TW201634624A - 包含一反射層之異方性導電膜（ａｃｆ） - Google Patents

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Abstract

揭露一種異方性導電膜(ACF)。在一方案中，ACF包含具有一頂表面的一非反射性黏著層、被包含於該非反射性黏著層的複數導電性粒子、及沿著該非反射性黏著層的該頂表面設置的一反射性黏著層。該反射性黏著層包含至少5重量百分比之反射性粒子。

Description

包含一反射層之異方性導電膜(ACF)
本發明係大致上關於異方性導電膜(ACF)。更具體而言，本發明係關於包含非反射性黏著層與反射層的ACF。反射層可為包含反射性添加物的黏著層或薄膜沉積之反射層。當ACF為發光或透光裝置的一部分時，ACF的反射層可造成較佳的光輸出及色純度特性。此外，ACF的反射層亦可改善ACF對電極基板的黏著性。
異方性導電膜(ACF)常被用於平板顯示器驅動器積體電路(IC)的接合。典型的ACF接合製程包含：第一步，將ACF黏附至平板玻璃的電極上；第二步，使驅動器IC接合墊與平板電極對準；及第三步，將壓力與熱施加至接合墊以在數秒內熔融並固化。ACF的導電性粒子在平板電極與驅動器IC之間提供異方性導電率。
當電子裝置如智能手機與電子平板中使用高解析度顯示器變成市場趨勢時，對超細節距ACF的需求急劇增加。然而，當節距尺寸減少時，電極尺寸亦必須變得更小，因此需要較高濃度的導電性粒子以在連接電極上提供所需的粒子密度以確保令人滿意的導電率或阻抗。
傳統ACF的導電性粒子在ACF中通常隨機分散。此類分散系統因X-Y導電率因此粒子密度受到限制。在許多使用傳統ACF的接合製程中，只有少數比例的導電性粒子被捕獲於電極上。實際上大部分粒子都被沖到電極之間的間隙區域且在某些情況中導致ACF之X-Y平面上的非所欲短路。在精細節距的接合應用中，導電性粒子的密度應高到足以在每一接合墊上接合適當數量的導電性粒子。然而，由於導電性粒子的高密度及隨機分散的特性，在兩接合墊之間之絕緣區域中的短路與非所欲高導電率的機率亦增加。
固定陣列ACF能克服傳統ACF的某些缺點。固定陣列ACF的導電性粒子係依照預定的陣列圖案配置。固定陣列ACF被認為是用以達到超細節距IC之高解析連接之最有效方案中的一種。例如，利用具有至少30,000pcs/mm2之導電性粒子密度的固定陣列ACF能展示小至約300至400μm2的最小接合區域及窄至3μm的最小接合間距。討論固定陣列ACF的某些參考資料包含例如Liang,R.C.等人在台灣新竹之International Conference Flexible and Printed Electronics(ICFPE)Proceedings(2010年)中發表之論文S1-2-4「Fixed-Array Anisotropic Conductive Film(FACF)for Ultra Fine Pitch Applications」；日本福岡IDW’10 Proceeding，1909頁，論文FMC4-4「Ultra Fine Pitch Anisotropic Conductive Film with Fixed Array of Conductive Particles」(2010年)；March 1,2011年三月1日)於Tech on Chinese上發表的「Ultra-Fine Pitch Fixed Array ACF」；及Liang等人之美國專利公開案US 2014/0141195。
固定陣列ACF亦具有某些缺點。尤其，若固定陣列ACF之導電性粒子的密度過高，則固定陣列ACF對電極基板的黏著不具有可重覆性。20,000pcs/mm2或更高的導電性粒子密度可阻礙固定陣列ACF對電極基板之黏著，因為固定陣列ACF的表面係主要被不黏之導電性粒子的陣列所覆蓋。又，由於導電性粒子如金(Au)、鎳(Ni)或其他金屬化聚合物粒子的高濃度(即>30,000pcs/mm2)，固定陣列ACF的顏色會相對較暗或顏色呈棕色且朦朧。若ACF係與發光裝置如發光二極體(LED)或有機LED(OLED)一起使用，則固定陣列ACF的較暗顏色可能會對發光裝置發光及/或自發光裝置反射的光強度與色純度有不良影響。若將固定陣列ACF用於透光或反射裝置如液晶顯示(LCD)顯示器中，亦存在著類似的問題。
在試著減少裝置之光強度與色純度惡化的一方案中，反射性顏料如二氧化鈦(TiO2)被添加至發光裝置的既有黏著層。然而，除非反射性顏料的濃度高於一特定的閾值(通常>10%)，否則添加反射性顏料至既有的黏著層無法改善裝置的反射率、光輸出或色純度。然而，此類高濃度的反射性顏料在黏著劑中可能會導致微流體粒子轉移製程中粒子轉移效率與均勻度的大幅下降。相反地，在包含低濃度反射性顏料之厚黏著層內的光散射能改善不透明性並減少反射百分比。目前可用的黏著層通常包含較對低百分比(即低於2百分比)的反射性顏料作為填充物。因此，現行技術需要一種經改良之 具有高濃度導電性粒子的固定陣列ACF，當其被用於發光與透光或反射裝置中時，其可得到較佳的反射率、光輸出與色純度特性。
在一態樣中，揭露一種異方性導電膜(ACF)，其包含具有一頂表面的一非反射性黏著層、被包含於該非反射性黏著層的複數導電性粒子、及沿著該非反射性黏著層的該頂表面設置之一反射性黏著層。該反射層包含至少5重量百分比之反射性粒子。
在另一態樣中，揭露一種ACF，其包含具有一頂表面的一非反射性黏著層、被包含於該非反射性黏著層的複數導電性粒子、及沿著該非反射性黏著層的該頂表面設置的一薄膜沉積之反射層。薄膜沉積之反射層包含一第二頂表面。ACF亦包含沿著該薄膜沉積之反射層之該第二頂表面設置之一次要黏著層。
在更另一態樣中，揭露一種發光裝置，其包含具有複數發光元件的一發光外殼、一電極基板、設置於該發光外殼與該電極基板之間的複數晶片凸塊、及電連接該發光外殼與該電極基板的一ACF。該ACF包含具有一頂表面一非反射性黏著層、被包含於該非反射性黏著層的複數導電性粒子、及沿著該非反射性黏著層的該頂表面設置的一反射性黏著層。該反射層包含至少5重量百分比之反射性粒子。
在更另一態樣中，揭露一種光反射裝置，其包含一外殼、一電極基板、設置於該光反射元件與該電極基板之間的複數晶片凸塊、及電連接該外殼與該電極基板的一ACF。該ACF包含具有一頂表面的一非反射性黏著層、被包含於該非反射性黏著層的複數導電性粒子、及沿著該非反射性黏著層的該頂表面設置的一反射性黏著層。該反射層包含至少5重量百分比之反射性粒子。
自下列的說明、附圖及隨附的申請專利範圍當可明白本發明之方法與系統的其他目的與優點。
10‧‧‧異方性導電膜(ACF)
20‧‧‧導電性粒子
22‧‧‧第一非反射性黏著層
24‧‧‧第二反射性黏著層
26‧‧‧脫模襯墊
30‧‧‧第一頂表面
32‧‧‧第二底表面
34‧‧‧第一頂表面
36‧‧‧第二底表面
70‧‧‧底表面
72‧‧‧發光裝置
74‧‧‧發光外殼
76‧‧‧電極基板
80‧‧‧晶片凸塊
82‧‧‧光線
82a‧‧‧光線
84‧‧‧上表面
88‧‧‧頂表面
120‧‧‧導電性粒子
122‧‧‧非反射性黏著層
124‧‧‧薄膜沉積之反射層
126‧‧‧脫模襯墊
128‧‧‧額外黏著層
130‧‧‧頂表面
134‧‧‧頂表面
272‧‧‧反光或半穿半反射裝置
圖1為包含反射性黏著層之所揭露之ACF的側面橫剖面圖。
圖2為圖1所示之ACF的替代實施例，其中ACF包含薄膜沉積之反射層而非反射性黏著層。
圖3為包含圖1所示之所揭露之ACF之一發光裝置的一實施例。
圖4為包含圖1所示之所揭露之ACF之一透光裝置的一實施例。
圖1為所揭露之異方性導電膜(ACF)10的側面橫剖面概圖。ACF 10包含複數導電性粒子20、一第一非反射性黏著層22、一第二反射性黏著層24、及一脫模襯墊26。熟知此項技藝者當明白，非反射性黏著層22、反射性黏著層24、及脫模襯墊26在圖中並非依比例繪製，且脫模襯墊26在實際上可較非反射性黏著層22與反射性黏著層24更厚。非反射性黏著層22包含一第一頂表面30以及一第二底表面32。反射性黏著層24亦包含一第一頂表面34及一第二底表面36。如下面圖2所示且更詳細解釋的，在一替代實施例中ACF 100可包含一薄膜沉積之反射層124而非反射性黏著層24。ACF 100亦包含一分離的額外黏著層128。
回到圖1，脫模襯墊26可沿著反射性黏著層24的頂表面34提供並用以載帶ACF 10。反射性黏著層24係沿著非反射性黏著層22的頂表面30設置，而導電性粒子20可沿著非反射性黏著層22的底表面32設置。可用於ACF中的任何導電性粒子20皆可用以施行本發明。可用於ACF 10之導電性粒子20的某些實例係揭露於共有之Liang等人的美國專利US 8,802,214中，將其所有內容包含於此作為參考。在一實施例中，非反射性黏著層22包含至少20,000pcs/mm2之導電性粒子20的濃度，在一特定的實施例中至少30,000pcs/mm2。
在一例示性實施例中，ACF 10為非隨機或固定陣列ACF。意即，導電性粒子20係沿著非反射性黏著層22的底表面32設置於預定位置處。Liang的‘214專利揭露一種製造固定陣列ACF的方法程序。然而，雖然闡述固定陣列ACF，但應瞭解本發明並不僅限於固定陣列ACF，而是本發明亦可應用至導電性粒子20隨機分散於非反射性黏著層22內的傳統ACF。
在圖1所示的實施例中，導電性粒子20係部分地嵌於非反射性黏著層22內，但應瞭解在另一實施例中，導電性粒子20亦可完全嵌於非反射性黏著層22內。如Liang之專利‘214中所揭露，可自已填充之微凹穴陣列將導電性粒子20轉移至非反射性黏著層22上以產生ACF 10。
非反射性黏著層22可為熱塑性材料、熱固性材料、或其前驅物。有用的黏著劑包含但不限於壓感性黏著劑、熱熔性黏著劑、熱或輻射可固化之 黏著劑。黏著劑可包含例如環氧化物、酚醛樹脂、胺甲醛樹脂、氰酸酯、丙烯酸塑料、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基聚合物、橡膠如聚(苯乙烯-共-丁二烯)及其嵌段共聚物、聚烯烴、聚酯、不飽和之聚酯、乙烯基酯、環氧樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、聚己內酯、聚醚及聚醯胺。尤其有用的是環氧化物、氰酸酯及多官能之丙烯酸酯。可使用包含潛伏性固化劑的催化劑或固化劑來控制黏著劑的固化動力學行為。環氧樹脂可用之固化劑包含但不限於雙氰胺(DICY)、己二酸二醯肼、2-甲基咪唑及其封裝產品如來自Asahi Chemical Industry之液態雙酚A中的Novacure HX分散液、胺類如乙二胺、三乙四胺、BF3胺加成物、來自Ajinomoto Co.Inc.的Amicure、锍鹽如二氨苯碼、對羥苯苯甲基甲基锍六氟銻酸鹽。亦可使用耦合劑改善ACF的耐久性，耦合劑包含但不限於鈦酸鹽、鋯酸鹽及矽烷耦合劑如環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷與3-氨丙基三甲氧基-矽烷。在S.Asai,et al.,J.Appl.Polym.Sci.,56,769(1995)中可找到固化劑及耦合劑對環氧化物系之ACF之效能的效應，將其所有內容包含於此作為參考。
在一實施例中，非反射性黏著層22可包含自約4μm至約25μm的厚度範圍。在一特定的實施例中，非反射性黏著層22的厚度範圍係自約2μm至約15μm尤其自約3μm至約8μm。在一實施例中，反射性黏著層24可包含自約1μm至約10μm尤其是自約2μm至約6μm的厚度範圍。在一特定的實施例中，反射性黏著層24的厚度範圍可自約3μm至約5μm。
當瞭解，反射性黏著層24包含可改善ACF 10之反射率的反射性粒子。除了改善反射率外，反射性粒子亦可改善在預接合期間ACF 10對電極基板76(顯示於圖3中)的黏合。不受限於理論，本案發明人相信反射性黏著層24中的反射性粒子可作為局部缺陷以提供在接合與非接合區域之邊界處破裂反射性黏著層24所需的破裂起始點與傳播、或者減少ACF 10對脫模襯墊26的黏著。
在一實施例中，反射性黏著層24的反射性粒子可為白色顏料如二氧化鈦(TiO2)。然而當瞭解，反射性粒子並不限於二氧化鈦。例如，反射性粒子可為其他類型的白色顏料例如但不限於氧化鋅(ZnO)與二氧化鋯(ZrO2)。在一實施例中，反射性粒子可為中空的聚合物粒子如塑膠顏料。尤其，反射性粒子可為Rohm and Haas(現為密西根Midland之道氏化學公司)所製造之 中空之經交聯的聚合物粒子。在更另一實施例中，反射性粒子可為反射性或回射性粒子，其可以是電絕緣體或包覆了電絕緣體的電導體。反射性或回射性粒子的某些實例包含中空微玻璃球、雲母、膽固醇液晶顏料粒子、及高折射率之氧化物。高折射率之氧化物的某些實例包含但不限於氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、二氧化鈦(TiO2)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO)、二氧化鋯(ZrO2)及其合金。在一實施例中，可使用低折射率之無色填充物如氮化硼(SN)、氧化鋁(Al2O3)、二氧化矽(SiO2)、碳酸鈣(CaCO3)、或硫酸鈣(CaSO4)、或其組合以改善具顏料之黏著層的反射。
反射性粒子的形狀可例如為實質上的球形、非晶性、或針狀。若反射性粒子具有實質上球形，應瞭解，若反射性粒子的直徑過小則會不利於光反射。然而，若直徑過大則異方性連接會因導電性粒子而受到壓抑。是以，在一實施例中，反射性粒子的平均直徑範圍可自約0.1μm至約5μm。在一特定的實施例中，反射性粒子的直徑範圍可自約0.2μm至約1μm。若反射性粒子包含類鱗片的形狀，其較長的直徑的範圍可自約0.1μm至約10μm在一特定的實施例中係自約0.2μm至約1μm，且其厚度的範圍可自約1μm至約10μm在一特定的實施例中自約2μm至約5μm。若反射性粒子被絕緣塗層所覆蓋，反射性粒子的尺寸為包含絕緣塗層的尺寸。
當瞭解，若反射性粒子在反射性黏著層24內的百分比過高，則會減少在預接合期間對電極基板76或晶片凸塊80(顯示於圖3)的黏著。反射性粒子的百分比過高亦可能會導致較低的抗衝擊性及抗水氣能力。類似地，若反射性粒子在黏著層24內的百分比過低則會不利於光反射。反射性黏著層24提供至少20%的反射率。在一實施例中，反射性黏著層24提供至少30%的反射率，在一特定的實施例中反射性黏著層24提供至少50%的反射率。反射性黏著層24可包含至少5重量百分比(>5%)的反射性粒子，在一特定的實施例中包含至少10重量百分比(>10%)的反射性粒子。在一實施例中，反射性粒子在反射性黏著層24內的百分比範圍可自約10重量%至約20重量%，這造成至少50%的光反射。應明白，亦可在反射性黏著層24內使用較高百分比的反射性粒子，但這會導致較低的黏著或所得裝置的較低可靠度。具體而言，反射性粒子在反射性黏著層24內的最大百分比約為30重量%。
在一實施例中，可先微壓紋脫模襯墊26的底表面70，然後將反射性黏 著層24塗佈在脫模襯墊26上。或者在另一實施例中，可先微壓紋非反射性黏著層22的頂表面30，然後將反射性黏著層24塗佈在非反射性黏著層22的頂表面30上。換言之，脫模襯墊26或非反射性黏著層22可包含一預先壓紋過的表面，然後可將反射性黏著層24塗佈在各別之經預壓紋的表面上。
圖2是ACF 100的替代實施例，其中反射層124係藉由薄膜沉積如無電鍍或電鍍、汽相沉積、或濺射設置或塗佈在非反射性黏著層122之頂表面130上。換言之，非反射性黏著層122可為電鍍或無電鍍層、汽相沉積層、或反射性濺射層。可使用厚度範圍介於約5至約300nm之間在一特定的實施例中介於約10至100nm之間的自然色金屬或金屬氧化物層如銀(Ag)、鋁(Al)、二氧化鈦(TiO2)、氧化錫(SnO)、氧化鋅(ZnO)、及其合金。
在圖2所示的實施例中，反射層124為不包含黏著劑之薄膜沉積的反射層。因此，可沿著反射層124的頂表面134設置次要或額外的黏著層128以在脫模襯墊126移除後與視層(顯示於圖2中)產生黏性接觸。具體而言，在組裝電子產品如LED時，黏著層128會與視層建立黏性接觸，下面將提供更詳細的說明。黏著層128的組成可與非反射性黏著層122或反射性黏著層124的組成相同或相異。反射層124可與非反射性黏著層122疊合或被沉積至非反射性黏著層122上。或者，可先將反射層124沉積至預塗佈在脫模襯墊126上之額外黏著層128上，然後將所得之薄膜沉積之黏著層疊合至非反射性黏著層122上。接著，將導電性粒子120填入微凹穴陣列(未顯示)中並自微凹穴陣列(未顯示)轉移至非反射性黏著層122。
繼續參考圖2，在使用汽相沉積技術的情況中，ACF 100係藉由下列方式所製造：先藉由汽相沉積或濺射將反射層124沉積或塗佈至非反射性黏著層122的頂表面130，然後沿著反射層的頂表面設置額外黏著層(未顯示)以與視層產生黏性接觸。接著藉由微流體填充將導電性粒子120填入至微凹穴陣列中，然後利用Liang之專利‘214中所揭露的粒子轉移製程將導電性粒子120轉移至非反射性層122上。或者，回到圖1，在反射性的顏料為粒子的實施例中，可藉著先將反射性黏著層24塗佈至脫模襯墊26的底表面70或非反射性黏著層22的頂表面30上製造ACF 10。接著可藉著微流體填充製程將導電性粒子20填入微凹穴陣列中，然後利用Liang之專利‘214中所揭露的粒子轉移製程將導電性粒子20轉移至非反射性層22上。
圖3為發光裝置72的例示圖。ACF 10可用以將發光裝置72的發光外殼74電連接至發光裝置72的電極基板76。發光外殼74可包含複數發光元件如LED或有機LED(OLED)、電極線路、基板、及光學與封裝的子系統(未顯示)。發光裝置72可包含設置於發光裝置72之發光元件74與電極基板76之間的複數晶片凸塊80。如圖3中所示，導電性粒子20可以是可形變的，在接合製程期間藉著晶片凸塊80將導電性粒子20擠壓成大致上橢圓形以建立較佳的垂直電連接。在圖3所示的實施例中，發光外殼74的發光元件如LED或OLED係建立在晶片凸塊80的上部上(在圖3中無法看見LED)。
自發光外殼74的發光元件發射的光線82可穿過發光裝置72而到達一觀察者(未顯示)。如圖3中所見，部分光線82a可沿著發光外殼74的上表面84偏斜並朝向發光晶片凸塊80射回。接著，光線82a可被ACF 10的反射性黏著層24反射並朝向發光外殼74的上表面84射回。換言之，ACF 10的反射性黏著層24係用以重新反射光並改善總光輸出。
同時參考圖1與3，發光裝置72可利用典型的ACF/接合製程製造，在製造過程中先將ACF 10放置在電極基板76的頂表面88上，其中導電性粒子20係面朝下緊靠電極基板76的頂表面88。接著藉著滾輪或沖壓設備將壓力施加至ACF 10與電極基板76。在一實施例中，在介於約70℃至80℃的溫度下施加約0.2至約0.3MPa之壓力約1秒至約3秒。接著可移除脫模襯墊26(顯示於圖1中)。然後可將晶片凸塊80放置在ACF 10的上部上。晶片於玻璃上(COG)接合設備在介於約150℃至約180℃之間之熱範圍內施加約60MPa的高壓約5至10秒以完成ACF 10、電極基板76、與晶片凸塊80之間的接合。
圖4為反光或半穿半反射裝置272的例示圖，其可與裝置如液晶顯示裝置(LCD)與電子紙顯示裝置(EPD)一起使用。光反射裝置272包含類似於圖3所示之發光裝置72的結構，但外殼74不包含發光元件如LED。不若圖3中所示之發光裝置72，取而代之的是，光線82係由外部光源(未顯示)所產生且自未顯示的視側經過外殼74的上表面84而進入光反射裝置272。接著光線82可被ACF 10的反射性黏著層24反射，朝向外殼74之上表面84的方向射回。
大致上參考所有圖示，所揭露之ACF包含一反射層及一非反射性黏著層。需要反射層達到高反射率，但使用非反射性黏著層促進微流體轉移製程期間的導電性粒子轉移。反射層可為反射性黏著層(顯示於圖1)或薄膜沉 積之反射層(顯示於圖2)。當ACF為發光、透光或半穿半反射裝置的一部分，ACF的反射層造成較佳的光輸出與色純度特性。此外，ACF亦可在預接合期間造成ACF 10對電極基板76(顯示於圖3中)的較佳黏著。熟知此項技藝者當明白，較佳的接合能力是不可預期但受期望的結果，因為當導電性粒子的濃度增加時通常會遭遇到ACF的黏著能力降低。
實例1
在實例1，製造具有反射性黏著層疊合至非反射性黏著層上的固定陣列ACF。具體而言，將一環氧化物黏著層(I)成分塗佈至2密耳(mil)厚的T-10脫模膜層(來自Eastman Chemical Company的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)脫模襯墊)上，環氧化物黏著層(I)成分的目標厚度為6.0±0.5um，環氧化物黏著層(I)成分包含31.5份來自InChem Corp.的苯氧基樹脂(PKFE)、5.2份來自Arkema Chemicals Company的丙烯酸嵌段共聚物M52N、3.0份來自Sigma-Aldrich之雙酚A二環氧化物、4.0份來自Sigma-Aldrich之丙三醇三環氧化物、0.5份來自Momentive Performance Materials,Inc.之Silwet 7622、3.3份來自Cabot Corp.之CAB-O-Sil L90、及49.4份來自Asahi Chemicals之HXA 3922。將一反射性黏著層(II)塗佈在2密耳厚之PET基板上，反射性黏著層(II)的目標厚度為5.5±0.5um，PET基板在塗佈前即刻受到0.08 to 0.10 kw電暈預處理，反射性黏著層(II)包含80份之黏著劑(I)與20份之二氧化鈦(TiO2)(來自DuPont之Ti-Pure R706)。藉由一層壓設備在每分鐘6英呎(fpm)的速度及約60℃的滾輪溫度下疊合該兩塗佈膜層。剝除T-10脫膜膜層，所得之環氧化物複合黏著膜層更在50℃的溫度與6fpm的速度下受到熱處理。所得之黏著膜層的總厚度為11.5±0.5um。
以微流體粒子填充製程將鍍有導電性Au/Ni之直徑3.2um的聚合物粒子填充至約5um(開口直徑)、約3-4um(深度)、與2-3um(分隔)的微凹穴陣列，然後如Liang之專利’214及Liang之美國專利公開案US 2014/0312501、US 2014/0261992與US 2013/0071636所教示地，將粒子轉移至上述65℃、5.5fpm的複合黏著膜上。將上述文獻的所有內容包含於此作為參考。重覆粒子填充與轉移製程以達到至少30,000pcs/mm2的最大導電性粒子密度，然後在70℃與6fpm的條件下進行延壓製程以實質上將導電性粒子推入黏著膜層中。
實例2
在實例2，重覆實例1的上述程序，但將反射性黏著層(II)的厚度減少至2.5±0.5um，所得之複合環氧化物黏著膜的總厚度約為8.5±0.5um。經疊合之環氧化物的UV-可見光光譜結果係顯示於表1，導電性粒子密度、接合後之粒子捕獲率、及經接合之積體電路(IC)晶片的剪切力係顯示於表2。如表1與表2中所示，在IC接合後，可獲得令人滿意的粒子捕獲率(>35%)與(被定義為接合後被捕獲於晶片凸塊或電極上之粒子的%)與剪力(>25MPa)以及至少55%的反射率與至少97%的粒子轉移效率(在進行微流體填充/轉移製程後被轉移至黏著膜上之導電性粒子的數目對陣列上微凹穴之數目的比值)。將反射層厚度增加至5.5um(實例1)可達到>70%的反射。應注意在表2中，捕獲率係根據自1500um2的凸塊尺寸所獲得之數據來決定。
*捕獲率係基於自1500um2之凸塊尺寸所獲得的數據所決定
實例3
在實例3中，製造不具反射層之比較性固定陣列ACF。具體而言，利用實例1之程序來製備不具反射層的固定陣列ACF但只使用厚度11.5±0.5um的黏著層(I)。
實例4
在實例4中，製造比較性固定陣列ACF。具體而言，利用實例3的程序來製備具有I1.5±0.5um厚度之單一黏著層(III)的固定陣列ACF，但黏著層(III)包含實例1之黏著層(I)與反射性黏著層(II)的均質混合物。
ACF的UV-可見光譜、接合黏著性、及實例3與4之經接合之晶片的效能係顯示於表4-6。如表4中所示，僅包含非反射性黏著劑(I)之比較實例3的ACF展現出可忽略的反射率。又，當與具有複合黏著層(I)+(II)之實例1比較時，雖然兩實例的ACF皆包含確切相同量的反射性顏料，但實例4的ACF亦展現出極低%的反射。
預接合ACF(兩者皆具有厚度11.5um)，黏著性的結果係顯示於表5。相較於實例3與4的ACF，包含複合黏著層之ACF(實例1)在較低的接合壓力與較短的接合時間的條件下對ITO玻璃展現出較容易的黏著。在表6中亦可觀察到，實例1與3的ACF表現出比實例1明顯更高的捕獲率與剪力。亦發現，即便在兩個實例中成分係實質上相同，相較於具有單一混合物黏著層之ACF，具有複合反射性黏著層(實例1)之固定陣列ACF在微流體粒子填充/轉移製程中展現出較高的粒子轉移效率。
*ACF來自5度C儲存，在25度C回溫1小時分鐘
*捕獲率係基於自1500um2之凸塊尺寸所獲得的數據所決定
已參考特定實施例詳細說明本發明，應瞭解，在不脫離由下列申請專利範圍之精神與範疇的情況下，可對本發明進行各種變化與修改。
10‧‧‧異方性導電膜(ACF)
20‧‧‧導電性粒子
22‧‧‧第一非反射性黏著層
24‧‧‧第二反射性黏著層
26‧‧‧脫模襯墊
30‧‧‧第一頂表面
34‧‧‧第一頂表面
36‧‧‧第二底表面
70‧‧‧底表面

Claims (30)

  1. 一種異方性導電膜(ACF)，包含：一非反射性黏著層，包含一頂表面；複數導電性粒子，被包含於該非反射性黏著層；及一反射性黏著層，沿著該非反射性黏著層的該頂表面設置，其中該反射性黏著層包含至少5重量百分比之反射性粒子。。
  2. 如申請專利範圍第1項之ACF，其中該ACF為固定陣列ACF，且該複數導電性粒子係沿著該非反射性黏著層的一底表面設置在複數預定位置中。
  3. 如申請專利範圍第2項之ACF，其中該複數導電性粒子係沿著該非反射性黏著層的該底表面部分鑲嵌。
  4. 如申請專利範圍第1項之ACF，其中該反射性粒子係選自由反射性粒子與回射性粒子所構成的群組。
  5. 如申請專利範圍第1項之ACF，其中該反射性粒子係選自由電導體與電絕緣體所構成的群組。
  6. 如申請專利範圍第1項之ACF，其中該反射性粒子為高折射率氧化物，該高折射率氧化物係選自由下列者所構成的群組：氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZmO)、二氧化鈦(TiO2)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SmO)、二氧化鋯(ZrO2)、及其合金。
  7. 如申請專利範圍第1項之ACF，其中該反射性粒子係選自由下列者所構成的群組：中空微玻璃球、雲母、膽固醇液晶顏料粒子、及中空之經交聯的聚合物粒子。
  8. 如申請專利範圍第1項之ACF，其中該反射性黏著層包含填充物粒子，該填充物粒子係選自由下列者所構成的群組：氧化鋅(ZnO)、氮化硼(SN)、二氧化矽(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、碳酸鈣(CaCO3)、或硫酸鈣(CaSO4)、及其組合。
  9. 如申請專利範圍第1項之ACF，其中該反射性黏著層包含至少10重量百分比之該反射性粒子。
  10. 如申請專利範圍第9項之ACF，其中該非反射性黏著層的頂表面係經預壓紋的。
  11. 如申請專利範圍第1項之ACF，更包含沿著該反射性黏著層之一頂表面設置的一脫模襯墊。
  12. 如申請專利範圍第11項之ACF，其中該脫模襯墊的一底表面係經預壓紋的。
  13. 如申請專利範圍第1項之ACF，其中該反射性黏著層包含自約1μm至約10μm的一厚度範圍。
  14. 如申請專利範圍第1項之ACF，其中該非反射性黏著層包含至少20,000pcs/mm2的一導電性粒子濃度。
  15. 一種異方性導電膜(ACF)，包含：一非反射性黏著層，包含一頂表面；複數導電性粒子，被包含於該非反射性黏著層；一薄膜沉積之反射層，沿著該非反射性黏著層的該頂表面設置，該薄膜沉積之反射層包含一第二頂表面；及一次要黏著層，沿著該薄膜沉積之反射層的該第二頂表面設置。
  16. 如申請專利範圍第15項之ACF，其中該ACF為固定陣列ACF且該複數導電性粒子係沿著該非反射性黏著層的一底表面設置在複數預定位置中。
  17. 如申請專利範圍第16項之ACF，其中該複數導電性粒子係沿著該非反射性黏著層的該底表面部分鑲嵌。
  18. 如申請專利範圍第15項之ACF，其中該反射層包含至少10重量百分比之該反射性粒子。
  19. 如申請專利範圍第15項之ACF，其中該薄膜沉積之反射層為一汽相沉積層。
  20. 如申請專利範圍第15項之ACF，其中該薄膜沉積之反射層為一反射性濺射層。
  21. 一種發光裝置，包含：一發光外殼，包含複數發光元件；一電極基板；複數晶片凸塊，設置於該發光外殼與該電極基板之間；及一異方性導電膜(ACF)，電連接該發光外殼與該電極基板，其包含：一非反射性黏著層，包含一頂表面；複數導電性粒子，被包含於該非反射性黏著層；及一反射性黏著層，沿著該非反射性黏著層的該頂表面設置，其中該 反射性黏著層包含至少5重量百分比之反射性粒子。
  22. 如申請專利範圍第21項之發光裝置，其中該反射性黏著層包含至少10重量百分比之反射性粒子。
  23. 如申請專利範圍第21項之發光裝置，其中該反射性粒子為高折射率氧化物，該高折射率氧化物係選自由下列者所構成之群組：氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、二氧化鈦(TiO2)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO)、二氧化鋯(ZrO2)、及其合金。
  24. 如申請專利範圍第21項之發光裝置，其中該反射性粒子係選自由下列者所構成的群組：中空微玻璃球、雲母、膽固醇液晶顏料粒子、及中空之經交聯的聚合物粒子。
  25. 如申請專利範圍第21項之發光裝置，其中該反射性黏著層包含填充物，該填充物粒子係選自由下列者所構成的群組：氧化鋅(ZnO)、氮化硼(SN)、二氧化矽(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、碳酸鈣(CaCO3)、或硫酸鈣(CaSO4)、及其組合。
  26. 一種反光或半穿半反射裝置，包含：一外殼；一電極基板；複數晶片凸塊，設置於一光反射元件與該電極基板之間；及一異方性導電膜(ACF)，電連接該外殼與該電極基板，包含：一非反射性黏著層，包含一頂表面；複數導電性粒子，被包含於該非反射性黏著層；及一反射性黏著層，沿著該非反射性黏著層的該頂表面設置，其中該反射性黏著層包含至少5重量百分比之反射性粒子。
  27. 如申請專利範圍第26頁之反光或半穿半反射裝置，其中該反射層包含至少10重量百分比之反射性粒子。
  28. 如申請專利範圍第26頁之反光或半穿半反射裝置，其中該反射性粒子為高折射率氧化物，該高折射率氧化物係選自由下列者所構成的群組：氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、二氧化鈦(TiO2)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO)、二氧化鋯(ZrO2)、及其合金。
  29. 如申請專利範圍第26頁之反光或半穿半反射裝置，其中該反射性粒子係選自由下列者所構成的群組：中空微玻璃球、雲母、膽固醇液晶顏料粒子、及中空之經交聯的聚合物粒子。
  30. 如申請專利範圍第26頁之反光或半穿半反射裝置，其中該反射性黏著層包含填充物粒子，該填充物粒子係選自由下列者所構成的群組：氧化鋅(ZnO)、氮化硼(SN)、二氧化矽(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、碳酸鈣(CaCO3)、或硫酸鈣(CaSO4)、及其組合。
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