会社 ブロックコポリマー含有組成物及びパターンの縮小方法
JP2013235187A (ja) * 2012-05-10 2013-11-21 Asahi Kasei E-Materials Corp ホールシュリンク用樹脂組成物
US9012545B2 (en) * 2012-08-31 2015-04-21 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Composition and method for preparing pattern on a substrate
US8822616B1 (en) * 2013-02-08 2014-09-02 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Block copolymer formulation and methods relating thereto
FR3008986B1 (fr) * 2013-07-25 2016-12-30 Arkema France Procede de controle de la periode caracterisant la morphologie obtenue a partir d'un melange de copolymere a blocs et de (co) polymeres de l'un des blocs

Also Published As

Publication number Publication date
SG11201701876XA (en) 2017-04-27
TWI593724B (zh) 2017-08-01
JP6628791B2 (ja) 2020-01-15
KR20170042666A (ko) 2017-04-19
CN106687862B (zh) 2020-12-22
US20170307973A1 (en) 2017-10-26
WO2016038298A1 (fr) 2016-03-17
FR3025616A1 (fr) 2016-03-11
EP3191894A1 (fr) 2017-07-19
TW201623382A (zh) 2016-07-01
CN106687862A (zh) 2017-05-17
JP2017528566A (ja) 2017-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9527108B2 (en) Method for preparing surfaces
KR101540883B1 (ko) 블록 공중합체 및 블록 중 하나의 (공)중합체의 배합물에서 수득한 형태를 특정화하는 구간을 제어하는 방법
EP2845887B1 (en) Process for controlling the period of a nanostructured assemblage comprising a blend of block copolymers
JP6199263B2 (ja) ブロックコポリマー組成物から得られる厚いナノ構造フィルムを製造するための方法
US20140127418A1 (en) Method for preparing surfaces
KR20160040579A (ko) 블락 공중합체의 블락 각각에 존재하는 것들과 적어도 부분적으로 상이한 단량체의, 통계 또는 구배 공중합체를 이용한, 블락 공중합체의 나노도메인 수직배향 방법
US20180371145A1 (en) Process for improving the critical dimension uniformity of ordered films of block copolymer
US20180364562A1 (en) Process for obtaining thick ordered films with increased periods comprising a block copolymer
KR101941382B1 (ko) 블록 공중합체들 및 중합체들의 혼합물들에 의해 얻어진 막들의 결함율을 제어하는 방법
KR20160058738A (ko) 블록 공중합체의 혼련물을 포함하는 나노구조의 집합체의 간격 조절 방법
EP2829567B1 (en) Process for controlling the period characterizing the morphology obtained from a blend of block copolymers and of (co) polymers of one of the blocks
KR20170118742A (ko) 블록 공중합체로 제조된 질서화된 필름의 결함을 감소시키는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant