JP2018166389A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】絶縁トランスの1次側と2次側にそれぞれブリッジ回路が設けられる電力変換装置であって、軽負荷時の電力変換効率が改善された電力変換装置を提供する。【解決手段】制御回路15は、第1スイッチング素子Q1および第4スイッチング素子Q4がオンの状態にあり、第6スイッチング素子Q6および第7スイッチング素子Q7がオフの状態にある第1期間の少なくとも一部と、第2スイッチング素子Q2および第3スイッチング素子Q3がオンの状態にあり、第5スイッチング素子Q5および第8スイッチング素子Q8がオフの状態にある第2期間の少なくとも一部との少なくとも一方において、第2ブリッジ回路12を整流回路として動作させる。【選択図】図1
Description
本発明は、直流電力を所定の電圧の直流電力に変換する電力変換装置に関する。
近年、蓄電システムや電気自動車の普及拡大に伴い、絶縁型双方向DC−DCコンバータの需要が増加している。絶縁型双方向DC−DCコンバータの一つに、デュアルアクティブブリッジ(DAB:Dual Active Bridge)コンバータがある(例えば、特許文献1参照)。DABコンバータは、絶縁トランスの1次側と2次側にそれぞれ設けられたブリッジ回路を備え、1次側のブリッジ回路のスイッチング制御と2次側のブリッジ回路のスイッチング制御との位相差を調整することにより、電力の方向および量を調整することができる。
このようなDABコンバータでは、軽負荷時に電力変換効率が悪化する。
本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、絶縁トランスの1次側と2次側にそれぞれブリッジ回路が設けられる電力変換装置であって、軽負荷時の電力変換効率が改善された電力変換装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある態様の電力変換装置は、第1スイッチング素子と第2スイッチング素子が直列接続された第1アームと、第3スイッチング素子と第4スイッチング素子が直列接続された第2アームが並列接続され、直流電源から電力が入力される第1ブリッジ回路と、第5スイッチング素子と第6スイッチング素子が直列接続された第3アームと、第7スイッチング素子と第8スイッチング素子が直列接続された第4アームが並列接続され、負荷に電力を出力する第2ブリッジ回路と、第1ブリッジ回路と第2ブリッジ回路の間に接続された絶縁トランスと、第1スイッチング素子〜第8スイッチング素子を制御する制御回路と、を備える。制御回路は、第1スイッチング素子および第4スイッチング素子をターンオフさせ、第2スイッチング素子および第3スイッチング素子をターンオンさせるとき、第5スイッチング素子および第8スイッチング素子をターンオンさせ、第1スイッチング素子および第4スイッチング素子をターンオンさせ、第2スイッチング素子および第3スイッチング素子をターンオフさせるとき、第6スイッチング素子および第7スイッチング素子をターンオンさせ、第5スイッチング素子〜第8スイッチング素子のオン時間を制御して電力変換する。制御回路は、第1スイッチング素子および第4スイッチング素子がオンの状態にあり、第6スイッチング素子および第7スイッチング素子がオフの状態にある第1期間の少なくとも一部と、第2スイッチング素子および第3スイッチング素子がオンの状態にあり、第5スイッチング素子および第8スイッチング素子がオフの状態にある第2期間の少なくとも一部との少なくとも一方において、第2ブリッジ回路を整流回路として動作させる。
本発明の別の態様もまた、電力変換装置である。この装置は、第1スイッチング素子と第2スイッチング素子が直列接続された第1アームと、第3スイッチング素子と第4スイッチング素子が直列接続された第2アームが並列接続され、直流電源から電力が入力される第1ブリッジ回路と、第5スイッチング素子と第6スイッチング素子が直列接続された第3アームと、第7スイッチング素子と第8スイッチング素子が直列接続された第4アームが並列接続され、負荷に電力を出力する第2ブリッジ回路と、第1ブリッジ回路と第2ブリッジ回路の間に接続された絶縁トランスと、第1スイッチング素子〜第4スイッチング素子のスイッチング位相と、第5スイッチング素子〜第8スイッチング素子のスイッチング位相との位相差を制御して電力変換する制御回路と、絶縁トランスの一次巻線または二次巻線に直列接続され、第1スイッチング素子、第4スイッチング素子、第5スイッチング素子および第8スイッチング素子がオンの状態にある第1期間において一次巻線または二次巻線に流れる電流を一方向に整流し、第2スイッチング素子、第3スイッチング素子、第6スイッチング素子および第7スイッチング素子がオンの状態にある第2期間において電流を一方向とは逆の方向に整流する整流回路と、を備える。
本発明によれば、軽負荷時の電力変換効率を改善できる。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る電力変換装置10の構成を説明するための図である。電力変換装置10は、直流電源Vdcから供給される直流電力を電力変換して負荷RLに出力する絶縁型の双方向DC−DCコンバータ(DABコンバータ)である。電力変換装置10は、昇圧することもでき、降圧することもできる。
図1は、第1の実施形態に係る電力変換装置10の構成を説明するための図である。電力変換装置10は、直流電源Vdcから供給される直流電力を電力変換して負荷RLに出力する絶縁型の双方向DC−DCコンバータ(DABコンバータ)である。電力変換装置10は、昇圧することもでき、降圧することもできる。
直流電源Vdcは例えば、蓄電池、電気二重層コンデンサ、太陽電池、燃料電池などが該当する。負荷RLとして、例えば、電力変換装置10から供給される直流電力を交流電力に変換して商用電力系統に出力するDC−ACインバータを接続してもよい。直流電源Vdcが蓄電池であり、負荷RLがDC−ACインバータである場合、DC−ACインバータは、商用電力系統から供給される交流電力を直流電力に変換して、電力変換装置10は当該直流電力を電力変換して蓄電池を充電することができる。
電力変換装置10は、第1コンデンサC1、第1ブリッジ回路11、絶縁トランスTR1、第1漏れインダクタンスL1、第2漏れインダクタンスL2、第2ブリッジ回路12、第2コンデンサC2、電圧検出部14、及び、制御回路15を備える。
直流電源Vdcと並列に第1コンデンサC1が接続される。第1コンデンサC1には例えば、電解コンデンサが使用される。第1ブリッジ回路11は、第1スイッチング素子Q1と第2スイッチング素子Q2が直列接続された第1アームと、第3スイッチング素子Q3と第4スイッチング素子Q4が直列接続された第2アームが並列接続されて構成されるフルブリッジ回路である。第1ブリッジ回路11は直流電源Vdc及び第1コンデンサC1と並列接続され、第1アームの中点N1と第2アームの中点N2が、絶縁トランスTR1の一次巻線の両端にそれぞれ接続される。
第2ブリッジ回路12は、第5スイッチング素子Q5と第6スイッチング素子Q6が直列接続された第3アームと、第7スイッチング素子Q7と第8スイッチング素子Q8が直列接続された第4アームが並列接続されて構成されるフルブリッジ回路である。第3アームの中点N3と第4アームの中点N4が、絶縁トランスTR1の二次巻線の両端にそれぞれ接続される。第2ブリッジ回路12は第2コンデンサC2及び負荷RLと並列接続される。
第1スイッチング素子Q1〜第8スイッチング素子Q8には例えば、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)を使用できる。第1スイッチング素子Q1のドレイン端子および第3スイッチング素子Q3のドレイン端子は、直流電源Vdcの正極に接続される。第2スイッチング素子Q2のソース端子および第4スイッチング素子Q4のソース端子は、直流電源Vdcの負極に接続される。第1スイッチング素子Q1のソース端子と第2スイッチング素子Q2のドレイン端子が接続され、第3スイッチング素子Q3のソース端子と第4スイッチング素子Q4のドレイン端子が接続される。
同様に、第5スイッチング素子Q5のドレイン端子および第7スイッチング素子Q7のドレイン端子は、負荷RLの一端に接続される。第6スイッチング素子Q6のソース端子および第8スイッチング素子Q8のソース端子は、負荷RLの他端に接続される。第5スイッチング素子Q5のソース端子と第6スイッチング素子Q6のドレイン端子が接続され、第7スイッチング素子Q7のソース端子と第8スイッチング素子Q8のドレイン端子が接続される。
第1ダイオードD1〜第8ダイオードD8は、それぞれの第1スイッチング素子Q1〜第8スイッチング素子Q8のソースからドレイン方向に形成される寄生ダイオードを利用できる。なお、第1スイッチング素子Q1〜第8スイッチング素子Q8にIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を使用してもよい。この場合、第1ダイオードD1〜第8ダイオードD8は、第1スイッチング素子Q1〜第8スイッチング素子Q8にそれぞれ並列に、逆向きに接続される。
絶縁トランスTR1は、一次巻線に接続される第1ブリッジ回路11の出力電圧を、一次巻線と二次巻線の巻数比に応じて変換し、二次巻線に接続される第2ブリッジ回路12に出力する。第1ブリッジ回路11の第1アームの中点N1と、絶縁トランスTR1の一次巻線の一端との間に第1漏れインダクタンスL1が形成される。第2ブリッジ回路12の第1アームの中点N3と、絶縁トランスTR1の二次巻線の一端との間に第2漏れインダクタンスL2が形成される。
第1ブリッジ回路11と絶縁トランスTR1の一次巻線との間、及び、第2ブリッジ回路12と絶縁トランスTR1の二次巻線との間のそれぞれに、設計者が任意のインダクタンス値を有するインダクタ素子を接続してもよい。
第2ブリッジ回路12と並列に第2コンデンサC2が接続される。第2コンデンサC2には例えば、電解コンデンサが使用される。
電圧検出部14は、負荷RLに出力される電圧(第2コンデンサC2の両端電圧)を検出して制御回路15に出力する。電力変換装置10の出力電流を検出する電流検出素子(不図示)を設け、電力変換装置10の出力電流を制御回路15に出力する構成を追加してもよい。
制御回路15の構成は、ハードウェア資源とソフトウェア資源の協働、またはハードウェア資源のみにより実現できる。ハードウェア資源としてアナログ素子、マイクロコンピュータ、DSP、ROM、RAM、FPGA、その他のLSIを利用できる。ソフトウェア資源としてファームウェア等のプログラムを利用できる。
制御回路15は、電力変換装置10の出力電圧が電圧指令値を維持するよう、又は、電力変換装置10の出力電流が電流指令値を維持するよう、第1スイッチング素子Q1〜第8スイッチング素子Q8を制御する。
制御回路15は、昇圧時と降圧時とにおいて互いに異なる制御を行う。制御回路15は、降圧時には、既知のDABコンバータの制御と同様の制御を行う。つまり、制御回路15は、降圧時には、第1スイッチング素子Q1〜第8スイッチング素子Q8のオン時間(時比率)を固定で制御し、第1スイッチング素子Q1〜第8スイッチング素子Q8のスイッチング位相を制御して、電力変換装置10の出力電力の量および方向を制御する。
制御回路15は、昇圧時には、第1スイッチング素子Q1〜第4スイッチング素子Q4のオン時間を固定で制御し、第5スイッチング素子Q5〜第8スイッチング素子Q8のオン時間を可変させる。第5スイッチング素子Q5〜第8スイッチング素子Q8は、第1スイッチング素子Q1〜第4スイッチング素子Q4に同期して制御される。
図2は、図1の電力変換装置10の昇圧時かつ軽負荷時の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。時刻t1から時刻t2の期間T1と、時刻t2から時刻t3の期間(第1期間)T2と、時刻t3から時刻t4の期間T3と、時刻t4から時刻t5の期間(第2期間)T4とを単位制御期間として、この単位制御期間が繰り返される。
期間T1では制御回路15は、第1スイッチング素子Q1及び第4スイッチング素子Q4をオン、第2スイッチング素子Q2及び第3スイッチング素子Q3をオフ、第5スイッチング素子Q5及び第8スイッチング素子Q8をオフ、並びに第6スイッチング素子Q6及び第7スイッチング素子Q7をオンの状態に制御するための駆動信号を生成し、第1スイッチング素子Q1〜第8スイッチング素子Q8の制御端子(ゲート端子)に供給する。
つまり制御回路15は、第1スイッチング素子Q1および第4スイッチング素子Q4をターンオンさせ、第2スイッチング素子Q2および第3スイッチング素子Q3をターンオフさせるとき、第6スイッチング素子Q6および第7スイッチング素子Q7をターンオンさせる。
図示は省略するが、第2スイッチング素子Q2及び第3スイッチング素子Q3のターンオフと、第1スイッチング素子Q1及び第4スイッチング素子Q4のターンオン間にデッドタイムを設けている。デッドタイムは貫通電流を防止して無駄な電力消費を抑えるために挿入される。
期間T1では、第1漏れインダクタンスL1及び絶縁トランスTR1の一次巻線に流れる電流ILは正であり、単調に増加している。電流ILが第1漏れインダクタンスL1を中点N1から絶縁トランスTR1の一次巻線に向けて流れる方向を正とする。
期間T2では制御回路15は、第1スイッチング素子Q1及び第4スイッチング素子Q4をオン、第2スイッチング素子Q2及び第3スイッチング素子Q3をオフ、並びに第5スイッチング素子Q5〜第8スイッチング素子Q8をオフの状態に制御するための駆動信号を生成し、第1スイッチング素子Q1〜第8スイッチング素子Q8の制御端子(ゲート端子)に供給する。これにより第2ブリッジ回路12は、第5ダイオードD5〜第8ダイオードD8で構成されるダイオードブリッジ回路となる。つまり制御回路15は、期間T2において、第2ブリッジ回路12を整流回路として動作させる。
期間T2では、電流ILは時刻t2aまで単調に減少し、時刻t2a以降は実質的にゼロになっている。
期間T3では制御回路15は、第1スイッチング素子Q1及び第4スイッチング素子Q4をオフ、第2スイッチング素子Q2及び第3スイッチング素子Q3をオン、第5スイッチング素子Q5及び第8スイッチング素子Q8をオン、並びに第6スイッチング素子Q6及び第7スイッチング素子Q7をオフの状態に制御するための駆動信号を生成し、第1スイッチング素子Q1〜第8スイッチング素子Q8の制御端子(ゲート端子)に供給する。
つまり制御回路15は、第1スイッチング素子Q1および第4スイッチング素子Q4をターンオフさせ、第2スイッチング素子Q2および第3スイッチング素子Q3をターンオンさせるとき、第5スイッチング素子Q5および第8スイッチング素子Q8をターンオンさせる。
図示は省略するが、第1スイッチング素子Q1及び第4スイッチング素子Q4のターンオフと、第2スイッチング素子Q2及び第3スイッチング素子Q3のターンオン間にデッドタイムを設けている。
期間T3では、電流ILは負になり、その絶対値は単調に増加している。
期間T4では制御回路15は、第1スイッチング素子Q1及び第4スイッチング素子Q4をオフ、第2スイッチング素子Q2及び第3スイッチング素子Q3をオン、並びに第5スイッチング素子Q5〜第8スイッチング素子Q8をオフの状態に制御するための駆動信号を生成し、第1スイッチング素子Q1〜第8スイッチング素子Q8の制御端子(ゲート端子)に供給する。これにより第2ブリッジ回路12は、第5ダイオードD5〜第8ダイオードD8で構成されるダイオードブリッジ回路となる。つまり制御回路15は、期間T4において、第2ブリッジ回路12を整流回路として動作させる。
期間T4では、電流ILの絶対値は時刻t4aまで単調に減少し、時刻t4a以降は実質的にゼロになっている。
制御回路15は、第5スイッチング素子Q5〜第8スイッチング素子Q8のオン時間Ton、即ち期間T1と期間T3の長さを制御して電力変換し、電力変換装置10の出力電力の量を制御する。例えば、期間T1と期間T3の長さが短くなるように第5スイッチング素子Q5〜第8スイッチング素子Q8を制御すれば出力電力を下げることができ、期間T1と期間T3の長さが短くなるように第5スイッチング素子Q5〜第8スイッチング素子Q8を制御すれば出力電力を上げることができる。
ここで、比較例の電力変換装置の昇圧時の動作について説明する。比較例では、図1の電力変換装置10とは第5スイッチング素子Q5〜第8スイッチング素子Q8の制御が異なる。
図3(a)は、比較例の電力変換装置の昇圧時かつ軽負荷時の動作を説明するためのタイミングチャートである。図3(b)は、比較例の電力変換装置の昇圧時かつ定格負荷時の動作を説明するためのタイミングチャートである。
図3(a),(b)に示すように、比較例では、制御回路は、第1スイッチング素子Q1〜第8スイッチング素子Q8のオン時間(時比率)を固定で制御し、第1スイッチング素子Q1〜第8スイッチング素子Q8のスイッチング位相を制御して、電力変換装置の出力電力の量および方向を制御する。例えば、図3(a)のように、位相差φが小さくなるようにスイッチング位相をシフトすれば出力電力を下げることができ、図3(b)のように、当該位相差φが大きくなるようにスイッチング位相をシフトすれば出力電力を上げることができる。降圧時にも、昇圧時と同様の制御が行われる。
図3(a)の軽負荷時には、期間T2の時刻t2aにおいて電流ILが実質的にゼロになり、正から負に反転する。同様に、期間T4の時刻t4aにおいて電流ILが実質的にゼロになり、負から正に反転する。このような電流ILの反転は、軽負荷であり負荷RLの消費電流が比較的小さく、昇圧により負荷RLの電圧が直流電源Vdcの電圧より高いために起こる。これにより、期間T2の時刻t2aから時刻t3および期間T4の時刻t4aから時刻t5では、電力が負荷RLから直流電源Vdcに向けて逆向きに送られる。従って、電力変換効率が悪化する。
また、期間T2が終了する時刻t3において第2スイッチング素子Q2と第3スイッチング素子Q3がターンオンし、期間T4が終了する時刻t5において第1スイッチング素子Q1と第4スイッチング素子Q4がターンオンするが、これらはハードスイッチングとなる。従って、スイッチング損失が発生するため、このことによっても電力変換効率が悪化する。
これに対して本実施形態によれば、期間T2と期間T4において第2ブリッジ回路12を整流回路として動作させるので、軽負荷時に期間T2と期間T4において電流ILの向きが反転しない。つまり、電流ILが反転しようとしても、オフの状態の第5スイッチング素子Q5〜第8スイッチング素子Q8と、第5ダイオードD5〜第8ダイオードD8とにより阻止される。そのため、期間T2と期間T4の一部で電力が負荷RLから直流電源Vdcに戻ることを防止できる。また、期間T2の終了時に第2スイッチング素子Q2と第3スイッチング素子Q3をハードスイッチングさせずにゼロ電流スイッチング(ソフトスイッチング)させることができる。期間T4の終了時にも同様に第1スイッチング素子Q1と第4スイッチング素子Q4をゼロ電流スイッチングさせることができる。従って、比較例と比べ、軽負荷時の電力変換効率を改善できる。
また、期間T2と期間T4において電流ILの逆流が無くなることで、比較例と比べて、電流ILの絶対値の最大値が小さくなり、電力に対するオン時間Tonの感度が小さくなるため、より細かい電力制御を行うことができる。よって、出力電力の安定性を高めることができる。
また、比較例から制御回路15の制御を変更するだけで電力変換装置10を実現できるため、追加のスイッチング素子や追加のダイオードを必要とせず、コスト増加を抑制できる。
さらに、第5スイッチング素子Q5〜第8スイッチング素子Q8を制御するための駆動信号は、ロジック回路を用いて容易に作成できる。
また、期間T2と期間T4では、第2ブリッジ回路12の整流機能により電流ILが自動的に実質的にゼロに保持されるため、電流ILが実質的にゼロになったタイミングに合わせて逆流防止のための制御を行う必要がない。従って、タイミング設計を容易に行うことができる。
なお、本実施形態においても、定格負荷時には、比較例の図3(b)と同様の電流ILを得ることができる。従って、負荷RLに応じて制御を変更する必要はない。
(第2の実施形態)
第2の実施形態では、期間T2と期間T4において電流ILに基づいて第5スイッチング素子Q5〜第8スイッチング素子Q8を制御することが、第1の実施形態と異なる。以下では、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
第2の実施形態では、期間T2と期間T4において電流ILに基づいて第5スイッチング素子Q5〜第8スイッチング素子Q8を制御することが、第1の実施形態と異なる。以下では、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
図4は、第2の実施形態に係る電力変換装置10Aの構成を説明するための図である。電力変換装置10Aは、第1の実施形態の構成に加え、電流検出部20をさらに備える。また制御回路15Aの機能が第1の実施形態と異なる。
電流検出部20は、絶縁トランスTR1の一次巻線に流れる電流ILを検出して制御回路15Aに出力する。電流検出部20は、絶縁トランスTR1の二次巻線に流れる電流を検出してもよい。
図5は、図4の電力変換装置10Aの昇圧時かつ軽負荷時の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。期間T1と期間T3における制御は、第1の実施形態と同様である。
制御回路15Aは、期間T2において、電流ILが実質的にゼロになるまで第5スイッチング素子Q5および第8スイッチング素子Q8をオンの状態に制御し、電流ILが実質的にゼロになったとき、第5スイッチング素子Q5および第8スイッチング素子Q8をターンオフさせる。つまり、制御回路15Aは、軽負荷時には、期間T2の一部において、第5スイッチング素子Q5および第8スイッチング素子Q8をオフの状態に制御し、第2ブリッジ回路12を整流回路として動作させる。これにより、軽負荷時に期間T2において電流ILの向きが反転しない。
制御回路15Aは、期間T4において、電流ILが実質的にゼロになるまで第6スイッチング素子Q6および第7スイッチング素子Q7をオンの状態に制御し、電流ILが実質的にゼロになったとき、第6スイッチング素子Q6および第7スイッチング素子Q7をターンオフさせる。つまり、制御回路15Aは、軽負荷時には、期間T4の一部において、第6スイッチング素子Q6および第7スイッチング素子Q7をオフの状態に制御し、第2ブリッジ回路12を整流回路として動作させる。これにより、軽負荷時に期間T4において電流ILの向きが反転しない。
このように本実施形態によれば、期間T2において、電流ILが実質的にゼロになるまで、絶縁トランスTR1の二次巻線に流れる電流はオンの状態の第5スイッチング素子Q5および第8スイッチング素子Q8を流れることができる。また期間T4において、電流ILが実質的にゼロになるまで、絶縁トランスTR1の二次巻線に流れる電流はオンの状態の第6スイッチング素子Q6および第7スイッチング素子Q7を流れることができる。オンの状態の第5スイッチング素子Q5〜第8スイッチング素子Q8は第5ダイオードD5〜第8ダイオードD8と比較して電圧降下が小さいので、第1の実施形態と比較して電力変換効率をより改善できる。
また、期間T2と期間T4において電流ILが実質的にゼロにならない定格負荷時などの場合には、期間T2で第5スイッチング素子Q5および第8スイッチング素子Q8はオンの状態を保持し、期間T4で第6スイッチング素子Q6および第7スイッチング素子Q7がオンの状態を保持する。よって、比較例の図3(b)と同様の電流ILを得ることができ、負荷RLに応じて制御を変更する必要はない。この場合にも、第1の実施形態と比較して電力変換効率をより改善できる。
(第3の実施形態)
第3の実施形態では、整流回路を追加して電流方向の反転を防ぐことが、第1の実施形態と異なる。以下では、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
第3の実施形態では、整流回路を追加して電流方向の反転を防ぐことが、第1の実施形態と異なる。以下では、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
図6は、第3の実施形態に係る電力変換装置10Bの構成を説明するための図である。電力変換装置10Bは、第1の実施形態の構成に加え、整流回路30をさらに備える。また制御回路15Bの機能が第1の実施形態と異なる。
制御回路15Bは、昇圧時と降圧時において、図3(a),(b)の比較例と同様に、第1スイッチング素子Q1〜第4スイッチング素子Q4のスイッチング位相と、第5スイッチング素子Q5〜第8スイッチング素子Q8のスイッチング位相との位相差φを制御して電力変換する。そのため、期間T2では、第1スイッチング素子Q1、第4スイッチング素子Q4、第5スイッチング素子Q5および第8スイッチング素子Q8がオンの状態にあることが第1の実施形態と異なる。期間T4では、第2スイッチング素子Q2、第3スイッチング素子Q3、第6スイッチング素子Q6および第7スイッチング素子Q7がオンの状態にあることが第1の実施形態と異なる。
整流回路30は、絶縁トランスTR1の一次巻線または二次巻線に直列接続される。ここでは、整流回路30は、絶縁トランスTR1の二次巻線に直列接続され、絶縁トランスTR1の二次巻線と中点N4との間に接続される。
図7は、図6の整流回路30の回路図である。整流回路30は、第1回路31と、第2回路32とを有する。第1回路31は、絶縁トランスTR1の二次巻線に直列接続された第1整流素子D11および第1スイッチSW1を有する。第2回路32は、第1整流素子D11および第1スイッチSW1に並列接続された、直列接続された第2整流素子D12および第2スイッチSW2を有する。第1整流素子D11と第2整流素子D12は互いに逆向きである。第1整流素子D11および第2整流素子D12として、寄生ダイオードである第1ダイオードD1〜第8ダイオードD8より高速に動作する高速リカバリダイオードなどのダイオードを用いることができる。第1スイッチSW1と第2スイッチSW2は、MOSFETまたはIGBTなどのトランジスタで構成できる。
制御回路15Bは、期間T1と期間T3において、第1スイッチSW1と第2スイッチSW2をオンの状態に制御する。これにより整流回路30は、期間T1と期間T3において電流ILを整流せず、双方向に流す。
制御回路15Bは、期間T2において、第1スイッチSW1をオンの状態に制御し、第2スイッチSW2をオフの状態に制御する。これにより整流回路30は、期間T2において電流ILを一方向に整流する。ここでは、一方向は電流ILの正方向である。よって、期間T2では、正の電流ILは流れるが、負の電流ILは流れない。
制御回路15Bは、期間T4において、第2スイッチSW2をオンの状態に制御し、第1スイッチSW1をオフの状態に制御する。これにより整流回路30は、期間T4において電流ILを一方向とは逆の方向に整流する。ここでは、一方向とは逆の方向は電流ILの負方向である。よって、期間T4では、負の電流ILは流れるが、正の電流ILは流れない。
これにより、図2と同様の波形の電流ILを得ることができ、軽負荷時の電力変換効率を改善できる。
このように本実施形態では、第1スイッチング素子Q1〜第8スイッチング素子Q8の制御は比較例と同様の制御でよいため、制御が容易になる。
また、寄生ダイオードよりも高速に動作する第1整流素子D11および第2整流素子D12を用いて電流ILを整流することにより、電力変換効率をさらに改善できる。
また、本実施形態においても、定格負荷時には、比較例の図3(b)と同様の電流ILを得ることができる。従って、負荷RLに応じて制御を変更する必要はない。また、降圧時には、制御回路15Bは、第1スイッチSW1と第2スイッチSW2を常にオンの状態に制御してもよい。
なお、第3の実施形態の変形例として、電力変換装置10Bは、図4の電流検出部20をさらに備えてもよい。電流検出部20は、絶縁トランスTR1の一次巻線に流れる電流ILを検出して制御回路15Bに供給する。
制御回路15Bは、期間T2と期間T4に電流ILが実質的にゼロになった後、整流回路30が、第1スイッチング素子Q1および第4スイッチング素子Q4がオンの状態にある期間T1と期間T2において電流ILを一方向に整流するように、整流回路30を制御する。期間T2と期間T4に電流ILが実質的にゼロになることは、軽負荷であることを表す。このような整流回路30の制御には、第1スイッチング素子Q1および第4スイッチング素子Q4を制御する駆動信号を用いることができる。
制御回路15Bは、期間T2と期間T4に電流ILが実質的にゼロになった後、整流回路30が、第2スイッチング素子Q2および第3スイッチング素子Q3がオンの状態にある期間T3と期間T4において電流ILを一方向とは逆の方向に整流するように、整流回路30を制御する。このような整流回路30の制御には、第2スイッチング素子Q2および第3スイッチング素子Q3を制御する駆動信号を用いることができる。
このように本変形例では、第1スイッチング素子Q1〜第4スイッチング素子Q4を制御する駆動信号で整流回路30を制御できるので、整流回路30の制御を第3の実施形態よりも簡素化できる。
以上、本発明について、実施形態をもとに説明した。この実施形態は例示であり、それらの各構成要素あるいは各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこと、また、そうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
上述した、第1ブリッジ回路11の第1スイッチング素子Q1〜第4スイッチング素子Q4に対するスイッチング制御と、第2ブリッジ回路12の第5スイッチング素子Q5〜第8スイッチング素子Q8に対するスイッチング制御を逆にすれば、逆方向のDC−DC変換が可能である。
また、第1の実施形態において、期間T2と期間T4の一方において第2ブリッジ回路12を整流回路として動作させてもよい。第2の実施形態において、期間T2の一部と期間T4の一部の一方において第2ブリッジ回路12を整流回路として動作させてもよい。これらの変形例でも、比較例と比べ、軽負荷時の電力変換効率を改善できる。
なお、実施の形態は、以下の項目によって特定されてもよい。
[項目1]
第1スイッチング素子(Q1)と第2スイッチング素子(Q2)が直列接続された第1アームと、第3スイッチング素子(Q3)と第4スイッチング素子(Q4)が直列接続された第2アームが並列接続され、直流電源(Vdc)から電力が入力される第1ブリッジ回路(11)と、
第5スイッチング素子(Q5)と第6スイッチング素子(Q6)が直列接続された第3アームと、第7スイッチング素子(Q7)と第8スイッチング素子(Q8)が直列接続された第4アームが並列接続され、負荷(RL)に電力を出力する第2ブリッジ回路(12)と、
前記第1ブリッジ回路(11)と前記第2ブリッジ回路(12)の間に接続された絶縁トランス(TR1)と、
前記第1スイッチング素子(Q1)〜前記第8スイッチング素子(Q8)を制御する制御回路(15,15A)と、を備え、
前記制御回路(15,15A)は、
前記第1スイッチング素子(Q1)および前記第4スイッチング素子(Q4)をターンオフさせ、前記第2スイッチング素子(Q1)および前記第3スイッチング素子(Q3)をターンオンさせるとき、前記第5スイッチング素子(Q5)および前記第8スイッチング素子(Q8)をターンオンさせ、
前記第1スイッチング素子(Q1)および前記第4スイッチング素子(Q4)をターンオンさせ、前記第2スイッチング素子(Q2)および前記第3スイッチング素子(Q3)をターンオフさせるとき、前記第6スイッチング素子(Q6)および前記第7スイッチング素子(Q7)をターンオンさせ、
前記第5スイッチング素子(Q5)〜前記第8スイッチング素子(Q8)のオン時間を制御して電力変換し、
前記第1スイッチング素子(Q1)および前記第4スイッチング素子(Q4)がオンの状態にあり、前記第6スイッチング素子(Q6)および前記第7スイッチング素子(Q7)がオフの状態にある第1期間(T2)の少なくとも一部と、前記第2スイッチング素子(Q2)および前記第3スイッチング素子(Q3)がオンの状態にあり、前記第5スイッチング素子(Q5)および前記第8スイッチング素子(Q8)がオフの状態にある第2期間(T4)の少なくとも一部との少なくとも一方において、前記第2ブリッジ回路(12)を整流回路として動作させる、
ことを特徴とする電力変換装置(10,10A)。
[項目2]
前記第5スイッチング素子(Q5)〜前記第8スイッチング素子(Q8)のそれぞれに、並列かつ逆向きにダイオード(D5〜D8)が接続または形成されており、
前記制御回路(15,15A)は、
前記第1期間(T2)の少なくとも一部において、前記第5スイッチング素子(Q5)および前記第8スイッチング素子(Q8)をオフの状態に制御し、
前記第2期間(T4)の少なくとも一部において、前記第6スイッチング素子(Q6)および前記第7スイッチング素子(Q7)をオフの状態に制御する、
ことを特徴とする項目1に記載の電力変換装置(10,10A)。
[項目3]
前記絶縁トランス(TR1)の一次巻線または二次巻線に流れる電流(IL)を検出して前記制御回路(15A)に出力する電流検出部(20)をさらに備え、
前記制御回路(15A)は、
前記第1期間(T2)において、前記電流(IL)が実質的にゼロになるまで前記第5スイッチング素子(Q5)および前記第8スイッチング素子(Q8)をオンの状態に制御し、前記電流(IL)が実質的にゼロになったとき、前記第5スイッチング素子(Q5)および前記第8スイッチング素子(Q8)をターンオフさせ、
前記第2期間(T4)において、前記電流(IL)が実質的にゼロになるまで前記第6スイッチング素子(Q6)および前記第7スイッチング素子(Q7)をオンの状態に制御し、前記電流(IL)が実質的にゼロになったとき、前記第6スイッチング素子(Q6)および前記第7スイッチング素子(Q7)をターンオフさせる、
ことを特徴とする項目2に記載の電力変換装置(10A)。
[項目4]
第1スイッチング素子(Q1)と第2スイッチング素子(Q2)が直列接続された第1アームと、第3スイッチング素子(Q3)と第4スイッチング素子(Q4)が直列接続された第2アームが並列接続され、直流電源(Vdc)から電力が入力される第1ブリッジ回路(11)と、
第5スイッチング素子(Q5)と第6スイッチング素子(Q6)が直列接続された第3アームと、第7スイッチング素子(Q7)と第8スイッチング素子(Q8)が直列接続された第4アームが並列接続され、負荷(RL)に電力を出力する第2ブリッジ回路(12)と、
前記第1ブリッジ回路(11)と前記第2ブリッジ回路(12)の間に接続された絶縁トランス(TR1)と、
前記第1スイッチング素子(Q1)〜前記第4スイッチング素子(Q4)のスイッチング位相と、前記第5スイッチング素子(Q5)〜前記第8スイッチング素子(Q8)のスイッチング位相との位相差を制御して電力変換する制御回路(15B)と、
前記絶縁トランス(TR1)の一次巻線または二次巻線に直列接続され、前記第1スイッチング素子(Q1)、前記第4スイッチング素子(Q4)、前記第5スイッチング素子(Q5)および前記第8スイッチング素子(Q8)がオンの状態にある第1期間(T2)において前記一次巻線または前記二次巻線に流れる電流(IL)を一方向に整流し、前記第2スイッチング素子(Q2)、前記第3スイッチング素子(Q3)、前記第6スイッチング素子(Q6)および前記第7スイッチング素子(Q7)がオンの状態にある第2期間(T4)において前記電流(IL)を前記一方向とは逆の方向に整流する整流回路(30)と、
を備えることを特徴とする電力変換装置(10B)。
[項目5]
前記整流回路(30)は、
前記絶縁トランス(TR1)の前記一次巻線または前記二次巻線に直列接続された第1整流素子(D11)および第1スイッチ(SW1)と、
前記第1整流素子(D11)および前記第1スイッチ(SW1)に並列接続された、直列接続された第2整流素子(D12)および第2スイッチ(SW2)と、を有し、
前記第1整流素子(D11)と前記第2整流素子(D12)は互いに逆向きであり、
前記制御回路(15B)は、
前記第1期間(T2)において、前記第1スイッチ(SW1)をオンの状態に制御し、前記第2スイッチ(SW2)をオフの状態に制御し、
前記第2期間(T4)において、前記第2スイッチ(SW2)をオンの状態に制御し、前記第1スイッチ(SW1)をオフの状態に制御する、
ことを特徴とする項目4に記載の電力変換装置(10B)。
[項目6]
前記絶縁トランス(TR1)の前記一次巻線または前記二次巻線に流れる前記電流(IL)を検出して前記制御回路(15B)に出力する電流検出部(20)をさらに備え、
前記制御回路(15B)は、前記第1期間(T2)と前記第2期間(T4)に前記電流(IL)が実質的にゼロになった後、前記整流回路(30)が、前記第1スイッチング素子(Q1)および前記第4スイッチング素子(Q4)がオンの状態にある期間(T1,T2)において前記電流(IL)を前記一方向に整流し、前記第2スイッチング素子(Q2)および前記第3スイッチング素子(Q3)がオンの状態にある期間(T3,T4)において前記電流(IL)を前記一方向とは逆の方向に整流するように、前記整流回路(30)を制御する、
ことを特徴とする項目4または5に記載の電力変換装置(10B)。
第1スイッチング素子(Q1)と第2スイッチング素子(Q2)が直列接続された第1アームと、第3スイッチング素子(Q3)と第4スイッチング素子(Q4)が直列接続された第2アームが並列接続され、直流電源(Vdc)から電力が入力される第1ブリッジ回路(11)と、
第5スイッチング素子(Q5)と第6スイッチング素子(Q6)が直列接続された第3アームと、第7スイッチング素子(Q7)と第8スイッチング素子(Q8)が直列接続された第4アームが並列接続され、負荷(RL)に電力を出力する第2ブリッジ回路(12)と、
前記第1ブリッジ回路(11)と前記第2ブリッジ回路(12)の間に接続された絶縁トランス(TR1)と、
前記第1スイッチング素子(Q1)〜前記第8スイッチング素子(Q8)を制御する制御回路(15,15A)と、を備え、
前記制御回路(15,15A)は、
前記第1スイッチング素子(Q1)および前記第4スイッチング素子(Q4)をターンオフさせ、前記第2スイッチング素子(Q1)および前記第3スイッチング素子(Q3)をターンオンさせるとき、前記第5スイッチング素子(Q5)および前記第8スイッチング素子(Q8)をターンオンさせ、
前記第1スイッチング素子(Q1)および前記第4スイッチング素子(Q4)をターンオンさせ、前記第2スイッチング素子(Q2)および前記第3スイッチング素子(Q3)をターンオフさせるとき、前記第6スイッチング素子(Q6)および前記第7スイッチング素子(Q7)をターンオンさせ、
前記第5スイッチング素子(Q5)〜前記第8スイッチング素子(Q8)のオン時間を制御して電力変換し、
前記第1スイッチング素子(Q1)および前記第4スイッチング素子(Q4)がオンの状態にあり、前記第6スイッチング素子(Q6)および前記第7スイッチング素子(Q7)がオフの状態にある第1期間(T2)の少なくとも一部と、前記第2スイッチング素子(Q2)および前記第3スイッチング素子(Q3)がオンの状態にあり、前記第5スイッチング素子(Q5)および前記第8スイッチング素子(Q8)がオフの状態にある第2期間(T4)の少なくとも一部との少なくとも一方において、前記第2ブリッジ回路(12)を整流回路として動作させる、
ことを特徴とする電力変換装置(10,10A)。
[項目2]
前記第5スイッチング素子(Q5)〜前記第8スイッチング素子(Q8)のそれぞれに、並列かつ逆向きにダイオード(D5〜D8)が接続または形成されており、
前記制御回路(15,15A)は、
前記第1期間(T2)の少なくとも一部において、前記第5スイッチング素子(Q5)および前記第8スイッチング素子(Q8)をオフの状態に制御し、
前記第2期間(T4)の少なくとも一部において、前記第6スイッチング素子(Q6)および前記第7スイッチング素子(Q7)をオフの状態に制御する、
ことを特徴とする項目1に記載の電力変換装置(10,10A)。
[項目3]
前記絶縁トランス(TR1)の一次巻線または二次巻線に流れる電流(IL)を検出して前記制御回路(15A)に出力する電流検出部(20)をさらに備え、
前記制御回路(15A)は、
前記第1期間(T2)において、前記電流(IL)が実質的にゼロになるまで前記第5スイッチング素子(Q5)および前記第8スイッチング素子(Q8)をオンの状態に制御し、前記電流(IL)が実質的にゼロになったとき、前記第5スイッチング素子(Q5)および前記第8スイッチング素子(Q8)をターンオフさせ、
前記第2期間(T4)において、前記電流(IL)が実質的にゼロになるまで前記第6スイッチング素子(Q6)および前記第7スイッチング素子(Q7)をオンの状態に制御し、前記電流(IL)が実質的にゼロになったとき、前記第6スイッチング素子(Q6)および前記第7スイッチング素子(Q7)をターンオフさせる、
ことを特徴とする項目2に記載の電力変換装置(10A)。
[項目4]
第1スイッチング素子(Q1)と第2スイッチング素子(Q2)が直列接続された第1アームと、第3スイッチング素子(Q3)と第4スイッチング素子(Q4)が直列接続された第2アームが並列接続され、直流電源(Vdc)から電力が入力される第1ブリッジ回路(11)と、
第5スイッチング素子(Q5)と第6スイッチング素子(Q6)が直列接続された第3アームと、第7スイッチング素子(Q7)と第8スイッチング素子(Q8)が直列接続された第4アームが並列接続され、負荷(RL)に電力を出力する第2ブリッジ回路(12)と、
前記第1ブリッジ回路(11)と前記第2ブリッジ回路(12)の間に接続された絶縁トランス(TR1)と、
前記第1スイッチング素子(Q1)〜前記第4スイッチング素子(Q4)のスイッチング位相と、前記第5スイッチング素子(Q5)〜前記第8スイッチング素子(Q8)のスイッチング位相との位相差を制御して電力変換する制御回路(15B)と、
前記絶縁トランス(TR1)の一次巻線または二次巻線に直列接続され、前記第1スイッチング素子(Q1)、前記第4スイッチング素子(Q4)、前記第5スイッチング素子(Q5)および前記第8スイッチング素子(Q8)がオンの状態にある第1期間(T2)において前記一次巻線または前記二次巻線に流れる電流(IL)を一方向に整流し、前記第2スイッチング素子(Q2)、前記第3スイッチング素子(Q3)、前記第6スイッチング素子(Q6)および前記第7スイッチング素子(Q7)がオンの状態にある第2期間(T4)において前記電流(IL)を前記一方向とは逆の方向に整流する整流回路(30)と、
を備えることを特徴とする電力変換装置(10B)。
[項目5]
前記整流回路(30)は、
前記絶縁トランス(TR1)の前記一次巻線または前記二次巻線に直列接続された第1整流素子(D11)および第1スイッチ(SW1)と、
前記第1整流素子(D11)および前記第1スイッチ(SW1)に並列接続された、直列接続された第2整流素子(D12)および第2スイッチ(SW2)と、を有し、
前記第1整流素子(D11)と前記第2整流素子(D12)は互いに逆向きであり、
前記制御回路(15B)は、
前記第1期間(T2)において、前記第1スイッチ(SW1)をオンの状態に制御し、前記第2スイッチ(SW2)をオフの状態に制御し、
前記第2期間(T4)において、前記第2スイッチ(SW2)をオンの状態に制御し、前記第1スイッチ(SW1)をオフの状態に制御する、
ことを特徴とする項目4に記載の電力変換装置(10B)。
[項目6]
前記絶縁トランス(TR1)の前記一次巻線または前記二次巻線に流れる前記電流(IL)を検出して前記制御回路(15B)に出力する電流検出部(20)をさらに備え、
前記制御回路(15B)は、前記第1期間(T2)と前記第2期間(T4)に前記電流(IL)が実質的にゼロになった後、前記整流回路(30)が、前記第1スイッチング素子(Q1)および前記第4スイッチング素子(Q4)がオンの状態にある期間(T1,T2)において前記電流(IL)を前記一方向に整流し、前記第2スイッチング素子(Q2)および前記第3スイッチング素子(Q3)がオンの状態にある期間(T3,T4)において前記電流(IL)を前記一方向とは逆の方向に整流するように、前記整流回路(30)を制御する、
ことを特徴とする項目4または5に記載の電力変換装置(10B)。
Vdc…直流電源、10,10A,10B…電力変換装置、11…第1ブリッジ回路、12…第2ブリッジ回路、TR1…絶縁トランス、15,15A,15B…制御回路、RL…負荷、Q1…第1スイッチング素子、Q2…第2スイッチング素子、Q3…第3スイッチング素子、Q4…第4スイッチング素子、Q5…第5スイッチング素子、Q6…第6スイッチング素子、Q7…第7スイッチング素子、Q8…第8スイッチング素子、20…電流検出部、30…整流回路、31…第1回路、32…第2回路、D11…第1整流素子、D12…第2整流素子、SW1…第1スイッチ、SW2…第2スイッチ。
Claims (6)
- 第1スイッチング素子と第2スイッチング素子が直列接続された第1アームと、第3スイッチング素子と第4スイッチング素子が直列接続された第2アームが並列接続され、直流電源から電力が入力される第1ブリッジ回路と、
第5スイッチング素子と第6スイッチング素子が直列接続された第3アームと、第7スイッチング素子と第8スイッチング素子が直列接続された第4アームが並列接続され、負荷に電力を出力する第2ブリッジ回路と、
前記第1ブリッジ回路と前記第2ブリッジ回路の間に接続された絶縁トランスと、
前記第1スイッチング素子〜前記第8スイッチング素子を制御する制御回路と、を備え、
前記制御回路は、
前記第1スイッチング素子および前記第4スイッチング素子をターンオフさせ、前記第2スイッチング素子および前記第3スイッチング素子をターンオンさせるとき、前記第5スイッチング素子および前記第8スイッチング素子をターンオンさせ、
前記第1スイッチング素子および前記第4スイッチング素子をターンオンさせ、前記第2スイッチング素子および前記第3スイッチング素子をターンオフさせるとき、前記第6スイッチング素子および前記第7スイッチング素子をターンオンさせ、
前記第5スイッチング素子〜前記第8スイッチング素子のオン時間を制御して電力変換し、
前記第1スイッチング素子および前記第4スイッチング素子がオンの状態にあり、前記第6スイッチング素子および前記第7スイッチング素子がオフの状態にある第1期間の少なくとも一部と、前記第2スイッチング素子および前記第3スイッチング素子がオンの状態にあり、前記第5スイッチング素子および前記第8スイッチング素子がオフの状態にある第2期間の少なくとも一部との少なくとも一方において、前記第2ブリッジ回路を整流回路として動作させる、
ことを特徴とする電力変換装置。 - 前記第5スイッチング素子〜前記第8スイッチング素子のそれぞれに、並列かつ逆向きにダイオードが接続または形成されており、
前記制御回路は、
前記第1期間の少なくとも一部において、前記第5スイッチング素子および前記第8スイッチング素子をオフの状態に制御し、
前記第2期間の少なくとも一部において、前記第6スイッチング素子および前記第7スイッチング素子をオフの状態に制御する、
ことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記絶縁トランスの一次巻線または二次巻線に流れる電流を検出して前記制御回路に出力する電流検出部をさらに備え、
前記制御回路は、
前記第1期間において、前記電流が実質的にゼロになるまで前記第5スイッチング素子および前記第8スイッチング素子をオンの状態に制御し、前記電流が実質的にゼロになったとき、前記第5スイッチング素子および前記第8スイッチング素子をターンオフさせ、
前記第2期間において、前記電流が実質的にゼロになるまで前記第6スイッチング素子および前記第7スイッチング素子をオンの状態に制御し、前記電流が実質的にゼロになったとき、前記第6スイッチング素子および前記第7スイッチング素子をターンオフさせる、
ことを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置。 - 第1スイッチング素子と第2スイッチング素子が直列接続された第1アームと、第3スイッチング素子と第4スイッチング素子が直列接続された第2アームが並列接続され、直流電源から電力が入力される第1ブリッジ回路と、
第5スイッチング素子と第6スイッチング素子が直列接続された第3アームと、第7スイッチング素子と第8スイッチング素子が直列接続された第4アームが並列接続され、負荷に電力を出力する第2ブリッジ回路と、
前記第1ブリッジ回路と前記第2ブリッジ回路の間に接続された絶縁トランスと、
前記第1スイッチング素子〜前記第4スイッチング素子のスイッチング位相と、前記第5スイッチング素子〜前記第8スイッチング素子のスイッチング位相との位相差を制御して電力変換する制御回路と、
前記絶縁トランスの一次巻線または二次巻線に直列接続され、前記第1スイッチング素子、前記第4スイッチング素子、前記第5スイッチング素子および前記第8スイッチング素子がオンの状態にある第1期間において前記一次巻線または前記二次巻線に流れる電流を一方向に整流し、前記第2スイッチング素子、前記第3スイッチング素子、前記第6スイッチング素子および前記第7スイッチング素子がオンの状態にある第2期間において前記電流を前記一方向とは逆の方向に整流する整流回路と、
を備えることを特徴とする電力変換装置。 - 前記整流回路は、
前記絶縁トランスの前記一次巻線または前記二次巻線に直列接続された第1整流素子および第1スイッチと、
前記第1整流素子および前記第1スイッチに並列接続された、直列接続された第2整流素子および第2スイッチと、を有し、
前記第1整流素子と前記第2整流素子は互いに逆向きであり、
前記制御回路は、
前記第1期間において、前記第1スイッチをオンの状態に制御し、前記第2スイッチをオフの状態に制御し、
前記第2期間において、前記第2スイッチをオンの状態に制御し、前記第1スイッチをオフの状態に制御する、
ことを特徴とする請求項4に記載の電力変換装置。 - 前記絶縁トランスの前記一次巻線または前記二次巻線に流れる前記電流を検出して前記制御回路に出力する電流検出部をさらに備え、
前記制御回路は、前記第1期間と前記第2期間に前記電流が実質的にゼロになった後、前記整流回路が、前記第1スイッチング素子および前記第4スイッチング素子がオンの状態にある期間において前記電流を前記一方向に整流し、前記第2スイッチング素子および前記第3スイッチング素子がオンの状態にある期間において前記電流を前記一方向とは逆の方向に整流するように、前記整流回路を制御する、
ことを特徴とする請求項4または5に記載の電力変換装置。
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