JP2018181808A - 量産用マスク原版の製造方法、表示装置形成用基板の製造方法および表示装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 434
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 408
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 331
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 331
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 167
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 131
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 92
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 21
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 19
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 45
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 243
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 17
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 14
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 7
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 6
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 6
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- -1 for example Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000990 laser dye Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002198 surface plasmon resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
Abstract
Description
以下、本発明の第1の実施の形態について、図1乃至図14を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。また、以下の各図に示されている構成には、図示と理解のしやすさの便宜上、サイズ及び縮尺等が実物のそれらから変更されている部分が含まれうる。なお、本明細書中、「表面」とは、図1乃至図7において上方を向く面のことをいう。
まず、図1により、本実施の形態による量産用マスク原版の製造方法に用いられる転写用マスク原版の概略について説明する。図1は、本実施の形態による量産用マスク原版の製造方法に用いられる転写用マスク原版を示す断面図である。
次に、図2及び図3により、本実施の形態による量産用マスク原版の製造方法によって製造される量産用マスク原版の概略について説明する。図2は、本実施の形態による量産用マスク原版の製造方法によって製造された量産用マスク原版を示す断面図であり、図3は、図2の量産用マスク原版を示す拡大断面図である。
次に、図4及び図5により、本実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法によって製造される表示装置形成用基板の概略について説明する。図4は、本実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法によって製造された表示装置形成用基板を示す断面図であり、図5は、図4の表示装置形成用基板を示す拡大断面図である。
次に、図6及び図7により、本実施の形態による表示装置の製造方法によって製造される表示装置の概略について説明する。図6は、本実施の形態による表示装置の製造方法によって製造された表示装置を示す断面図であり、図7は、図6の表示装置を示す拡大断面図である。この表示装置は、上述した表示装置形成用基板10上に、後述する有機EL素子24等を複数配置し、個々の有機EL素子24毎に切断して個片化することにより作製されたものである。
次に、図8(a)−(d)、図9(a)−(c)及び図10(a)−(c)により、本実施の形態による量産用マスク原版の製造方法について説明する。図8(a)−(d)、図9(a)−(c)及び図10(a)−(c)は、本実施の形態による量産用マスク原版の製造方法を示す断面図である。
次に、図11(a)−(d)及び図12(a)−(c)により、本実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法について説明する。図11(a)−(d)及び図12(a)−(c)は、本実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法を示す断面図である。
次に、図13(a)−(d)及び図14(a)−(c)により、本実施の形態による表示装置の製造方法について説明する。図13(a)−(d)及び図14(a)−(c)は、本実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。
次に、図15乃至図20を参照して本発明の第2の実施の形態について説明する。図15は、本発明の第2の実施の形態による量産用マスク原版の製造方法によって製造された量産用マスク原版を示す断面図であり、図16乃至図18は、本発明の第2の実施の形態による量産用マスク原版の製造方法を示す断面図であり、図19及び図20は本発明の第2の実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法を示す図である。図15乃至図20に示す第2の実施の形態は、量産用マスク原版5の構成が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図15乃至図20において、第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。また、図15乃至図20に示されている構成には、図示と理解のしやすさの便宜上、サイズ及び縮尺等が実物のそれらから変更されている部分が含まれうる。
転写用マスク原版1の構成は、図1に示す転写用マスク原版1と同一であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
次に、図15を用いて、本実施の形態による量産用マスク原版5について説明する。図15に示す量産用マスク原版5において、複数のパターン層7は、流路41を介して互いに離間して配置されている。すなわち、量産用ガラス基材6上に量産用マスク用平坦層8が配置されることなく、互いに隣接するパターン層7同士の間に流路41が形成されている。
表示装置形成用基板10および表示装置20の構成は、図4乃至図7に示す表示装置形成用基板10および表示装置20と同一であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
次に、図16(a)−(c)、図17(a)−(c)及び図18(a)−(c)により、本実施の形態による量産用マスク原版の製造方法について説明する。図16(a)−(c)、図17(a)−(c)及び図18(a)−(c)は、本実施の形態による量産用マスク原版の製造方法を示す断面図である。
次に、図19(a)−(c)及び図20(a)−(c)により、本実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法について説明する。図19(a)−(c)及び図20(a)−(c)は、本実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法を示す断面図である。
次に、図21乃至図24を参照して本実施の形態の変形例について説明する。図21は、本実施の形態による量産用マスク原版の製造方法に用いられる転写用マスク原版の変形例を示す断面図である。図21に示す転写用マスク原版1において、転写用マスク原版1の凹凸構造3の周囲に、遮光部4が設けられているものであり、他の構成は、上述した図1に示す構成と同様である。また、図22乃至図24は、本実施の形態による量産用マスク原版の製造方法の変形例を示す断面図である。図22及び図24に示す量産用マスク原版の製造方法において、パターン層7を形成した後に、パターン形成用樹脂9を除去し、パターン層7をパターニングするものであり、他の構成は、上述した図16(a)−(c)、図17(a)−(c)及び図18(a)−(c)に示す構成と略同様である。図21乃至図24において、図15乃至図20に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
まず、図21に示す転写用マスク原版1において、転写用マスク原版1の凹凸構造3の周囲に、遮光部4が形成されている。この遮光部4は、量産用マスク原版5の製造工程において、パターン形成用樹脂9に照射されたUV光を遮光するためのものである。具体的には、遮光部4は、量産用マスク原版5の製造工程において、例えば、パターン形成用樹脂9がUV硬化型樹脂からなる場合に、パターン形成用樹脂9に照射されたUV光を遮光し、UV光によるパターン形成用樹脂9の硬化を防ぐ役割を果たす。量産用マスク原版5の製造工程において、遮光部4に対応する位置には、量産用マスク原版5の流路41が形成される。なお、遮光部4は、量産用ガラス基材6の周縁部を覆っていることが好ましい。これにより、流路41に対応する位置のパターン形成用樹脂9に照射されたUV光を効果的に遮光することができる。
量産用マスク原版5の構成は、図15に示す量産用マスク原版5と同一であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
表示装置形成用基板10および表示装置20の構成は、図4乃至図7に示す表示装置形成用基板10および表示装置20と同一であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
次に、図22(a)−(d)、図23(a)−(c)及び図24(a)−(c)により、本実施の形態による量産用マスク原版の製造方法について説明する。図22(a)−(d)、図23(a)−(c)及び図24(a)−(c)は、本実施の形態による量産用マスク原版の製造方法を示す断面図である。
次に、図25乃至図37を参照して本発明の第3の実施の形態について説明する。図25は、本発明の第3の実施の形態による量産用マスク原版の製造方法によって製造された量産用マスク原版を示す断面図であり、図26は、本発明の第3の実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法によって製造された表示装置形成用基板を示す断面図であり、図27及び図28は、本発明の第3の実施の形態による表示装置の製造方法によって製造された表示装置を示す断面図である。図29乃至図32は、本発明の第3の実施の形態による量産用マスク原版の製造方法を示す断面図であり、図33乃至図35は、本発明の第3の実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法を示す断面図であり、図36及び図37は、本発明の第3の実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。図25乃至図37に示す第3の実施の形態は、量産用マスク原版5、表示装置形成用基板10および表示装置20の構成が異なるものであり、他の構成は上述した第2の実施の形態と略同一である。図25乃至図37において、第2の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。また、図25乃至図37に示されている構成には、図示と理解のしやすさの便宜上、サイズ及び縮尺等が実物のそれらから変更されている部分が含まれうる。
転写用マスク原版1の構成は、図1に示す転写用マスク原版1と同一であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
次に、図25を用いて、本実施の形態による量産用マスク原版5について説明する。図25に示す量産用マスク原版5において、複数のパターン層7は、それぞれ量産用ガラス基材6上に配置されたチップ42と、チップ42上に流路43を介して互いに離間して配置された3つのパターン部44とを有している。このうち、チップ42は、パターン層7上に直接形成され、平坦な表面42aを有する層からなる。このチップ42は、パターン部44と同じ材料から構成される。また、チップ42の厚みは、例えば、100nm以上800nm以下程度の範囲で適宜設定することができる。チップ42の幅は、上述した凹凸構造3の幅と略同一であり、例えば、5μm以上500μm以下程度の範囲で適宜設定することができる。
次に、図26に示す表示装置形成用基板10において、微細凹凸層12には、上述した流路43に対応する位置に平坦部12cが形成されている。この平坦部12cにより、微細凹凸層12に3つの単位凹凸構造12R、12G、12Bが画定されている。
次に、図27及び図28に示す表示装置20において、第1電極26には、上述した平坦部12cに対応する位置に平坦部26cが形成されている。この平坦部26cにより、第1電極26に3つの単位凹凸構造26R、26G、26Bが画定されている。すなわち、図28に示すように、赤色用の単位凹凸構造26R、緑色用の単位凹凸構造26Gおよび青色用の単位凹凸構造26Bは、平坦部26cを介して互いに離間して配置されている。
次に、図29(a)−(c)、図30(a)−(c)、図31(a)−(c)及び図32(a)−(b)により、本実施の形態による量産用マスク原版の製造方法について説明する。図29(a)−(c)、図30(a)−(c)、図31(a)−(c)及び図32(a)−(b)は、本実施の形態による量産用マスク原版の製造方法を示す断面図である。
次に、図33(a)−(b)、図34(a)−(b)及び図35(a)−(b)により、本実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法について説明する。図33(a)−(b)、図34(a)−(b)及び図35(a)−(b)は、本実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法を示す断面図である。
次に、図36(a)−(d)及び図37(a)−(c)により、本実施の形態による表示装置の製造方法について説明する。図36(a)−(d)及び図37(a)−(c)は、本実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。
次に、図38及び図39を参照して本発明の第4の実施の形態について説明する。図38及び図39は、本発明の第4の実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法を示す断面図である。図38及び図39に示す第4の実施の形態は、表示装置形成用基板10の基板用樹脂14に量産用マスク原版5の凹凸構造7bを転写する工程が、真空雰囲気において行われ、量産用マスク原版5を基板用樹脂14から剥離する工程において、圧縮空気を用いて量産用マスク原版5を基板用樹脂14から剥離することが異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図38及び図39において、第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。また、図38及び図39に示されている構成には、図示と理解のしやすさの便宜上、サイズ及び縮尺等が実物のそれらから変更されている部分が含まれうる。
転写用マスク原版1、量産用マスク原版5、表示装置形成用基板10および表示装置20の構成は、図1乃至図7に示す転写用マスク原版1、量産用マスク原版5、表示装置形成用基板10および表示装置20と同一であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
量産用マスク原版5の製造方法は、図8乃至図10に示す量産用マスク原版5の製造方法と同一であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
次に、図38(a)−(b)及び図39(a)−(b)により、本実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法について説明する。図38(a)−(b)及び図39(a)−(b)は、本実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法を示す断面図である。
2 転写用ガラス基材
3 凹凸構造
3R、3G、3B 単位凹凸構造
4 遮光部
5 量産用マスク原版
6 量産用ガラス基材
7 パターン層
7b 凹凸構造
9 パターン形成用樹脂
10 表示装置形成用基板
11 基板用ガラス基材
12 微細凹凸層
12b 凹凸構造
14 基板用樹脂
20 表示装置
23 薄膜トランジスタ
24 有機EL素子
25 封止材料
26 第1電極
26a 表面
27 有機発光層
28 第2電極
41 流路
42 チップ
43 流路
44 パターン部
44b 凹凸構造
Claims (12)
- 表示装置を形成するための表示装置形成用基板に凹凸構造を転写するための量産用マスク原版の製造方法であって、
転写用ガラス基材と、前記転写用ガラス基材上に設けられた凹凸構造とを含む転写用マスク原版を準備する工程と、
前記転写用ガラス基材よりも大きい量産用ガラス基材を準備する工程と、
前記量産用ガラス基材上にパターン形成用樹脂を設ける工程と、
前記パターン形成用樹脂に前記転写用マスク原版を複数回接触させることにより、前記パターン形成用樹脂に前記転写用マスク原版の凹凸構造を複数個転写し、複数のパターン層を有する量産用マスク原版を作製する工程とを備えたことを特徴とする量産用マスク原版の製造方法。 - 前記複数のパターン層は、流路を介して互いに離間して配置され、前記転写用マスク原版の凹凸構造の周囲に、遮光部が形成され、前記量産用マスク原版の前記流路は、前記遮光部に対応する位置に形成されることを特徴とする請求項1に記載の量産用マスク原版の製造方法。
- 前記転写用マスク原版の凹凸構造は、少なくとも3つの単位凹凸構造を含み、前記少なくとも3つの単位凹凸構造は、互いに異なる凹凸形状を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の量産用マスク原版の製造方法。
- 前記複数のパターン層は、それぞれ前記量産用ガラス基材上に配置されたチップと、前記チップ上に、流路を介して互いに離間して配置された少なくとも3つのパターン部とを有し、前記少なくとも3つのパターン部に前記転写用マスク原版の凹凸構造に対応する凹凸構造が転写されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の量産用マスク原版の製造方法。
- 前記少なくとも3つのパターン部に転写された凹凸構造は、互いに異なる凹凸形状を含むことを特徴とする請求項4に記載の量産用マスク原版の製造方法。
- 表示装置を形成するための表示装置形成用基板の製造方法であって、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の量産用マスク原版の製造方法によって製造された量産用マスク原版を準備する工程と、
基板用ガラス基材を準備する工程と、
前記基板用ガラス基材上に基板用樹脂を設ける工程と、
前記基板用樹脂に前記量産用マスク原版を接触させることにより、前記基板用樹脂上に前記量産用マスク原版の凹凸構造を転写し、微細凹凸層を形成する工程と、
前記量産用マスク原版を前記基板用樹脂から剥離する工程とを備えたことを特徴とする表示装置形成用基板の製造方法。 - 前記基板用樹脂は、UV硬化型樹脂からなり、
前記微細凹凸層を形成する工程において、前記基板用樹脂にUV光を照射することにより、前記基板用樹脂を硬化させることを特徴とする請求項6に記載の表示装置形成用基板の製造方法。 - 前記基板用樹脂は、熱硬化型樹脂からなり、
前記微細凹凸層を形成する工程において、前記基板用樹脂を加熱することにより、前記基板用樹脂を硬化させることを特徴とする請求項6に記載の表示装置形成用基板の製造方法。 - 前記凹凸構造を転写する工程は、真空雰囲気において行われることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一項に記載の表示装置形成用基板の製造方法。
- 前記量産用マスク原版を前記基板用樹脂から剥離する工程において、圧縮空気を用いて前記量産用マスク原版を前記基板用樹脂から剥離することを特徴とする請求項9に記載の表示装置形成用基板の製造方法。
- 表示装置の製造方法であって、
請求項6乃至10のいずれか一項に記載の表示装置形成用基板の製造方法によって製造された表示装置形成用基板を準備する工程と、
前記基板用ガラス基材上に薄膜トランジスタを配置する工程と、
前記微細凹凸層上に、前記薄膜トランジスタに電気的に接続される有機EL素子を配置する工程と、
前記有機EL素子を封止材料によって封止する工程とを備え、
前記有機EL素子は、前記微細凹凸層上に配置された第1電極と、前記第1電極上に配置された有機発光層と、前記有機発光層上に配置された第2電極とを有し、
前記有機EL素子を配置する工程において、前記第1電極の表面は、前記微細凹凸層に転写された凹凸構造の凹凸形状に対応する凹凸形状に形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記第1電極は、スパッタリング法により形成されることを特徴とする請求項11に記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017084688A JP6951675B2 (ja) | 2017-04-21 | 2017-04-21 | 量産用マスク原版の製造方法、表示装置形成用基板の製造方法および表示装置の製造方法 |
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JP2018181808A true JP2018181808A (ja) | 2018-11-15 |
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JP (1) | JP6951675B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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