TWI564422B - 釕薄膜的化學氣相沉積及其應用 - Google Patents

釕薄膜的化學氣相沉積及其應用 Download PDF

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Description

釕薄膜的化學氣相沉積及其應用
本發明實施例大體係關於處理基板之方法，更具體言之，係關於沉積含釕薄膜之方法。
隨著元件節點(如尺寸接近22 nm或更小)越來越小，製造挑戰變得愈加明顯。舉例而言，在充填開口前沉積(例如，經由電鍍)於該開口中以形成互連結構之典型材料的阻障層和晶種層的合並厚度可導致電鍍製程的效率降低、製程的產量及/或產率降低等等之問題。
(例如)由化學氣相沉積(CVD)法所沉積的釕已經成為非常有希望的作為銅互連之晶種層的候選。然而，釕自身不能作為銅阻障層，在釕沉積前仍然需要諸如TaN/Ta等阻障層。
遺憾的是，釕的沉積具有較大難度。舉例而言，沉積可包括諸如沉積率低、階梯覆蓋弱、電阻係數高及對阻障層的附著力弱等限制。盡管已報告的一些釕沉積技術可滿足 一些此類需求，但仍未開發出可滿足所有此類需求的令人滿意的製程。舉例而言，利用一些釕前驅物之化學氣相沉積(CVD)已經顯示出良好的層電阻係數，但附著力、沉積率及階梯覆蓋均較弱，因此不足以用於元件應用。
因此，本發明發明人已經提供了形成含釕層之改良型方法。
本發明揭示用於沉積含釕薄膜之方法。在一些實施例中，一種於基板上沉積含釕薄膜之方法可包括：利用含釕前驅物於基板上沉積含釕薄膜，沉積的含釕薄膜中納入有碳；以及使沉積的含釕層曝露於含氫氣體，以自沉積的含釕薄膜中去除至少一些碳。在一些實施例中，曝露於含氫氣體之含釕薄膜可隨後曝露於含氧氣體，以達成下列至少一項：至少自含釕薄膜中去除一些碳；向含釕薄膜中加入氧。在一些實施例中，可重複實施沉積及曝露於含氫氣體及(視需要)含氧氣體，以便沉積含釕薄膜至所需厚度。
下文闡述本發明其他及進一步的實施例。
100‧‧‧方法
102‧‧‧步驟
104‧‧‧步驟
106‧‧‧步驟
108‧‧‧步驟
200‧‧‧基板
202‧‧‧開口
204‧‧‧第一表面
206‧‧‧第二表面
208‧‧‧底面
210‧‧‧側壁
212‧‧‧第一介電層
214‧‧‧第二介電層
215‧‧‧阻障層
216‧‧‧上表面
218‧‧‧第二基板
220‧‧‧導電材料/材料
224‧‧‧含釕薄膜
226‧‧‧導電材料
300‧‧‧整合工具/工具
302‧‧‧系統控制器
303‧‧‧傳送腔室
304‧‧‧工廠介面
305A‧‧‧前端開口晶圓傳送盒
305B‧‧‧前端開口晶圓傳送盒
305C‧‧‧前端開口晶圓傳送盒
305D‧‧‧前端開口晶圓傳送盒
306A‧‧‧裝載閘腔室
306B‧‧‧裝載閘腔室
307‧‧‧銜接站
314A‧‧‧處理腔室
314B‧‧‧處理腔室
314C‧‧‧處理腔室
314D‧‧‧處理腔室
316A‧‧‧服務腔室
316B‧‧‧服務腔室
321‧‧‧基板
330‧‧‧中央處理器
332‧‧‧支援電路
334‧‧‧記憶體
338‧‧‧工廠介面機器人
上文已簡單概述本發明實施例，且下文亦將對本發明加以詳細闡述，藉由參考附圖中圖示之說明性實施例可清楚地瞭解本發明實施例。但應瞭解，此等附圖僅圖示本發明典型實施例，故不應認為對本發明範圍加以限制，因為本發 明亦可允許其他等效實施例。
第1圖為流程圖，該圖圖示根據本發明一些實施例沉積含釕薄膜之方法。
第2A-2C圖為側面剖面圖，該圖圖示根據本發明一些實施例於基板上形成互連結構之階段。
第3圖圖示適於實施根據本發明一些實施例處理基板之方法的叢集工具。
為方便理解，在可能的情況下，已採用相同元件符號來標示諸圖中共有之相同元件。該等圖形並非按比例繪制，並為清楚起看而進行了簡化。本發明涵蓋一實施例之元件及特徵便可有益地納入其他實施例中而無須贅述。
本發明揭示沉積含釕薄膜之方法。本發明方法可有利地使待沉積含釕薄膜具有與習知沉積含釕薄膜方法相比改進的以下一或更多項：電阻係數、附著力、沉積率或階梯覆蓋。在一些實施例中，含釕薄膜可沉積為具有適用於元件應用的以下一或更多項：電阻係數、附著力、沉積率或階梯覆蓋。示例性元件應用可包括互連結構，如通孔、溝槽等等，該等結構具有由本文揭示之本發明方法形成的一或更多層含釕薄膜。在一些實施例中，含釕薄膜可為較大元件之部分，該等元件包括但不限於動態隨機存取記憶體(DRAM)、電容器電極等等。
第1圖為流程圖，該圖圖示根據本發明一些實施例 沉積含釕薄膜之方法100。下文將參照第2A-2C圖圖示之第一層含釕薄膜的製造階段描述方法100。由本文揭示之任何方法形成的含釕薄膜之沉積可在配置用於化學氣相沉積(CVD)之處理腔室中執行。CVD腔室可為經配置以執行本發明揭示之方法的任何適宜CVD腔室。舉例而言，CVD腔室可為獨立的處理腔室或叢集工具的一部分，諸如可自加利福尼亞州聖塔克拉拉縣應用材料公司購得之CENTURA®、PRODUCER®或ENDURA®叢集工具中之一者。方法100可完全在單個腔室中執行，亦可在多個腔室中執行。
根據本發明一些實施例，方法100可說明性地在具有開口202的基板200上執行，如第2A圖所圖示。開口202可形成於基板200之第一表面204中，並朝著基板200之相對的第二表面206延伸入基板200。基板200可為開口形成於基板內之任何適宜基板。舉例而言，基板200可包括以下一或更多項：介電材料、矽、金屬等等。此外，基板200可包括額外的材料層，或可具有形成於基板內或基板上之一或更多個完成的或部分完成的結構。舉例而言，基板200可包括諸如二氧化矽、低介電常數材料等之第一介電層212，且開口202可形成於第一介電層212內。在一些實施例中，第一介電層212可設置於諸如二氧化矽、氮化矽、碳化矽等等之第二介電層214頂上。導電材料(例如220)可設置於第二介電層214內並可與開口202對齊，使得開口202在充滿導電材料時提供進出導電材料220之電氣路徑。舉例而言，導電材料220可為與互聯耦合的接線或通孔的部分。
開口202可為任何開口，如通孔、溝槽、雙鑲嵌結構等等。在一些實施例中，開口202之深寬比(高比寬)至少為約5：1(如較高深寬比)。舉例而言，在一些實施例中，深寬比可為約10：1或更大，例如約15：1。開口202可由使用任何適宜蝕刻製程蝕刻基板來形成。開口202包括底面208及側壁210。
在一些實施例中，如下文所述沉積金屬原子前，側壁210可由一或更多層覆蓋。舉例而言，開口202之側壁210及底面208可由諸如包含以下中之一或更多項之阻障層215覆蓋：鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、二氧化矽(SiO2)、碳氮化矽、碳氧化矽(SiOC)等等。阻障層215可沉積或生長於如化學氣相沉積(CVD)腔室或適宜氧化腔室內。阻障層215可作為基板與隨後沉積於開口的一或更多個晶種層或阻障層材料之間的電子及/或物理阻障層，及/或用作下文討論之沉積製程中比基板天然表面更適於吸附的表面。阻障層215之厚度可為約5至約30埃。在一些實施例中，阻障層215之厚度可為約15埃。
在一些實施例中，且如第2A-C圖中虛線所示，開口202可完全貫穿基板200，且第二基板218之上表面216可形成開口202之底面208。第二基板218可設置為鄰接基板200之第二表面206。此外(亦由虛線所示)，例如作為諸如邏輯元件等等之元件的部分或作為通往需要電氣連接性之元件的電氣路徑(諸如閘極、接觸墊、導電接線或通孔等等)之部分的導電材料(如220)可設置於第二基板218之上表面216內並與開口202對齊。在一些實施例中，與開口202對齊 之導電材料220可包含銅。
方法100開始於步驟102，此時含釕薄膜224可沉積於基板200上之第一介電層212之開口內，如第2B圖圖示。在一些實施例中，含釕薄膜224包含原子百分比為約70%至約98%的釕，或原子百分比大於約80%的釕)。
此外，含釕薄膜224內有最初沉積時包含在薄膜內的碳(C)。舉例而言，含釕薄膜224可包括原子百分比約為20%的碳，或原子百分比為約2%至約30%的碳，或在一些實施例中，原子百分比為約2%至約20%的碳。在一些實施例中，最初沉積的含釕薄膜224中之高碳含量可歸因於含碳前驅物以及約60埃/分鐘或更大之高沉積率，或約10至約100埃/分鐘之沉積率。
最初沉積的含釕薄膜224中之高碳含量可導致形成具有非晶形態的層。此外，高碳含量可導致形成具有光滑表面及/或均勻厚度的層。由於高碳含量，最初沉積的含釕薄膜224可具有較高的電阻係數。在一些實施例中，最初沉積的含釕薄膜224之電阻係數可為約100至約200微歐-公分(μΩ-cm)。最初沉積的含釕薄膜224例如在溝槽、通孔或其他高深寬比結構內可具有良好的階梯覆蓋。在一些實施例中，階梯覆蓋可為約95%或更多，或約60%至約99%。如本文所用，階梯覆蓋被定義為沉積於結構側壁上之材料的最小厚度與沉積於場(如基板之上表面)上之材料厚度之比。
可用於沉積如上所述之含釕薄膜224的化學前驅物可包括有機金屬前驅物。在一些實施例中，前驅物可包括二 甲基-丁二烯-釕、環己二烯-釕-三羰基(C6H8--Ru(CO)3)、丁二烯-釕-三羰基(C4H6-Ru(CO)3)、二甲基丁二烯-釕-三羰基((CH3)2-C4H4-Ru-CO)3)或具三羰基釕(Ru(CO)3)的改質二烯。每一前驅物均可有液體形式，並可在起泡器中提供，載體氣體透過該起泡器將前驅物帶入處理腔室。載體氣體可為任何相容惰性氣體，諸如氮，或為鈍氣，如氬、氦等等。提供載體氣體之體積流量可為約100至約1000sccm，或約300至約700sccm。可將前驅物以約1至約50sccm之速率輸送至腔室。
在步驟102處沉積含釕薄膜224期間，腔室內溫度或基板溫度可為約150至約300攝氏度，或為約200至約250攝氏度。腔室內壓力可為約3至約10托，或為約1至約30托。在進行至如下文討論之處理含釕薄膜224以在步驟104中降低碳含量或在步驟106中降低氧含量前，可執行步驟102之沉積製程長達適宜提供含釕薄膜224之所需厚度之第一時間段。在一些實施例中，在步驟102中含釕薄膜224可沉積為範圍自約5至約50埃之所需厚度。或者，如下文步驟108中所討論，含釕薄膜224可藉由按順序重複方法100沉積至所需厚度，例如重複步驟102及104，或重複步驟102、104及106直至達到含釕薄膜224之所需厚度。
在104中，沉積的含釕薄膜224可曝露於含氫氣體，以將至少一些碳(C)從沉積的含釕薄膜224上去除，如第2B圖圖示。曝露於含氫氣體可有利地將碳從沉積的含釕薄膜224上去除，並改進含釕薄膜224之結晶性，而不會實質劣化沉積的含釕薄膜224之表面形態及/或厚度均勻性。
沉積的含釕薄膜224可在用於沉積含釕薄膜224之同一CVD腔室內曝露於含氫氣體，或在經配置以提供含氫氣體之不同腔室(如熱氧化腔室、快熱製程(RTP)腔室、除氣腔室等等配置進行退火之腔室)曝露於含氫氣體。提供含氫氣體之體積流量的範圍可為約500至約1000 sccm。含釕薄膜224可在第二時段曝露於含氫氣體。第二時段持續時間可端視步驟102中沉積的含釕薄膜224之厚度而定。在一些實施例中，第二時段持續時間的範圍可為約1至約10分鐘，或約5分鐘，或約少於2分鐘，如約60至約300秒之間。
含釕薄膜224可曝露於含氫氣體之壓力及溫度可與上文步驟102揭示之沉積含釕薄膜224時相同。舉例而言，在一些實施例中，基板溫度範圍可為約攝氏200至約400度，或為約攝氏250度，或為約攝氏300度。在一些實施例中，曝露於含氫氣體過程中，處理腔室內壓力可為約2至約30托。
含氫氣體可包括下列一或更多項：氫(H2)、HCOOH、氫(H)自由基、或氫(H2)電漿。在一些實施例中，含氫氣體可為氫(H2)。步驟104中將碳從含釕薄膜224去除可改善層內電阻係數。舉例而言，在一些實施例中，將碳去除後，含釕薄膜224之電阻係數可降低至約60 μOhm-cm或更低。
在步驟106中，沉積的含釕薄膜224可視需要曝露於含氧氣體，以達成下列至少一項：至少去除一些碳(C)或將一些氧(O)添加至沉積的含釕薄膜224，如第2B圖圖示。曝露於含氧氣體可有利地將碳從沉積的含釕薄膜224上去除，並改進含釕薄膜224之結晶性，而不會實質劣化沉積的含釕薄 膜224之表面形態及/或厚度均勻性。舉例而言，含氧氣體可與沉積的含釕薄膜224中的碳交互作用，以形成可耗盡排出物，如CxOy，其中x及y為整數。示例性可耗盡流出物可包括一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)、HCOX或水蒸汽(H2O)。
沉積的含釕薄膜224可在用於沉積含釕薄膜224之同一CVD腔室內曝露於含氧氣體，或在經配置以提供含氧氣體之不同腔室(如氧化腔室等等)曝露於含氧氣體。提供含氧氣體之體積流量的範圍可為約500至約1000 sccm。含釕薄膜224可在第三時段曝露於含氧氣體。第三時段持續時間可端視步驟102中沉積的含釕薄膜224之厚度而定。在一些實施例中，第三時段持續時間範圍可為約5至約60秒。含釕薄膜224曝露於含氧氣體之壓力及溫度可與上文步驟102揭示之沉積含釕薄膜224時相同。含氧氣體可包括下列一或更多項：氧(O2)、水蒸汽(H2O)或過氧化氫(H2O2)。在一些實施例中，含氧氣體可為O2。
除將碳從薄膜224上去除外，在步驟106中曝露於含氧氣體亦可導致氧被融合入沉積的含釕薄膜224中。步驟106中曝露於含氧氣體後，沉積的含釕薄膜224之氧含量之原子百分比可為約1%至約10%，或者在一些實施例中，氧含量之原子百分比為約5%至10%。在一些實施例中，氧含量之原子百分比可為至少約8%。當含釕薄膜224相對較薄時，如約10至約50埃，將碳從沉積的含釕薄膜224上去除及/或將氧融入沉積的含釕薄膜224可能會最有效。
此外，氧含量能端視曝露於含氧氣體的時間(例如 第三時段)長度而改變。舉例而言，若期望達到更低電阻係數及更高產量，第三時段持續時間可為約5至約60秒。沉積的含釕薄膜224之氧含量可有助於含釕薄膜224在基板200表面上之附著力，諸如在沉積於開口202內之阻障層215的一個表面上的附著力。在一些實施例中，完成步驟106時，沉積的含釕薄膜224之電阻係數可為約50至約70 μOhm-cm或更低。
如上文所討論，可依據任何幾個上文所討論製程之組合執行方法100。舉例而言，薄膜224可在步驟102內沉積至所需厚度，然後曝露於含氫氣體，隨後視需要在步驟106內曝露於含氧氣體。或者，在步驟108內，可重複步驟102、104及106之一或更多個製程來形成所需厚度之薄膜224。舉例而言，若所需厚度實質上厚於足以在步驟104及/或106(視需要)內有效去除碳之厚度，則迭代沉積製程可能最有效。舉例而言，步驟108內之迭代製程可包括依據相同順序及相同時段重複步驟102、104及可選的步驟106，以在每次迭代時達成相同的碳含量及/或氧含量。
亦可依據任何適宜順序重複步驟102、104及106，使薄膜224達到所需厚度及/或增降碳含量及/或氧含量。舉例而言，在一些應用中，更理想的是，接近基板200之表面有較高的氧含量，從而可改進與下面基板之附著力，並且層224之末端表面有較低氧含量，從而可達到所需電阻係數。可利用其他調整薄膜224屬性(諸如基板200之表面與薄膜224之末端表面之間的附著力、電阻係數、結晶性、階梯覆蓋、 沉積率等等)之組合。舉例而言，可依據薄膜224表面間之任何適宜方式為碳含量及/或氧含量劃分等級，從而實現所需屬性。
因此，方法100可提供包含釕、碳及氧(視需要)之含釕薄膜。舉例而言，在一些實施例中，含釕薄膜可主要為氧化釕(RuO2)，內含少量碳。而且，含釕薄膜可包含一些碳，且至少應達使碳含量能提供如上文討論之所需層屬性之量。或者，在一些實施例中，含釕薄膜224可實質包含在步驟104去除的所有碳，且實質上包含釕及氧。在一些實施例中，完成方法100時，含釕薄膜可能具有高沉積率(例如>約60埃/分)、低電阻係數(例如<約60 μOhm-cm，或在一些實施例中，<約40 μOhm-cm)、良好階梯覆蓋(例如約95%或更高)及在包含氧化物或氮化物至少之一的表面上之良好附著力。
在一些實施例中，可在薄膜224上沉積材料226，以填充開口202，如第2C圖圖示。在一些實施例中，材料226可為導電材料。可藉由電鍍或類似處理技術沉積導電材料224。薄膜224可作為晶種層，導電材料226沉積於該晶種層之上。導電材料226可包括金屬、金屬合金等等，諸如下列一或更多個：銅(Cu)、鋁(Al)、鎢(W)等等。在一些實施例中，導電材料226為銅。
本文所述之方法可在以獨立組態或作為叢集工具的一部分提供之單個處理腔室中執行，該叢集工具如下文參照第3圖描述之整合工具300(即叢集工具)。整合工具300之 實例包括可自加利福尼亞州聖塔克拉拉縣應用材料公司購買之CENTURA®及ENDURA®整合工具。本發明涵蓋，可使用具有與適宜處理腔室耦合之其他叢集工具或在其他適宜處理腔室內實踐本文所述方法。舉例而言，在一些實施例中，在整合工具中執行上述本發明方法可能有益，此舉使得處理步驟之間僅有有限的或無真空中斷。舉例而言，減少的真空中斷可限制或避免晶種層或基板其他部分之污染。
整合工具300包括真空密封處理平臺301、工廠介面304及系統控制器302。平臺301包括多個處理腔室，如可操作地耦合至真空基板傳送腔室303之314A、314B、314C及314D。工廠介面304藉由一或更多個裝載閘腔室(load lock chamber)(兩個裝載閘腔室，如第3圖圖示之306A及306B)可操作地耦合至傳送腔室303。
在一些實施例中，工廠介面304包括至少一銜接站(docking station)307，至少一工廠介面機器人338，以便於半導體基板之傳送。銜接站307經配置以接受一或更多個前端開口晶圓傳送盒(FOUP)。第3圖之實施例顯示了四FOUP，諸如305A、305B、305C及305D。工廠介面機器人338經配置將基板從工廠介面304透過如306A及306B之裝載閘腔室傳送至處理平臺301。裝載閘腔室306A及306B每一者之第一連接埠皆耦合至工廠介面304且第二連接埠皆耦合至傳送腔室303。裝載閘腔室306A及306B耦合至壓力控制系統(未圖示)，該系統泵抽並排空腔室306A及306B，以促進基板在傳送腔室303之真空環境與工廠介面304之實質上周圍(如 大氣)環境之間通過。傳送腔室303內設置有真空機器人313。真空機器人313能夠在裝載閘腔室306A及306B與處理腔室314A、314B、314C及314D之間傳送基板321。
在一些實施例中，處理腔室314A、314B、314C及314D耦合至傳送腔室303。處理腔室314A、314B、314C及314D包括至少一化學氣相沉積(CVD)腔室及視需要包括一退火腔室。亦可提供額外腔室，如額外的CVD腔室及/或退火腔室、物理氣相沉積(PVD)腔室等等。CVD及退火腔室可包括任何適用於執行本文所述之全部或部分方法的腔室，如上文所討論。
在一些實施例中，一或更多個可選的服務腔室(顯示為316A及316B)可耦合至傳送腔室303。服務腔室316A及316B經配置以執行其他基板製程，如除氣、定向、基板量測、冷卻等等。
系統控制器302通過直接控制處理腔室314A、314B、314C及314D或藉由控制與處理腔室314A、314B、314C及314D以及工具300相關聯之電腦(或控制器)來控制工具300之操作。在操作中，系統控制器302賦能來自各腔室及系統之資料收集及反饋，以最佳化工具300之效能。系統控制器302大體包括中央處理器(CPU)330、記憶體334及支援電路332。CPU 330可為能用於工業環境中之任何形式的通用電腦處理器。習知支援電路332耦合至CPU 330，該電路可包括快取、時鐘電路、輸入/輸出子系統、電源等等。如上文所述方法之軟體常式可儲存於記憶體334內，由CPU 330執行 該常式時，該常式將CPU 330轉變為特殊用途電腦(控制器)302。軟體常式亦可儲存於位於工具300遠端的第二個控制器(未圖示)內及/或由該第二個控制器執行。
因此，本文已提供沉積含釕薄膜諸如用於形成互連結構之晶種層之方法。本發明方法透過下列一或更多項有利地促進提高效率、製程產量及元件質量：晶種層厚度降低、晶種層電阻係數降低或沉積率增加。本發明方法可與任何元件節點配套使用，但元件節點為22 nm或更低時尤其有利。而且，本發明方法可與任何類型的互連結構或材料配套使用，但與由電鍍銅形成之互連結構配套使用時尤其有利。
盡管前述係關於本發明實施例，但可設計本發明之其他及另外實施例而不超出本發明之基本範疇。
100‧‧‧方法
102‧‧‧步驟
104‧‧‧步驟
106‧‧‧步驟
108‧‧‧步驟

Claims (18)

  1. 一種於一基板上沉積一含釕薄膜之方法，該方法包含以下步驟：(a)利用一含釕前驅物於一基板上沉積一含釕薄膜，該沉積的含釕薄膜中納入有碳；(b)使該沉積的含釕薄膜曝露於一含氫氣體，以自該沉積的含釕薄膜中去除至少部分碳；以及(c)步驟(b)後，使該含釕薄膜曝露於一含氧氣體中，以達成下列至少一項：自該含釕薄膜中去除碳或向該含釕薄膜中加入氧。
  2. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：(d)重覆步驟(a)-(c)，以沉積該含釕薄膜至一所需厚度。
  3. 如請求項2所述之方法，其中步驟(a)進一步包含以下步驟：每次迭代時沉積該含釕薄膜達5至50埃之一第一厚度。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中該含釕前驅物包括以下至少一項：二甲基-丁二烯-釕、環己二烯-釕-三羰基、丁二烯-釕-三羰基、二甲基丁二烯-釕-三羰基或具三羰基釕的改質二烯。
  5. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中該沉積的含釕 薄膜在步驟(a)中所含之碳量的原子百分比為2%至30%。
  6. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中該含釕薄膜在步驟(b)中曝露於該含氫氣體後之電阻係數為60μOhm-cm或更低。
  7. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中步驟(b)進一步包含以下步驟：使該沉積的含釕薄膜曝露於該含氫氣體1至10分鐘。
  8. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中該含氫氣體包括下列一或更多項：氫(H2)、HCOOH、氫(H)自由基、或氫(H2)電漿。
  9. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中步驟(b)進一步包含以下步驟：加熱該基板達攝氏200至400度之一溫度。
  10. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中步驟(a)及(b)各進一步包含以下步驟：加熱該基板達攝氏200至400度之一溫度。
  11. 如請求項1所述之方法，其中該步驟(c)結束時該曝露於含氧氣體之沉積的含釕薄膜中所含之一氧量的原子百分比為 1%至15%。
  12. 如請求項1所述之方法，其中該含氧氣體為下列至少一種：氧(O2)、水蒸汽(H2O)或過氧化氫(H2O2)。
  13. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中沉積該含釕薄膜之步驟進一步包含以下步驟：在形成於該基板之一第一表面的一開口內沉積該含釕薄膜，其中該開口具有一側壁及一底面。
  14. 如請求項13所述之方法，其中沉積該含釕薄膜之步驟進一步包含以下步驟：在設置於該開口之該側壁及該底面上的一阻障層上沉積該含釕薄膜。
  15. 如請求項14所述之方法，其中該阻障層包含鉭(Ta)或氮(N)中之至少一種。
  16. 如請求項13所述之方法，其中該開口具有至少為5：1之一深寬比。
  17. 如請求項13所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：藉由一電鍍製程在該含釕薄膜上沉積一導電材料，以填充該開口。
  18. 如請求項17所述之方法，其中該導電材料為銅(Cu)。
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