JP2018198423A - 自己バイアスクォーツ発振器回路 - Google Patents
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Abstract
Description
−πから+πまでの積分
2 増幅器
3 電流源
4 機能ブロック
5 変調器
6 振動増幅器
C1 第1のコンデンサ
C2 第2のコンデンサ
Cs 入力コンデンサ
Oscin 入力端子
Oscout 出力端子
Claims (12)
- 発振器回路の能動的分岐において、
クォーツ(Xtal)の第1の電極に接続された出力及び前記クォーツ(Xtal)の第2の電極に接続された入力を有する増幅器(2)と、
前記クォーツ(Xtal)の前記第1の電極に接続されている出力コンデンサ(Cout)と、
前記クォーツ(Xtal)の前記第2の電極に接続されている入力コンデンサ(Cin)と
を備え、
前記増幅器が振幅調整組立体で生成される電流によってバイアスされており、
前記振幅調整組立体が、電流源と、電流をバイアスするために、振幅調整ステージを介して前記トランジスタのゲートによって制御され、前記増幅器(2)に接続された電流のバイアストランジスタ(MB1)とを有する振幅調整ステージを備え、
前記増幅器入力(2)に接続された、前記クォーツ(Xtal)の前記第2の電極が、前記バイアストランジスタ(MB1)を通る前記バイアス電流を変化させ、前記クォーツ(Xtal)の前記振動振幅を調整するように、前記バイアストランジスタ(MB1)のゲートに、及び、前記振幅調整ステージに接続され、
前記振幅調整ステージが、その1つのソースが供給電圧源の第1の端子(Vdd)に接続された、第2の種類の導電率のダイオード接続トランジスタ(MR1)を備えるMOS型の第1の電流ミラーを備え、前記ダイオード接続トランジスタ(MR1)のゲートが、第2の種類の導電率の前記PMOSバイアストランジスタ(MB1)の前記ゲートに、及び、前記クォーツ(Xtal)の前記第2の電極に接続され、
前記ダイオード接続トランジスタ(MR1)の前記ゲートが、フィルタ抵抗器(Rf)の一方側に接続され、前記フィルタ抵抗器(Rf)の他方側が、前記第1の電流ミラーの第2の種類の導電率の別のトランジスタ(MR2)のゲートに、及び、第2の電極が前記供給電圧源の前記第1の端子(Vdd)に接続された、フィルタコンデンサ(Cf)の第1の電極に接続され、
電流源の調整電流を決定するために、第2の種類の導電率の前記他のトランジスタ(MR2)のソースが、ベース抵抗器(Rb)を経由して、前記供給電圧源の前記第1の端子(Vdd)に接続される
ことを特徴とする、
自己バイアス型のクォーツ発振器回路(1)。 - 前記増幅器(2)及び前記バイアストランジスタ(MB1)が、前記供給電圧源(Vdd)の2つの端子の間に直列に配設される
ことを特徴とする、
請求項1に記載のクォーツ発振器回路(1)。 - 前記増幅器(2)が、第1の種類の導電率の前記MOS型(Mgmn)の第1のトランジスタを備え、そのゲートが前記増幅器の前記入力側に接続され、ドレインが前記増幅器の前記出口側に接続される
ことを特徴とする、
請求項1または2に記載のクォーツ発振器回路(1)。 - 前記バイアストランジスタ(MB1)のドレインが、前記第1のMOSトランジスタの前記ドレインに接続され、前記第1のトランジスタのソースが、前記供給電圧源の端子に接続され、前記バイアストランジスタのソースが、前記供給電圧源の別の端子に接続される
ことを特徴とする、
請求項3に記載のクォーツ発振器回路(1)。 - 前記バイアストランジスタ(MB1)が、その前記ソースが前記供給電圧端子(Vdd)に接続された、PMOSトランジスタであり、
前記第1のトランジスタ(Mgmn)が、その前記ソースが前記接地端子に接続された、NMOSトランジスタである
ことを特徴とする、
請求項4に記載のクォーツ発振器回路(1)。 - 第1の抵抗器(Rbn)が、前記第1のトランジスタ(Mgmn)の前記ドレインと前記ゲートとの間に接続され、
第1のコンデンサ(Chpn)が、前記ゲートと前記クォーツ(Xtal)の前記第2の電極との間、さらに、前記バイアストランジスタ(MB1)の前記ゲートに接続される
ことを特徴とする、
請求項5に記載のクォーツ発振器回路(1)。 - 前記増幅器(2)が、第2の種類の導電率の前記MOS型の第2のトランジスタ(Mgmp)を備え、そのゲートが前記増幅器の前記入力側に接続され、ドレインが前記増幅器の前記出力側に接続され、前記第1及び第2のトランジスタ(Mgmn、Mgmp)が、前記供給電圧源の前記2つの端子の間で前記バイアストランジスタ(MB1)と直列に接続される
ことを特徴とする、
請求項3に記載のクォーツ発振器回路(1)。 - 前記第1のトランジスタ(Mgmn)が、その前記ソースが接地端子に接続された、NMOSトランジスタであり、
前記第2のトランジスタ(Mgmp)が、そのソースが前記バイアストランジスタ(MB1)のドレインに接続され、ドレインが前記第1のNMOSトランジスタ(Mgmn)の前記ドレインに接続された、PMOSトランジスタであり、
前記バイアストランジスタのソースが、供給電圧端子(Vdd)に接続される
ことを特徴とする、
請求項7に記載のクォーツ発振器回路(1)。 - 第1の抵抗器(Rbn)が、前記第1のトランジスタ(Mgmn)の前記ドレインと前記ゲートとの間に接続され、
第1のコンデンサ(Chpn)が、前記第1のトランジスタの前記ゲートと前記クォーツ(Xtal)の前記第2の電極との間、さらに、前記バイアストランジスタ(MB1)の前記ゲートに接続され、
第2の抵抗器(Rbp)が、前記第2のトランジスタ(Mgmp)の前記ドレインと前記ゲートとの間に接続され、
第2のコンデンサ(Chpp)が、前記第2のトランジスタの前記ゲートと前記クォーツ(Xtal)の前記第2の電極との間、さらに、前記バイアストランジスタ(MB1)の前記ゲートに接続される、
ことを特徴とする
請求項8に記載のクォーツ発振器回路(1)。 - 前記第1の電流ミラーが、その1つのソースが供給電圧端子(Vdd)に接続された、ダイオード接続PMOSトランジスタ(MR1)を備えるPMOS型であり、前記ダイオード接続PMOSトランジスタ(MR1)の前記ゲートが、前記PMOSバイアストランジスタ(MB1)の前記ゲートに、及び、前記クォーツ(Xtal)の前記第2の電極に接続され、
前記ダイオード接続トランジスタ(MR1)の前記ゲートが、前記フィルタ抵抗器(Rf)の一方側に接続され、前記フィルタ抵抗器(Rf)の他方側が、前記第1の電流ミラーの別のPMOSトランジスタ(MR2)の前記ゲートに、及び、前記第2の電極が前記供給電圧端子(Vdd)に接続された、前記フィルタコンデンサ(Cf)の前記第1の電極に接続され、
前記電流源の調整電流を決定するために、前記他のPMOSトランジスタ(MR2)の前記ソースが、前記ベース抵抗器(Rb)を経由して、前記供給電圧端子(Vdd)に接続される
ことを特徴とする、
請求項1に記載のクォーツ発振器回路(1)。 - 前記振幅調整ステージが、第1のダイオード接続NMOSトランジスタ(MB3)を備える第2の電流ミラーを備え、そのソースが、前記接地端子である、前記供給電圧源の前記第2の端子に接続され、
前記ダイオード接続NMOSトランジスタ(MB3)のドレインが、前記第1の電流ミラーの前記他のPMOSトランジスタ(MR2)のドレインに接続され、
前記ダイオード接続NMOSトランジスタ(MB3)のゲートが、ドレイン、及び前記第2の電流ミラーの第2のNMOSトランジスタ(MB2)のゲートに接続され、
前記第2のNMOSトランジスタ(MB2)のソースが前記接地端子に接続され、
前記第2のNMOSトランジスタ(MB2)のドレインが、前記第1の電流ミラーの前記ダイオード接続トランジスタ(MR1)に、前記クォーツ(Xtal)の前記第2の電極に、及び、前記バイアストランジスタ(MB1)の前記電流の変調制御のための前記PMOSバイアストランジスタ(MB1)の前記ゲートに接続される
ことを特徴とする、
請求項10に記載のクォーツ発振器回路(1)。 - 前記振幅調整ステージが、弱反転において前記第1の電流ミラーの前記PMOSトランジスタ(MR1、MR2)を動作させるように配置される
ことを特徴とする、
請求項10に記載のクォーツ発振器回路(1)。
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