JP2011522124A - 原子層堆積によるルテニウム含有膜を形成する方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、原子層堆積によるルテニウム含有膜を形成する方法を提供する。該方法は少なくとも１つの前駆体を基板に供給すること含み、該少なくとも１つの前駆体は構造において式Ｉ：（Ｌ）Ｒｕ（ＣＯ）_３［式中、Ｌは、直鎖又は分枝Ｃ_２−Ｃ_６−アルケニル基、及び直鎖又は分枝Ｃ_１−６−アルキル基から成る群から選択され；Ｌは、Ｃ_２−Ｃ_６−アルケニル基、Ｃ_１−６−アルキル基、アルコキシ基、及びＮＲ^１Ｒ^２（式中、Ｒ^１とＲ^２は独立してアルキル基又は水素である）から成る群から独立して選択される１以上の置換基で置換されていてもよい］に相当する。
【選択図】図１

Description

関連出願の相互参照
本件特許は、２００８年５月３０日に出願された米国仮特許出願第６１／０５７，５０５号の利益を主張し、その内容を本明細書に援用する。

発明の分野
本発明は、原子層エピタキシーとしても知られている原子層堆積（ＡＬＤ）よるルテニウム含有膜を形成する方法に関する。

ＡＬＤは、表面反応をベースとする、自己制限的で、逐次特異的な膜成長技術である。ＡＬＤは、原子層制御を提供することができ、また、例えば、組成の変動する基板上へチタン系前駆体によって提供される物質からコンフォーマル薄膜を堆積することができる。ＡＬＤにおいて、前駆体は反応の間、分離されている。第１の前駆体は、基板を通過して該基板上で単分子層を生成する。未反応の余分な前駆体は反応チャンバから排出される。次に、第２の前駆体が該基板を通過して第１の前駆体と反応し、該基板表面で第１形成層上の第２単分子層を形成する。このサイクルを繰り返して望みの厚さの膜を作成する。ＡＬＤプロセスは、ナノテクノロジー、及び、キャパシタ電極、ゲート電極、付着性の拡散隔膜、及び集積回路等の半導体デバイスの製作において応用性がある。

Chung, Sung-Hoon et al.は、ＡＬＤ技術によってトリカルボニル−１，３−シクロヘキサジエニルルテニウムを用いたルテニウム膜を報告している（Electrical and Structural Properties of Ruthenium Film Grown by Atomic Layer Deposition using Liquid- Phase Ru(CO)₃(C₆H₈) Precursor.” Mater. Res. Soc. Svmp. Proc. 2007. Volume 990）。

Tatsuy, S. et al.の日本特許公開第２００６−５７１１２号では、（２，３ジメチル−１，３−ブタジエン）トリカルボニルルテニウム、（１，３−ブタジエン）トリカルボニルルテニウム、（１，３−シクロヘキサジエン）トリカルボニルルテニウム、（１，４−シクロヘキサジエン）トリカルボニルルテニウム及び（１，５−シクロオクタジエン）トリカルボニルルテニウム）等のルテニウム前駆体を用いて、化学蒸着によって金属膜を形成することが報告されている。

Visokay, M.の米国特許第６，３８０，０８０号では、化学蒸着によって式（ジエン）Ｒｕ（ＣＯ）_３の液体ルテニウム錯体からルテニウム金属膜の作成方法が報告されている。

ＡＬＤに用いられる現在の前駆体は、半導体等の次世代のデバイスを製作するための新しいプロセスを実行するのに必要とされる性能を提供しない。例えば、改善された熱安定性、より高い揮発性、及びより大きな堆積速度が必要とされる。

ここでは原子層堆積によるルテニウム含有膜を形成する方法を提供する。該方法は少なくとも１つの前駆体を基板に供給することを含み、該少なくとも１つの前駆体は構造において式Ｉ：
（Ｌ）Ｒｕ（ＣＯ）_３ （式Ｉ）
［式中、Ｌは、直鎖又は分枝Ｃ_２−Ｃ_６−アルケニル基、及び直鎖又は分枝Ｃ_１−６−アルキル基から成る群から選択され；Ｌは、Ｃ_２−Ｃ_６−アルケニル基、Ｃ_１−６−アルキル基、アルコキシ基、及びＮＲ^１Ｒ^２（式中、Ｒ^１とＲ^２は独立してアルキル基又は水素である）から成る群から独立して選択される１以上の置換基で置換されていてもよい］に相当する。

上記に要約した実施形態の特定の態様を含む他の実施形態は、後述する発明の詳細な説明から明らかになるであろう。

図１は、（１）（η^４−ブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウム、（２）（η^４−２，３−ジメチルブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウム、及び（３）（シクロヘキサ−１，３−ジエニル）Ｒｕ（ＣＯ）_３の温度に対する％重量減少を表す熱重量分析（ＴＧＡ）のデータを示す。 図２は、熱安定性試験後の（シクロヘキサジエニル）トリカルボニルルテニウム（左）及び（η^４−２，３−ジメチルブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウム（右）の写真を示す。

本発明の様々な態様において、ＡＬＤ法が提供され、金属膜又は金属酸化物膜を形成するためにルテニウムに基づく前駆体を利用している。特定の実施形態において金属膜が堆積される。

Ａ．定義
本明細書で使用する用語「前駆体」は有機金属分子、錯体及び／又は化合物を指す。

一実施形態において、適切な炭化水素溶媒又はアミン溶媒に前駆体を溶解してもよい。適切な炭化水素溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン及びノナン等の脂肪族炭化水素；トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類；ジグリム、トリグリム及びテトラグリム等の脂肪族エーテル及び環状エーテルが挙げられるが、これらに限定されない。適切なアミン溶媒の例としては、オクチルアミン及びＮ，Ｎ−ジメチルドデシルアミンが挙げられるが、これらに限定されない。例えば、前駆体は０．０５〜１Ｍの溶液になるようにトルエンに溶解してもよい。

用語「アルキル」は、炭素数１〜約６の長さの飽和炭化水素鎖を指し、これらに限定されないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基を指す。アルキル基は、直鎖又は分枝鎖であってもよい。例えば、本明細書で使用される、プロピル基はｎ−プロピル基とｉｓｏ−プロピル基を共に含み、ブチル基はｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、及びｔｅｒｔ−ブチル基を含む。さらに、本明細書で使用する「Ｍｅ」はメチル基を指し、また「Ｅｔ」はエチル基を指す。

用語「アルケニル」は炭素数２〜約６の長さの不飽和炭化水素鎖を指し、１つ以上の二重結合を含む。例としては、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

用語「ジエニル」は２つの二重結合を含む炭化水素基を指す。ジエニル基は直鎖、分枝、又は環状であってもよい。更に、２つ以上の単結合によって隔てられた二重結合をもつ非共役ジエニル基；一つの単結合によって隔てられた二重結合を有する共役ジエニル基、及び共通の原子を共有する集積ジエニル基がある。

（単独の、又は、別の用語と結合した）用語「アルコキシル」は、置換基、すなわち−Ｏ−アルキル基を指す。このような置換基の例はメトキシ基（−Ｏ−ＣＨ_３）、エトキシ基等である。アルキル部分は直鎖又は分枝鎖であってもよい。例えば、本明細書で使用するプロポキシ基はｎ−プロポキシ基とｉｓｏ−プロポキシ基を共に含み；ブトキシ基は、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔｅｒｔ−ブトキシ基を含む。

Ｂ．化学
一実施形態において、原子層堆積によるルテニウム含有膜を形成する方法を提供する。該方法は少なくとも１つの前駆体を基板に供給することを含み、該少なくとも１つの前駆体は構造において式Ｉ：
（Ｌ）Ｒｕ（ＣＯ）_３ （式Ｉ）
［式中、Ｌは、直鎖又は分枝Ｃ_２−Ｃ_６−アルケニル基、及び直鎖又は分枝Ｃ_１−６−アルキル基から成る群から選択され；Ｌは、Ｃ_２−Ｃ_６−アルケニル基、Ｃ_１−６−アルキル基、アルコキシ基、及びＮＲ^１Ｒ^２（式中、Ｒ^１とＲ^２は独立してアルキル基又は水素である）から成る群から独立して選択される１以上の置換基で置換されていてもよい］に相当する。

一実施形態において、Ｌは直鎖又は分枝ジエニル基を含む部分である。このような直鎖又は分枝ジエニル基を含む部分の例としては、ブタジエニル基、ペンタジエニル基、ヘキサジエニル基、ヘプタジエニル基及びオクタジエニル基が挙げられる。更なる実施形態において、該直鎖又は分枝ジエニル基を含む部分は、１，３−ジエニル基を含む部分である。

他の実施形態において、ＬはＣ_２−Ｃ_６−アルケニル基、Ｃ_１−６−アルキル基、アルコキシ基、及びＮＲ^１Ｒ^２（Ｒ^１とＲ^２は上記で定義された通り）等の１以上の置換基で置換される。特定の実施形態において、Ｌはジエニル基を含む部分であり、Ｃ_２−Ｃ_６−アルケニル基、Ｃ_１−６−アルキル基、アルコキシ基、及びＮＲ^１Ｒ^２（Ｒ^１とＲ^２は上記で定義された通り）等の１以上の置換基で置換される。

一実施形態において、Ｌは、これらに限られないが、メチル基、エチル基、プロピル基、又はこれらのいずれかの組み合わせ等の１以上のＣ_１−６−アルキル基で置換されてもよい。

少なくとも一つの前駆体の例としては、
（η^４−ブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウム；
（η^４−２，３−ジメチルブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウム；及び
（η^４−２−メチルブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウム
が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

２つの開鎖ジエニル化合物及びシクロヘキサジエニル化合物の特性を以下に示す。

Ｃ．酸素共反応物及び非酸素共反応物
上述の通り、ＡＬＤプロセスを使用すると、式Ｉによる少なくとも１つのルテニウム前駆体を用いて基板上で薄い金属膜又は薄い金属酸化物膜を形成することができる。該少なくとも１つのルテニウム前駆体が単独で又は共反応物（別名、共前駆体）と共に該膜を形成することができる。

一般的に、ルテニウム前駆体はＡＬＤによる薄いルテニウム膜を堆積するために酸化環境（空気、Ｏ_２、オゾン、又は水等）を必要とする。従って、一実施形態において、ルテニウム含有金属酸化物膜を基板上に堆積する。少なくとも１種の前駆体は、Ｈ_２Ｏ、Ｈ_２Ｏ_２、Ｏ_２、オゾン又はこれらの任意の組合せ等の適当な酸素源のパルスと交代するパルスにおいて基板上に堆積され、又は供給されてもよい。

更に、本発明のルテニウム含有前駆体が非酸素共反応物を用いてルテニウム含有膜を堆積することができるということが発見された。従って、本発明の他の実施形態において、ルテニウム含有膜は、非酸素共反応物を用いて原子層堆積によって形成される。

例えば、非酸素共反応物は実質的に、水素、水素プラズマ、窒素、アルゴン、アンモニア、ヒドラジン、アルキルヒドラジン、シラン、ボラン又はこれらの任意の組合せ等のガス状の材料であってもよい。特定の実施形態において、非酸素ガス状物質は水素である。

Ｅ．基板
様々な基板を本発明の方法で使用することができる。例えば、式Ｉによる前駆体を用いて、これらに限定されないが、ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、タンタル、窒化タンタル又は銅等の基板上にルテニウム含有膜を堆積してもよい。

Ｆ．ＡＬＤの類型
本発明のＡＬＤ法は様々なＡＬＤプロセスを含む。例えば、一実施形態において従来のＡＬＤを用いてルテニウム含有膜を形成する。従来のＡＬＤプロセス、及び／又はパルスインジェクションＡＬＤプロセスに関してはGeorge S. M., et. al. J. Phys. Chem. 1996. 100:13121-13131を参照のこと。従来のＡＬＤの成長条件の例は、
（１）基板温度：２５０℃
（２）ルテニウム前駆体温度（源）：３５℃
（３）反応器の圧力：１００ｍｔｏｒｒ
（４）パルスシークエンス（秒）（前駆体／パージ／共反応物／パージ）：約１／９／２／８
であるが、これらに限定されない。

別の実施形態において、液体インジェクションＡＬＤを用いてルテニウム含有フィルムを形成する。液体インジェクションＡＬＤでは、バブラーによる蒸気吸引と対向して、液体前駆体は直接液体ダイレクトリキッドインジェクションにより反応チャンバに供給される。液体インジェクションＡＬＤに関しては、Potter R. J., et. al. Chem. Vap. Deposition. 2005. 11(3): 159を参照のこと。液体インジェクションＡＬＤ成長の条件の例は、
（１）基板温度：ケイ素（１００）で１６０−３００℃
（２）蒸発装置の温度：約１００℃
（３）反応器の圧力：約１ｔｏｒｒ
（４）溶媒：トルエン
（５）溶液濃度：約０．０７５Ｍ
（６）インジェクション率：約５０μｌ ｐｕｌｓｅ^−１
（７）アルゴン流量：約１０ｃｍ^３／分
（８）パルスシーケンス（秒）（前駆体／パージ／共反応物／パージ）：約２／８／２／８
（９）サイクル数：３００
であるが、これらに限定されない。

別の実施形態において、光ＡＬＤを用いてルテニウム含有膜を形成する。光ＡＬＤプロセスに関しては、米国特許第４，５８１，２４９号を参照のこと。

従って、該方法で利用される式Ｉによる有機金属前駆体は、液体、固体、又はガス状であってもよい。特に、前駆体は、プロセスチャンバへ蒸気を一定して輸送するのに適した高い蒸気圧を有する外界温度では、液体である。

Ｇ．抵抗
別の実施形態において、ルテニウム含有膜は金属基板上で形成され、約１００ｍｏｈｍ／ｃｍ^２未満の抵抗を有する。特定の実施形態においては、該金属基板はタンタル又は銅である。

また別の実施形態において、ルテニウム含有膜はケイ素又は二酸化ケイ素基板の上で形成され、抵抗は約２０ｏｈｍ／ｃｍ^２〜約１００のｍｏｈｍ／ｃｍ^２である。

更に、特定の実施形態において、本発明の方法は、シリコンチップ上の記憶装置及び論理アプリケーション用のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）及び相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）等の用途に利用される。

以下の実施例は単なる実例であって、本開示を何らかの形で限定するものではない。

実施例１−前駆体の特性
図１は、（η^４−ブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウム、（η^４−２，３−ジメチルブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウム、及び（η^４−１，３−シクロヘキサジエニル）トリカルボニルルテニウムのＴＧＡデータを比較するものである。

（η^４−ブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウムに対する結果は０．８３％あった。

（η^４−２，３−ジメチルブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウムに対する結果は０．０６％であった。

（η^４−１，３−シクロヘキサジエニル）トリカルボニルルテニウムに対する結果は７．３％であった。

図１は、直鎖又は分枝（「開鎖の」）ジエン化合物は純粋で、また分解を起こさないで適合して揮発するため、該化合物がＡＬＤプロセスに適切であることを示す。図１より、ＴＧＡにおいて残渣が少なく、熱暴露で劣化が少ないことを示すことから、開鎖ジエンがシクロヘキサジエニル誘導体より安定であることが示される。一般的に良いＡＬＤ源（前駆体）は５％未満のＴＧＡ残渣を有し、理想的には１％未満のＴＧＡ残渣を有する。

実施例２−（η ^４ −ブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウムの従来のＡＬＤ
（η^４−ブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウムを含むアンプルは３５℃までホットボックスで予熱された。２ｃｍ^２のウエハ片は、真空で２５０℃まで加熱された反応チャンバにセットされた。前駆体のオーブンと共反応物のガス（水素）間のラインは４５℃にまで加熱された。アルゴンは、運転中１０ｓｃｃｍで連続的にチャンバにパージされた。運転は１秒間前駆体においてパルシングにより開始し、続いて９秒間アルゴンのみでパージフローをした。共反応物（Ｈ_２）は、それから、２秒間パルス供給され、続いて８秒間アルゴンのみでパージフローをした。この１／９／２／８のシーケンスは１サイクルを占めた。３００フルサイクルの間運転を継続した。３００サイクル後に該前駆体及び共反応物（Ｈ_２）をチャンバに対して閉鎖し、１０ｓｃｃｍのアルゴンパージを継続させて室温にまで系を冷却した。

実施例３−（η ^４ −２，３−ジメチルブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウムの従来のＡＬＤ
（η^４−２，３−ジメチルブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウムを含むアンプルは３５℃までホットボックスで予熱された。２ｃｍ^２のウエハ片は、真空で２５０℃まで加熱された反応チャンバにセットされた。前駆体のオーブンと共反応物のガス（水素）間のラインは４５℃にまで加熱された。アルゴンは、運転中１０ｓｃｃｍで連続的にチャンバにパージされた。運転は１秒間前駆体においてパルシングにより開始し、続いて９秒間アルゴンのみでパージフローをした。共反応物（Ｈ_２）は、それから、２秒間パルス供給され、続いて８秒間アルゴンのみでパージフローをした。この１／９／２／８シーケンスは１サイクルを占めた。３００フルサイクルの間運転を継続した。３００サイクル後に該前駆体及び共反応物（Ｈ_２）をチャンバに対して閉鎖し、１０ｓｃｃｍのアルゴンパージを継続させて室温にまで系を冷却した。

実施例４−（η ^４ −２，３−ジメチルブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウムの従来の液体インジェクションＡＬＤ
１ｇの（η^４−２，３−ジメチルブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウムを含むトルエン約５０ｍＬ溶液（０．０７５Ｍ）を含むアンプルは、１００℃で気化器にパルス供給される。２ｃｍ^２のウエハ片は、真空で２５０℃まで加熱された反応チャンバにセットされた。反応器とチャンバの間のラインは１１０℃に保たれ、前駆体のオーブンと共反応物のガス（水素）間のラインは４５℃にまで加熱された。アルゴンは、運転中１０ｓｃｃｍで連続的にチャンバにパージされた。運転は１秒間蒸発させた前駆体においてパルシングにより開始し、続いて９秒間アルゴンのみでパージフローをした。共反応物（Ｈ_２）は、それから、２秒間パルス供給され、続いて８秒間アルゴンのみでパージフローをした。この１／９／２／８シーケンスは１サイクルを占めた。３００フルサイクルの間運転を継続した。３００サイクル後に該前駆体及び共反応物（Ｈ_２）をチャンバに対して閉鎖し、１０ｓｃｃｍのアルゴンパージを継続させて室温にまで系を冷却した。

実施例５−（η ^４ −２，３−ジメチルブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウム及び（シクロヘキサジエニル）トリカルボニルルテニウムの熱安定性の比較
（η^４−１，３−シクロヘキサジエニル）トリカルボニルルテニウム、及び（η^４−２，３−ジメチルブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウムが不活性雰囲気下において１３時間１１０℃で保たれた場合、（η^４−１，３−シクロヘキサジエニル）トリカルボニルルテニウムは徐々に分解したが、（η^４−２，３−ジメチルブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウムは変化がなかった。その結果を図２に示す。左が（η^４−１，３−シクロヘキサジエニル）トリカルボニルルテニウムで、右が（η^４−２，３−ジメチルブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウムである。

実施例６−（ＢＤ）Ｒｕ（ＣＯ） _３ 、（ＤＭＢＤ）Ｒｕ（ＣＯ） _３ 、及び（ＣＨＤ）Ｒｕ（ＣＯ） _３ のＡＬＤによる膜成長の比較
３つの異なるルテニウム前駆体を用いたＡＬＤによる膜成長を次の成長パラメータを使って比較した。

膜特性を比較し以下に示す。

（ＢＤ）Ｒｕ（ＣＯ）_３、（ＤＭＢＤ）Ｒｕ（ＣＯ）_３、及び（ＣＨＤ）Ｒｕ（ＣＯ）_３はすべて揮発性のＲｕ（０）前駆体であると考えられる。長期間にわたって、開鎖ジエン系は閉鎖ジエン系（例えば、シクロヘキサジエニル前駆体）より安定である。３つすべての基板のシート抵抗は３６〜４９μΩ／ｓｑである。

ここで引用される特許と刊行物のすべての内容はこの出願に援用される。

「含むおよび含んでいる（comprise、comprises、comprising）」は排他的にではなく包含的に解釈されるべきである。

Claims (17)

1. 原子層堆積によるルテニウム含有膜を形成する方法であって、少なくとも一つの前駆体を基板に供給することを含み、該少なくとも一つの前駆体の構造は、式Ｉ：
   （Ｌ）Ｒｕ（ＣＯ）_３ （式Ｉ）
   ［式中、Ｌは、直鎖又は分枝Ｃ_２−Ｃ_６−アルケニル基、及び直鎖又は分枝Ｃ_１−６−アルキル基から成る群から選択され；Ｌは、Ｃ_２−Ｃ_６−アルケニル基、Ｃ_１−６−アルキル基、アルコキシ基、及びＮＲ^１Ｒ^２（式中、Ｒ^１とＲ^２は独立してアルキル基又は水素である）から成る群から独立して選択される１以上の置換基で置換されていてもよい］に相当する、方法。
2. Ｌが直鎖又は分枝のジエニル基を含む部分である、請求項１記載の方法。
3. Ｌが、ブタジエニル基、ペンタジエニル基、ヘキサジエニル基、ヘプタジエニル基、及びオクタジエニル基から成る群から選択される、直鎖又は分枝のジエニル基を含む部分である、請求項１記載の方法。
4. Ｌが、Ｃ_２−Ｃ_６−アルケニル基、Ｃ_１−６−アルキル基、アルコキシ基、及びＮＲ^１Ｒ^２（式中、Ｒ^１とＲ^２は独立してアルキル基又は水素である）から成る群から独立して選択される１以上の置換基で置換されている、請求項１記載の方法。
5. 前記少なくとも一つの前駆体が、
   （η^４−ブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウム；
   （η^４−２，３−ジメチルブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウム；及び
   （η^４−２−メチルブタ−１，３−ジエン）トリカルボニルルテニウム
   から成る群から選択される、請求項１記載の方法。
6. 前記原子層堆積が光原子層堆積である、請求項１記載の方法。
7. 前記原子層堆積が液体インジェクション原子層堆積である、請求項１記載の方法。
8. 前記原子層堆積がパルスインジェクション原子層堆積である、請求項１記載の方法。
9. 前記ルテニウム含有膜が非酸素共反応物を用いて原子層堆積によって形成される、請求項１記載の方法。
10. 非酸素共反応物が、水素、窒素、アルゴン、アンモニア、ヒドラジン、アルキルヒドラジン、シラン、及びボランからなる群から選択されるガス状の材料を実質的に含む、請求項９記載の方法。
11. 非酸素ガス状物質が水素である、請求項１０記載の方法。
12. 前記基板が、ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、タンタル、窒化タンタル及び銅から成る群から選択される、請求項１記載の方法。
13. 前記基板が金属であって抵抗が約１００ｍｏｈｍ／ｃｍ^２未満である、請求項１記載の方法。
14. 前記基板がタンタル又は銅である、請求項１３記載の方法。
15. 前記基板がケイ素又は二酸化ケイ素であってその抵抗が約２０ｏｈｍ／ｃｍ^２〜約１００ｍｏｈｍ／ｃｍ^２である、請求項１記載の方法。
16. シリコンチップ上の記憶装置及び論理アプリケーション用に使用される、請求項１記載の方法。
17. ＤＲＡＭ又はＣＭＯＳアプリケーション用に使用される、請求項１６記載の方法。