JP2018181863A - グラフェン基板、及びこの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
例えば、特許文献1には、基板上に形成された絶縁膜にグラフェン膜、及びコンタクト電極が積層して形成され、電極剥離防止層がコンタクト電極の少なくとも一部を覆い、且つ絶縁膜と直接接合している電子デバイスが開示されている。これにより、特許文献1の電子デバイスは、絶縁膜からグラフェン膜の端が剥離することを抑えることができる。
基板と、
前記基板の表面側に積層され、厚み方向に貫通した貫通孔が形成されたグラフェンと、
前記貫通孔に設けられ、前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部と、
を備えていることを特徴とする。
基板の表面側に、C(炭素)を含む炭素層、及びグラフェンの形成に利用する触媒金属である第1金属を含む第1金属層を順次積層する第1工程と、
前記第1工程後に前記Cを前記第1金属層の表面側に析出させない第2金属を含む第2金属層を積層して形成する第2工程と、
前記第1金属層、及び前記第2金属層に厚み方向に貫通した貫通孔をパターニングする第3工程と、
前記第3工程後に熱処理して、前記基板と前記第1金属層との間に位置する前記炭素層を前記第1金属層に溶解させる第4工程と、
前記第4工程後に冷却して前記基板と前記第1金属層との間に前記第3工程で前記第1金属層、及び前記第2金属層にパターニングされた前記貫通孔の形状を有したグラフェンを形成させ、前記グラフェンの前記貫通孔内に前記炭素層を残して前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部を形成する第5工程と、
前記第1金属層と前記第2金属層とを除去する第6工程と、
を備えていることを特徴とする。
基板の表面側に、C(炭素)を含む炭素層を形成する第1工程と、
前記炭素層に厚み方向に貫通した貫通孔をパターニングする第2工程と、
前記炭素層、及び前記第2工程で前記炭素層が除去された前記基板の表面側に、グラフェンの形成に利用する触媒金属である第1金属を含む第1金属層を積層して形成する第3工程と、
前記第1金属層の表面側に、前記Cを前記第1金属層の表面側に析出させない第2金属を含む第2金属層を積層して形成する第4工程と、
前記第4工程後に熱処理して、前記炭素層を前記第1金属層に溶解させる第5工程と、
前記第5工程後に冷却して、前記基板と前記第1金属層との間に前記第2工程で前記炭素層にパターニングされた前記貫通孔の形状を有したグラフェンを形成させる第6工程と、
前記グラフェンの前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に位置する前記第1金属層、及び前記第2金属層の少なくとも一方を残して前記第1金属層、及び前記第2金属層を除去し、前記グラフェンの前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に位置する前記第1金属層、及び前記第2金属層の少なくとも一方で前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部を形成する第7工程と、
を備えていることを特徴とする。
基板の表面側に、C(炭素)を含む炭素層を形成する第1工程と、
前記炭素層に厚み方向に貫通した貫通孔をパターニングする第2工程と、
前記炭素層、及び前記第2工程で前記炭素層が除去された前記基板の表面側に、グラフェンの形成に利用する触媒金属である第1金属を含む第1金属層を積層して形成する第3工程と、
前記第1金属層の表面側に、前記Cを前記第1金属層の表面側に析出させない第2金属を含む第2金属層を積層して形成する第4工程と、
前記第4工程後に熱処理して、前記炭素層を前記第1金属層に溶解させる第5工程と、
前記第5工程後に冷却して、前記基板と前記第1金属層との間に前記第2工程で前記炭素層にパターニングされた前記貫通孔の形状を有したグラフェンを形成させる第6工程と、
前記第1金属、及び前記第2金属を除去する第7工程と、
前記第7工程で露出した前記基板の表面側であって前記グラフェンの前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部を形成する第8工程と、
を備えていることを特徴とする。
基板の表面側に、C(炭素)を含む炭素層、及びグラフェンの形成に利用する触媒金属である第1金属を含む第1金属層を所望の順に積層する第1工程と、
前記第1工程後に前記Cを前記第1金属層の表面側に析出させない第2金属を含む第2金属層を積層して形成する第2工程と、
前記第2工程後に熱処理して前記炭素層を前記第1金属層に溶解させる第3工程と、
前記第3工程後に冷却して前記基板と前記第1金属層との間にグラフェンを形成させる第4工程と、
前記第1金属層と前記第2金属層とを除去する第5工程と、
前記グラフェンに厚み方向に貫通した貫通孔をパターニングする第6工程と、
前記第6工程で前記グラフェンに形成した前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部を形成する第7工程と、
を備えていることを特徴とする。
基板の表面側に、C(炭素)を含む炭素層、及びグラフェンの形成に利用する触媒金属である第1金属を含む第1金属層を所望の順に積層する第1工程と、
前記第1工程後に前記Cを前記第1金属層の表面側に析出させない第2金属を含む第2金属層を積層して形成する第2工程と、
前記第2金属層に貫通した貫通孔をパターニングする第3工程と、
前記第3工程後に熱処理して、前記炭素層を前記第1金属層に溶解させる第4工程と、
前記第4工程後に冷却して、前記基板と、前記第2金属層が積層された前記第1金属層との間に前記第3工程で前記第2金属層にパターニングされた前記貫通孔の形状を有したグラフェンを形成させる第5工程と、
前記グラフェンの前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に位置する前記第1金属層を残して前記第1金属層、及び前記第2金属層を除去し、前記グラフェンの前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に位置する前記第1金属層で前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部を形成する第6工程と、
を備えていることを特徴とする。
基板の表面側に、C(炭素)を含む炭素層、及びグラフェンの形成に利用する触媒金属である第1金属を含む第1金属層を所望の順に積層する第1工程と、
前記第1工程後に前記Cを前記第1金属層の表面側に析出させない第2金属を含む第2金属層を積層して形成する第2工程と、
前記第2金属層に貫通した貫通孔をパターニングする第3工程と、
前記第3工程後に熱処理して、前記炭素層を前記第1金属層に溶解させる第4工程と、
前記第4工程後に冷却して、前記基板と、前記第2金属層が積層された前記第1金属層との間に前記第3工程で前記第2金属層にパターニングされた前記貫通孔の形状を有したグラフェンを形成させる第5工程と、
前記第1金属層と前記第2金属層とを除去する第6工程と、
前記グラフェンの前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部を形成する第7工程と、
を備えていることを特徴とする。
基板の表面側に、C(炭素)を含む炭素層、及びグラフェンの形成に利用する触媒金属である第1金属を含む第1金属層を所望の順に積層する第1工程と、
前記第1工程後に前記Cを前記第1金属層の表面側に析出させない第2金属を含む第2金属層を積層して形成する第2工程と、
前記炭素層、前記第1金属層、及び前記第2金属層に厚み方向に貫通した貫通孔をパターニングする第3工程と、
前記第3工程後に熱処理して前記炭素層を前記第1金属層に溶解させる第4工程と、
前記第4工程後に冷却して前記基板と前記第1金属層との間に前記第3工程で前記炭素層、前記第1金属層、及び前記第2金属層にパターニングされた前記貫通孔の形状を有したグラフェンを形成させる第5工程と、
前記第1金属層と前記第2金属層とを除去する第6工程と、
前記グラフェンの前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部を形成する第7工程と、
を備えていることを特徴とする。
第5工程でグラフェンの貫通孔内に残された炭素層を除去する第7工程と、炭素層が除去されたグラフェンの貫通孔、及びグラフェンの貫通孔の周囲にグラフェンを基板の表面に固定する固定部を形成する第8工程とを備え得る。この場合、所望の材料で固定部を形成することができる。
実施例1のグラフェン基板の製造方法は、先ず、図1(A)に示すように、基板であるサファイア基板10を用意する。そして、サファイア基板10を真空蒸着装置のチャンバー内にセットする(図示せず。)。サファイア基板10は(0001)面が表面(表は図1における上側である。以下同じ)である。この真空蒸着装置は電子ビーム蒸着を実行することができる。
また、実施例1のグラフェン基板の製造方法は、グラフェン11Aに形成された貫通孔11Bに固定部11Cを設けることによって、グラフェン11Aをサファイア基板10に固定することができる。このため、このグラフェン基板の製造方法は、サファイア基板10の表面に対してグラフェン11Aの位置がずれることなくグラフェン11Aをサファイア基板10に対して固定することができる。また、このグラフェン基板の製造方法は、グラフェン11Aを形成する工程において、固定部11Cを形成することができる。つまり、このグラフェン基板の製造方法は、固定部11Cを形成するための工程を新たに設ける必要がなく、容易に固定部11Cを形成することができる。
実施例2のグラフェン基板の製造方法は、実施例1において、固定部11Cとしてグラフェン11Aの貫通孔11Bに形成された状態を維持している炭素層11を除去した後、グラフェン11Aの貫通孔11B、及びグラフェン11Aの貫通孔11Bの周囲に所望の材料50を蒸着して積層し固定部50Aを形成する点等が実施例1と異なる。他の工程は実施例1と同様であり、同一の構成は同一の符号を付し、同一の工程は詳細な説明を省略する。
また、実施例2のグラフェン基板の製造方法は、グラフェン11Aに形成された貫通孔11Bに固定部50Aを設けることによって、グラフェン11Aをサファイア基板10に固定することができる。このため、実施例2のグラフェン基板の製造方法は、サファイア基板10の表面に対してグラフェン11Aの位置がずれることなくグラフェン11Aをサファイア基板10に対して固定することができる。
実施例3〜5のグラフェン基板の製造方法は、サファイア基板10に形成された炭素層11のみをパターニングする点等が実施例1及び2と異なる。他の工程は実施例1及び2と同様であり、同一の構成は同一の符号を付し、同一の工程は詳細な説明を省略する。
また、実施例3〜5のグラフェン基板の製造方法は、グラフェン11Aに形成された貫通孔11Bに固定部15,16,50Aを設けることによって、グラフェン11Aをサファイア基板10に固定することができる。このため、実施例3〜5のグラフェン基板の製造方法は、サファイア基板10の表面に対してグラフェン11Aの位置がずれることなくグラフェン11Aをサファイア基板10に対して固定することができる。
また、実施例3、4のグラフェン基板の製造方法は、グラフェン11Aを形成する際に用いる第1金属層12、及び第2金属層13の少なくとも一方で固定部15,16を形成することができる。これにより、実施例3、4のグラフェン基板の製造方法は、固定部15,16を形成するための工程を新たに設ける必要がなく、容易に固定部15,16を形成することができる。
また、実施例5のグラフェン基板の製造方法は、固定部50Aを所望の材料50で形成することができる。
実施例6のグラフェン基板の製造方法は、サファイア基板10上に形成されたグラフェンをパターニングする点等が実施例1〜5と異なる。他の工程は実施例1〜5と同様であり、同一の構成は同一の符号を付し、同一の工程は詳細な説明を省略する。
また、実施例6のグラフェン基板の製造方法は、グラフェン11Aに形成された貫通孔11Bに固定部50Aを設けることによって、グラフェン11Aをサファイア基板10に固定することができる。このため、実施例6のグラフェン基板の製造方法は、サファイア基板10の表面に対してグラフェン11Aの位置がずれることなくグラフェン11Aをサファイア基板10に対して固定することができる。また、実施例6のグラフェン基板の製造方法は、固定部50Aを所望の材料50で形成することができる。
実施例8、9のグラフェン基板の製造方法は、第2金属層のみをパターニングする点等が実施例1〜7と異なる。他の工程は実施例1〜7と同様であり、同一の構成は同一の符号を付し、同一の工程は詳細な説明を省略する。
また、実施例8、9のグラフェン基板の製造方法は、グラフェン11Aに形成された貫通孔11Bに固定部16,50Aを設けることによって、グラフェン11Aをサファイア基板10に固定することができる。このため、実施例8、9グラフェン基板の製造方法は、サファイア基板10の表面に対してグラフェン11Aの位置がずれることなくグラフェン11Aをサファイア基板10に対して固定することができる。
また、実施例8のグラフェン基板の製造方法は、グラフェン11Aを形成する際に用いる第1金属層12で固定部16を形成することができる。これにより、このグラフェン基板の製造方法は、固定部16を形成するための工程を新たに設ける必要がなく、容易に固定部16を形成することができる。
また、実施例9のグラフェン基板の製造方法は、固定部50Aを所望の材料50で形成することができる。
実施例11のグラフェン基板の製造方法は、炭素層、第1金属層、及び第2金属層をパターニングする点等が実施例1〜10と異なる。他の工程は実施例1〜10と同様であり、同一の構成は同一の符号を付し、同一の工程は詳細な説明を省略する。
また、実施例11のグラフェン基板の製造方法は、グラフェン11Aに形成された貫通孔11Bに固定部50Aを設けることによって、グラフェン11Aをサファイア基板10に固定することができる。このため、実施例11のグラフェン基板の製造方法は、サファイア基板10の表面に対してグラフェン11Aの位置がずれることなくグラフェン11Aをサファイア基板10に対して固定することができる。また、実施例11のグラフェン基板の製造方法は、炭素層11、第1金属層12、及び第2金属層13をパターニングする。つまり、炭素層11、第1金属層12、及び第2金属層13の全てをパターニングするため、実施例11のグラフェン基板の製造方法はどの層までエッチングするのかを精密に制御する必要がなく、サファイア基板10の表面までパターニングすることができる。また、実施例11のグラフェン基板の製造方法は固定部50Aを所望の材料50で形成することができる。
次に、実施例1〜11のグラフェン基板の製造方法を用いて作製した実施例12〜22のグラフェン基板について図10〜14を参照しつつ説明する。
(1)実施例1〜11では、王水を用いてエッチングしているが、これに限らず、硝酸、硫酸、塩酸、過酸化水素水、及びこれらの酸の混合液を用いてエッチングしても良い。
(2)実施例1〜11では、(0001)面を表面にしたサファイア基板を用いているが、これに限らず、他の面を表面にしたサファイア基板を用いてもよい。
(3)実施例1〜18ではサファイア基板を用い、実施例19、20ではSi(ケイ素)、SiO2(2酸化ケイ素)で形成された基板を用い、実施例21、22ではLED素子を形成したGaN(窒化ガリウム)を基板として用いているが、これに限らず、ZnO(酸化亜鉛)等の他の材料を基板として用いても良い。
(4)実施例1〜11では、炭素層及び第1金属層をそれぞれ1層ずつ積層しているが、これに限らず、炭素層及び第1金属層のそれぞれをより薄くして複数積層しても良い。これにより、より低温で、より短時間で熱処理することができる。
(5)実施例1〜11では、炭素層及び第1金属層を積層しているが、これに限らず、炭素層及び第1金属層を混合した層であっても良い。
(6)実施例1〜11では、第1金属層にNi(ニッケル)を用いているが、これに限らず、熱処理によって炭素層のC(炭素)が溶解できれば良く、Fe(鉄)、Cu(銅)、Co(コバルト)、Ru(ルテニウム)、Rh(ロジウム)、及びSi(ケイ素)等の他の材料を用いても良い。
(7)実施例1〜11は第2金属層としてW(タングステン)を用いているが、これに限らず、カーバイド層を形成できれば良く、第2金属層としてMo(モリブデン)、Ti(チタン)、及びSi(ケイ素)等の他の材料を用いても良い。また、カーバイド層に限らず、C(炭素)の拡散を抑えるその他の層を形成することができる材料を用いても良い。
(8)貫通孔の外形は、円形に限らず、楕円形、長孔、スリット状、又は多角形状等であってもよい。
(9)実施例1では、炭素層の層厚を変化させることによって、得られるグラフェンの層厚が変えられることを開示しているが、グラフェンを複数の層で形成してもよく、1つの層で形成してもよい。
(10)実施例21、22では、グラフェンの外形形状がL字状をなしているがグラフェンの外形形状を円形状、楕円形状、四角形状等にしてもよい。
10A…炭素層にパターニングされた貫通孔
11…炭素層
11A…グラフェン
11B…グラフェンの貫通孔
11C,15,16,50A,115,215…固定部
12…第1金属層
13…第2金属層
13B…第2金属層にパターニングされた貫通孔
14…第1金属層、及び第2金属層にパターニングされた貫通孔
15A,16A,50B…係止部
17…炭素層、第1金属層、及び第2金属層にパターニングされた貫通孔
20,30…基板
Claims (10)
- 基板と、
前記基板の表面側に積層され、厚み方向に貫通した貫通孔が形成されたグラフェンと、
前記貫通孔に設けられ、前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部と、
を備えていることを特徴とするグラフェン基板。 - 前記固定部は、前記グラフェンの表面に係止する係止部を有していることを特徴とする請求項1に記載のグラフェン基板。
- 基板の表面側に、C(炭素)を含む炭素層、及びグラフェンの形成に利用する触媒金属である第1金属を含む第1金属層を順次積層する第1工程と、
前記第1工程後に前記Cを前記第1金属層の表面側に析出させない第2金属を含む第2金属層を積層して形成する第2工程と、
前記第1金属層、及び前記第2金属層に厚み方向に貫通した貫通孔をパターニングする第3工程と、
前記第3工程後に熱処理して、前記基板と前記第1金属層との間に位置する前記炭素層を前記第1金属層に溶解させる第4工程と、
前記第4工程後に冷却して前記基板と前記第1金属層との間に前記第3工程で前記第1金属層、及び前記第2金属層にパターニングされた前記貫通孔の形状を有したグラフェンを形成させ、前記グラフェンの前記貫通孔内に前記炭素層を残して前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部を形成する第5工程と、
前記第1金属層と前記第2金属層とを除去する第6工程と、
を備えていることを特徴とするグラフェン基板の製造方法。 - 前記第5工程で前記グラフェンの前記貫通孔内に残された前記炭素層を除去する第7工程と、
前記炭素層が除去された前記グラフェンの前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部を形成する第8工程と、
を備えていることを特徴とする請求項3に記載のグラフェン基板の製造方法。 - 基板の表面側に、C(炭素)を含む炭素層を形成する第1工程と、
前記炭素層に厚み方向に貫通した貫通孔をパターニングする第2工程と、
前記炭素層、及び前記第2工程で前記炭素層が除去された前記基板の表面側に、グラフェンの形成に利用する触媒金属である第1金属を含む第1金属層を積層して形成する第3工程と、
前記第1金属層の表面側に、前記Cを前記第1金属層の表面側に析出させない第2金属を含む第2金属層を積層して形成する第4工程と、
前記第4工程後に熱処理して、前記炭素層を前記第1金属層に溶解させる第5工程と、
前記第5工程後に冷却して、前記基板と前記第1金属層との間に前記第2工程で前記炭素層にパターニングされた前記貫通孔の形状を有したグラフェンを形成させる第6工程と、
前記グラフェンの前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に位置する前記第1金属層、及び前記第2金属層の少なくとも一方を残して前記第1金属層、及び前記第2金属層を除去し、前記グラフェンの前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に位置する前記第1金属層、及び前記第2金属層の少なくとも一方で前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部を形成する第7工程と、
を備えていることを特徴とするグラフェン基板の製造方法。 - 基板の表面側に、C(炭素)を含む炭素層を形成する第1工程と、
前記炭素層に厚み方向に貫通した貫通孔をパターニングする第2工程と、
前記炭素層、及び前記第2工程で前記炭素層が除去された前記基板の表面側に、グラフェンの形成に利用する触媒金属である第1金属を含む第1金属層を積層して形成する第3工程と、
前記第1金属層の表面側に、前記Cを前記第1金属層の表面側に析出させない第2金属を含む第2金属層を積層して形成する第4工程と、
前記第4工程後に熱処理して、前記炭素層を前記第1金属層に溶解させる第5工程と、
前記第5工程後に冷却して、前記基板と前記第1金属層との間に前記第2工程で前記炭素層にパターニングされた前記貫通孔の形状を有したグラフェンを形成させる第6工程と、
前記第1金属、及び前記第2金属を除去する第7工程と、
前記第7工程で露出した前記基板の表面側であって前記グラフェンの前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部を形成する第8工程と、
を備えていることを特徴とするグラフェン基板の製造方法。 - 基板の表面側に、C(炭素)を含む炭素層、及びグラフェンの形成に利用する触媒金属である第1金属を含む第1金属層を所望の順に積層する第1工程と、
前記第1工程後に前記Cを前記第1金属層の表面側に析出させない第2金属を含む第2金属層を積層して形成する第2工程と、
前記第2工程後に熱処理して前記炭素層を前記第1金属層に溶解させる第3工程と、
前記第3工程後に冷却して前記基板と前記第1金属層との間にグラフェンを形成させる第4工程と、
前記第1金属層と前記第2金属層とを除去する第5工程と、
前記グラフェンに厚み方向に貫通した貫通孔をパターニングする第6工程と、
前記第6工程で前記グラフェンに形成した前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部を形成する第7工程と、
を備えていることを特徴とするグラフェン基板の製造方法。 - 基板の表面側に、C(炭素)を含む炭素層、及びグラフェンの形成に利用する触媒金属である第1金属を含む第1金属層を所望の順に積層する第1工程と、
前記第1工程後に前記Cを前記第1金属層の表面側に析出させない第2金属を含む第2金属層を積層して形成する第2工程と、
前記第2金属層に貫通した貫通孔をパターニングする第3工程と、
前記第3工程後に熱処理して、前記炭素層を前記第1金属層に溶解させる第4工程と、
前記第4工程後に冷却して、前記基板と、前記第2金属層が積層された前記第1金属層との間に前記第3工程で前記第2金属層にパターニングされた前記貫通孔の形状を有したグラフェンを形成させる第5工程と、
前記グラフェンの前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に位置する前記第1金属層を残して前記第1金属層、及び前記第2金属層を除去し、前記グラフェンの前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に位置する前記第1金属層で前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部を形成する第6工程と、
を備えていることを特徴とするグラフェン基板の製造方法。 - 基板の表面側に、C(炭素)を含む炭素層、及びグラフェンの形成に利用する触媒金属である第1金属を含む第1金属層を所望の順に積層する第1工程と、
前記第1工程後に前記Cを前記第1金属層の表面側に析出させない第2金属を含む第2金属層を積層して形成する第2工程と、
前記第2金属層に貫通した貫通孔をパターニングする第3工程と、
前記第3工程後に熱処理して、前記炭素層を前記第1金属層に溶解させる第4工程と、
前記第4工程後に冷却して、前記基板と、前記第2金属層が積層された前記第1金属層との間に前記第3工程で前記第2金属層にパターニングされた前記貫通孔の形状を有したグラフェンを形成させる第5工程と、
前記第1金属層と前記第2金属層とを除去する第6工程と、
前記グラフェンの前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部を形成する第7工程と、
を備えていることを特徴とするグラフェン基板の製造方法。 - 基板の表面側に、C(炭素)を含む炭素層、及びグラフェンの形成に利用する触媒金属である第1金属を含む第1金属層を所望の順に積層する第1工程と、
前記第1工程後に前記Cを前記第1金属層の表面側に析出させない第2金属を含む第2金属層を積層して形成する第2工程と、
前記炭素層、前記第1金属層、及び前記第2金属層に厚み方向に貫通した貫通孔をパターニングする第3工程と、
前記第3工程後に熱処理して前記炭素層を前記第1金属層に溶解させる第4工程と、
前記第4工程後に冷却して前記基板と前記第1金属層との間に前記第3工程で前記炭素層、前記第1金属層、及び前記第2金属層にパターニングされた前記貫通孔の形状を有したグラフェンを形成させる第5工程と、
前記第1金属層と前記第2金属層とを除去する第6工程と、
前記グラフェンの前記貫通孔、及び前記グラフェンの前記貫通孔の周囲に前記グラフェンを前記基板の表面に固定する固定部を形成する第7工程と、
を備えていることを特徴とするグラフェン基板の製造方法。
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