JP7346430B2 - 無酸素共反応物を使用したルテニウムの蒸着方法 - Google Patents
無酸素共反応物を使用したルテニウムの蒸着方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7346430B2 JP7346430B2 JP2020542894A JP2020542894A JP7346430B2 JP 7346430 B2 JP7346430 B2 JP 7346430B2 JP 2020542894 A JP2020542894 A JP 2020542894A JP 2020542894 A JP2020542894 A JP 2020542894A JP 7346430 B2 JP7346430 B2 JP 7346430B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ruthenium
- film
- ald
- oxygen
- free
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
本発明は、原子層堆積(ALD)及び/又は化学気相蒸着(CVD)によって、ルテニウム(Ru)含有膜を形成する方法に関する。
薄膜を形成するために様々な前駆体が使用され、様々な堆積(蒸着)技術が使用されてきた。このような技術には、反応性スパッタリング、イオンアシスト蒸着、ゾルゲル堆積、化学気相蒸着(CVD)(有機金属CVD又はMOCVDとしても知られている)、及び原子層堆積(原子層エピタキシーとしても知られている)が含まれる。CVD及びALDプロセスは、合成制御の向上、高い膜の均一性、及びドーピングの効果的な制御といった利点を有するため、ますます使用されている。さらに、CVD及びALDプロセスは、現代の超小型電子デバイスに関連する高度な非平面の構造において優れたコンフォーマルな段差被覆性を提供する。
したがって、原子層堆積及び/又は化学気相蒸着によってルテニウム含有膜を形成する新しい方法が本明細書において提供される。いくつかの実施形態では、当該方法は、ルテニウム含有膜を形成するために、少なくとも1つの前駆体と、無酸素共反応物とを基板に送達する工程であって、前記少なくとも1つの前駆体は式Iの構造に対応し:
(L)Ru(CO)3
(式I)
式中、Lは直鎖状又は分枝鎖状のC2-C6アルケニル、及び直鎖状又は分枝鎖状のC1-6アルキルからなる群から選択され、Lは、C2-C6アルケニル、C1-C6アルキル、アルコキシ、及びNR1R2からなる群から独立して選択される1つ以上の置換基で任意に置換され、R1及びR2は独立してアルキル又は水素である、工程と;前記ルテニウム含有膜を、真空下で、又は不活性ガス若しくは還元ガス若しくはそれらの組合せの存在下で、アニーリングする工程と;を含み得る。
(η4-ブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム;
(η4-2,3-ジメチルブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム((DMBD)Ru(CO)3としても知られる);及び(η4-2-メチルブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウムである。
(η4-ブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム;
(η4-2,3-ジメチルブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム;及び
(η4-2-メチルブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム;
のうちの1つ以上と、無酸素反応物とを基板に送達する工程を含む、ALD及び/又はCVDから形成されてもよい。
比較図1は、酸素及び(DMBD)Ru(CO)3を使用したルテニウムのALDについて、ルテニウム膜成長速度(Å/サイクル)vs.蒸着温度(℃)vs.抵抗率(μΩ-cm)のグラフ表示である。
本技術のいくつかの実施形態の例を説明する前に、本技術は、以下の記述で説明される構成又はプロセス段階の細部に限定されないことを理解されたい。本技術は他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施又は実行されることが可能である。
本発明及び特許請求の範囲の目的のために、周期表群のナンバリングスキームは、IUPAC元素周期表に従う。
上述のように、原子層堆積によってルテニウム含有膜を形成する方法が本明細書に提供される。一実施形態では、当該方法は、ルテニウム含有膜を形成するために、式Iに対応する少なくとも1つの前駆体と、無酸素共反応物とを基板に送達する工程と、次いでルテニウム含有膜を、真空下で、又はAr、N2、H2、若しくはそれらの組み合わせの存在下で、アニーリングする工程と、を含んでいてもよい。アニーリングする工程に加えて、又はアニーリングする工程の代わりに、ルテニウム含有膜は、例えば、緻密化及び/又は汚染を低減するために、プラズマ処理することもできる。
(L)Ru(CO)3
(式I)
式中、Lは直鎖状又は分枝鎖状のC2-C6アルケニル、及び直鎖状又は分枝鎖状のC1-C6アルキルからなる群から選択され、Lは、C2-C6アルケニル、C1-C6アルキル、アルコキシ、及びNR1R2からなる群から独立して選択される1つ以上の置換基で任意に置換され、R1及びR2は独立してアルキル又は水素である。
(η4-ブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム((BD)Ru(CO)3としても知られる);
(η4-2,3-ジメチルブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム((DMBD)Ru(CO)3としても知られる);
及び(η4-2-メチルブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム
が挙げられるが、これらに限定されない。
典型的には、ルテニウム前駆体は、ALDによってルテニウム膜を堆積させるために酸化的環境(例えば、空気、O2、オゾン、又は水)を必要とする。しかしながら、ルテニウム膜は本明細書に記載されたルテニウム含有前駆体と無酸素共反応物とを使用したALDによって形成され、その後、アニーリングする工程が続き、下部に存在する基板又は下部に存在する基板の一部と酸素共反応物との有害な反応無しに、高い成長速度を達成し、少ない不純物及び低い抵抗率を有する膜を達成することができることが発見された。したがって、一実施形態では、本明細書に記載されるALDプロセスは無酸素ALDプロセスである。すなわち、ALDプロセスは、無酸素の環境で行われてもよいし、実施されてもよい。例えば、本明細書で使用される無酸素共反応物は、水素、水素プラズマ、アンモニア、ヒドラジン、アルキルヒドラジン、シラン、ボラン、又はそれらの組み合わせ等のガス材料を実質的に含んでいてもよい。特定の実施形態では、無酸素共反応物は、ヒドラジン又はアルキルヒドラジンである。様々な態様において、アルキルヒドラジンは、C1-C8アルキルヒドラジン、C1-C4アルキルヒドラジン、又はC1-C2アルキルヒドラジンであってもよい。例えば、アルキルヒドラジンは、メチルヒドラジン、エチルヒドラジン、プロピルヒドラジン、又はブチルヒドラジン(第三級ブチルヒドラジンを含む)であってもよい。
本明細書に記載のルテニウム膜は、様々な基板上に蒸着させることができる。例えば、本明細書に開示されるルテニウム錯体は、シリコン、結晶シリコン、Si(100)、Si(111)、酸化シリコン、ガラス、歪みシリコン、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)、ドープされたシリコン又は酸化シリコン(例えば、炭素ドープされた酸化シリコン)、窒化シリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、タンタル、窒化タンタル、アルミニウム、酸化アルミニウム、銅、ルテニウム、チタン、窒化チタン、タングステン、窒化タングステン、炭窒化タングステン(WCN)、及びナノスケールデバイス製造プロセス(例えば、半導体製造プロセス)で一般に遭遇する任意の数の他の基板等の、しかしこれらに限定されない、様々な基板又はその表面上に送達、通過、又は蒸着されてもよい。任意の実施形態において、基板は、1つ以上の層を含んでもよい。例えば、基板はベース層(例えば、酸化シリコン)上に存在するライナー(例えば、炭窒化タングステン、酸化アルミニウム)を含んでもよい。当業者には理解されるように、基板は、基板表面を研磨、エッチング、還元、酸化、ヒドロキシル化、アニーリング、及び/又はベークするために、前処理プロセスに曝されてもよい。1つ以上の実施形態では、基板表面は水素末端表面を含む。
本明細書で提供されるALD及び/又はCVD法は、連続的注入又はパルス注入プロセス、液体注入プロセス、光アシストプロセス、プラズマアシストプロセス、及びプラズマ強化プロセス等の、しかしこれらに限定されない、様々なタイプのALD及び/CVDプロセスを包含する。
ALDプロセス中に、共反応物と結合したルテニウム錯体を有する基板を曝露することにより、結合したルテニウム錯体と共反応物との間で交換反応を生じ、これにより、結合したルテニウム錯体を解離させ、基板の表面上に元素ルテニウムの第1の層を生成する工程と;ALDプロセス及び上記処理を順次繰り返す工程とを含む。
(1)基板の温度:200~300℃
(2)エバポレータ温度(金属前駆体温度):20~70℃
(3)反応器圧力:0.01~10Torr
(4)アルゴン又は窒素キャリアガス流量:0~100sccm
(5)反応性ガス(共反応物)パルス時間:0.01~1sec。パルスシーケンス(金属錯体/パージ/反応性ガス/パージ):チャンバサイズに応じて変化する
(6)サイクル数:所望の膜厚に応じて変化する。
ヒドラジンを使用する無酸素ALDプロセス由来の蒸着したままのルテニウム膜は、約6~10原子%の窒素を含んでいてもよく、少なくとも150℃~300℃の蒸着温度範囲で高い抵抗率を有していてもよい。蒸着に続いて、得られたフィルムは、次いで、より高い温度でアニーリングされてもよい。アニーリングする工程は、不純物が少なく、かつ抵抗率が低い高品質のルテニウム膜を提供するのに役立つ。
加えて又は代替的に、蒸着に続いて、ルテニウム含有膜には、抵抗率を減少させるために役立ち得るプラズマ処理がなされてもよい。プラズマ処理は、アニーリングする工程に加えて、又はアニーリングする工程の代わりに、行ってもよい。したがって、さらなる実施形態では、ALD、CVD、又はALD及びCVDの組み合わせによってルテニウム含有膜を形成する方法が提供され、ここで当該方法は以下を含む:
ルテニウム含有膜を形成するために、少なくとも1つの前駆体と、無酸素共反応物とを基板に送達する工程であって、少なくとも1つの前駆体は式Iの構造に対応し:
(L)Ru(CO)3
(式I)
式中、Lは直鎖状又は分枝鎖状のC2-C6アルケニル、及び直鎖状又は分枝鎖状のC1-C6アルキルからなる群から選択され、Lは、C2-C6アルケニル、C1-C6アルキル、アルコキシ、及びNR1R2からなる群から独立して選択される1つ以上の置換基で任意に置換され、R1及びR2は独立してアルキル又は水素である、工程;及び、
ルテニウム含有膜を、真空下で、又はAr、N2、H2、若しくはそれらの組み合わせの存在下で、アニーリングする工程;及び/又は、ルテニウム含有膜をプラズマ処理する工程。
本明細書に記載される方法から形成されるルテニウム含有膜は、低い抵抗率を有する。いくつかの実施形態では、ルテニウム含有膜は、約10μΩ-cm、約15μΩ-cm、約20μΩ-cm、約25μΩ-cm、約30μΩ-cm、約40μΩ-cm、約45μΩ-cm、約50μΩ-cm、約55μΩ-cm、又は約30μΩ-cm~約65μΩ-cmの抵抗を有する。加えて又は代替的に、ルテニウム含有膜は、約10μΩ-cm~約80μΩ-cm、約15μΩ-cm~約60μΩ-cm、約20μΩ-cm~約40μΩ-cm、好ましくは約10μΩ-cm~約30μΩ-cmの抵抗を有していてもよい。
(η4-ブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム;
(η4-2,3-ジメチルブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム;及び
(η4-2-メチルブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム
のうちの1つ以上と、本明細書に記載の無酸素共反応物とを基板に送達する工程を含む、ALD、CVD、又はALD及びCVDから形成されてもよい。
(η4-ブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム;
(η4-2,3-ジメチルブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム;及び
(η4-2-メチルブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム
のうちの1つ以上と、本明細書に記載の無酸素共反応物とを基板に送達する工程を含む、ALD、CVD、又はALD及びCVDから形成されてもよい。
本明細書に記載されるALD及び/又はCVDプロセスから形成されるルテニウム膜は、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)、及び3D NAND、3Dクロスポイント、及びReRAM等のメモリ及び/又はロジック用途に有用である。
以下の実施例において、(DMBD)Ru(CO)3を前駆体として利用した。(DMBD)Ru(CO)3を作製する方法は、当技術分野で公知である。例えば、本明細書においてその全体が参照によって組み込まれる米国特許出願公開第2011/0165780号を参照されたい。
比較のために、(DMBD)Ru(CO)3を用いてベースラインO2 ALDプロセスを行った。Ruは、乾燥真空ポンプと圧力制御のために調節可能な絞り弁を備えたCN-1 ALD/CVD反応器中で蒸着させた。(DMBD)Ru(CO)3を、ステンレス容器中に配置し、20sccmのArのキャリアガスフローと、さらに50sccmのパージのためのArとを用いて、バブラ送達のために約40℃に、又は蒸気吸引送達のために70℃まで加熱した。パルス時間は典型的には1~2秒であり、パージ時間は10秒であった。酸素ガス20sccm、パルス時間3秒、及び30sccmのArでパージ時間10秒。蒸着圧力は、約0.3Torrであった。蒸着温度と膜厚を変えた結果を図1及び図2に示す。ALDウィンドウは200~265℃の範囲であった。約275℃以上で(DMBD)Ru(CO)3の著しい熱分解があった。≦7サイクルの短い核形成遅延があった。低い抵抗率(約20μΩ-cm)の膜を作製した。
無酸素ルテニウムを、実施例1に記載したのと同じALD/CVD反応器中で、同じ(DMBD)Ru(CO)3前駆体セットアップを用いて蒸着させ、20sccmのArのキャリアガスフローと、さらに30sccmのパージのためのArとを用いて、バブラ送達のために約40℃に加熱した。無酸素共反応物ヒドラジンを、20sccmのArキャリアガス及び30sccmのArパージガスを用いた蒸気吸引によって、加熱することなく室温(20~30℃)で送達した。(DMBD)Ru(CO)3のパルス時間は、特に断らない限り、典型的には1秒であり、パージ時間は5~10秒であり、ヒドラジン共反応物のパルス時間は0.075秒、パージ時間は5~10秒であった。標準蒸着圧力は0.3Torrであった。図3及び4については、XRFによるRuの厚さが85~150Åの範囲で、それぞれ500サイクル、蒸着温度は225℃であった。図3及び4は、ヒドラジン共反応物及び(DMBD)Ru(CO)3前駆体についての飽和挙動を有するALD型蒸着を示す。SiO2及びAl2O3でも同様の成長速度を達成した。
図5では225℃の、図6では250℃の異なる蒸着温度(又は基板温度)であったことを除いて、実施例2と同じ手順を行った。
図7A~7Eについて、可変蒸着温度が200℃~300℃であることを除いて、ヒドラジン共反応物について実施例2と同じ手順を行った。図7Fに示すようなアンモニア共反応物を使用した無酸素ルテニウムについては、蒸着は、実施例2に記載した同じALD/CVD反応器中で、(DMBD)Ru(CO)3を用いて行われ、1秒パルス及び5秒パージ(50sccmのAr)のバブラ送達のために約40℃に加熱し、アンモニアを35sccm、パルス時間3秒で、30sccmのArをパージ時間6秒で送達した。アンモニアALDプロセスの蒸着圧力は0.3Torrであり、XRFによるRuの厚さが約130Åで、700サイクルの間、蒸着温度は250℃あった。アンモニアによる成長速度は、約0.18Å/サイクル(250℃におけるヒドラジンの約1/3)であり、アニーリング後の抵抗率は、約170μΩ-cm(ヒドラジン共反応物によるRuの約2倍の高さ)であった。この理由は、蒸着したままの中間膜中の窒素含有量の違いによって説明される。図7A~7Eは、ヒドラジン共反応物から蒸着したままのRu膜中に7~10原子%のN及び非常に低いレベルのOが存在することを示す。アンモニア共反応物を使用した図7Fは、窒素が存在しないことを示す。蒸着したままのアンモニアALD膜中に窒素が存在しないことは、主にルテニウム前駆体の熱分解による非常に低い成長速度で示されるように、ルテニウム前駆体とのアンモニアの反応性がほとんど無い又は低いためであり得る。アンモニアプロセス由来の膜は、XPSによってルテニウムから分離することができないより多くの炭素不純物を含有し得る。
種々の蒸着温度を除いて、実施例2に記載したのと同じ手順を行った。XRFによる膜厚は約110Å~約270Åの範囲であった。
次に、225℃で蒸着させた図7Bと同じ膜を、Ar中5%H2において、400℃、1.5Torrの圧力で30分間、アニーリングした。図9は、窒素の完全な喪失(約0原子%又はXPS検出限界以下)を示す。
次に、250℃で蒸着させた図7Cと同じ膜を、Ar中5%H2において、400℃、1.5Torrの圧力で30分間、アニーリングした。図10は、窒素の完全な喪失(約0原子%又はXPS検出限界以下)を示す。
アニーリング手順:実施例2に記載されるように、各蒸着温度で酸化シリコン及び/又は酸化アルミナを用いて、大きなシリコンクーポンの上にルテニウム膜を蒸着させた。大きなクーポンを測定し、次いで、空気中で複数のより小さなチップに角切りした。次に、各小片を、Ar中5%H2において、1.5Torrの圧力で300℃~425℃の所定のアニーリング温度で30分間、約150sccmのガス流量で、個別にアニーリングした。
図11は、≧300℃でAr中5%H2においてアニーリングしたときの窒素の完全な喪失を示す。
図11に示すような酸化アルミナ上への同じ蒸着からの同じチップを、光エリプソメトリ及びSEMによる厚さ測定に用いた。図12は、窒素の損失及び熱誘起膜緻密化によるアニーリングしたときの膜収縮を示す。
図15は、225℃~300℃の範囲の蒸着温度にかかわらず、最適なアニーリング温度は約400℃以上であることを示す。
アルゴンを用いてアニーリングする手順は、H2を使用しなかったことを除いて、1.5Torrの圧力、約150sccmのガス流量で30分間、Ar中5%H2を用いたアニーリングについて前述したものと同じであった。
図18は、400℃のアルゴンを用いてアニーリングした後の窒素の完全な損失(0原子%又はXPS検出限界以下)を示す。アニーリング前の膜は、実施例2に記載したように225℃で蒸着させた。
図20は、アルゴンを使用した最適なアニーリング温度も約400℃以上であり、Ar中5%H2を用いたアニーリングに類似していることを示す。さらに、Arを用いたアニーリングは、おそらくアニーリングされたルテニウム膜中の水素汚染を排除することに起因して、最適なアニーリング温度で、Ar中5%H2を用いたアニーリングよりも著しく低い抵抗率をもたらすことができる。
図22は、Arを用いたアニーリングが窒素の喪失及び膜緻密化のために、膜厚の低下も引き起こし、400℃でのアルゴンを用いたアニーリングが、おそらく水素汚染を排除することに起因して、同じ温度で、同じ試料について、Ar中5%H2を用いたアニーリングよりも、より薄く、したがってより緻密な膜をもたらすことを示す。
実施例2に記載されるように、各温度(225℃、250℃)で、約150~190ÅのRu厚で、蒸着したままのルテニウム膜を大きなクーポン上に成長させた。各クーポンを、分割アニーリングのためにより小さなチップに角切りし、一方を400℃で1.5Torrのアルゴン中に30分間置き、もう一方を400℃で1.5Torrの窒素中に30分間置いた。
約130Å(XRFによる)のRuを蒸着したままのRu膜を、実施例2に記載したように大きなクーポン上に成長させ、200℃及び1.4Torrで蒸着させた。クーポンを、400℃での分割アニーリングのためにより小さなチップに角切りし、一方を1.5Torrのアルゴン中で30分間、もう一方をベース圧力が0.035Torrの動的真空下で30分間、アニーリングした。真空チャンバは乾燥ポンプによって連続的に排気されたが、アニーリングの間、パージガスは使用されなかった。アルゴンを用いてアニーリングした試料の抵抗率は66.1μΩ-cmであり、真空下でアニーリングした試料の抵抗率は64.2μΩ-cmであり、アニーリングのためのパージガスがない場合に匹敵する性能を示した。
蒸着圧力をそれぞれ0.95及び1.4Torrまで増加させるために、真空蒸着チャンバ内の絞り弁が部分的に閉じられていることを除いて、実施例2と同じ蒸着手順を、同じ前駆体及び共反応物の用量、並びに同じガス流量及び半サイクルごとに10秒のパージ時間で行った。この絞りは、排出速度及びパージ速度の減少により、蒸着チャンバ内での前駆体及び共反応物の滞留時間を増加させ(部分トラッピング)、有効反応時間を増加させ、ALDプロセスに著しいCVD寄与を加えた。
図25は、(DMBD)Ru(CO)3及びヒドラジンを用いて、225℃及び0.3Torrの圧力で、実施例2におけるような標準の蒸着条件を使用したALDプロセスのコンフォーマルな段差被覆能力を示す。
無酸素ルテニウムを、同じ(DMBD)Ru(CO)3前駆体セットアップを用いて、実施例1に記載した同じALD/CVD反応器内の3つの基板上に蒸着させ、20sccmのArのキャリアガスフローと、30sccmのパージのためのArとを用いて、バブラ送達のために約40℃に加熱した。特に断らない限り、3つの基板は、Al2O3、SiO2、及び炭窒化タングステン(WCN)であり、WCNは、SiO2層(約100nmの厚さ)上の薄層(又はライナー)(約2nm~約4nmの厚さ)として存在した。20sccmのArキャリアガス及び30sccmのArパージガスを用いた蒸気吸引によって、加熱せずに(29℃以下)、無酸素共反応物の第三級ブチルヒドラジン(tBu-ヒドラジン)を室温で送達した。(DMBD)Ru(CO)3のパルス時間は、特に断らない限り、典型的には1秒であり、パージ時間は10秒であり、tBu-ヒドラジン共反応物のパルス時間は0.075秒であり、パージ時間は10秒であった。標準蒸着圧力は1.0~1.1Torrであった。200~250℃の蒸着温度を使用した。3つの基板上の種々の蒸着温度と成長速度による結果を図26に示す。図27は、225℃の蒸着温度での3つの基板Al2O3、SiO2、及びWCN上での、tBu-ヒドラジン共反応物及び(DMBD)Ru(CO)3前駆体についての飽和挙動を示す。
SiO2基板の上に、図28では200℃、図29では225℃、図30では250℃の蒸着温度で、実施例14と同じ手順を行った。図28は、約27サイクルの核形成遅延を示す。図29は、約18サイクルの核形成遅延を示す。図30は、約1サイクルの核形成遅延を示す。
アニーリングする手順:ルテニウム膜を、3つの基板(大きなクーポン)、SiO2(厚さ100nm)、SiO2上のAl2O3、又はSiO2上のWCNに、「蒸着したままの」Ru膜を形成する、実施例14に記載した各蒸着温度で、蒸着させた。大きなクーポンを測定し、次いで、複数の小さなチップに角切りし、「アニーリング前の」Ru膜を形成するために少なくとも2日間空気に曝露した。次いで、各小さなチップを、1.5~1.7Torrの圧力のAr中で、約150sccmのガス流量、400℃のアニーリング温度で、30分間、個別にアニーリングして、「400CでArアニーリングされた」Ru膜を形成した。
蒸着したままのRu膜、アニーリング前のRu膜、及び400CでArアニーリングされたRu膜について、抵抗率を測定した。図31は、200℃、225℃、及び250℃の蒸着温度でのAl2O3基板上の蒸着したままのRu膜、アニーリング前のRu膜、及び400CでArアニーリングされたRu膜の比較を示す。図32は、200℃、225℃、及び250℃の蒸着温度でのSiO2基板上の蒸着したままのRu膜、アニーリング前のRu膜、及び400CでArアニーリングされたRu膜の比較を示す。図33は、200℃、225℃、及び250℃の蒸着温度でのWCN基板上の蒸着したままのRu膜、アニーリング前のRu膜、及び400CでArアニーリングされたRu膜の比較を示す。図31~33に示すように、空気に2日間曝露した後のアニーリング前には抵抗率はわずかに増加し、400CでArアニーリングさせたRu膜はすべての基板上で低い抵抗率を有した。
200℃、225℃、及び250℃の蒸着温度でSiO2基板上に蒸着したままのRu膜、及び400CでArアニーリングされたRu膜について、XPS分析を行った。図37A~37Cは、それぞれ、200℃、225℃、及び250℃の蒸着温度でtBu-ヒドラジン共反応物からの蒸着したままのRu膜中における、6~8原子%のN及び非常に低いレベルのOの存在を示す。
200℃、225℃、及び250℃の蒸着温度でのAl2O3基板及びWCN基板上の蒸着したままのRu膜、及び対応する400CでArアニーリングされたRu膜のトップダウン視点のSEM画像を撮影した。
Claims (15)
- 原子層堆積(ALD)又はALDと化学気相蒸着(CVD)との組み合わせによって、ルテニウム含有膜を形成する方法であって、当該方法は、
前記ルテニウム含有膜を形成するために、少なくとも1つの前駆体と、無酸素共反応物とを基板に送達する工程であって、前記無酸素共反応物は、NH 3 、ヒドラジン及びアルキルヒドラジンからなる群から選択され、前記少なくとも1つの前駆体は式Iの構造に対応し:
(L)Ru(CO)3
(式I)
式中、Lは直鎖状又は分枝鎖状のC2-C6アルケニル、及び直鎖状又は分枝鎖状のC1-C6アルキルからなる群から選択され、Lは、C2-C6アルケニル、C1-C6アルキル、アルコキシ、及びNR1R2からなる群から独立して選択される1つ以上の置換基で任意に置換され、R1及びR2は独立してアルキル又は水素である、工程と;
前記ルテニウム含有膜を、真空下で、又は不活性ガス若しくは還元ガス若しくはそれらの組み合わせの存在下で、アニーリングする工程と;
を含み、アニーリングされたルテニウム含有膜は、実質的に窒素を含まない、方法。 - 前記無酸素共反応物は、ヒドラジン又はアルキルヒドラジンである、請求項1に記載の方法。
- CVDによってルテニウム含有膜を形成する方法であって、当該方法は、
前記ルテニウム含有膜を形成するために、少なくとも1つの前駆体と、ヒドラジン及びアルキルヒドラジンからなる群から選択される無酸素共反応物とを基板に送達する工程であって、前記少なくとも1つの前駆体は式Iの構造に対応し:
(L)Ru(CO)3
(式I)
式中、Lは直鎖状又は分枝鎖状のC2-C6アルケニル、及び直鎖状又は分枝鎖状のC1-C6アルキルからなる群から選択され、Lは、C2-C6アルケニル、C1-C6アルキル、アルコキシ、及びNR1R2からなる群から独立して任意に選択される1つ以上の置換基で置換され、R1及びR2は独立してアルキル又は水素である、工程と;
前記ルテニウム含有膜を、真空下で、又は不活性ガス若しくは還元ガス若しくはそれらの組み合わせの存在下で、アニーリングする工程と;
を含み、アニーリングされたルテニウム含有膜は、実質的に窒素を含まない、方法。 - 前記アルキルヒドラジンは、C1-C8アルキルヒドラジンであり、好ましくはC1-C4アルキルヒドラジンである、請求項2又は3に記載の方法。
- 前記不活性ガスはAr又はN2を含み、前記還元ガスはH2を含む、請求項1~4の何れか一項に記載の方法。
- 前記基板の温度は約150℃~約350℃であり、好ましくは約200℃~約250℃である、請求項1~5の何れか一項に記載の方法。
- 前記アニーリングする工程は、真空下で、あるいは不活性ガス若しくは還元剤、又は不活性ガスと還元剤との組み合わせの存在下で、約300℃~約500℃で行われる、請求項1~6の何れか一項に記載の方法。
- 前記ルテニウム含有膜は、約10μΩ-cm~約80μΩ-cmの抵抗率を有し、好ましくは約10μΩ-cm~約30μΩ-cmの抵抗率を有するか、又は、
前記ルテニウム含有膜は、約1nm~約20nmの厚さを有する、請求項1~7の何れか一項に記載の方法。 - 前記ルテニウム含有膜は、(i)コンフォーマルに蒸着される、及び(ii)実質的に窒素を含まない、のうち少なくとも一方である、請求項1~8の何れか一項に記載の方法。
- Lは、ブタジエニル、ペンタジエニル、ヘキサジエニル、ヘプタジエニル、及びオクタジエニルからなる群から選択される直鎖状又は分枝鎖状のジエニル含有部分であり、且つ、
Lは、C2-C6アルケニル、C1-C6アルキル、アルコキシ、及びNR1R2からなる群から独立して選択される1つ以上の置換基で任意に置換され、R1及びR2は独立してアルキル又は水素である、請求項1~9の何れか一項に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの前駆体は、
(η4-ブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム;
(η4-2,3-ジメチルブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム;及び
(η4-2-メチルブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム
からなる群から選択される、請求項1~10の何れか一項に記載の方法。 - 前記ALDは、光アシストALD、液体注入ALD、及びパルス注入ALDからなる群から選択される、請求項1、2、4~11の何れか一項に記載の方法。
- 前記基板は、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、酸化アルミニウム、銅、炭窒化タングステン、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1~12の何れか一項に記載の方法。
- ルテニウム含有膜の抵抗率を低下させる方法であって、当該方法は、前記ルテニウム含有膜を、真空下で、又は不活性ガス、還元ガス、若しくはそれらの組み合わせの存在下で、約300℃~約400℃の間の温度でアニーリングして、前記ルテニウム含有膜よりも少なくとも約10%低い抵抗率を有するアニーリングされたルテニウム含有膜を形成する工程を含み、前記ルテニウム含有膜は、
(η4-ブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム;
(η4-2,3-ジメチルブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム;及び
(η4-2-メチルブタ-1,3-ジエン)トリカルボニルルテニウム
のうちの1つ以上と、無酸素共反応物とを基板に送達する工程を含み、前記無酸素共反応物は、NH 3 、ヒドラジン及びアルキルヒドラジンからなる群から選択され、前記アニーリングされたルテニウム含有膜は、実質的に窒素を含まない、ALD、CVD、又はALD及びCVDの組み合わせから形成される、方法。 - 前記無酸素共反応物は、ヒドラジン又はアルキルヒドラジンであり、前記不活性ガスはAr又はN2を含み、前記還元ガスはH2を含む、請求項14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862629361P | 2018-02-12 | 2018-02-12 | |
US62/629,361 | 2018-02-12 | ||
PCT/EP2019/053067 WO2019154945A1 (en) | 2018-02-12 | 2019-02-07 | Methods of vapor deposition of ruthenium using an oxygen-free co-reactant |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021513605A JP2021513605A (ja) | 2021-05-27 |
JP7346430B2 true JP7346430B2 (ja) | 2023-09-19 |
Family
ID=65352035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020542894A Active JP7346430B2 (ja) | 2018-02-12 | 2019-02-07 | 無酸素共反応物を使用したルテニウムの蒸着方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11976352B2 (ja) |
EP (1) | EP3752655A1 (ja) |
JP (1) | JP7346430B2 (ja) |
KR (1) | KR20200118831A (ja) |
CN (1) | CN111655899A (ja) |
TW (1) | TW202030352A (ja) |
WO (1) | WO2019154945A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7182970B2 (ja) * | 2018-09-20 | 2022-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 埋め込み方法及び処理システム |
EP4065743A1 (en) * | 2019-11-26 | 2022-10-05 | Merck Patent GmbH | Ruthenium pyrazolate precursor for atomic layer deposition and similar processes |
US20230049464A1 (en) * | 2020-01-16 | 2023-02-16 | Merck Patent Gmbh | Ruthenium-Containing Films Deposited On Ruthenium-Titanium Nitride Films And Methods Of Forming The Same |
KR102564112B1 (ko) * | 2021-05-07 | 2023-08-08 | (주)원익머트리얼즈 | 루테늄 박막의 선택적 증착 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002212112A (ja) | 2001-01-22 | 2002-07-31 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 化学気相蒸着用のルテニウム化合物並びにルテニウム薄膜及びルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法。 |
JP2003049267A (ja) | 2001-05-03 | 2003-02-21 | Hynix Semiconductor Inc | ルテニウム薄膜の形成方法 |
JP2006057112A (ja) | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Jsr Corp | 化学気相成長方法 |
JP2011522124A (ja) | 2008-05-30 | 2011-07-28 | シグマ−アルドリッチ・カンパニー | 原子層堆積によるルテニウム含有膜を形成する方法 |
US20130146468A1 (en) | 2011-12-08 | 2013-06-13 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition (cvd) of ruthenium films and applications for same |
JP2013530304A (ja) | 2010-04-19 | 2013-07-25 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | Cvd及びald用のルテニウム含有前駆体 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07107190B2 (ja) | 1984-03-30 | 1995-11-15 | キヤノン株式会社 | 光化学気相成長方法 |
US6541067B1 (en) | 1998-08-27 | 2003-04-01 | Micron Technology, Inc. | Solvated ruthenium precursors for direct liquid injection of ruthenium and ruthenium oxide and method of using same |
US6074945A (en) | 1998-08-27 | 2000-06-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for preparing ruthenium metal films |
US6133159A (en) | 1998-08-27 | 2000-10-17 | Micron Technology, Inc. | Methods for preparing ruthenium oxide films |
US6380080B2 (en) | 2000-03-08 | 2002-04-30 | Micron Technology, Inc. | Methods for preparing ruthenium metal films |
US20020129768A1 (en) * | 2001-03-15 | 2002-09-19 | Carpenter Craig M. | Chemical vapor deposition apparatuses and deposition methods |
US20030036242A1 (en) | 2001-08-16 | 2003-02-20 | Haining Yang | Methods of forming metal-comprising materials and capacitor electrodes; and capacitor constructions |
JP4472338B2 (ja) | 2001-10-26 | 2010-06-02 | シグマ−アルドリッチ・カンパニー | 化学気相成長のための改良された前駆体 |
US6503764B1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-01-07 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method of making in high density DRAM circuit having a stacked capacitor |
US7045430B2 (en) | 2002-05-02 | 2006-05-16 | Micron Technology Inc. | Atomic layer-deposited LaAlO3 films for gate dielectrics |
KR100991299B1 (ko) | 2002-12-03 | 2010-11-01 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 루테늄 화합물 및 금속 루테늄막의 제조 방법 |
JP4575362B2 (ja) | 2003-03-17 | 2010-11-04 | シグマ−アルドリッチ・カンパニー | 金属酸化物層または膜を成膜するための前駆体 |
US7906393B2 (en) | 2004-01-28 | 2011-03-15 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming small-scale capacitor structures |
GB0412790D0 (en) | 2004-06-08 | 2004-07-14 | Epichem Ltd | Precursors for deposition of silicon nitride,silicon oxynitride and metal silicon oxynitrides |
US7211509B1 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Novellus Systems, Inc, | Method for enhancing the nucleation and morphology of ruthenium films on dielectric substrates using amine containing compounds |
US20060013955A1 (en) | 2004-07-09 | 2006-01-19 | Yoshihide Senzaki | Deposition of ruthenium and/or ruthenium oxide films |
US7205422B2 (en) | 2004-12-30 | 2007-04-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile metal β-ketoiminate and metal β-diiminate complexes |
GB2432363B (en) | 2005-11-16 | 2010-06-23 | Epichem Ltd | Hafnocene and zirconocene precursors, and use thereof in atomic layer deposition |
EP1887102B1 (en) * | 2006-08-08 | 2020-04-08 | L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Precursors having open ligands for ruthenium containing films deposition |
JP5248508B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2013-07-31 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | ルテニウム含有膜の堆積方法 |
TWI382987B (zh) | 2007-07-24 | 2013-01-21 | Sigma Aldrich Co | 應用於化學相沉積製程的有機金屬前驅物 |
TWI425110B (zh) | 2007-07-24 | 2014-02-01 | Sigma Aldrich Co | 以化學相沉積法製造含金屬薄膜之方法 |
EP2201149B1 (en) | 2007-09-14 | 2013-03-13 | Sigma-Aldrich Co. | Methods of preparing titanium containing thin films by atomic layer deposition using monocyclopentadienyl titanium-based precursors |
CN103147062A (zh) | 2007-09-14 | 2013-06-12 | 西格玛-奥吉奇有限责任公司 | 采用单环戊二烯基三烷氧基铪和锆前体通过原子层沉积制备薄膜的方法 |
WO2009086263A1 (en) | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Sigma-Aldrich Co. | Methods for preparing thin films using substituted pyrrolyl-metal precursors |
TW200944535A (en) | 2008-03-20 | 2009-11-01 | Sigma Aldrich Co | Purification and preparation of phosphorus-containing compounds |
WO2009143452A1 (en) | 2008-05-23 | 2009-11-26 | Sigma-Aldrich Co. | High-k dielectric films and methods of producing using cerium-based precursors |
TW200949006A (en) | 2008-05-23 | 2009-12-01 | Sigma Aldrich Co | High-k dielectric films and methods of producing using titanium-based precursors |
TW201014924A (en) | 2008-06-20 | 2010-04-16 | Sigma Aldrich Co | Hafnium and zirconium pyrrolyl-based organometallic precursors and use thereof for preparing dielectric thin films |
KR20120088652A (ko) | 2009-07-21 | 2012-08-08 | 시그마-알드리치 컴퍼니., 엘엘씨 | 티타늄-함유 박막을 형성하기 위한 조성물 및 이용 방법 |
EP3150614B1 (en) | 2009-08-07 | 2017-11-29 | Sigma-Aldrich Co. LLC | High molecular weight alkyl-allyl cobalttricarbonyl complexes and use thereof for preparing dielectric thin films |
US8357614B2 (en) * | 2010-04-19 | 2013-01-22 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Ruthenium-containing precursors for CVD and ALD |
US20110312148A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition of ruthenium films containing oxygen or carbon |
JP2013539501A (ja) | 2010-07-22 | 2013-10-24 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 金属膜堆積 |
KR101404714B1 (ko) | 2011-10-20 | 2014-06-20 | 주식회사 한솔케미칼 | 단차피복성이 우수한 루테늄 화합물 및 이를 이용하여 증착시킨 박막 |
US9416443B2 (en) | 2012-02-07 | 2016-08-16 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method for the deposition of a ruthenium containing film using arene diazadiene ruthenium(0) precursors |
-
2019
- 2019-02-07 WO PCT/EP2019/053067 patent/WO2019154945A1/en unknown
- 2019-02-07 US US16/965,492 patent/US11976352B2/en active Active
- 2019-02-07 JP JP2020542894A patent/JP7346430B2/ja active Active
- 2019-02-07 CN CN201980009893.7A patent/CN111655899A/zh active Pending
- 2019-02-07 EP EP19704000.9A patent/EP3752655A1/en active Pending
- 2019-02-07 KR KR1020207025241A patent/KR20200118831A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-02-14 TW TW108104935A patent/TW202030352A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002212112A (ja) | 2001-01-22 | 2002-07-31 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 化学気相蒸着用のルテニウム化合物並びにルテニウム薄膜及びルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法。 |
JP2003049267A (ja) | 2001-05-03 | 2003-02-21 | Hynix Semiconductor Inc | ルテニウム薄膜の形成方法 |
JP2006057112A (ja) | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Jsr Corp | 化学気相成長方法 |
JP2011522124A (ja) | 2008-05-30 | 2011-07-28 | シグマ−アルドリッチ・カンパニー | 原子層堆積によるルテニウム含有膜を形成する方法 |
JP2013530304A (ja) | 2010-04-19 | 2013-07-25 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | Cvd及びald用のルテニウム含有前駆体 |
US20130146468A1 (en) | 2011-12-08 | 2013-06-13 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition (cvd) of ruthenium films and applications for same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210047725A1 (en) | 2021-02-18 |
EP3752655A1 (en) | 2020-12-23 |
JP2021513605A (ja) | 2021-05-27 |
KR20200118831A (ko) | 2020-10-16 |
US11976352B2 (en) | 2024-05-07 |
WO2019154945A1 (en) | 2019-08-15 |
TW202030352A (zh) | 2020-08-16 |
CN111655899A (zh) | 2020-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7346430B2 (ja) | 無酸素共反応物を使用したルテニウムの蒸着方法 | |
KR101060911B1 (ko) | Ald 또는 cvd 공정을 통한 금속 함유 막의 제조 | |
JP2011522124A (ja) | 原子層堆積によるルテニウム含有膜を形成する方法 | |
JP7385687B2 (ja) | シクロペンタジエニル配位子を含む金属錯体 | |
US20140322924A1 (en) | Silicon containing compounds for ald deposition of metal silicate films | |
US20230203645A1 (en) | Methods Of Forming Molybdenum-Containing Films Deposited On Elemental Metal Films | |
US11380539B2 (en) | Selective deposition of silicon nitride | |
US20230049464A1 (en) | Ruthenium-Containing Films Deposited On Ruthenium-Titanium Nitride Films And Methods Of Forming The Same | |
US20230227966A1 (en) | Methods Of Forming Ruthenium-Containing Films Without A Co-Reactant | |
TW202328050A (zh) | 高介電常數薄膜用鈍化劑、利用其的選擇區域沉積方法、由該方法製造的半導體基板及半導體裝置 | |
TWI794671B (zh) | 用於選擇性形成含金屬膜之化合物及方法 | |
US20230108732A1 (en) | Methods Of Selectively Forming Metal-Containing Films | |
KR20230078514A (ko) | 고유전율 박막용 가리움제, 이를 이용한 선택영역증착 방법, 이로부터 제조된 반도체 기판 및 반도체 소자 | |
KR20240021770A (ko) | 바나듐-함유 막의 증착 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200813 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220127 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230425 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230718 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230906 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7346430 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |