JP2018190789A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板への液体の供給に伴う静電気放電の発生を抑制または防止でき、これにより、基板の主面における損傷の発生を抑制または防止できる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】ＳＰＭ供給工程の前に、除電液供給工程が実行される。また、除電液供給工程の開始前に、基板の上面中央部に向けて高湿度の加湿気体が供給される。加湿気体の供給は、除電液供給工程の開始に先立って開始され、除電液供給工程の終了まで継続される。チャンバー内に搬入されてきた基板Ｗが帯電している場合には、高湿度の加湿気体を基板の上面に供給することにより、基板の上面に帯電している電荷が拡散する。【選択図】図６

Description

この発明は、基板の主面を処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
半導体装置の製造工程では、たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、チャンバーと、チャンバー内において、基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板の主面に向けて処理液を吐出するためのノズルとを備えている。
このような基板処理装置を用いた基板処理では、たとえば、回転状態の基板の主面に薬液が供給される薬液処理が実行される。基板の主面に供給された薬液は、基板の回転により生じる遠心力を受けて、基板の主面上を周縁に向けて流れ、基板の主面の全域に行き渡る。これにより、基板の主面の全域に薬液による処理が施される。
チャンバーに搬入されてきた基板は、その前工程において帯電していることがある。チャンバーに搬入されてきた基板には薬液処理が施されるが、チャンバーに搬入されてきた基板が帯電していると、基板の主面にノズルから薬液を吐出した際に、基板の主面と薬液との接触に伴い、薬液が着液した箇所またはその近傍で静電気放電が発生するおそれがある。その結果、パターン破壊が生じたり、デバイスに穴が穿いたりする等、基板の主面に損傷が発生することがある。
そこで、従来は、下記特許文献１のように、薬液供給開始時における基板の主面における静電気放電の発生を防止すべく、薬液供給の開始前に除電液を基板に供給している。
特開２０１５−８２６５０号公報
しかしながら、チャンバーに搬入されてくる基板の帯電量が多い場合がある。この場合、除電液によっては、基板を充分に除電することができない。そして、この場合には、この除電液の基板への供給の際に、基板の主面と除電液との接触に伴って静電気放電が発生することがある。
また、基板の種類や薬液の種類によっては、除電液を基板に供給することが望ましくない場合もある。この場合には、チャンバーに搬入されてきた基板に、最初に薬液を供給することになるが、静電気放電の問題が顕在化するおそれがある。
したがって、本願発明者らは、チャンバーに搬入されてきた基板の除電を、除電液の供給以外の手法を用いて検討している。すなわち、基板の主面における損傷の発生を抑制または防止すべく、基板への液体（薬液または除電液）の供給に伴う静電気放電の発生を抑制または防止することを検討している。
そこで、本発明の目的は、基板への液体の供給に伴う静電気放電の発生を抑制または防止でき、これにより、基板の主面における損傷の発生を抑制または防止できる、基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、処理液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、チャンバー内において基板保持ユニットに保持されている基板の主面における所定の供給領域に向けてノズルから液体を吐出する液体吐出工程と、前記基板に帯電している電荷を除去するために、前記基板の主面に、前記チャンバー内の湿度よりも高湿度の加湿気体を供給する加湿気体供給工程と、前記液体吐出工程の後に、前記基板を所定の回転軸線回りに回転させて当該基板の主面の液成分を振り切るスピンドライ工程とを含み、前記加湿気体供給工程は、前記液体吐出工程の開始前から開始し、前記液体吐出工程の開始よりも後でかつ前記スピンドライ工程の前の所定の終了タイミングにおいて終了する、基板処理方法を提供する。
この方法によれば、液体吐出工程の開始前に、基板の主面における供給領域を含む領域に向けて高湿度の加湿気体が供給される。チャンバー内に搬入されてきた基板が帯電している場合には、供給領域を含む領域への高湿度の加湿気体の供給により、少なくとも供給領域に帯電している電荷が拡散する。加湿気体の供給は、液体吐出工程の開始に先立って開始され、液体吐出工程の開始後でかつスピンドライ工程の前の終了タイミングまで継続される。したがって、液体吐出工程の開始時において、ノズルから吐出される液体が供給領域に着液する際には、当該供給領域から電荷が充分に除去されている。すなわち、電荷が充分に除去された後の供給領域に液体が着液する。これにより、液体の基板への吐出に伴う静電気放電の発生の発生を抑制または防止できる。ゆえに、基板の主面における損傷の発生を抑制または防止できる。
請求項２に記載の発明は、前記基板の主面に処理液を供給する処理液供給工程をさらに含み、前記液体吐出工程は、前記処理液供給工程に先立って前記供給領域を含む領域に向けて前記ノズルから前記除電液を吐出する除電液供給工程を含む、請求項１に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、処理液供給工程の前に、除電液供給工程が実行される。また、除電液供給工程の開始前に、供給領域を含む領域に向けて高湿度の加湿気体が供給される。除電液は処理液と比べて電気を通すので、除電液を基板の主面に供給することにより、液体（除電液）の基板への吐出に伴う静電気放電の発生を、より効果的に抑制または防止できる。ゆえに、基板の主面における損傷の発生を、より効果的に抑制または防止できる。
請求項３に記載の発明は、前記液体供給工程は、前記供給領域を含む領域に向けて前記ノズルから処理液を供給する処理液供給工程を含む、請求項１に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、処理液供給工程の開始前に、供給領域を含む領域に向けて高湿度の加湿気体が供給される。これにより、液体（処理液）の基板への吐出に伴う静電気放電の発生を、抑制または防止できる。ゆえに、基板の主面における損傷の発生を抑制または防止できる。
請求項４に記載の発明は、前記終了タイミングは、前記液体吐出工程の終了前の所定のタイミングまたは前記液体吐出工程の終了のタイミングである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、加湿気体供給工程は、液体吐出工程の終了前または終了と同時に終了する。そのため、スピンドライ工程においては加湿気体の供給を行わない。したがって、基板の主面の周囲を低湿度の雰囲気に維持しながら、スピンドライ工程を行うことが可能である。これにより、スピンドライ工程において、基板の主面を良好に乾燥させることができる。
請求項５に記載の発明は、前記スピンドライ工程に並行して、前記基板の主面に、前記加湿気体よりも低湿度の除湿気体を供給する除湿気体供給工程を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、スピンドライ工程に並行して、基板の主面に低湿度の除湿気体が供給される。そのため、スピンドライ工程の開始時に、基板の主面の周囲に加湿気体が残留している場合であっても、その加湿気体を除湿気体に置換することができる。したがって、基板の主面の周囲を低湿度の雰囲気に維持しながら、スピンドライ工程を行うことが可能である。これにより、スピンドライ工程において、基板の主面を良好に乾燥させることができる。
請求項６に記載の発明は、前記加湿気体供給工程は、前記基板の主面における供給領域を含む領域に前記第１のノズルから前記加湿気体を吹き付ける第１の加湿気体供給工程を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、供給領域を含む領域に加湿気体が吹き付けられるので、供給領域を確実に除電することができる。
請求項７に記載の発明は、前記加湿気体供給工程は、前記基板の主面の近傍に、前記基板の主面に沿って流れる前記加湿気体の気流を形成する第２の加湿気体供給工程を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、基板の主面に沿って流れる加湿気体の気流が形成されるので、基板の主面を広範囲に除電することができる。これにより、供給領域を良好に除電することができる。
請求項８に記載の発明は、前記加湿気体供給工程は、前記チャンバーの外部から前記チャンバー内に前記加湿気体を供給する第３の加湿気体供給工程を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、チャンバー内に加湿気体を供給して、チャンバー内の雰囲気を加湿気体に置換することにより、供給領域に加湿気体を供給することができる。
請求項９に記載の発明は、前記加湿気体供給工程は、前記基板の主面に対向する対向面と当該基板の主面との間の空間に、前記加湿気体を供給する第４の加湿気体供給工程を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、対向面と基板の主面との間に加湿気体を供給することにより、供給領域に加湿気体を供給することができる。
前記の目的を達成するための請求項１０に記載の発明は、処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、チャンバーと、前記チャンバー内に収容され、基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板を所定の回転軸線回りに回転させる回転ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて液体を吐出するノズルを有し、当該基板の主面に前記液体を供給する液体供給ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に、前記チャンバー内の湿度よりも高湿度の加湿気体を供給する加湿気体供給ユニットと、前記液体供給ユニットおよび前記加湿気体供給ユニットを制御する制御装置とを含み、前記制御装置は、前記基板の主面における所定の供給領域に向けて前記ノズルから液体を吐出する液体吐出工程と、前記基板に帯電している電荷を除去するために、前記加湿気体供給ユニットによって前記基板の主面に前記チャンバー内の湿度よりも高湿度の加湿気体を供給する加湿気体供給工程と、前記液体吐出工程の後に、前記基板を前記回転軸線回りに回転させて当該基板の主面の液成分を振り切るスピンドライ工程とを実行し、かつ、前記加湿気体供給工程において、前記液体吐出工程の開始よりも後でかつ前記スピンドライ工程の前の所定の終了タイミングにおいて終了させる、基板処理装置である。
この構成によれば、液体吐出工程の開始前に、基板の主面における供給領域を含む領域に向けて高湿度の加湿気体が供給される。基板が帯電している場合には、高湿度の加湿気体の供給領域を含む領域への供給により、少なくとも供給領域に帯電している電荷が拡散する。加湿気体の供給は、液体吐出工程の開始に先立って開始され、液体吐出工程の開始後でかつスピンドライ工程の前の終了タイミングまで継続される。そのため、液体吐出工程においてノズルから吐出される液体が供給領域に着液する際には、当該供給領域から電荷が充分に除去されている。すなわち、電荷が充分に除去された後の供給領域に液体が着液する。これにより、液体の基板への吐出に伴う静電気放電の発生を抑制または防止できる。ゆえに、基板の主面における損傷の発生を抑制または防止できる。
請求項１１に記載の発明は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に処理液を供給するための処理液供給ユニットをさらに含み、前記液体供給ユニットは、処理液よりも比抵抗が大きい導電性の除電液を前記基板の主面に供給する除電液供給ユニットを含み、前記制御装置は、前記処理液供給ユニットをさらに制御し、前記制御装置は、前記基板の主面に、前記処理液供給ユニットによって処理液を供給する処理液供給工程を実行し、かつ、前記液体供給工程において、前記処理液供給工程に先立って前記供給領域を含む領域に向けて前記ノズルから前記除電液を吐出する除電液供給工程を実行する、請求項９に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理液供給工程の前に、除電液供給工程が実行される。また、除電液供給工程の開始前に、供給領域を含む領域に向けて高湿度の加湿気体が供給される。除電液は処理液と比べて電気を通すので、除電液を基板の主面に供給することにより、液体（除電液）の基板への吐出に伴う静電気放電の発生を、より効果的に抑制または防止できる。ゆえに、基板の主面における損傷の発生を、より効果的に抑制または防止できる。
請求項１２に記載の発明は、前記液体供給ユニットは、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に処理液を供給するための処理液供給ユニットを含み、前記制御装置は、前記液体供給工程において、前記供給領域を含む領域に向けて前記ノズルから処理液を供給する処理液供給工程を実行する、請求項１０に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理液供給工程の開始前に、供給領域を含む領域に向けて高湿度の加湿気体が供給される。これにより、液体（処理液）の基板への吐出に伴う静電気放電の発生を、抑制または防止できる。ゆえに、基板の主面における損傷の発生を抑制または防止できる。
請求項１３に記載の発明は、前記終了タイミングは、前記液体吐出工程の終了前の所定のタイミングまたは前記液体吐出工程の終了のタイミングである、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、加湿気体供給工程は、液体吐出工程の終了前または終了と同時に終了する。そのため、スピンドライ工程においては加湿気体の供給を行わない。したがって、基板の主面の周囲を低湿度の雰囲気に維持しながら、スピンドライ工程を行うことが可能である。これにより、スピンドライ工程において、基板の主面を良好に乾燥させることができる。
請求項１４に記載の発明は、前記制御装置は、前記スピンドライ工程に並行して、前記基板の主面に、前記加湿気体よりも低湿度の除湿気体を供給する除湿気体供給工程を実行する、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、スピンドライ工程に並行して、基板の主面に低湿度の除湿気体が供給される。そのため、スピンドライ工程の開始時に、基板の主面の周囲に加湿気体が残留している場合であっても、その加湿気体を除湿気体に置換することができる。したがって、基板の主面の周囲を低湿度の雰囲気に維持しながら、スピンドライ工程を行うことが可能である。これにより、スピンドライ工程において、基板の主面を良好に乾燥させることができる。
請求項１５に記載の発明は、前記加湿気体供給ユニットは、吐出口を有し、前記基板の主面に前記加湿気体を吹き付ける第１のノズルを有し、前記制御装置は、前記加湿気体供給工程において、前記基板の主面における供給領域を含む領域に前記第１のノズルから前記加湿気体を吹き付ける第１の加湿気体供給工程を含む、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、供給領域を含む領域に加湿気体が吹き付けられるので、供給領域を確実に除電することができる。
請求項１６に記載の発明は、前記加湿気体供給ユニットは、前記基板の主面に沿って流れる前記加湿気体の気流を形成させる第２のノズルを有し、前記制御装置は、前記加湿気体供給工程において、前記基板の主面の近傍に、前記第２のノズルによって前記基板の主面に沿って流れる前記加湿気体の気流を形成する第２の加湿気体供給工程を実行する、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板の主面に沿って流れる加湿気体の気流が形成されるので、基板の主面を広範囲に除電することができる。これにより、供給領域を良好に除電することができる。
請求項１７に記載の発明は、前記加湿気体供給ユニットは、前記チャンバーの内部に前記加湿気体を供給するユニットを含み、前記制御装置は、前記加湿気体供給工程において、前記チャンバーの外部から前記チャンバー内に前記加湿気体を供給する第３の加湿気体供給工程を実行する、請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、チャンバー内に加湿気体を供給して、チャンバー内の雰囲気を加湿気体に置換することにより、供給領域に加湿気体を供給することができる。
請求項１８に記載の発明は、前記基板の主面に対向する対向面を有する対向部材をさらに含み、前記制御装置は、前記加湿気体供給工程において、前記対向面と前記基板の主面との間の空間に、前記加湿気体を供給する第４の加湿気体供給工程を含む、請求項１０〜１７のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、対向面と基板の主面との間に加湿気体を供給することにより、供給領域に加湿気体を供給することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図３は、加湿気体生成ユニットの構成を説明するための図である。 図４は、上ノズルの構成例を説明するための模式的な縦断面図である。 図５は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図６は、前記処理ユニットによる第１の基板処理例を説明するための流れ図である。 図７は、加湿気体供給工程が行われているときの基板を水平に見た模式図である。 図８は、除電液供給工程が行われているときの基板を水平に見た模式図である。 図９は、スピンドライ工程が行われているときの基板を水平に見た模式図である。 図１０は、処理ユニット２による第２の基板処理例を説明するための流れ図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態に備えられた処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図１２Ａは、本発明の第３の実施形態に備えられた処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図１２Ｂは、本発明の第４の実施形態に備えられた処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図１３は、加湿気体生成ユニットの第１の変形例を示す図である。 図１４は、加湿気体生成ユニットの第２の変形例を示す図である。
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置１は、シリコンウエハなどの基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。基板処理装置１は、処理液で基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。
図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な断面図である。
処理ユニット２は、箱形のチャンバー４と、チャンバー４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持ユニット）５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面（主面）に薬液（処理液）を供給するための薬液供給ユニット（処理液供給ユニット）６と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に、除電液およびリンス液としての炭酸水を供給するための炭酸水供給ユニット（除電液供給ユニット）７と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に、高湿度（たとえば相対湿度６５〜９０％）の加湿気体を供給するための加湿気体供給ユニット８と、スピンチャック５の周囲を取り囲む筒状のカップ９とを含む。
チャンバー４は、スピンチャック５やノズルを収容する箱状の隔壁１１と、隔壁１１の上部から隔壁１１内に清浄空気（フィルタによってろ過された空気）を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１２と、隔壁１１の下部からチャンバー４内の気体を排出する排気ダクト１３とを含む。ＦＦＵ１２は、隔壁１１の上方に配置されており、隔壁１１の天井に取り付けられている。ＦＦＵ１２は、隔壁１１の天井からチャンバー４内に下向きに清浄空気を送る。排気ダクト１３は、カップ９の底部に接続されており、基板処理装置１が設置される工場に設けられた排気処理設備に向けてチャンバー４内の気体を導出する。したがって、チャンバー４内を下方に流れるダウンフロー（下降流）が、ＦＦＵ１２および排気ダクト１３によって形成される。基板Ｗの処理は、チャンバー４内にダウンフローが形成されている状態で行われる。
スピンチャック５として、基板Ｗを水平方向に挟んで基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック５は、スピンモータ（回転ユニット）１４と、このスピンモータ１４の駆動軸と一体化されたスピン軸１５と、スピン軸１５の上端に略水平に取り付けられた円板状のスピンベース１６とを含む。
スピンベース１６の上面には、その周縁部に複数個（３個以上。たとえば６個）の挟持部材１７が配置されている。複数個の挟持部材１７は、スピンベース１６の上面周縁部において、基板Ｗの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。
また、スピンチャック５としては、挟持式のものに限らず、たとえば、基板Ｗの裏面を真空吸着することにより、基板Ｗを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、スピンチャック５に保持されている基板Ｗを回転させる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
図２に示すように、薬液供給ユニット６は、薬液ノズル２１と、薬液ノズル２１が先端部に取り付けられたノズルアーム２２と、ノズルアーム２２を移動させることにより、薬液ノズル２１を移動させる第１のノズル移動ユニット２３とを含む。
薬液ノズル２１は、連続流の状態で薬液を吐出するストレートノズルである。この実施形態では、薬液ノズル２１から吐出される薬液として、ＳＰＭ（硫酸過酸化水素水混合液（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture）。Ｈ２ＳＯ４（硫酸）およびＨ２Ｏ２（過酸化水素水）を含む混合液）が採用されている。
薬液ノズル２１は、たとえば基板Ｗの上面に垂直な方向に処理液を吐出する垂直姿勢でノズルアーム２２に取り付けられている。なお、薬液ノズル２１は、吐出口よりも内方（回転軸線Ａ１側）の位置に薬液が着液するように基板Ｗの上面に対して傾いた吐出方向に薬液が吐出される内向き姿勢でノズルアーム２２に保持されていてもよいし、吐出口よりも外方（回転軸線Ａ１とは反対側）の位置に薬液が着液するように基板Ｗの上面に対して傾いた吐出方向に薬液を吐出する外向き姿勢でノズルアーム２２に保持されていてもよい。
ノズルアーム２２は水平方向に延びており、スピンチャック５の周囲で鉛直方向に延びる回動軸線（図示しない）まわりに揺動可能に設けられている。第１のノズル移動ユニット２３は、回動軸線まわりにノズルアーム２２を回転させることにより、平面視で基板Ｗの上面中央部を通る軌跡に沿って薬液ノズル２１を水平に移動させる。第１のノズル移動ユニット２３は、薬液ノズル２１から吐出されたＳＰＭが基板Ｗの上面に着液する処理位置と、薬液ノズル２１が平面視でスピンチャック５の周囲に設定されたホーム位置との間で、薬液ノズル２１を水平に移動させる。この実施形態では、前記の処理位置は、たとえば、薬液ノズル２１から吐出されたＳＰＭが基板Ｗの上面中央部に着液する中央位置である。
薬液供給ユニット６は、薬液ノズル２１に接続され、硫酸供給源からＨ２ＳＯ４が供給される硫酸配管２４と、過酸化水素水供給源からＨ２Ｏ２が供給される過酸化水素水配管２５とをさらに含む。
硫酸配管２４の途中部には、硫酸配管２４を開閉するための硫酸バルブ２６、硫酸流量調整バルブ２７およびヒータ２８が、薬液ノズル２１側からこの順に介装されている。ヒータ２８は、Ｈ２ＳＯ４を室温よりも高い温度（８０〜１８０℃の範囲内の一定温度。たとえば９０℃）に維持する。Ｈ２ＳＯ４を加熱するヒータ２８は、図２に示すようなワンパス方式のヒータであってもよいし、ヒータを含む循環経路の内部にＨ２ＳＯ４を循環させることによりＨ２ＳＯ４を加熱する循環方式のヒータであってもよい。図示はしないが、硫酸流量調整バルブ２７は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他の流量調整バルブについても同様である。
過酸化水素水配管２５の途中部には、過酸化水素水配管２５を開閉するための過酸化水素水バルブ２９と、過酸化水素水流量調整バルブ３０とが、薬液ノズル２１側からこの順に介装されている。薬液ノズル２１には、温度調整されていない常温（約２３℃）程度のＨ２Ｏ２が、過酸化水素水配管２５を通して供給される。
薬液ノズル２１は、たとえば略円筒状のケーシング（図示しない）を有している。硫酸配管２４は、薬液ノズル２１のケーシングの側壁に配置された硫酸導入口に接続されている。
硫酸バルブ２６および過酸化水素水バルブ２９が開かれると、硫酸配管２４からのＨ２ＳＯ４および過酸化水素水配管２５からのＨ２Ｏ２が、薬液ノズル２１のケーシング（図示しない）内へと供給され、ケーシング内において十分に混合（攪拌）される。この混合によって、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とが均一に混ざり合い、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との反応によってＨ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２の混合液（ＳＰＭ）が生成される。ＳＰＭは、酸化力が強いペルオキソ一硫酸（Peroxymonosulfuric acid；Ｈ２ＳＯ５）を含み、混合前のＨ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２の温度よりも高い温度（１５０℃以上。たとえば約１５７℃）まで昇温させられる。生成された高温のＳＰＭは、薬液ノズル２１のケーシングの先端（たとえば下端）に開口した吐出口から吐出される。
炭酸水供給ユニット７は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗに向けて炭酸水を吐出する炭酸水ノズル３１と、炭酸水ノズル３１に炭酸水を供給する炭酸水配管３２と、炭酸水配管３２から炭酸水ノズル３１への炭酸水の供給および供給停止を切り替える炭酸水バルブ３３とを含む。炭酸水ノズル３１は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルである。炭酸水ノズル３１は、炭酸水ノズル３１の吐出口が静止された状態で炭酸水を吐出する固定ノズルである。炭酸水供給ユニット７は、炭酸水ノズル３１を移動させることにより、基板Ｗの上面に対する炭酸水の着液位置（供給領域）を移動させる炭酸水ノズル移動装置を備えていてもよい。
炭酸水バルブ３３が開かれると、炭酸水配管３２から炭酸水ノズル３１に供給されたリンス液が、炭酸水ノズル３１から基板Ｗの上面中央部に向けて吐出される。この実施形態では、炭酸水は、除電液およびリンス液の双方の役割を担っている。すなわち、炭酸水供給ユニット７は、除電液供給ユニットとして機能する他、炭酸水供給ユニット（処理液供給ユニット）としても機能する。
加湿気体供給ユニット８は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に加湿気体を吹き付ける加湿気体ノズル（第１のノズル）３６と、加湿気体を生成するための加湿気体生成ユニット３７と、加湿気体生成ユニット３７からの加湿気体を、加湿気体ノズル３６に供給する加湿気体配管３８とを備える。加湿気体配管３８の途中部には、加湿気体配管３８を開閉するための加湿気体バルブ３９と、加湿気体流量調整バルブ４０とが、加湿気体ノズル３６側からこの順に介装されている。
この実施形態では、加湿気体ノズル３６は、ノズルアーム２２において、薬液ノズル２１よりも基端側に取り付けられている。すなわち、ノズルアーム２２には、薬液ノズル２１と、加湿気体ノズル３６とが、先端側からこの順で取り付けられている。この実施形態では、加湿気体ノズル３６は、吐出口よりも内方（回転軸線Ａ１側）の位置に加湿気体が吹き付けられるように基板Ｗの上面に対して傾いた吐出方向に加湿気体が吐出される内向き姿勢でノズルアーム２２に保持されている。このように吐出方向を傾斜させたために、この実施形態では、基板Ｗの上面における加湿気体ノズル３６から加湿気体は、基板Ｗの上面における薬液ノズル２１からの薬液の供給領域ＤＢ（図７参照）を含む領域に吹き付けられる。これにより、基板Ｗの上面に吹き付けられた加湿気体は、供給領域ＤＢを覆うようになる。なお、たとえば基板Ｗの上面に垂直な方向に処理液を吐出する垂直姿勢でノズルアーム２２に保持されていてよいし、吐出口よりも外方（回転軸線Ａ１とは反対側）の位置に加湿気体が吹き付けられるように基板Ｗの上面に対して傾いた吐出方向に加湿気体を吐出する外向き姿勢でノズルアーム２２に保持されていてもよい。さらに、ノズルアーム２２において、加湿気体ノズル３６が薬液ノズル２１よりも先端側に取り付けられていてもよい。
図３は、加湿気体生成ユニット３７の構成を説明するための図である。
加湿気体生成ユニット３７は、不活性ガスに水の蒸気を加えて、高湿度の加湿気体を生成する。加湿気体生成ユニット３７は、加湿気体配管３８に一端が接続された供給配管４１を備えている。供給配管４１には、他端側から不活性ガスが導入されるようになっている。供給配管４１の途中部には、水の蒸気を供給配管４１に供給するための蒸気配管４２の一端が接続されている。蒸気配管４２の他端側には、蒸気生成ユニット４３が配置されている。蒸気生成ユニット４３は、水（たとえばＤＩＷ（脱イオン水））を溜める貯留槽４４と、貯留槽４４に内蔵されたヒータ４５とを含む。貯留槽４４に水が溜められた状態でヒータ４５をオンすることにより貯留槽４４が加熱されて、貯留槽４４に溜められている水が蒸発する。すなわち、蒸気生成ユニット４３において、水の蒸気が発生する。発生した水の蒸気は、蒸気配管４２を通って供給配管４１に供給される。そして、供給配管４１の内部において、不活性ガスに水の蒸気が混ざり、これにより、高湿度の加湿気体が生成される。
図２に示すように、基板処理装置１は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に、低湿度（加湿気体よりも低湿度）の除湿気体を供給するための上ノズル（第１のノズル、第２のノズル）１０をさらに含む。上ノズル１０には、上ノズル１０を昇降および水平移動させるための第２のノズル移動ユニット５０が結合されている。第２のノズル移動ユニット５０は、上ノズル１０を、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面中央部を通る円弧状の軌跡に沿って水平に移動させる。第２のノズル移動ユニット５０は、上ノズル１０を、基板Ｗの上面中央部の上方の処理位置と、基板Ｗの上方から側方に退避したホーム位置との間で移動させる。
上ノズル１０には、気体配管５１が結合されている。気体配管５１を介して、除湿気体が上ノズル１０に供給される。気体配管５１には、その流路を開閉する気体バルブ５２が介装されている。気体配管５１に供給される除湿気体として、低湿度の除湿気体として、低湿度の不活性ガスが採用される。不活性ガスは、窒素ガスまたはドライエアを含む。除湿気体の相対湿度は、たとえば０．００５〜０．０２％ＲＨ（露点：−７８〜−７０℃）である。
図４は、図２に示す上ノズル１０の構成例を説明するための模式的な縦断面図である。図４には、上ノズル１０が処理位置に配置された状態を示している。上ノズル１０は、下端にフランジ部５３を有する円筒状のノズル本体５４を有している。フランジ部５３の側面である外周面には、上側気体吐出口５５および下側気体吐出口５６が、それぞれ環状に外方に向けて開口している。上側気体吐出口５５および下側気体吐出口５６は、上下に間隔を空けて配置されている。ノズル本体５４の下面には、中心気体吐出口５７が配置されている。
ノズル本体５４には、気体配管５１から、除湿気体が供給される気体導入口５８，５９が形成されている。気体導入口５８，５９に対して、個別の除湿気体配管が結合されてもよい。ノズル本体５４内には、気体導入口５８と上側気体吐出口５５および下側気体吐出口５６とを接続する筒状の気体流路６１が形成されている。また、ノズル本体５４内には、気体導入口５９に連通する筒状の気体流路６２がまわりに形成されている。気体流路６２の下方にはバッファ空間６３が連通している。バッファ空間６３は、さらに、パンチングプレート６４を介して、その下方の空間６５に連通している。この空間６５が中心気体吐出口５７に開放している。
気体導入口５８から導入された除湿気体は、気体流路６１を介して上側気体吐出口５５および下側気体吐出口５６に供給され、これらの気体吐出口５５，５６から放射状に吐出される。これにより、上下方向に重なる２つの放射状気流が基板Ｗの上方に形成される。一方、気体導入口５９から導入された除湿気体は、気体流路６２を介してバッファ空間６３に蓄えられ、さらにパンチングプレート６４を通って拡散された後に、空間６５を通って中心気体吐出口５７から基板Ｗの上面に向けて下方に吐出される。この除湿気体は、基板Ｗの上面にぶつかって方向を変え、放射方向の除湿気体流を基板Ｗの上方に形成する。
したがって、中心気体吐出口５７から吐出される除湿気体が形成する放射状気流と、気体吐出口５５，５６から吐出される二層の放射状気流とを合わせて、三層の放射状気流が基板Ｗの上方に形成されることになる。この三層の放射状気流によって、基板Ｗの上面が覆われる。
図２に示すように、カップ９は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。カップ９は、スピンベース１６の周囲を取り囲んでいる。スピンチャック５が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いたカップ９の上端部９ａは、スピンベース１６よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された処理液（薬液、リンス液等）は、カップ９によって受け止められる。そして、カップ９に受け止められた処理液は、図示しない回収装置または排液装置に送られる。
図５は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置３はＣＰＵ等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有している。記憶ユニットには、演算ユニットが実行するプログラムが記憶されている。
また、制御装置３には、制御対象として、スピンモータ１４、第１および第２のノズル移動ユニット２３，５０、加湿気体生成ユニット３７等が接続されている。制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ１４、第１および第２のノズル移動ユニット２３，５０、加湿気体生成ユニット３７等の動作を制御する。また、制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、硫酸バルブ２６、過酸化水素水バルブ２９、炭酸水バルブ３３、加湿気体バルブ３９、気体バルブ５２等を開閉する。また、制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、硫酸流量調整バルブ２７、過酸化水素水流量調整バルブ３０、加湿気体流量調整バルブ４０等の開度を調整する。
図６は、処理ユニット２による第１の基板処理例を説明するための流れ図である。図７は、加湿気体供給工程（Ｓ３）が行われているときの基板Ｗを水平に見た模式図である。図８は、除電液供給工程（Ｓ４）が行われているときの基板Ｗを水平に見た模式図である。図９は、スピンドライ工程（Ｓ７）が行われているときの基板Ｗを水平に見た模式図である。
図１〜図６を参照しながら、第１の基板処理例について説明する。図７〜図９については適宜参照する。
第１の基板処理例は、基板Ｗの上面（主面）からレジストを除去するレジスト除去処理である。処理ユニット２によって基板Ｗに第１の基板処理例が施されるときには、チャンバー４の内部に、高ドーズでのイオン注入処理後の基板Ｗが搬入される（ステップＳ１）。搬入される基板Ｗは、レジストをアッシングするための処理を受けていないものとする。搬入される基板Ｗは、また、前工程（ドライエッチャーによる処理）によって帯電していることが多く、その帯電量が多いこともある。
具体的には、制御装置３は、ノズル等が全てスピンチャック５の上方から退避している状態で、基板Ｗを保持している搬送ロボットＣＲ（図１参照）のハンドをチャンバー４の内部に進入させることにより、基板Ｗがその表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡される。その後、制御装置３は、スピンモータ１４によって基板Ｗの回転を開始させる（図６のステップＳ２。基板回転工程）。基板Ｗは予め定める液処理速度（１０〜１５００ｒｐｍの範囲内で、たとえば３００ｒｐｍ）まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。
基板Ｗの回転速度が液処理速度に達した後、制御装置３は、除電液としての炭酸水を基板Ｗの上面に供給する除電液供給工程（液体吐出工程。図６のステップＳ４）を行う。除電液供給工程（Ｓ４）では、炭酸水ノズル３１から吐出される炭酸水が、基板Ｗの上面の供給領域ＤＡに着液する。供給領域ＤＡは、基板Ｗの上面中央部に設定されている。第１の基板処理例において、制御装置３は、除電液供給工程（Ｓ４）に先立って、基板Ｗの上面中央部（すなわち、供給領域ＤＡを含む領域）に向けて、加湿気体を供給開始する。すなわち、制御装置３は、加湿気体供給工程（図６のステップＳ３）を、除電液供給工程（Ｓ４）の開始前から開始させる。
具体的には、基板Ｗの回転速度が液処理速度に達すると、制御装置３は、第１のノズル移動ユニット２３を制御することにより、薬液ノズル２１および加湿気体ノズル３６をホーム位置から中央位置に移動させる。これにより、薬液ノズル２１および加湿気体ノズル３６が基板Ｗの中央部の上方に配置される。
薬液ノズル２１および加湿気体ノズル３６が基板Ｗの上方に配置された後、制御装置３は、加湿気体バルブ３９を開く。これにより、加湿気体生成ユニット３７からの高湿度の加湿気体が加湿気体ノズル３６に供給され、図７に示すように、加湿気体ノズル３６の吐出口から加湿気体が吐出される。加湿気体ノズル３６からの加湿気体の吐出流量は、たとえば（５〜１００（リットル／分）の範囲内で、たとえば５０（リットル／分））である。
加湿気体ノズル３６の吐出口から吐出された加湿気体は、基板Ｗの上面中央部（すなわち、供給領域ＤＡを含む領域）に吹き付けられる（加湿気体供給工程）。これにより、基板Ｗの上面に吹き付けられた加湿気体は、供給領域ＤＡを覆うようになる。チャンバー４内に搬入されてきた基板Ｗが帯電している場合には、高湿度の加湿気体を基板Ｗの上面に供給することにより、基板Ｗの上面に帯電している電荷が拡散する。具体的には、基板Ｗの主面に水の薄膜ができ、基板Ｗに帯電している電荷が当該薄膜を介して拡散し易くなる。
加湿気体ノズル３６からの加湿気体の吐出開始から所定の期間が経過した後、制御装置３は、加湿気体の吐出を継続しながら、炭酸水バルブ３３を開く。これにより、図８に示すように、除電液としての炭酸水が、炭酸水ノズル３１から基板Ｗの上面中央部に向けて吐出される。炭酸水ノズル３１から吐出された炭酸水は、ＳＰＭによって覆われている基板Ｗの上面中央部の供給領域ＤＡに着液する。基板Ｗの上面中央部に着液した炭酸水は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面上を基板Ｗの周縁部に向けて流れる。炭酸水の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、炭酸水バルブ３３を閉じて、炭酸水ノズル３１からの炭酸水の吐出を停止させる。また、制御装置３は、加湿気体バルブ３９を閉じて、加湿気体ノズル３６からの加湿気体の吐出を停止させる。
次いで、ＳＰＭ供給工程（処理液供給工程。図６のステップＳ５）が実行される。具体的には、制御装置３は、硫酸バルブ２６および過酸化水素水バルブ２９を同時に開く。これにより、硫酸配管２４の内部を流通するＨ２ＳＯ４が薬液ノズル２１に供給されると共に、過酸化水素水配管２５を流通する過酸化水素水が薬液ノズル２１に供給される。そして、薬液ノズル２１のケーシング内においてＨ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とが混合され、高温（たとえば、約１５７℃）のＳＰＭが生成される。そのＳＰＭが、薬液ノズル２１の吐出口から吐出され、基板Ｗの上面中央部の供給領域ＤＢに着液する。薬液ノズル２１からのＳＰＭは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面に沿って外方に流れ、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が基板Ｗ上に形成される。この液膜に含まれるＳＰＭによって、基板Ｗ上のレジストが基板Ｗから除去される。
また、ＳＰＭ供給工程（Ｓ５）において、制御装置３が、第１のノズル移動ユニット２３を制御して、薬液ノズル２１を、基板の上面に対向する周縁位置と中央位置との間で移動するようにしてもよい。この場合、供給領域ＤＢを、基板Ｗの上面の全域を走査させることができる。
ＳＰＭの吐出開始から予め定める処理時間が経過すると、制御装置３は、硫酸バルブ２６および過酸化水素水バルブ２９を閉じて、薬液ノズル２１からのＳＰＭの吐出を停止させる。また、制御装置３は、薬液ノズル２１および加湿気体ノズル３６を中央位置からホーム位置に移動させる。これにより、薬液ノズル２１および加湿気体ノズル３６が基板Ｗの上方から退避させられる。
次いで、リンス液としての炭酸水を基板Ｗに供給するリンス工程（処理液供給工程。図６のステップＳ６）が行われる。具体的には、制御装置３は、炭酸水バルブ３３を開いて、基板Ｗの上面中央部に向けて炭酸水ノズル３１から炭酸水を吐出させる。炭酸水ノズル３１から吐出された炭酸水は、ＳＰＭによって覆われている基板Ｗの上面中央部に着液する。基板Ｗの上面中央部に着液した炭酸水は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面上を基板Ｗの周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗ上のＳＰＭが、炭酸水によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これにより、基板Ｗの上面の全域において薬液およびレジスト残渣が洗い流される。リンス工程（Ｓ６）の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、炭酸水バルブ３３を閉じて、炭酸水ノズル３１からの炭酸水の吐出を停止させる。
次いで、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ工程（図６のステップＳ７）が行われる。
制御装置３は、スピンドライ工程（Ｓ７）の開始に先立ち、第２のノズル移動ユニット５０を制御して、図９に示すように、上ノズル１０をスピンチャック５の側方のホーム位置から処理位置（基板Ｗの上面中央部の上方）に移動させ、かつ当該処理位置において、上ノズル１０を基板Ｗに接近する近接位置まで下降させる。上ノズル１０が下位置にある状態では、上ノズル１０の下面と基板Ｗの上面との間の間隔はたとえば約３〜５ｍｍである。上ノズル１０が処理位置（前述の近接位置を含む）に配置されている状態では、図４に示すように、上ノズル１０の中心軸線が回転軸線Ａ１に一致している。
スピンドライ工程（Ｓ７）では、具体的には、制御装置３は、スピンモータ１４を制御することにより、除電液供給工程（Ｓ４）からリンス液供給工程（Ｓ６）までの回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液に加わり、基板Ｗに付着している液が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液が除去され、基板Ｗが乾燥する。
また、スピンドライ工程（Ｓ７）において、制御装置３は、気体バルブ５２を開いて、上ノズルの３つの気体吐出口（上側気体吐出口５５（図４参照）、下側気体吐出口５６（図４参照）および中心気体吐出口５７（図４参照））からの除湿気体の吐出をそれぞれ開始させる。このときにおいて、上側気体吐出口５５、下側気体吐出口５６および中心気体吐出口５７からの除湿気体の吐出流量は、それぞれ、たとえば約５０（リットル／分）、約５０（リットル／分）および約５０（リットル／分）である。これにより、図９に示すように、上下方向に重なる三層の環状気流が基板Ｗの上方に形成され、この三層の環状気流によって、基板Ｗの上面の全域を覆うことができる。
スピンドライ工程（Ｓ７）において、基板Ｗの上面に低湿度の除湿気体が供給される。そのため、スピンドライ工程（Ｓ７）の開始時に、基板Ｗの主面の周囲に加湿気体が残留している場合において、その加湿気体を除湿気体に置換することができる。したがって、基板Ｗの上面の周囲を低湿度の雰囲気に維持しながら、スピンドライ工程（Ｓ７）を行うことが可能である。これにより、スピンドライ工程（Ｓ７）において、基板Ｗの上面を良好に乾燥させることができる。
そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１４を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる（図６のステップＳ８）。
次いで、チャンバー４内から基板Ｗが搬出される（図６のステップＳ９）。具体的には、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバー４の内部に進入させる。そして、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドにスピンチャック５上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバー４内から退避させる。これにより、表面（デバイス形成面）からレジストが除去された基板Ｗがチャンバー４から搬出される。
以上により第１の実施形態によれば、ＳＰＭ供給工程（Ｓ５）の前に、除電液供給工程（Ｓ４）が実行される。また、除電液供給工程（Ｓ４）の開始前に、基板Ｗの上面中央部に向けて高湿度の加湿気体が供給される（Ｓ３）。チャンバー４内に搬入されてきた基板Ｗが帯電している場合には、高湿度の加湿気体を基板Ｗの上面中央部に供給することにより、当基板Ｗの上面中央部に帯電している電荷が拡散する。加湿気体の供給は、除電液供給工程（Ｓ４）の開始に先立って開始され、除電液供給工程（Ｓ４）の終了まで継続される。したがって、除電液供給工程（Ｓ４）の開始時において、炭酸水ノズル３１から吐出される炭酸水が供給領域ＤＡに着液する際には、当該供給領域ＤＡから電荷が充分に除去されている。すなわち、電荷が充分に除去された後の供給領域ＤＡに炭酸水が着液する。これにより、基板Ｗへの炭酸水の吐出に伴う静電気放電の発生を抑制または防止できる。
また、第１の実施形態では、ＳＰＭ供給工程（Ｓ５）の前に、除電液供給工程（Ｓ４）が実行される。炭酸水は処理液と比べて電気を通すので、基板Ｗの主面に炭酸水を供給することにより、液体（炭酸水）の基板Ｗへの吐出に伴う静電気放電の発生を、より効果的に抑制または防止できる。
以上により、基板Ｗの上面（に形成されたパターンやデバイス）における損傷の発生を抑制または防止できる。
また、第１の実施形態に係る処理ユニット２において、第１の基板処理例とは異なる第２の基板処理例を実行することもできる。
図１０は、処理ユニット２による第２の基板処理例を説明するための流れ図である。
第２の基板処理例が、第１の基板処理例と相違する点は、除電液供給工程（図６のＳ４）を廃止した点にある。この場合、チャンバー４に搬入されてきた基板Ｗに対する最初の液処理工程として、ＳＰＭ供給工程（Ｓ５）が実行される。チャンバー４に搬入されてきた基板Ｗに対して、ＳＰＭが供給される。すなわち、第２の基板処理例では、ＳＰＭ供給工程（Ｓ５）が液体吐出工程として機能する。
第２の基板処理例において、ＳＰＭ供給工程（Ｓ５）の開始前に、基板Ｗの上面中央部に向けて高湿度の加湿気体が供給される。加湿気体の供給は、ＳＰＭ供給工程（Ｓ５）の開始に先立って開始され、ＳＰＭ供給工程（Ｓ５）の終了まで継続される。ＳＰＭ供給工程（Ｓ５）の終了に伴って、加湿気体の供給も停止される。したがって、ＳＰＭ供給工程（Ｓ５）の開始時において、薬液ノズル２１から吐出されるＳＰＭが供給領域ＤＢ（図８参照）に着液する際には、当該供給領域ＤＢから電荷が充分に除去されている。すなわち、電荷が充分に除去された後の供給領域ＤＢにＳＰＭが着液する。これにより、基板ＷへのＳＰＭの吐出に伴う静電気放電の発生を抑制または防止できる。
なお、第１および第２の基板処理例において、基板Ｗの上面中央部に対する加湿気体の供給停止のタイミングとして、液体吐出工程（除電液供給工程（図６のＳ４）およびＳＰＭ供給工程（図１０のＳ５））の終了と同期させるとして説明したが、液体吐出工程（図６のＳ４、図１０のＳ５）の開始後であれば、液体吐出工程（図６のＳ４、図１０のＳ５）の終了前であってもよい。
また、液体吐出工程（図６のＳ４、図１０のＳ５）の終了後においても、加湿気体の供給を継続させてもよい。たとえば、図６や図１０に破線にて示すように、リンス工程（Ｓ６）の終了時にまで加湿気体の供給を継続させるようにしてもよい。この場合、遅くとも、スピンドライ工程（Ｓ７）の開始前に加湿気体の供給を停止させなければならない。スピンドライ工程（Ｓ７）において、加湿気体の供給を行うとすると、スピンドライ工程（Ｓ７）において、基板Ｗの上面の良好な乾燥を阻害するからである。
図１１は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置２０１に備えられた処理ユニット４０２の構成例を説明するための図解的な断面図である。
第２の実施形態において、前述の第１の実施形態（図１〜図１０に示す実施形態）と共通する部分には、図１〜図１０の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。
処理ユニット４０２が、処理ユニット２と相違する主たる点は、加湿気体供給ユニット８を廃止し、これに代えて、加湿気体供給ユニット２０８を設けた点である。加湿気体供給ユニット２０８は、上ノズル１０に含まれる気体配管５１に分岐接続された加湿気体配管２１４と、加湿気体配管２１４を開閉する加湿気体バルブ２１５とを含む。加湿気体配管２１４には、加湿気体生成ユニット３７からの加湿気体が供給されている。すなわち、気体導入口５８，５９（図４参照）には、除湿気体および加湿気体が、選択的に供給されるようになっている。
加湿気体バルブ２１５を閉じながら気体バルブ５２を開くことにより、気体吐出口５５，５６から除湿気体が放射状に吐出され、かつ中心気体吐出口５７から基板Ｗの上面に向けて下方に吐出される。また、気体バルブ５２を閉じながら加湿気体バルブ２１５を開くことにより、気体吐出口５５，５６から加湿気体が放射状に吐出され、かつ中心気体吐出口５７から基板Ｗの上面に向けて下方に吐出される。加湿気体バルブ２１５は、制御装置３（図５参照）に電気的に接続されている。
処理ユニット４０２では、前述の第１の基板処理例（図６参照）または第２の基板処理例（図１０参照）が実行される。
加湿気体供給工程（図６および図１０のステップＳ３）では、制御装置３は、上ノズル１０を、処理位置であって下位置（図９に実線で示す位置）よりもやや上方の位置に配置し、かつ気体吐出口５５，５６，５７から加湿気体を吐出させる。この場合、気体吐出口５５，５６から吐出される加湿気体は、二層の放射状気流を形成し、また、気体吐出口５５７から吐出される加湿気体とも合流して、基板Ｗの上面の近傍（上方）を、基板Ｗの上面に沿って流れる。
スピンドライ工程（図６および図１０のステップＳ７）では、制御装置３は、上ノズル１０を下位置（図９に実線で示す位置）に配置し、かつ気体吐出口５５，５６，５７から除湿気体を吐出させる。これは、第１の実施形態に係る処理ユニット２（図２参照）において実行される第１および第２の基板処理例の場合と同じである。
図１２Ａは、本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置３０１に備えられた処理ユニット３０２の構成例を説明するための図解的な断面図である。
第３の実施形態において、前述の第１の実施形態（図１〜図１０に示す実施形態）と共通する部分には、図１〜図１０の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。
処理ユニット４０２が、処理ユニット２と相違する主たる点は、加湿気体供給ユニット８を廃止し、これに代えて、加湿気体供給ユニット３０８を設けた点である。加湿気体供給ユニット３０８は、ＦＦＵ１２に接続された加湿気体配管３１４と、加湿気体配管３１４を開閉する加湿気体バルブ３１５とを含む。また、ＦＦＵ１２には、除湿気体（たとえば、清浄空気）が流通する除湿気体配管３２４と、除湿気体配管３２４を開閉する除湿気体バルブ３２５とを含む。
加湿気体バルブ３１５を閉じながら除湿気体バルブ３２５を開くことにより、ＦＦＵ１２からチャンバー４の内部に除湿気体が供給される。また、除湿気体バルブ３２５を閉じながら加湿気体バルブ３１５を開くことにより、ＦＦＵ１２からチャンバー４の内部に加湿気体が供給される。加湿気体バルブ３１５および除湿気体バルブ３２５は、制御装置３（図５参照）に電気的に接続されている。
処理ユニット３０２では、前述の第１の基板処理例（図６参照）または第２の基板処理例（図１０参照）が実行される。
加湿気体供給工程（図６および図１０のステップＳ３）では、制御装置３は、除湿気体バルブ３２５を閉じながら加湿気体バルブ３１５を開くことにより、ＦＦＵ１２からチャンバー４の内部に加湿気体を供給する。したがって、チャンバー４内の雰囲気が加湿気体に置換され、これにより、基板Ｗの上面の中央部に加湿気体を供給することができる。
スピンドライ工程（図６および図１０のステップＳ７）では、制御装置３は、加湿気体バルブ３１５を閉じながら除湿気体バルブ３２５を開くことにより、ＦＦＵ１２からチャンバー４の内部に除湿気体を供給する。したがって、チャンバー４内の雰囲気が除湿気体に置換され、これにより、基板Ｗの上面の中央部に除湿気体を供給することができる。
図１２Ｂは、本発明の第４の実施形態に係る基板処理装置４０１に備えられた処理ユニット４０２の構成例を説明するための図解的な断面図である。
第４の実施形態において、前述の第１の実施形態（図１〜図１０に示す実施形態）と共通する部分には、図１〜図１０の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。
処理ユニット４０２が、処理ユニット２と相違する主たる点は、上ノズル１０を廃止し、これに代えて対向部材４０３を設けた点にある。さらに、薬液供給ユニット６、炭酸水供給ユニット７および加湿気体供給ユニット８に代えて、それぞれ、薬液供給ユニット（処理液供給ユニット）４０６、炭酸水供給ユニット（除電液供給ユニット）４０７および加湿気体供給ユニット４０８を設けた点も処理ユニット２と相違している。
対向部材４０３は、円板状である。対向部材４０３の直径は、基板Ｗの直径と同等か、基板Ｗの直径よりも大きい。対向部材４０３の下面には、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に対向する、平坦面からなる円形の対向面４３１が形成されている。対向面４３１は、基板Ｗの上面の全域と対向している。対向部材４０３は、ホルダ４３２によって、対向部材４０３の中心軸線がスピンチャック５の回転軸線Ａ１上に位置するように、かつ水平姿勢で支持されている。
対向部材４０３の上面には、対向部材４０３の中心を通る鉛直軸線（スピンチャック５の回転軸線Ａ１と一致する鉛直軸線）を中心軸線とする中空円筒状のホルダ４３２が固定されている。ホルダ４３２には、支持部材昇降ユニット４３７が結合されている。制御装置３（図５参照）は、支持部材昇降ユニット４３７を制御して、対向部材４０３の対向面４３１が、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に近接する近接位置（図１２Ｂ参照）と、スピンチャック５の上方に大きく退避した退避位置との間で昇降させる。ホルダ４３２は、中空に形成されており、その内部には、気体ノズル４３３、炭酸水ノズル４３４および薬液ノズル４３５がそれぞれ鉛直方向に延びた状態で挿通されている。
気体ノズル４３３の先端には第１の吐出口４３３ａが形成されている。第１の吐出口４３３ａは、対向部材４０３の中央部に形成された貫通穴４３６を介して対向面４３１に開口している。
炭酸水ノズル４３４の先端には第２の吐出口４３４ａが形成されている。第２の吐出口４３４ａは、貫通穴４３６を介して対向面４３１に開口している。
薬液ノズル４３５の先端には第３の吐出口４３５ａが形成されている。第３の吐出口４３５ａは、貫通穴４３６を介して、対向面４３１に開口している。
加湿気体供給ユニット４０８は、気体ノズル４３３と、気体ノズル４３３の上流端に接続された加湿気体配管４１４と、加湿気体配管４１４を開閉する加湿気体バルブ４１５と、を含む。また、気体ノズル４３３の上流端に接続された除湿気体配管４２４と、除湿気体配管４２４を開閉する除湿気体バルブ４２５とを含む。
加湿気体バルブ４１５を閉じながら除湿気体バルブ４２５を開くことにより、気体ノズル４３３のケーシング（図示しない）内を通って第１の吐出口４３３ａから除湿気体が吐出される。また、除湿気体バルブ４２５を閉じながら加湿気体バルブ４１５を開くことにより、気体ノズル４３３のケーシング（図示しない）内を通って第１の吐出口４３３ａから加湿気体が吐出される。加湿気体バルブ４１５および除湿気体バルブ４２５は、制御装置３（図５参照）に電気的に接続されている。
炭酸水供給ユニット４０７は、炭酸水ノズル４３４と、炭酸水ノズル４３４の上流端に接続された炭酸水配管３２と、炭酸水バルブ３３とを含む。炭酸水バルブ３３が開かれると、炭酸水ノズル４３４のケーシング（図示しない）内を通って第２の吐出口４３４ａから炭酸水が吐出される。
薬液供給ユニット４０６は、薬液ノズル４３５と、薬液ノズル４３５の上流端に接続された硫酸配管２４と、薬液ノズル４３５の上流端に接続された過酸化水素水配管２５と、硫酸バルブ２６と、過酸化水素水バルブ２９とを含む。硫酸バルブ２６および過酸化水素水バルブ２９が開かれると、硫酸配管２４からのＨ２ＳＯ４および過酸化水素水配管２５からのＨ２Ｏ２が、薬液ノズル４３５のケーシング（図示しない）内へと供給され、ケーシング（図示しない）内において十分に混合（攪拌）される。この混合によって、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とが均一に混ざり合い、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との反応によってＨ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２の混合液（ＳＰＭ）が生成される。ＳＰＭは、酸化力が強いペルオキソ一硫酸（Peroxymonosulfuric acid；Ｈ２ＳＯ５）を含み、混合前のＨ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２の温度よりも高い温度（１５０℃以上。たとえば約１５７℃）まで昇温させられる。生成された高温のＳＰＭは、薬液ノズル４３５の先端に開口した第３の吐出口４３５ａから吐出される。
処理ユニット４０２では、前述の第１の基板処理例（図６参照）または第２の基板処理例（図１０参照）が実行される。
加湿気体供給工程（図６および図１０のＳ３）では、制御装置３は、対向部材４０３を近接位置に配置させ、かつ除湿気体バルブ４２５を閉じながら加湿気体バルブ４１５を開いて第１の吐出口４３３ａから加湿気体を吐出させる。第１の吐出口４３３ａから吐出された加湿気体は、基板Ｗの上面中央部（すなわち、次に述べる供給領域を含む領域）に吹き付けられる。これにより、基板Ｗの上面に吹き付けられた加湿気体は、供給領域ＤＡを覆うようになる。この場合、第１の吐出口４３３ａから吐出される加湿気体は、対向面４３１と基板Ｗの上面との間に供給され、対向面４３１と基板Ｗの上面との間の空間が、加湿気体によって満たされる。
除電液供給工程（図６および図１０のＳ４）では、制御装置３は、対向部材４０３を近接位置に配置させ、かつ炭酸水バルブ３３を開いて第２の吐出口４３４ａから炭酸水を吐出させる。第２の吐出口４３４ａから吐出された炭酸水は、基板Ｗの上面の供給領域（図示しない）に着液する。この供給領域は、基板Ｗの上面中央部に設定されている。
ＳＰＭ供給工程（図６および図１０のＳ５）では、制御装置３は、対向部材４０３を近接位置に配置させ、かつ硫酸バルブ２６および過酸化水素水バルブ２９を同時に開く。これにより、第３の吐出口４３５ａから吐出され、基板Ｗの上面中央部の供給領域（図示しない）に着液する。この供給領域に着液したＳＰＭは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面に沿って外方に流れ、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が基板Ｗ上に形成される。この液膜に含まれるＳＰＭによって、基板Ｗ上のレジストが基板Ｗから除去される。
スピンドライ工程（図６および図１０のＳ７）では、制御装置３は、対向部材４０３を近接位置に配置させ、かつ加湿気体バルブ４１５を閉じながら除湿気体バルブ４２５を開くことにより、第１の吐出口４３３ａから除湿気体を吐出する。これにより、基板Ｗの上面の中央部に除湿気体を供給することができる。
以上、この発明の４つの実施形態について説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、加湿気体生成ユニット３７（図３参照）に代えて、図１３に示す加湿気体生成ユニット３７Ａが採用されてもよい。加湿気体生成ユニット３７Ａは、蒸気生成ユニット４３に代えて、蒸気生成ユニット４３Ａを備えている。蒸気生成ユニット４３Ａは、ホットプレート１０１と、ホットプレート１０１の上面１０１ａに水（たとえばＤＩＷ）を滴下する滴下ノズル１０２とを含む。ホットプレート１０１のオン状態では、ホットプレート１０１の上面１０１ａが１００℃以上の高温に保たれる。ホットプレート１０１のオン状態で、ホットプレート１０１の上方で、滴下ノズル１０２から水を滴下することにより、滴下ノズル１０２からの水滴がホットプレート１０１の上面１０１ａに接触し、当該上面１０１ａで蒸発する。これにより、蒸気生成ユニット４３Ａにおいて、水の蒸気が発生する。
また、加湿気体生成ユニット３７（図３参照）に代えて、図１４に示す加湿気体生成ユニット３７Ｂが採用されてもよい。加湿気体生成ユニット３７Ｂは、蒸気生成ユニット４３に代えて、蒸気生成ユニット４３Ｂを備えている。蒸気生成ユニット４３Ｂは、水平姿勢に配置された板状の振動体１１１と、振動体１１１を超音波振動させる超音波振動子１１２とを含む。超音波振動子１１２は、制御装置３によって制御される超音波発振器１１３からの電気信号を受けて超音波振動する。振動体１１１の上面に水（ＤＩＷ）の液膜１１４を形成した状態で、超音波振動子１１２が超音波振動することにより、液膜１１４に含まれる水に超音波振動が付与され、これにより、水を蒸発させることができる。これにより、蒸気生成ユニット４３Ｂにおいて、水の蒸気が発生する。
また、第４の実施形態において、対向部材４０３が、スピンチャック５（スピンベース１６）の回転に従って回転する従動型の対向部材（遮断部材）であってもよい。すなわち、対向部材７は、基板処理中において、対向部材７がスピンチャック５に一体回転可能に支持される。
また、前述の第１〜第４の実施形態において、薬液ノズル２１と加湿気体ノズル３６とを異なるノズルアームによって支持させるようにしてもよい。
また、前述の各実施形態では、薬液として、ＳＰＭを用いる場合を例に挙げて説明したが、薬液はＳＰＭに限られない。薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、疎水化剤（たとえばＴＭＳ、ＨＭＤＳなど）、有機溶剤（たとえば、ＩＰＡ：イソプロピルアルコールなど）、および界面活性剤、腐食防止剤の少なくとも１つを含む液であってもよい。
また、リンス液として、炭酸水以外の水を用いることができる。このような水として、ＤＩＷ（脱イオン水）、電解イオン水、水素水、オゾン水、希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、還元水（水素水）、脱気水などであってもよい。
また、前述の各実施形態では、基板処理装置１，２０１，３０１が、円板状の基板Ｗを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１，２０１，３０１は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板Ｗを処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
１ ：基板処理装置
３ ：制御装置
４ ：チャンバー
５ ：スピンチャック（基板保持ユニット）
６ ：薬液供給ユニット（処理液供給ユニット）
７ ：炭酸水供給ユニット（除電液供給ユニット）
８ ：加湿気体供給ユニット
１０ ：上ノズル（第１のノズル、第２のノズル）
１４ ：スピンモータ（回転ユニット）
３６ ：加湿気体ノズル（第１のノズル）
２０１ ：基板処理装置
２０８ ：加湿気体供給ユニット
３０１ ：基板処理装置
３０８ ：加湿気体供給ユニット
４０１ ：基板処理装置
４０３ ：対向部材
４０６ ：薬液供給ユニット（処理液供給ユニット）
４０７ ：炭酸水供給ユニット（除電液供給ユニット）
４０８ ：加湿気体供給ユニット
４３１ ：対向面
Ａ１ ：回転軸線
ＤＡ ：供給領域
ＤＢ ：供給領域
Ｗ ：基板

Claims (18)

  1. 処理液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
    チャンバー内において基板保持ユニットに保持されている基板の主面における所定の供給領域に向けてノズルから液体を吐出する液体吐出工程と、
    前記基板に帯電している電荷を除去するために、前記基板の主面に、前記チャンバー内の湿度よりも高湿度の加湿気体を供給する加湿気体供給工程と、
    前記液体吐出工程の後に、前記基板を所定の回転軸線回りに回転させて当該基板の主面の液成分を振り切るスピンドライ工程とを含み、
    前記加湿気体供給工程は、前記液体吐出工程の開始前から開始し、前記液体吐出工程の開始よりも後でかつ前記スピンドライ工程の前の所定の終了タイミングにおいて終了する、基板処理方法。
  2. 前記基板の主面に処理液を供給する処理液供給工程をさらに含み、
    前記液体吐出工程は、前記処理液供給工程に先立って前記供給領域を含む領域に向けて前記ノズルから前記除電液を吐出する除電液供給工程を含む、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記液体供給工程は、前記供給領域を含む領域に向けて前記ノズルから処理液を供給する処理液供給工程を含む、請求項１に記載の基板処理方法。
  4. 前記終了タイミングは、前記液体吐出工程の終了前の所定のタイミングまたは前記液体吐出工程の終了のタイミングである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  5. 前記スピンドライ工程に並行して、前記基板の主面に、前記加湿気体よりも低湿度の除湿気体を供給する除湿気体供給工程を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  6. 前記加湿気体供給工程は、前記基板の主面における供給領域を含む領域に前記第１のノズルから前記加湿気体を吹き付ける第１の加湿気体供給工程を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  7. 前記加湿気体供給工程は、前記基板の主面の近傍に、前記基板の主面に沿って流れる前記加湿気体の気流を形成する第２の加湿気体供給工程を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  8. 前記加湿気体供給工程は、前記チャンバーの外部から前記チャンバー内に前記加湿気体を供給する第３の加湿気体供給工程を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  9. 前記加湿気体供給工程は、前記基板の主面に対向する対向面と当該基板の主面との間の空間に、前記加湿気体を供給する第４の加湿気体供給工程を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  10. 処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、
    チャンバーと、
    前記チャンバー内に収容され、基板を保持する基板保持ユニットと、
    前記基板保持ユニットに保持されている基板を所定の回転軸線回りに回転させる回転ユニットと、
    前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて液体を吐出するノズルを有し、当該基板の主面に前記液体を供給する液体供給ユニットと、
    前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に、前記チャンバー内の湿度よりも高湿度の加湿気体を供給する加湿気体供給ユニットと、
    前記液体供給ユニットおよび前記加湿気体供給ユニットを制御する制御装置とを含み、
    前記制御装置は、前記基板の主面における所定の供給領域に向けて前記ノズルから液体を吐出する液体吐出工程と、前記基板に帯電している電荷を除去するために、前記加湿気体供給ユニットによって前記基板の主面に前記チャンバー内の湿度よりも高湿度の加湿気体を供給する加湿気体供給工程と、前記液体吐出工程の後に、前記基板を前記回転軸線回りに回転させて当該基板の主面の液成分を振り切るスピンドライ工程とを実行し、かつ、前記加湿気体供給工程において、前記液体吐出工程の開始よりも後でかつ前記スピンドライ工程の前の所定の終了タイミングにおいて終了させる、基板処理装置。
  11. 前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に処理液を供給するための処理液供給ユニットをさらに含み、
    前記液体供給ユニットは、処理液よりも比抵抗が大きい導電性の除電液を前記基板の主面に供給する除電液供給ユニットを含み、
    前記制御装置は、前記処理液供給ユニットをさらに制御し、
    前記制御装置は、前記基板の主面に、前記処理液供給ユニットによって処理液を供給する処理液供給工程を実行し、かつ、前記液体供給工程において、前記処理液供給工程に先立って前記供給領域を含む領域に向けて前記ノズルから前記除電液を吐出する除電液供給工程を実行する、請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 前記液体供給ユニットは、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に処理液を供給するための処理液供給ユニットを含み、
    前記制御装置は、前記液体供給工程において、前記供給領域を含む領域に向けて前記ノズルから処理液を供給する処理液供給工程を実行する、請求項１０に記載の基板処理装置。
  13. 前記終了タイミングは、前記液体吐出工程の終了前の所定のタイミングまたは前記液体吐出工程の終了のタイミングである、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  14. 前記制御装置は、前記スピンドライ工程に並行して、前記基板の主面に、前記加湿気体よりも低湿度の除湿気体を供給する除湿気体供給工程を実行する、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  15. 前記加湿気体供給ユニットは、吐出口を有し、前記基板の主面に前記加湿気体を吹き付ける第１のノズルを有し、
    前記制御装置は、前記加湿気体供給工程において、前記基板の主面における供給領域を含む領域に前記第１のノズルから前記加湿気体を吹き付ける第１の加湿気体供給工程を含む、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  16. 前記加湿気体供給ユニットは、前記基板の主面に沿って流れる前記加湿気体の気流を形成させる第２のノズルを有し、
    前記制御装置は、前記加湿気体供給工程において、前記基板の主面の近傍に、前記第２のノズルによって前記基板の主面に沿って流れる前記加湿気体の気流を形成する第２の加湿気体供給工程を実行する、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  17. 前記加湿気体供給ユニットは、前記チャンバーの内部に前記加湿気体を供給するユニットを含み、
    前記制御装置は、前記加湿気体供給工程において、前記チャンバーの外部から前記チャンバー内に前記加湿気体を供給する第３の加湿気体供給工程を実行する、請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  18. 前記基板の主面に対向する対向面を有する対向部材をさらに含み、
    前記制御装置は、前記加湿気体供給工程において、前記対向面と前記基板の主面との間の空間に、前記加湿気体を供給する第４の加湿気体供給工程を含む、請求項１０〜１７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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