JP2018160488A5 - - Google Patents
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Claims (11)
- 上面と下面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の上面に設けられた上面電極と、
前記半導体基板の下面に設けられた下面電極と、を備え、
前記半導体基板は、平面視したときに、前記半導体基板の中心を含む第１範囲と、前記第１範囲と前記半導体基板の外周縁との間に位置する第２範囲とを有し、
前記第１範囲と前記第２範囲のそれぞれには、ボディダイオードを内蔵するＭＯＳＦＥＴ構造が設けられており、
前記ＭＯＳＦＥＴ構造は、前記上面電極に接するｎ型のソース領域と、前記下面電極に接するｎ型のドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に介在するとともに前記上面電極に接するｐ型のボディ領域と、前記ボディ領域と前記ドレイン領域との間に介在するｎ型のドリフト領域とを有し、
同じ電流密度に対する前記ボディダイオードの順方向電圧が前記第１範囲において前記第２範囲よりも高くなるように、前記第１範囲において前記ボディ領域が前記上面電極に接する面積の割合は、前記第２範囲において前記ボディ領域が前記上面電極に接する面積の割合よりも小さい、
半導体装置。 - 上面と下面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の上面に設けられた上面電極と、
前記半導体基板の下面に設けられた下面電極と、
前記上面電極の一部を覆う絶縁性の保護膜と、を備え、
前記半導体基板は、平面視したときに、前記保護膜に覆われる第１範囲と、前記保護膜に覆われない第２範囲とを有し、
前記第１範囲と前記第２範囲のそれぞれには、前記上面電極から前記下面電極への通電を許容するボディダイオードを内蔵するＭＯＳＦＥＴ構造が設けられており、
前記ＭＯＳＦＥＴ構造は、同じ電流密度に対する前記ボディダイオードの順方向電圧が前記第１範囲において前記第２範囲よりも高くなるように、前記第１範囲と前記第２範囲との間で互いに相違する、
半導体装置。 - 上面と下面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の上面に設けられた上面電極と、
前記半導体基板の下面に設けられた下面電極と、を備え、
前記上面電極の上面の少なくとも一部の範囲に、導電性部材が接合される半導体装置であって、
前記半導体基板は、平面視したときに、前記導電性部材に覆われない第１範囲と、前記導電性部材に覆われる第２範囲とを有し、
前記第１範囲と前記第２範囲のそれぞれには、前記上面電極から前記下面電極への通電を許容するボディダイオードを内蔵するＭＯＳＦＥＴ構造が設けられており、
前記ＭＯＳＦＥＴ構造は、同じ電流密度に対する前記ボディダイオードの順方向電圧が前記第１範囲において前記第２範囲よりも高くなるように、前記第１範囲と前記第２範囲との間で互いに相違する、
半導体装置。 - 前記ＭＯＳＦＥＴ構造は、前記上面電極に接するｎ型のソース領域と、前記下面電極に接するｎ型のドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に介在するとともに前記上面電極に接するｐ型のボディ領域と、前記ボディ領域と前記ドレイン領域との間に介在するｎ型のドリフト領域とを有する、請求項２又は３のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第１範囲において前記ボディ領域が前記上面電極に接する面積の割合は、前記第２範囲において前記ボディ領域が前記上面電極に接する面積の割合よりも小さい、請求項４に記載の半導体装置。
- 前記第１範囲と前記第２範囲のそれぞれは、前記ボディ領域と前記上面電極とが互いに接する接触箇所を複数有し、
前記第１範囲における前記接触箇所の間隔は、前記第２範囲における前記接触箇所の間隔よりも広い、請求項１又は５に記載の半導体装置。 - 前記第１範囲と前記第２範囲のそれぞれは、前記ボディ領域と前記上面電極とが互いに接する接触箇所を複数有し、
前記第１範囲における前記接触箇所の一つの面積は、前記第２範囲における前記接触箇所の一つの面積よりも狭い、請求項１、５又は６に記載の半導体装置。 - 前記第１範囲において前記ボディ領域が前記上面電極に接する接触箇所の下方における前記ボディ領域のｐ型不純物の濃度は、前記第２範囲において前記ボディ領域が前記上面電極に接する接触箇所の下方における前記ボディ領域のｐ型不純物の濃度よりも低い、請求項１、４から７のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第１範囲において前記ボディ領域が前記上面電極に接する接触箇所の下方における結晶欠陥の密度が、前記第２範囲において前記ボディ領域が前記上面電極に接する接触箇所の下方における結晶欠陥の密度よりも大きい、請求項１、４から８のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第１範囲の前記接触箇所の下方において前記ドリフト領域に含まれる結晶欠陥の密度が、前記第２範囲における前記接触箇所の下方において前記ドリフト領域に含まれる結晶欠陥の密度よりも大きい、請求項９に記載の半導体装置。
- 半導体基板の温度を検出する温度センサをさらに備え、
前記温度センサは、平面視したときに、前記半導体基板の中心又はその近傍に配置されている、請求項１から１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
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