JP2018512731A - ハロゲン系前駆体から金属配線を保護するための方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図5に記載された処理チャンバを用いて、以下の実施例が実行され得る。導電層の上に形成された炭素含有酸化ケイ素層を有する基板が、一実施形態に係る配線を形成するために使用される。この実施例における導電層は、銅から作製される。炭素含有酸化ケイ素層の上面から銅層の上面まで、炭素含有酸化ケイ素層を通してビアがエッチングされ、銅層が露出させられる。ロボットは、ガス抜きのために基板をロードロックチャンバから第1の処理チャンバへと動かす。ガス抜き処理の後、ロボットは、予洗浄処理のために基板をガス抜きチャンバから第2の処理チャンバへと動かす。ガス抜き及び予洗浄処理は、基板を任意の自然酸化物から確実に自由にする。
図5に記載された処理チャンバを用いて、以下の実施例が実行され得る。導電層の上に形成された炭素含有酸化ケイ素層を有する基板が、一実施形態に係る配線を形成するために使用される。この実施例における導電層は、銅から作製される。炭素含有酸化ケイ素層の上面から銅層の上面まで、炭素含有酸化ケイ素層を通してビアがエッチングされ、銅層が露出させられる。ロボットは、ガス抜きのために基板をロードロックチャンバから第1の処理チャンバへと動かす。ガス抜き処理が完了した後、ロボットは、予洗浄処理のために基板をガス抜きチャンバから第2の処理チャンバへと動かす。ガス抜き及び予洗浄処理は、基板を任意の自然酸化物から確実に自由にする。
図5に記載された処理チャンバを用いて、以下の実施例が実行され得る。導電層の上に形成された炭素含有酸化ケイ素層を有する基板が、一実施形態に係る配線を形成するために使用される。この実施例における導電層は、コバルトから作製される。炭素含有酸化ケイ素層の上面からコバルト層の上面まで、炭素含有酸化ケイ素層を通してビアがエッチングされ、コバルト層が露出させられる。ロボットは、ガス抜きのために基板をロードロックチャンバから第1の処理チャンバへと動かす。ガス抜き処理が完了した後、ロボットは、予洗浄処理のために基板をガス抜きチャンバから第2の処理チャンバへと動かす。ガス抜き及び予洗浄処理は、基板を任意の自然酸化物から確実に自由にする。
図5に記載された処理チャンバを用いて、以下の実施例が実行され得る。導電層の上に形成された炭素含有酸化ケイ素層を有する基板が、一実施形態に係る配線を形成するために使用される。この実施例における導電層は、銅である。炭素含有酸化ケイ素層の上面から銅層の上面まで、炭素含有酸化ケイ素層を通してビアがエッチングされ、銅層が露出させられる。ロボットは、ガス抜きのために基板をロードロックチャンバから第1の処理チャンバへと動かす。ガス抜き処理が完了した後、ロボットは、予洗浄処理のために基板をガス抜きチャンバから第2の処理チャンバへと動かす。ガス抜き及び予洗浄処理は、基板を任意の自然酸化物から確実に自由にする。
図5に記載された処理チャンバを用いて、以下の実施例が実行され得る。導電層の上に形成された炭素含有酸化ケイ素層を有する基板が、一実施形態に係る配線を形成するために使用される。この実施例における導電層は、銅である。炭素含有酸化ケイ素層の上面から銅層の上面まで、炭素含有酸化ケイ素層を通してビアがエッチングされ、銅層が露出させられる。ロボットは、ガス抜きのために基板をロードロックチャンバから第1の処理チャンバへと動かす。ガス抜き処理が完了した後、ロボットは、予洗浄処理のために基板をガス抜きチャンバから第2の処理チャンバへと動かす。ガス抜き及び予洗浄処理は、基板を任意の自然酸化物から確実に自由にする。
図5に記載された処理チャンバを用いて、以下の実施例が実行され得る。導電層の上に形成された炭素含有酸化ケイ素層を有する基板が、一実施形態に係る配線を形成するために使用される。この実施例における導電層は、コバルトである。炭素含有酸化ケイ素層の上面からコバルト層の上面まで、炭素含有酸化ケイ素層を通してビアがエッチングされ、コバルト層が露出させられる。ロボットは、ガス抜きのために基板をロードロックチャンバから第1の処理チャンバへと動かす。ガス抜き処理が完了した後、ロボットは、予洗浄処理のために基板をガス抜きチャンバから第2の処理チャンバへと動かす。ガス抜き及び予洗浄処理は、基板を任意の自然酸化物から確実に自由にする。
Claims (15)
- 基板上の配線であって、
誘電材料を通して露出された第1の金属層上に形成された保護層であって、前記保護層が、前記誘電材料上に形成され、ハロゲン系前駆体に対して耐性がある、保護層、
前記保護層上に形成されたバリア層、及び
前記バリア層の上に堆積された第2の金属層
を含む配線。 - 前記保護層上に形成されたライナ層をさらに含む、請求項1に記載の配線。
- 前記保護層がルテニウムを含む、請求項1に記載の配線。
- 前記第2の金属層がトレンチ又はビアを充填する、請求項3に記載の配線。
- 前記保護層が窒化チタンを含む、請求項1に記載の配線。
- 前記第2の金属層がトレンチ又はビアを充填する、請求項5に記載の配線。
- 前記保護層が、ルテニウム、窒化チタン、窒化タンタル、又は窒化ルテニウムチタンのうちの1つを含む、請求項1に記載の配線。
- 基板上に配線を形成する方法であって、
誘電材料を通して露出された第1の金属層上に保護層を形成することであって、前記保護層が、前記誘電材料上に形成され、ハロゲン系前駆体に対して耐性がある、形成することと、
前記保護層上にバリア層を形成することと、
前記バリア層の上に第2の金属層を堆積することと
を含む方法。 - 基板上に配線を形成する方法であって、
誘電材料を通して露出された第1の金属層上に保護層を選択的に形成することであって、前記保護層が、ハロゲン系前駆体に対して耐性がある、選択的に形成することと、
前記保護層上にバリア層を形成することと、
前記バリア層の上に第2の金属層を堆積することと
を含む方法。 - 前記バリア層の上にライナ層を堆積することをさらに含む、請求項8又は9に記載の方法。
- 前記保護層がルテニウムを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記バリア層が、塩素系前駆体を用いて堆積される、請求項11に記載の方法。
- 前記保護層が窒化チタンを含む、請求項8又は9に記載の方法。
- 前記バリア層が、フッ素系前駆体を用いて堆積される、請求項13に記載の方法。
- 前記保護層が、ルテニウム、窒化チタン、窒化タンタル、又は窒化ルテニウムチタンのうちの1つから作製される、請求項8又は9に記載の方法。
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