JP2018511142A - 反射層を有する異方性導電フィルム（ａｃｆ） - Google Patents

反射層を有する異方性導電フィルム（ａｃｆ） Download PDF

Info

Publication number
JP2018511142A
JP2018511142A JP2017545390A JP2017545390A JP2018511142A JP 2018511142 A JP2018511142 A JP 2018511142A JP 2017545390 A JP2017545390 A JP 2017545390A JP 2017545390 A JP2017545390 A JP 2017545390A JP 2018511142 A JP2018511142 A JP 2018511142A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reflective
acf
adhesive layer
particles
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017545390A
Other languages
English (en)
Inventor
リアン，ロン−チャン
サン，ジェーン
チャン，ケレン
Original Assignee
トリリオン サイエンス インコーポレイテッド
トリリオン サイエンス インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by トリリオン サイエンス インコーポレイテッド, トリリオン サイエンス インコーポレイテッド filed Critical トリリオン サイエンス インコーポレイテッド
Publication of JP2018511142A publication Critical patent/JP2018511142A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/06—Electrode terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Abstract

異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を提供する。一実施形態においては、ＡＣＦは、頂面を有する非反射接着層と、非反射接着層に含まれる複数の導電性粒子と、非反射接着層の頂面に沿って設けられた反射接着層とを備える。反射層は、少なくとも５重量％の反射粒子を含む。

Description

本願は、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）に関し、特に、非反射接着層および反射層を含むＡＣＦに関する。この反射層は、反射添加剤を含む接着層でもよく、また、薄膜被覆した反射層でもよい。ＡＣＦが発光装置または光透過装置の一部である場合、ＡＣＦの反射層によれば光出力や色純度といった性質を向上させることができる。また、ＡＣＦの反射層によれば、ＡＣＦの電極基材への取り付けをも向上させることができる。
異方性導電フィルム（ＡＣＦ）は、通常、フラットパネルディスプレイドライバの集積回路（ＩＣ）接合に用いられる。通常のＡＣＦ接合工程は、パネルガラスの電極上にＡＣＦを取り付ける第１段階と、パネル電極にドライバＩＣ接合パッドが位置合わせされる第２段階と、接合パッドに圧力と熱を加えてＡＣＦを数秒で溶融させ硬化させる第３段階を含む。ＡＣＦの導電性粒子は、パネル電極とドライバＩＣとの間の異方性導電性を付与する。
スマートフォンや電子タブレット等の電子機器における高精細ディスプレイの使用が市場トレンドになるにつれ、超微細ピッチのＡＣＦの必要性が劇的に高まっている。しかしながら、ピッチサイズが減少すると、電極のサイズも小さくしなければならず、また、満足の行く導電性またはインピーダンスを確保する目的で、接続された電極上の要求された粒子密度を実現するために、導電性粒子の濃度を高くしなければならない。
従来のＡＣＦの導電性粒子は通常、ＡＣＦ中にランダムに分散している。Ｘ−Ｙ導電性のためにそのような分散システムの粒子密度には制限がある。従来のＡＣＦを使用する多くの接合工程では、ほんの少量の導電性粒子しか電極に捕集されない。ほとんどの粒子は実際、電極間の領域に流され、ある場合には、ＡＣＦのＸ−Ｙ平面において短絡を引きおこし好ましくない。微細ピッチ接合用途においては、各接合パッドに接合された十分な数の導電性粒子を確保するため、導電性粒子密度は十分に高くなければならない。しかしながら、導電性粒子の高密度およびランダム分散の特徴に起因して、２つの接合パッド間の絶縁領域における短絡や好ましくない高密度の蓋然性も増す。
固定配列ＡＣＦは、従来のＡＣＦの欠陥のいくつかを克服する。固定配列ＡＣＦの導電性粒子は、予め決定されたパターンで配列される。固定配列ＡＣＦは、超微細ピッチＩＣの高解像度接続を達成するための最も効果的なアプローチの一つとして認識されている。例えば、約３００〜４００μｍ２という小ささの最小接合領域と、３μｍという狭さの最小接合空間は、少なくとも３０，０００ｐｃｓ（粒子数）／ｍｍ２の導電性粒子密度を有する固定配列ＡＣＦによって実施される。固定配列ＡＣＦに関して述べられているいくつかの参考文献には、例えば、特許文献１および非特許文献１〜３がある。
米国特許公報Ｎｏ．２０１４／０１４１１９５ Ｌｉａｎｇ ｅｔ ａｌ．
Ｌｉａｎｇ，Ｒ．Ｃ．ｅｔ ａｌ．「超微細ピッチ用途の固定配列異方性導電フィルム（ＦＡＣＦ）」、フレキシブル・プリンテッドエレクトロニクスに関する国際学会（ＩＣＦＰＥ）会報、文書Ｓ１−２−４、新竹、台湾（２０１０年） 「導電性粒子の固定配列による超微細ピッチ異方性導電フィルム」、ＩＤＷ’１０会報、１９０９頁、文書ＦＭＣ４−４、福岡、日本（２０１０年） 「超微細ピッチ固定配列ＡＣＦ」Ｔｅｃｈ ｏｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ（２０１１年３月１日）
固定配列ＡＣＦにはいくつかの欠点もある。特に、電極基材への固定配列ＡＣＦの取り付けは、固定配列ＡＣＦの導電性粒子の密度が高すぎる場合、再現性が無い。例えば、導電性粒子密度２０，０００ｐｃｓ／ｍｍ２以上であると、固定配列ＡＣＦの表面は非粘着性の導電性粒子の配列によって主に覆われるので、固定配列ＡＣＦの電極基材への取り付けが阻害される。さらに、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）（すなわち、＞３０，０００ｐｃｓ／ｍｍ２）や他の金属化ポリマー粒子等の導電性粒子の高い濃度に起因して、固定配列ＡＣＦの色合いは比較的暗く、茶色っぽくなり、ぼやける。仮にＡＣＦが発光ダイオード（ＬＥＤ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）といった発光装置と共に用いられる場合、固定配列の暗色は、発光装置から放射および／または反射される光度および色純度に悪影響を与える。固定配列ＡＣＦが液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）といった光透過または反射装置で用いられる場合にも同様の問題が存在する。
装置の光度および色純度の悪化を軽減するための一つの試みとして、酸化チタン（ＴｉＯ２）といった反射顔料を発光装置の従来の接着層に添加した。しかしながら、従来の接着層に反射顔料を添加しても、反射顔料の濃度が所定の閾値（通常≧１０％）を超えない限り、装置の反射性、光出力または色純度は改善されない。しかしながら、接着剤中の反射顔料のそのような高濃度は、微細流体粒子移送工程において粒子移送効率と均一性の明らかな悪化という結果になる傾向を示す。一方、低濃度の反射顔料を含む厚い接着層内での光散乱は、反射率の百分率減少のみならず不透過度においても改善を示す。現在利用可能な接着層は一般的に、比較的低い百分率（すなわち２％未満）の反射顔料をフィラーとして含む。したがって、この分野では、発光および光透過または反射装置に用いられた際に反射性、光出力および色純度特性の改善をもたらす、導電性粒子を高濃度で含む改良された固定配列ＡＣＦが求められている。
本発明の一態様においては、開示される異方性導電フィルム（ＡＣＦ）は、非反射接着層と反射接着層を備える。非反射接着層は、頂面と、非反射接着層に含まれる複数の導電性粒子とを有し、反射接着層は、非反射接着層の頂面に沿って設けられる。反射層は、少なくとも５重量％の反射粒子を含む。
本発明の他の態様においては、開示されるＡＣＦは、非反射接着層と薄膜被覆反射層を備える。非反射接着層は、頂面と、非反射接着層に含まれる複数の導電性粒子とを有し、薄膜被覆反射層は、非反射接着層の頂面に沿って設けられる。薄膜被覆反射層は、第２頂面を有する。ＡＣＦはまた、薄膜被覆反射層の第２頂面に沿って設けられた第２接着層を有する。
本発明のさらに他の態様においては、開示される発光装置は、複数の発光素子を含む発光ハウジングと、電極基板と、発光ハウジングと電極基板との間に設けられた複数のチップ突起と、発光ハウジングと電極基板を電気的に接続するＡＣＦとを備える。ＡＣＦは、非反射接着層と反射接着層を備える。非反射接着層は、頂面と、非反射接着層に含まれる複数の導電性粒子とを有し、反射接着剤層は、非反射接着層の頂面に沿って設けられる。反射層は、少なくとも５重量％の反射粒子を含む。
さらに他の実施形態においては、開示される光反射装置は、ハウジングと、電極基板と、光反射素子と電極基板との間に設けられた複数のチップ突起と、ハウジングと電極基板を電気的に接続するＡＣＦとを備える。ＡＣＦは、非反射接着層と反射接着層を備える。非反射接着層は、頂面と、非反射接着層に含まれる複数の導電性粒子とを有し、反射接着層は、非反射接着層の頂面に沿って設けられる。反射層は、少なくとも５重量％の反射粒子を含む。
本発明の方法およびシステムのその他の目的および利点を以下の記述、図面、特許請求の範囲によって明確にする。
図１は、反射接着層を有する本発明のＡＣＦの側断面図である。 図２は、図１のＡＣＦの選択可能な実施形態であり、ＡＣＦは反射接着層に代えて薄膜被覆反射層を有する。 図３は、図１に示す本発明のＡＣＦを有する発光装置の実施形態である。 図４は、図１に示す本発明のＡＣＦを有する光透過装置の実施形態である。
図１は、本発明の異方性導電フィルム（ＡＣＦ）１０の模式的な側断面図である。ＡＣＦ１０は、複数の導電性粒子２０を有し、まず非反射接着層２２、次に反射接着層２４、および剥離ライナー２６を有する。当業者であれば、非反射接着層２２、反射接着層２４および剥離ライナー２６が図面通りの寸法でないことは明らかであり、剥離ライナー２６は、実際は非反射接着層２２および反射接着層２４よりも厚い。非反射接着層２２は、第一に頂面３０を有し、第二に底面３２を有する。反射接着層２４も同様に、第一に頂面３４を有し、第二に底面３６を有する。下記に図２によってより詳細に説明するように、他の実施形態におけるＡＣＦ１００は、反射接着層２４に代えて薄膜被覆反射層１２４を有する。ＡＣＦ１００はまた、別の付加的な接着層１２８も有する。
図１に戻ると、剥離ライナー２６は、反射接着層２４の頂面３４に沿って設けられ、ＡＣＦ１０を運ぶのに用いられる。反射接着層２４は、非反射接着層２２の頂面３０に沿って設けられ、導電性粒子２０は、非反射接着層２２の底面３２に沿って設けられる。本発明を具体化するにあたっては、ＡＣＦに使用されるどのような導電性粒子２０も使用することができる。ＡＣＦ１０に使用される導電性粒子２０の幾つかの例は、Ｌｉａｎｇらの米国特許８８０２２１４号と共通しており、それらを参照することでその全体を本願に組み合わせる。一実施形態においては、非反射接着層２２は、導電性粒子２０の濃度が少なくとも２０，０００個／ｍｍ２であり、特定の一実施形態においては、少なくとも３０，０００個／ｍｍ２である。
一つの例示的な実施形態においては、ＡＣＦ１０は、非ランダムまたは固定配列ＡＣＦである。すなわち、導電性粒子２０は、非反射接着層２２の底面３２に沿って予め決められた位置に設けられている。Ｌｉａｎｇの米国特許８８０２２１４号には、固定配列ＡＣＦの製造方法が開示されている。しかしながら、固定配列ＡＣＦは記載されているが、本願は固定配列ＡＣＦにのみ限定されるものではないと理解すべきである。その開示は、導電性粒子２０が非反射接着層２２内でランダムに分散される従来のＡＣＦにも同様に適用される。
図１の実施形態では、導電性粒子２０は、非反射接着層２２内に部分的に埋まっている。しかしながら、他の実施形態では、導電性粒子２０は非反射接着層２２内に完全に埋まっている場合もあることを同様に理解すべきである。導電性粒子２０は、充填された微細空洞の配列から、非反射接着層２２に移送されてＡＣＦ１０が製造されるのであり、これはＬｉａｎｇの米国特許８８０２２１４号に記載されている。
非反射接着層２２は、熱可塑性、熱硬化性、あるいはそれらの前駆体であってよい。有用な接着剤としては、これらのみに限定されないが、感圧接着剤、熱溶融接着剤、熱または放射線硬化接着剤が挙げられる。接着剤としては、例えば、エポキシド、フェノール樹脂、アミン−ホルムアルデヒド樹脂、ポリベンゾオキサジン、ポリウレタン、シアネートエステル、アクリル、アクリレート、メタクリレート、ビニルポリマー、ポリ（スチレン−ブタジエン共重合）およびそれらのブロック共重合体等のゴム、ポリオレフィン、ポリエステル、不飽和ポリエステル、ビニルエステル、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカプロラクトン、ポリエステル、およびポリアミドが挙げられる。エポキシド、シアネートエステルおよび多官能アクリレートは特に有用である。触媒または潜在的硬化剤を含む硬化剤は、接着剤の硬化反応速度を制御するために使用される。エポキシ樹脂のための有用な硬化剤は、ジシアノジアミド（ＤＩＣＹ）、アジピン酸ジヒドラジド、２−メチルイミダゾールおよびそのカプセル化製品（旭化成製の液体ビスフェノールＡエポキシ入りＮｏｖａｃｕｒｅＨＸ分散液等）、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、ＢＦ３アミン付加物、味の素製のＡｍｉｃｕｒｅ等のアミン、ジアミノジフェニルスルホン、ｐ−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモン酸塩等のスルホン酸塩が挙げられるがこれらのみに限定されない。チタン酸塩、ジルコン酸塩およびグリシドオキシプロピルトリメトキシシランや３−アミノプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤のみに限定されないがこれらを含むカップリング剤はまた、ＡＣＦの耐久性を向上させるのに使用される。エポキシ型のＡＣＦの性能に及ぼす硬化剤およびカップリング剤の影響は、Ｓ．ＡｓａｉらのＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，５６，７６９（１９９５）に開示されている。この文献全体がここで参照のために用いられる。
一実施形態においては、非反射接着層２２は、約４μｍ〜約２５μｍの厚さを有する。特定の一実施形態においては、非反射接着層２２の厚さは、約２μｍ〜約１５μｍであり、特に、約３μｍ〜約８μｍである。一実施形態においては、反射接着層２４は、約１μｍ〜約１０μｍの厚さを有し、特に、約２μｍ〜約６μｍである。特定の一実施形態においては、反射接着層２４の厚さは、約３μｍ〜約５μｍである。
反射接着層２４は、ＡＣＦ１０の反射性を向上させる反射粒子を含むと理解すべきである。反射性を向上させるのに加え、反射粒子は、予備接合の際、ＡＣＦ１０の電極基板７６（図３参照）への取り付け性をも向上させる。理論で裏付けられている訳ではないが、反射接着層２４中の反射粒子は、接合および非接合領域の境界において反射接着層２４を砕くのに必要とされるクラック基点と伝播を生じる局部欠陥として機能するか、または、ＡＣＦ１０の剥離ライナー２６への接着性を減少させると考えられている。
一実施形態においては、反射接着層２４の反射粒子は、二酸化チタン（ＴｉＯ２）等の白色顔料である。しかしながら、反射粒子は二酸化チタンのみに限定されないと理解すべきである。例えば、反射粒子は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等の他のタイプの白色顔料が挙げられるが、これらのみに限定されない。一実施形態においては、反射粒子は、プラスチック顔料等のホロ型ポリマー粒子である。特に、反射粒子は、ローム・アンド・ハース（ミシガン、ミッドランドの現ダウ・ケミカル社）製のホロ型架橋ポリマー粒子である。さらに他の実施形態においては、反射粒子は、電気的絶縁体でカプセル化された電気絶縁性または導電性の反射性または逆反射性粒子である。反射性または逆反射性粒子の幾つかの例は、中空ガラス微球、マイカ、コレステリック液晶顔料粒子および高屈折率酸化物である。高屈折率酸化物の幾つかの例は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ）およびそれらの合金が挙げられるが、これらのみに限定されない。一実施形態においては、窒化ホウ素（ＳＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、または硫酸カルシウム（ＣａＳＯ４）およびそれらの組み合わせ等の低指数無色フィラーが、有色素の接着層の反射率を改善するのに使用される。
反射粒子の形状は、例えば、ほぼ球形、鱗状、不定形、針状である。もし反射粒子がほぼ球形であれば、反射粒子の直径が小さすぎると光反射率が損なわれると理解すべきである。しかしながら、直径が大きすぎると、導電性粒子に起因する異方性結合が阻害される傾向にある。このように、一実施形態においては、反射粒子の平均直径は、約０．１μｍ〜約５μｍである。特定の一実施形態においては、反射粒子の直径は、約０．２μｍ〜約１μｍである。反射粒子が鱗状を含む場合、その長径は約０．１μｍ〜約１０μｍであり、特定の一実施形態においては、約０．２μｍ〜約１μｍであり、その厚さは約１μｍ〜約１０μｍであり、特定の一実施形態においては、約２μｍ〜約５μｍである。反射粒子が絶縁被覆に覆われている場合、反射粒子の寸法は、絶縁被覆を含む寸法である。
反射接着層２４内の反射粒子の百分率が高すぎる場合、予備接合に際して、電極基板７６またはチップ突起８０（図３参照）に対する接着性が減少してしまう結果をもたらすと理解すべきである。反射粒子の百分率が高すぎる場合にはまた、耐衝撃性、耐熱ショック性および耐湿性の減少ももたらす。同様に、接着層２４内の接着粒子の百分率が低すぎる場合、光反射率が損なわれる。反射接着層２４は少なくとも２０％の反射率を示す。一実施形態においては、反射接着層２４は少なくとも３０％の反射率を示し、特定の一実施形態においては、反射接着層２４は少なくとも５０％の反射率を示す。反射接着層２４は、少なくとも５重量％（≧５重量％）の反射粒子を含み、特定の一実施形態においては、少なくとも１０重量％（≧１０重量％）の反射粒子を含む。一実施形態においては、反射接着層２４内の反射粒子の百分率は、約１０重量％〜約２０重量％であり、少なくとも５０％の光反射率を示す。反射接着層２４内ではより高い百分率の反射粒子を使用することもできるが、接着性や製造物の信頼性の低下をもたらすと理解すべきである。具体的には、反射接着層２４内の反射粒子の最大百分率は、約３０重量％である。
一実施形態においては、剥離ライナー２６の底面７０はまず、微細エンボス加工され、反射接着層２４は剥離ライナー２６上に被覆される。あるいは、別の実施形態においては、代わりに非反射接着層２２の頂面３０が微細エンボス加工され、反射接着層２４は非反射接着層２２の頂面３０上に被覆される。言い換えると、剥離ライナー２６または非反射接着層２２のどちらかが予備エンボス加工された表面を有し、反射接着層２４はそれぞれの予備エンボス加工されたその表面に被覆される。
図２は他の選択可能な実施形態におけるＡＣＦ１００であり、反射層１２４は、例えば、無電解または電解メッキ、気相析出またはスパッタリング等の薄膜被覆法によって非反射接着層１２２の頂面１３０に被覆または塗布される。言い換えると、非反射接着層１２２は、電解または無電解のメッキ層、気相析出層または反射スパッタされた層のいずれかである。約５〜約３００ｎｍの厚さ、特定の実施形態においては約１０〜１００ｎｍの厚さを有する銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化錫（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）およびそれらの合金等の中間色金属または金属酸化物層が用いられる。
図２に示す実施形態においては、反射層１２４は、接着剤を含まない薄膜被覆反射層である。したがって、剥離ライナー１２６が除去されると、表示層（図２参照）に対する粘着接触をするために、第２のまたは付加的な接着層１２８が反射層１２４の頂面１３４に沿って配置される。具体的には、接着層１２８は、下記のより詳細な説明で述べるＬＥＤ等の電気製品の組み立てに際して表示層と粘着接触する。接着層１２８の組成は、非反射接着層１２２または反射接着層１２４のいずれかと同じかまたは異なっても良い。反射層１２４は、非反射接着層１２２に積層または被覆される。あるいは、反射層１２４はまず、剥離ライナー１２６に予備被覆された付加的な層である接着層１２８に被覆され、得られた薄膜被覆接着剤は非反射接着層１２２に積層される。次いで、導電性粒子１２０は、微細空洞の配列に充填され（図示せず）、ここから非反射接着層１２２に移される。
図２の参照に続いて、気相成長技術が使用される場合は、ＡＣＦ１００は次の方法で製造される。すなわち、気相成長またはスパッタリングにより反射層１２４がまず非反射接着層１２２の頂面１３０に被覆されるか塗布され、続いて、表示層との粘着接触をさせるために、付加的な接着層（図示せず）が反射層の頂面に沿って配置される。そして導電性粒子１２０は微細流体充填方法によって微細空洞の配列に充填され、続いてここから、Ｌｉａｎｇの米国特許８８０２２１４号に記載の粒子移送方法によって非反射接着層１２２に移される。あるいは、図１に戻り、反射顔料が粒子である実施形態において、ＡＣＦ１０は次の方法で製造される。すなわち、まず、剥離ライナー２６の底面７０か非反射接着層２２の頂面３０上への反射接着層２４の塗布を行う。続いて、導電性粒子２０は微細流体充填方法によって微細空洞の配列に充填され、続いてここから、Ｌｉａｎｇの米国特許８８０２２１４号に記載の粒子移送方法によって非反射接着層２２に移される。
図３は、発光装置７２を例示した図である。ＡＣＦ１０は、発光装置７２の発光ハウジング７４を発光装置７２の電極基板７６へ電気的接続するのに使用される。発光ハウジング７２は、複数の発光素子、例えばＬＥＤや有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）等、配線または電極、基板、および光学パッケージサブシステム（図示せず）を有する。発光装置７２は、発光装置７２の発光素子７４と電極基板７６との間に配置された複数のチップ突起８０を有する。図３に示すように、導電性粒子２０は変形可能であり、接合工程において垂直方向の改善された電気的接続を確立するためにチップ突起８０によって一般的には楕円形に力が掛けられる。図３に示す実施形態では、発光ハウジング７４の発光素子、例えばＬＥＤやＯＬＥＤ等がチップ突起８０の頂部に設けられる（図３にＬＥＤ等は図示せず）。
発光ハウジング７４の発光素子から放射された光線８２は、発光装置７２を通過して観察者（図示せず）に到達する。図３に示すように、光線８２ａの一部は、発光ハウジング７４の上側表面８４に沿って屈折し、発光チップ突起８０に向かって戻される。光線８２ａはそこでＡＣＦ１０の反射接着層２４によって発光ハウジング７４の上側表面８４に向かって戻される方向に反射される。言い換えると、ＡＣＦ１０の反射接着層２４は光を再反射して合計の光出力を改善するのに使用される。
図１および３を参照すると、発光装置７２は、典型的なＡＣＦ結合工程を用いて製造されており、すなわち、ＡＣＦ１０は、まず電極基板７６の頂面８８に設置され、そこでは導電性粒子２０は電極基板７６の頂面８８に下方に対向している。ＡＣＦ１０および電極基板７６にローラーやスタンプによって圧力が印加される。一実施形態においては、圧力は約１秒〜約３秒、約７０℃〜約８０℃、約０．２〜約０．３ＭＰａで印加される。続いて剥離ライナー２６（図１参照）が除去される。続いてチップ突起８０がＡＣＦ１０の頂部に設置される。約６０ＭＰａで約５秒の間、チップオングラス（ＣＯＧ）接合によって高圧が印加され、続いて約１５０℃〜約１８０℃の熱が約５〜１０秒加えられてＡＣＦ１０、電極基板７６、およびチップ突起８０の間の接合が完成する。
図４は、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）および電子ペーパー表示装置（ＥＰＤ）等の装置で使用される光反射または半透過装置２７２の図である。光反射装置２７２は、ハウジング７４がＬＥＤ等の発光素子を含まない点を除き、図３に示す発光装置７２と同様の構造を有する。代わりに、図３に示す発光装置７２とは異なり、光線８２は外部光源（図示せず）によって生成され、図示されていない表示側からハウジング７４の上側表面８４を通して光反射装置２７２に入射する。続いて光線８２は、ＡＣＦ１０の反射接着層２４によって、ハウジング７４の上側表面８４に戻る方向へ反射される。
図を参照すると、本発明のＡＣＦは、非反射接着層に加え反射層を有する。反射層は、高い反射率を達成するために要求されるのに対し、非反射接着層は、微細流体移送工程における導電性粒子の移送を容易にするために使用される。反射層は、反射接着層（図１参照）または薄膜被覆反射層（図２参照）のいずれでもよい。ＡＣＦが発光装置、光透過装置または半透過装置の一部分として使用された場合、ＡＣＦの反射層は光出力および色純度特性の向上をもたらす。加えて、ＡＣＦは、予備接合において、ＡＣＦ１０の電極基板７６（図３参照）への取り付け性の向上をももたらす。導電性粒子の濃度が増加するとＡＣＦの取り付け性が減少することは体験的に分かっているので、より改善された接合性能は、予期できないが好ましい結果であることは当業者であれば直ちに理解できるであろう。
実施例１
実施例１では、非反射接着層上に反射接着層が積層された固定配列ＡＣＦを製造した。具体的には、ＩｎＣｈｅｍ社製フェノキシ樹脂（ＰＫＦＥ）を３１．５部と、Ａｒｋｅｍａ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製アクリルブロック共重合体Ｍ５２Ｎを５．２部と、Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ製ビスフェノールＡジエポキシドを３．０部と、Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ製グリセロールトリエポキシドを４．０部と、Ｍｏｍｅｎｔｉｖｅ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社製Ｓｉｌｗｅｔ７６２２を０．５部と、Ｃａｂｏｔｏ社製ＣＡＢ−Ｏ−Ｓｉｌ Ｌ９０を３．３部と、旭化成製ＨＸＡ３９２２を４９．４部含むエポキシ接着層（Ｉ）組成物を、２ミルのＴ−１０剥離フィルム（Ｅａｓｔｍａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）剥離ライナー）上に目標厚さ６．０±０．５μｍで塗布した。接着剤（Ｉ）を８０部と、二酸化チタン（ＴｉＯ２）（デュポン製Ｔｉ−ＰｕｒｅＲ７０６）を２０部含む反射接着層（ＩＩ）を、塗布直前に０．０８〜０．１ｋＷコロナで予備処理した２ミルのＰＥＴ基板上に目標厚さ５．５±０．５μｍで塗布した。２枚の塗布フィルムは、ラミネーターによって６フィート／分（ｆｐｍ）の速さ、約６０℃のローラー温度で積層した。Ｔ−１０剥離フィルムが剥離され、得られたエポキシ複合接着フィルムは、５０℃の熱で６ｆｐｍにさらに処理された。得られた接着フィルムの全厚さは１１．５±０．５μｍであった。
約５μｍ（開口の直径）、約３〜４μｍ（深さ）および２〜３μｍ（隔壁）の微細空洞の配列に、微細流体粒子充填工程によって、直径３．２μｍの導電性Ａｕ／Ｎｉメッキポリマー粒子を予め充填しておき、続いて、Ｌｉａｎｇの米国特許８８０２２１４号に記載のように、６５℃、５．５ｆｐｍで粒子を上記複合接着フィルム上に移送した。この他、Ｌｉａｎｇの米国特許公報２０１４／０３１２５０１号、２０１４／０２６１９９２号および２０１３／００７１６３６号もその全文がここで参照される。粒子充填および移送工程を繰り返して少なくとも３０，０００個／ｍｍ２の最大導電性粒子密度まで到達させ、７０℃、６ｆｐｍでカレンダー工程を行い、導電性粒子を実質的に接着フィルム内に押し込んだ。
実施例２
実施例２では、反射接着層（ＩＩ）の厚さを２．５μｍ±０．５μｍに減らし、得られた複合エポキシ接着フィルムの全厚さを約８．５μｍ±０．５μｍとした以外は上述した実施例１の手順を繰り返した。積層エポキシの紫外光―可視光分光分析の結果を表１に示し、接合された集積回路（ＩＣ）チップの導電性粒子密度、接合後の粒子捕集率およびせん断力を表２に示す。表１および２に示すように、ＩＣ接合後、満足のいく（＞３５％）粒子捕集率（接合後のチップ突起または電極に捕集された粒子の百分率で定義）およびせん断力（＞２５ＭＰａ）と共に、少なくとも５５％の反射率および少なくとも９７％の粒子移送効率（微細流体充填／移送工程後の接着フィルム上へ移送した導電性粒子数の、配列の微細空洞の数に対する比）が達成された。５．５μｍ（実施例１）まで増加された反射層の厚さによって、＞７０％の反射率が達成される。なお、表２において、捕集率は、１５００μｍ２の突起サイズから得られたデータで決定した。
Figure 2018511142
Figure 2018511142
実施例３
実施例３では、反射層を有さない比較例の固定配列ＡＣＦを作製した。具体的には、厚さ１１．５±０．５μｍの接着層（Ｉ）のみを用いた以外は実施例１の手順によって反射層を有さない固定配列ＡＣＦを作製した。
実施例４
実施例４では、比較例の固定配列ＡＣＦを作製した。具体的には、接着層（ＩＩＩ）が実施例１の接着層（Ｉ）と反射接着層（ＩＩ）の均一な混合物を含む以外は実施例３の手順によって厚さ１１．５±０．５μｍの単一の接着層（ＩＩＩ）を有する固定配列ＡＣＦを作製した。
実施例３および４の接合されたチップの、ＡＣＦの紫外光―可視光分光分析結果、接合取り付け性および性能を表３〜５に示す。表３に示すように、非反射接着（Ｉ）層しか含まない比較例３のＡＣＦは、無視できる程の反射率しかなかった。また、実施例４のＡＣＦも、複合接着層（Ｉ）＋（ＩＩ）を有する実施例１と比較すると、両者ともＡＣＦが正確に同量の反射顔料を含んでいるにも関わらず、かなり低い反射百分率であった。
ＡＣＦを予め接合し（両ＡＣＦが共に厚さ１１．５μｍ）、取り付け結果を表５に示す。複合接着層（実施例１）を備えたＡＣＦは、実施例３および４のＡＣＦよりも低い接合圧力および短い接合時間で容易にＩＴＯガラスに取り付けることができた。表６から、実施例１および３のＡＣＦは、実施例１よりも明らかに高い捕集率およびせん断力であることが分かる。また、複合反射接着層（実施例１）を有する固定配列ＡＣＦは、単一の混合接着層を有するＡＣＦと比較して、二つの例での含有物がほぼ同じであるにも関わらず、微細流体粒子充填／移送工程においてより高い粒子移送効率であることもわかる。
Figure 2018511142
Figure 2018511142
Figure 2018511142
以上、具体的な実施形態に基づいて本発明の詳細を説明したが、本願請求項の範囲を逸脱しない限りにおいては、幾つもの改良や変更が可能である。

Claims (30)

  1. 頂面を有する非反射接着層と、
    前記非反射接着層に含有される複数の導電性粒子と、
    前記非反射接着層の前記頂面に沿って設けられた反射接着層と
    を備えた異方性導電フィルム（ＡＣＦ）であって、
    前記反射層は、少なくとも５重量％の反射粒子を有することを特徴とするＡＣＦ。
  2. 前記ＡＣＦは固定配列ＡＣＦであり、前記導電性粒子は、前記非反射接着層の底面に沿って予め決定された位置に設けられたことを特徴とする請求項１に記載のＡＣＦ。
  3. 前記導電性粒子は、前記非反射接着層の前記底面に沿って部分的に埋まっていることを特徴とする請求項２に記載のＡＣＦ。
  4. 前記反射粒子は、反射性および逆反射性粒子からなる群から選択されたことを特徴とする請求項１に記載のＡＣＦ。
  5. 前記反射粒子は、導電体および電気絶縁体からなる群から選択されたことを特徴とする請求項１に記載のＡＣＦ。
  6. 前記反射粒子は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）およびそれらの合金からなる群から選択された高屈折率酸化物であることを特徴とする請求項１に記載のＡＣＦ。
  7. 前記反射粒子は、中空ガラス微球、マイカ、コレステリック液晶顔料粒子、ホロ型架橋ポリマー粒子からなる群から選択されたことを特徴とする請求項１に記載のＡＣＦ。
  8. 前記反射層は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ホウ素（ＳＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、または硫酸カルシウム（ＣａＳＯ４）およびそれらの組み合わせからなる群から選択されたフィラー粒子を有することを特徴とする請求項１に記載のＡＣＦ。
  9. 前記反射層は、少なくとも１０重量％の反射粒子を含むことを特徴とする請求項１に記載のＡＣＦ。
  10. 前記非反射接着層の前記頂面は、事前にエンボス加工されたことを特徴とする請求項９に記載のＡＣＦ。
  11. 前記反射層の前記頂面に沿って設けられた剥離ライナーを有することを特徴とする請求項１に記載のＡＣＦ。
  12. 前記剥離ライナーの底面は、事前にエンボス加工されたことを特徴とする請求項１１に記載のＡＣＦ。
  13. 前記反射接着層は、厚さ約１μｍ〜約１０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のＡＣＦ。
  14. 前記非反射接着層は、導電性粒子の濃度が少なくとも２０，０００個／ｍｍ２であることを特徴とする請求項１に記載のＡＣＦ。
  15. 頂面を有する非反射接着層と、
    前記非反射接着層に含有される複数の導電性粒子と、
    前記非反射接着層の前記頂面に沿って設けられ、第２頂面を有する薄膜被覆反射層と、
    前記薄膜被覆反射層の前記第２頂面に沿って設けられた第２接着層と
    を備えた異方性導電フィルム（ＡＣＦ）。
  16. 前記ＡＣＦは固定配列ＡＣＦであり、前記導電性粒子は、前記非反射接着層の底面に沿って予め決定された位置に設けられたことを特徴とする請求項１５に記載のＡＣＦ。
  17. 前記導電性粒子は、前記非反射接着層の前記底面に沿って部分的に埋まっていることを特徴とする請求項１６に記載のＡＣＦ。
  18. 前記反射層は、少なくとも１０重量％の反射粒子を有することを特徴とする請求項１５に記載のＡＣＦ。
  19. 前記薄膜被覆反射層は、蒸気被覆層であることを特徴とする請求項１５に記載のＡＣＦ。
  20. 前記薄膜被覆反射層は、反射スパッタ層であることを特徴とする請求項１５に記載のＡＣＦ。
  21. 複数の発光素子を有する発光ハウジングと、
    電極基板と、
    前記発光ハウジングと前記電極基板との間に配置された複数のチップ突起と、
    前記発光ハウジングと前記電極基板とを電気的に接続する異方性導電フィルム（ＡＣＦ）とを備えた発光装置であって、
    前記ＡＣＦは、
    頂面を有する非反射接着層と、
    前記非反射接着層に含まれる複数の導電性粒子と、
    前記非反射接着層の前記頂面に沿って設けられた反射接着層と備え、
    前記反射層は少なくとも５重量％の反射粒子を含むことを特徴とする発光装置。
  22. 前記反射層は、少なくとも１０重量％の反射粒子を有することを特徴とする請求項２１に記載の発光装置。
  23. 前記反射粒子は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）およびそれらの合金からなる群から選択された高屈折率酸化物であることを特徴とする請求項２１に記載の発光装置。
  24. 前記反射粒子は、中空ガラス微球、マイカ、コレステリック液晶顔料粒子、ホロ型架橋ポリマー粒子からなる群から選択されたことを特徴とする請求項２１に記載の発光装置。
  25. 前記反射層は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ホウ素（ＳＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、または硫酸カルシウム（ＣａＳＯ４）およびそれらの組み合わせからなる群から選択されたフィラー粒子を有することを特徴とする請求項２１に記載の発光装置。
  26. ハウジングと、
    電極基板と、
    前記光反射素子と前記電極基板との間に配置された複数のチップ突起と、
    前記ハウジングと前記電極基板とを電気的に接続する異方性導電フィルム（ＡＣＦ）とを備えた光反射または半透過装置であって、
    前記ＡＣＦは、
    頂面を有する非反射接着層と、
    前記非反射接着層に含まれる複数の導電性粒子と、
    前記非反射接着層の前記頂面に沿って設けられた反射接着層と備え、
    前記反射層は少なくとも５重量％の反射粒子を含むことを特徴とする光反射または半透過装置。
  27. 前記反射層は、少なくとも１０重量％の反射粒子を有することを特徴とする請求項２６に記載の光反射または半透過装置。
  28. 前記反射粒子は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）およびそれらの合金からなる群から選択された高屈折率酸化物であることを特徴とする請求項２６に記載の光反射または半透過装置。
  29. 前記反射粒子は、中空ガラス微球、マイカ、コレステリック液晶顔料粒子、ホロ型架橋ポリマー粒子からなる群から選択されたことを特徴とする請求項２６に記載の光反射または半透過装置。
  30. 前記反射層は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ホウ素（ＳＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、または硫酸カルシウム（ＣａＳＯ４）およびそれらの組み合わせからなる群から選択されたフィラー粒子を有することを特徴とする請求項２６に記載の光反射または半透過装置。
JP2017545390A 2015-03-04 2016-03-01 反射層を有する異方性導電フィルム（ａｃｆ） Pending JP2018511142A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/638,306 US9871177B2 (en) 2015-03-04 2015-03-04 Anisotropic conductive film (ACF) including a relfective layer
US14/638,306 2015-03-04
PCT/US2016/020190 WO2016140941A1 (en) 2015-03-04 2016-03-01 Anisotropic conductive film (acf) including a reflective layer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018511142A true JP2018511142A (ja) 2018-04-19

Family

ID=56849050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017545390A Pending JP2018511142A (ja) 2015-03-04 2016-03-01 反射層を有する異方性導電フィルム（ａｃｆ）

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9871177B2 (ja)
JP (1) JP2018511142A (ja)
KR (1) KR102389970B1 (ja)
CN (1) CN107431057A (ja)
TW (1) TW201634624A (ja)
WO (1) WO2016140941A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022019075A1 (ja) * 2020-07-21 2022-01-27 京セラ株式会社 熱伝導性接着用シート、及び半導体装置
WO2023054259A1 (ja) * 2021-09-29 2023-04-06 デクセリアルズ株式会社 フィラー含有フィルム

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10062660B2 (en) 2015-03-04 2018-08-28 Trillion Science, Inc. Anisotropic conductive film including a reflective layer
KR102446768B1 (ko) * 2015-12-14 2022-09-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN106549115B (zh) * 2016-10-27 2018-07-20 武汉华星光电技术有限公司 异方性导电胶膜及异方性导电胶膜的剥离方法
KR20190114368A (ko) * 2018-03-30 2019-10-10 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 반제품 모듈
US11098218B2 (en) * 2018-09-26 2021-08-24 Apple Inc. Coatings for electronic devices
EP4050067A1 (en) 2021-02-25 2022-08-31 Henkel AG & Co. KGaA Photocurable (meth)acrylate based adhesive

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100437838C (zh) * 2003-07-07 2008-11-26 积水化学工业株式会社 包覆导电性粒子、各向异性导电材料以及导电连接结构体
US8802214B2 (en) 2005-06-13 2014-08-12 Trillion Science, Inc. Non-random array anisotropic conductive film (ACF) and manufacturing processes
JP5402109B2 (ja) * 2009-02-27 2014-01-29 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及び発光装置
JP5614217B2 (ja) * 2010-10-07 2014-10-29 デクセリアルズ株式会社 マルチチップ実装用緩衝フィルム
JP5888023B2 (ja) 2011-03-16 2016-03-16 デクセリアルズ株式会社 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置
US20120295098A1 (en) * 2011-05-19 2012-11-22 Trillion Science, Inc. Fixed-array anisotropic conductive film using surface modified conductive particles
US9102851B2 (en) 2011-09-15 2015-08-11 Trillion Science, Inc. Microcavity carrier belt and method of manufacture
US20140141195A1 (en) 2012-11-16 2014-05-22 Rong-Chang Liang FIXED ARRAY ACFs WITH MULTI-TIER PARTIALLY EMBEDDED PARTICLE MORPHOLOGY AND THEIR MANUFACTURING PROCESSES
US8896010B2 (en) 2012-01-24 2014-11-25 Cooledge Lighting Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
WO2014055991A1 (en) * 2012-10-05 2014-04-10 Leonard Michael R Layered insulation system
US9352539B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Trillion Science, Inc. Microcavity carrier with image enhancement for laser ablation
JP6337424B2 (ja) 2013-06-12 2018-06-06 三菱電機株式会社 液晶表示装置および液晶表示装置の検査方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022019075A1 (ja) * 2020-07-21 2022-01-27 京セラ株式会社 熱伝導性接着用シート、及び半導体装置
JP7478241B2 (ja) 2020-07-21 2024-05-02 京セラ株式会社 熱伝導性接着用シート、及び半導体装置
WO2023054259A1 (ja) * 2021-09-29 2023-04-06 デクセリアルズ株式会社 フィラー含有フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
CN107431057A (zh) 2017-12-01
WO2016140941A1 (en) 2016-09-09
TW201634624A (zh) 2016-10-01
KR20170127524A (ko) 2017-11-21
US9871177B2 (en) 2018-01-16
KR102389970B1 (ko) 2022-04-25
US20160260875A1 (en) 2016-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018511142A (ja) 反射層を有する異方性導電フィルム（ａｃｆ）
JP6292808B2 (ja) 接着剤、及び発光装置
TWI529980B (zh) Manufacturing method of light emitting device
JP5609716B2 (ja) 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置
TWI520155B (zh) A light reflective anisotropic conductive adhesive and a light emitting device
US8852462B2 (en) Light-reflective anisotropic conductive adhesive and light-emitting device
JP5958107B2 (ja) 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置
JP5526698B2 (ja) 光反射性導電粒子、異方性導電接着剤及び発光装置
TWI550640B (zh) 以含有導電微球之各向異性導電膜連接的半導體元件
JP5555038B2 (ja) 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置
WO2012144033A1 (ja) 光反射性導電粒子、異方性導電接着剤及び発光装置
US20170287867A1 (en) Anisotropic conductive film including a reflective layer
WO2014013984A1 (ja) 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置
JP5785306B2 (ja) 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置