JP2018157712A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
Description
上記高電位配線に接続された上アーム半導体(2H)と、
上記上アーム半導体に直列接続されると共に上記低電位配線に接続された下アーム半導体(2L)と、
上記高電位配線と上記低電位配線との間に接続されたコンデンサ(3)と、を有し、
互いに直列接続された上記上アーム半導体と上記下アーム半導体との少なくとも一方は、スイッチング素子(2)が2つ以上並列接続された並列接続体(20)を構成しており、
互いに直列接続された上記上アーム半導体と上記下アーム半導体とのうち、少なくとも上記並列接続体と反対側のアームには、上記低電位配線側から上記高電位配線側へ向かう方向の電流を許容する半導体素子である還流許容素子(21)が設けられており、
上記並列接続体を構成する複数の上記スイッチング素子は、ターンオフのタイミングが互いにずれるようにスイッチング制御され、
上記並列接続体を構成する複数の上記スイッチング素子のうち、最後にターンオフされる上記スイッチング素子である最終オフ素子(22)と、他の上記スイッチング素子である非最終オフ素子(23)とが、特定されており、
上記最終オフ素子と、当該最終オフ素子と反対側のアームにおける上記還流許容素子と、上記コンデンサとを通る最終オフ閉回路(101)のインダクタンスは、当該最終オフ素子に並列接続された上記非最終オフ素子と、当該最終オフ素子と反対側のアームにおける上記還流許容素子と、上記コンデンサとを通る非最終オフ閉回路(102)のインダクタンスよりも小さい、電力変換装置(1)にある。
すなわち、上記のような電力変換装置の回路構成においては、最終オフ素子のターンオフの際に、当該最終オフ素子と反対側のアームにおける還流許容素子に、還流電流が流れ始める。このとき、上記最終オフ閉回路において電流変化が生じることとなる。この最終オフ閉回路における電流変化に起因するサージ電圧を低減することで、スイッチング損失を低減することができる。そこで、上記電力変換装置においては、最終オフ閉回路のインダクタンスを、非最終オフ閉回路のインダクタンスよりも小さくしている。これにより、スイッチング損失を効果的に低減することができる。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
電力変換装置に係る実施形態について、図1〜図4を参照して説明する。
本実施形態の電力変換装置1は、図1に示すごとく、高電位配線11H及び低電位配線11Lと、高電位配線11Hに接続された上アーム半導体2Hと、低電位配線11Lに接続された下アーム半導体2Lと、コンデンサ3と、を有する。
下アーム半導体2Lは、上アーム半導体2Hに直列接続されている。
コンデンサ3は、高電位配線11Hと低電位配線11Lとの間に接続されている。
互いに直列接続された上アーム半導体2Hと下アーム半導体2Lとのうち、少なくとも並列接続体20と反対側のアームには、低電位配線11L側から高電位配線11H側へ向かう方向の電流を許容する半導体素子である還流許容素子21が設けられている。
並列接続体20を構成する複数のスイッチング素子2のうち、最後にターンオフされるスイッチング素子2である最終オフ素子22と、他のスイッチング素子2である非最終オフ素子23とが、特定されている。つまり、並列接続体20における複数のスイッチング素子2のうち、特定のスイッチング素子2が、最後にターンオフされるように制御される。そして、この特定のスイッチング素子2を最終オフ素子22と定義し、他のスイッチング素子2を非最終オフ素子23と定義している。
一方、非最終オフ素子23を含む閉回路102、すなわち、下アーム半導体2Lの還流許容素子21(本実施形態においては、MOSFETの寄生ダイオード)、上アーム半導体2Hの非最終オフ素子23、高電位配線11H、コンデンサ3、低電位配線11Lを通る閉回路のインダクタンスは、スイッチング損失にほとんど影響しない。
そこで、本実施形態においては、最終オフ閉回路101のインダクタンスを、非最終オフ閉回路102のインダクタンスよりも小さくしている。
もちろん、制御部から最終オフ素子22へのオフ信号のタイミングを、非最終オフ素子へのオフ信号のタイミングよりも遅らせる制御とすることもできる。
上記電力変換装置1においては、最終オフ閉回路101のインダクタンスが、非最終オフ閉回路102のインダクタンスよりも小さい。これにより、スイッチング損失を効果的に低減することができる。
本実施形態は、図5に示すごとく、最終オフ素子22のターンオンのタイミングが、非最終オフ素子23のターンオンのタイミングよりも前にずれるように制御された形態である。
ただし、最終オフ素子22のターンオフのタイミングが、非最終オフ素子23のターンオフのタイミングよりも後となるように制御されている点は、実施形態1と同様である。
なお、実施形態2以降において用いた符号のうち、既出の実施形態において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、既出の実施形態におけるものと同様の構成要素等を表す。
本実施形態は、図6〜図8に示すごとく、還流許容素子21として、スイッチング素子2とは別のダイオード210を用いた形態である。
すなわち、並列接続体20を構成するMOSFETとIGBTとに対して、ダイオード210を、逆並列接続している。
そして、実施形態1と同様に、最終オフ閉回路101のインダクタンスは、非最終オフ閉回路102のインダクタンスよりも小さい。
その他の構成は、実施形態1と同様である。
なお、IGBTとダイオードとを一つの素子にて構成したRC−IGBTを用いることで、本実施形態と同様の回路構成を実現することもできる。
本実施形態の電力変換装置10は、図9に示すごとく、上アーム半導体2Hと下アーム半導体2Lとを備えたコンバータである。
上アーム半導体2Hと下アーム半導体2Lとは、それぞれ、実施形態1と同様に、2つのスイッチング素子2を並列接続してなる並列接続体20によって構成されている。2つのスイッチング素子2は、MOSFETとIGBTとである。
本実施形態の電力変換装置10は、上アーム半導体2H及び下アーム半導体2Lを適宜オンオフすることにより、直流電源410の電圧を昇圧して、高電位配線11Hと低電位配線11Lとに接続された、図示しない負荷へ出力する。また、負荷側から供給される高電圧の電力を降圧する。負荷としては、実施形態1に示したようなインバータ及び回転電機を接続することができる。
その他は、実施形態1と同様の構成を有し、同様の作用効果を有する。
本実施形態の電力変換装置10は、図10に示すごとく、上アーム半導体2Hを、還流許容素子21としてのダイオード210によって構成したものである。
すなわち、上アームには、スイッチング素子2を設けることなく、ダイオード210のみを設けている。下アーム半導体2Lは、2つのスイッチング素子2の並列接続体20を構成する。
本実施形態の電力変換装置10は、昇圧動作のみ行うコンバータである。本実施形態の電力変換装置10は、例えば、燃料電池用の昇圧コンバータとして用いることができる。
その他の構成は、実施形態1と同様である。
本実施形態においても、実施形態1と同様の作用効果を有する。
本実施形態は、図11〜図16に示すごとく、スイッチング素子2及び還流許容素子21を、半導体モジュール(52H、53H、52L、53L)に搭載した形態である。
すなわち、本実施形態において、最終オフ素子22と非最終オフ素子23と還流許容素子21とは、半導体モジュールに搭載されている。そして、図11〜図13に示すごとく、最終オフ素子22と非最終オフ素子23とは、互いに独立した個別の半導体モジュールである最終オフモジュール52と非最終オフモジュール53とにそれぞれ搭載されている。つまり、最終オフ素子22を搭載した半導体モジュールが最終オフモジュール52であり、非最終オフ素子23を搭載した半導体モジュールが非最終オフモジュール53である。
すなわち、上アーム半導体2Hの最終オフ素子22、上アーム半導体2Hの非最終オフ素子23、下アーム半導体2Lの最終オフ素子22、下アーム半導体2Lの非最終オフ素子23は、それぞれ互いに独立した個別の半導体モジュールに搭載されている。本実施形態においては、上アーム半導体2Hの最終オフ素子22が搭載された半導体モジュールを、半導体モジュール52H、上アーム半導体2Hの非最終オフ素子23が搭載された半導体モジュールを、半導体モジュール53H、下アーム半導体2Lの最終オフ素子22が搭載された半導体モジュールを、半導体モジュール52L、下アーム半導体2Lの非最終オフ素子23が搭載された半導体モジュールを、半導体モジュール53L、とする。
その他の構成は、実施形態1と同様である。
また、特に、高電位バスバー61及び低電位バスバー62における電流経路においてインダクタンスの差を設けることで、バスバー61、62、63等の配線の複雑化を招くことなく、容易に、最終オフ閉回路101のインダクタンスを小さくすることができる。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
本実施形態は、図17〜図22に示すごとく、上アーム半導体2Hと下アーム半導体2Lとが、共通の半導体モジュールである上下共通モジュール520、530に搭載されている形態である。
また、図18に示すごとく、下アーム半導体2Lのスイッチングに注目した場合に比較すべき最終オフ閉回路101と非最終オフ閉回路102とを考えると、L11+L12<L11+L22となる。
したがって、全体を考慮すると、L11<L21、かつ、L12<L22とすることが望まれる。
また、図21に示すごとく、上下共通モジュール520においては、上アーム半導体2Hが、互いに対向配置された2枚の電極板554、555の間に、スペーサ56を介して挟持してある。また、下アーム半導体2Lも、互いに対向配置された2枚の電極板556、557の間に、スペーサ56を介して挟持してある。電極板554、556とスイッチング素子2、スイッチング素子2とスペーサ56、スペーサ56と電極板555、557とは、互いにハンダにて接続されている。
このようにして、上アーム半導体2Hと2枚の電極板554、555とスペーサ56とによって、一つの積層体が構成され、下アーム半導体2Lと2枚の電極板556、557とスペーサ56とによって、他の一つの積層体が構成されている。
なお、他の上下共通モジュール530も、半導体素子の種類が異なる以外は、上述した上下共通モジュール520と同様の構造となっている。
図22に示すごとく、電力変換装置1は、2つの上下共通モジュール520、530を厚み方向Xに積層配置してなる。そして、最終オフモジュール52である上下共通モジュール520が、非最終オフモジュール53である上下共通モジュール530よりも、コンデンサ3に近い側に配されている。
その他の構成は、実施形態6と同様である。
その他、実施形態6と同様の作用効果を有する。
本実施形態は、図23〜図26に示すごとく、一つのレグを構成する2つの並列接続体20の半導体素子を、一つの半導体モジュールであるレグ共通モジュール500に搭載した形態である。
なお、L15、L16、L17は、下アーム半導体2Lのスイッチングに注目した場合と、上アーム半導体2Hのスイッチングに注目した場合とで、同等であるため、同じ符号を付した。
その他の構成は、実施形態1と同様である。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
本実施形態は、図27〜図30に示すごとく、一つの並列接続体20を一つの共通の半導体モジュールである上アーム共通モジュール50H、下アーム共通モジュール50Lに搭載した形態である。
L15は、高電位側のパワー端子551と最終オフ素子22との間の配線のインダクタンスである。L16は、低電位側のパワー端子552と最終オフ素子22との間の配線のインダクタンスである。L25は、高電位側のパワー端子551と非最終オフ素子23との間の配線のインダクタンスである。L26は、低電位側のパワー端子552と非最終オフ素子23との間の配線のインダクタンスである。
その他の構成は、実施形態1と同様である。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
なお、実施形態6、7においては、バスバー61、62、63によって、最終オフ閉回路101のインダクタンスを非最終オフ閉回路102のインダクタンスよりも小さくする構成としている。また、実施形態8、9においては、半導体モジュールの内部構造によって、最終オフ閉回路101のインダクタンスを非最終オフ閉回路102のインダクタンスよりも小さくする構成としている。しかし、最終オフ閉回路101のインダクタンスを非最終オフ閉回路102のインダクタンスよりも小さくする構成であれば、これらの手法に限らず、他の手法を採用することもできる。
101 最終オフ閉回路
102 非最終オフ閉回路
2 スイッチング素子
20 並列接続体
21 還流許容素子
22 最終オフ素子
23 非最終オフ素子
2H 上アーム半導体
2L 下アーム半導体
Claims (13)
- 高電位配線(11H)及び低電位配線(11L)と、
上記高電位配線に接続された上アーム半導体(2H)と、
上記上アーム半導体に直列接続されると共に上記低電位配線に接続された下アーム半導体(2L)と、
上記高電位配線と上記低電位配線との間に接続されたコンデンサ(3)と、を有し、
互いに直列接続された上記上アーム半導体と上記下アーム半導体との少なくとも一方は、スイッチング素子(2)が2つ以上並列接続された並列接続体(20)を構成しており、
互いに直列接続された上記上アーム半導体と上記下アーム半導体とのうち、少なくとも上記並列接続体と反対側のアームには、上記低電位配線側から上記高電位配線側へ向かう方向の電流を許容する半導体素子である還流許容素子(21)が設けられており、
上記並列接続体を構成する複数の上記スイッチング素子は、ターンオフのタイミングが互いにずれるようにスイッチング制御され、
上記並列接続体を構成する複数の上記スイッチング素子のうち、最後にターンオフされる上記スイッチング素子である最終オフ素子(22)と、他の上記スイッチング素子である非最終オフ素子(23)とが、特定されており、
上記最終オフ素子と、当該最終オフ素子と反対側のアームにおける上記還流許容素子と、上記コンデンサとを通る最終オフ閉回路(101)のインダクタンスは、当該最終オフ素子に並列接続された上記非最終オフ素子と、当該最終オフ素子と反対側のアームにおける上記還流許容素子と、上記コンデンサとを通る非最終オフ閉回路(102)のインダクタンスよりも小さい、電力変換装置(1)。 - 上記並列接続体を構成する複数の上記スイッチング素子は、ターンオンのタイミングが互いにずれるようにスイッチング制御され、上記最終オフ素子は、上記並列接続体を構成する複数の上記スイッチング素子のうち、最初にターンオンされるようにスイッチング制御される上記スイッチング素子でもある、請求項1に記載の電力変換装置。
- 上記並列接続体を構成する複数の上記スイッチング素子は、SiC−MOSFETとSi−IGBTとである、請求項1又は2に記載の電力変換装置。
- 上記最終オフ素子は、SiC−MOSFETであり、上記非最終オフ素子は、Si−IGBTである、請求項3に記載の電力変換装置。
- 上記最終オフ素子は、Si−IGBTであり、上記非最終オフ素子は、SiC−MOSFETである、請求項3に記載の電力変換装置。
- 上記最終オフ素子と上記非最終オフ素子と上記還流許容素子とは、半導体モジュールに搭載されており、上記最終オフ素子と上記非最終オフ素子とは、互いに独立した個別の上記半導体モジュールである最終オフモジュール(52)と非最終オフモジュール(53)とにそれぞれ搭載されており、上記最終オフ閉回路及び上記非最終オフ閉回路は、それぞれ、上記半導体モジュールと、上記コンデンサと、上記半導体モジュールに接続されたバスバー(61、62、63)とを含み、上記最終オフ閉回路に含まれるバスバーのインダクタンスの合計は、上記非最終オフ閉回路に含まれるバスバーのインダクタンスの合計よりも小さい、請求項1〜5のいずれか一項に記載の電力変換装置。
- 上記上アーム半導体と上記下アーム半導体とは、互いに独立した個別の上記半導体モジュールである上アームモジュール(5H)と下アームモジュール(5L)とにそれぞれ搭載されており、上記上アームモジュールと上記下アームモジュールとは、互いに中間バスバー(63)によって接続されており、また、上記上アームモジュールは、上記高電位配線を構成する高電位バスバー(61)によって上記コンデンサに接続され、上記下アームモジュールは、上記低電位配線を構成する低電位バスバー(62)によって、上記コンデンサに接続されており、上記最終オフ閉回路に含まれる上記高電位バスバーと上記低電位バスバーと上記中間バスバーのインダクタンスの合計は、上記非最終オフ閉回路に含まれる上記高電位バスバーと上記低電位バスバーと上記中間バスバーのインダクタンスの合計よりも小さい、請求項6に記載の電力変換装置。
- 上記上アーム半導体と上記下アーム半導体とは、共通の上記半導体モジュールである上下共通モジュール(520、530)に搭載されており、該上下共通モジュールは、上記高電位配線を構成する高電位バスバー(61)と、上記低電位配線を構成する低電位バスバー(62)と、によって、上記コンデンサに接続されており、上記最終オフ閉回路に含まれる上記高電位バスバーと上記低電位バスバーのインダクタンスの合計は、上記非最終オフ閉回路に含まれる上記高電位バスバーと上記低電位バスバーとのインダクタンスの合計よりも小さい、請求項6に記載の電力変換装置。
- 上記最終オフモジュールは、該最終オフモジュールに並列接続された上記非最終オフモジュールよりも、上記コンデンサに近い位置に配されている、請求項7又は8に記載の電力変換装置。
- 上記上アーム半導体の上記並列接続体は、上記最終オフ素子、上記非最終オフ素子、及び上記還流許容素子を有し、上記下アーム半導体の上記並列接続体は、上記最終オフ素子と上記非最終オフ素子と上記還流許容素子とを有し、上記上アーム半導体における上記最終オフ素子、上記非最終オフ素子、及び上記還流許容素子と、上記下アーム半導体における上記最終オフ素子と上記非最終オフ素子と上記還流許容素子とは、一つの共通の半導体モジュールであるレグ共通モジュール(500)に搭載されており、該レグ共通モジュールは、上記上アーム半導体に接続された高電位端子(55H)と、上記下アーム半導体に接続された低電位端子(55L)と、上記上アーム半導体及び上記下アーム半導体に接続された出力端子(553)とを、モジュール本体(550)から突出形成してなり、上記モジュール本体内において、互いに反対側のアームに属する上記最終オフ素子と上記還流許容素子とを通り、上記高電位端子と上記低電位端子とを繋ぐ配線経路の合計のインダクタンスは、互いに反対側のアームに属する上記非最終オフ素子と上記還流許容素子とを通り、上記高電位端子と上記低電位端子とを繋ぐ配線経路の合計のインダクタンスよりも小さい、請求項1〜5のいずれか一項に記載の電力変換装置。
- 上記レグ共通モジュールは、2つの上記最終オフ素子と、2つの上記非最終オフ素子とを、一つの方向に沿って並べて搭載しており、2つの上記最終オフ素子は、2つの上記非最終オフ素子の間に配置している、請求項10に記載の電力変換装置。
- 上記上アーム半導体の上記並列接続体は、上記最終オフ素子、上記非最終オフ素子、及び上記還流許容素子を有し、上記下アーム半導体の上記並列接続体は、上記最終オフ素子と上記非最終オフ素子と上記還流許容素子とを有し、上記上アーム半導体における上記最終オフ素子、上記非最終オフ素子、及び上記還流許容素子は、一つの共通の半導体モジュールである上アーム共通モジュール(50H)に搭載されており、上記下アーム半導体における上記最終オフ素子と上記非最終オフ素子と上記還流許容素子とは、一つの共通の半導体モジュールである下アーム共通モジュール(50L)に搭載されており、上記上アーム共通モジュールと上記下アーム共通モジュールとは、それぞれ、2つのパワー端子(551、552)をモジュール本体(550)から突出形成してなり、上記モジュール本体内において、上記最終オフ素子を通り上記パワー端子を繋ぐ配線経路のインダクタンスは、上記非最終オフ素子を通り上記パワー端子を繋ぐ配線経路のインダクタンスよりも小さい、請求項1〜5のいずれか一項に記載の電力変換装置。
- 上記上アーム共通モジュール及び上記下アーム共通モジュールは、それぞれ、上記2つのパワー端子を、上記モジュール本体から同じ方向に突出させてあり、上記2つのパワー端子の根元部の中央位置(C)は、上記最終オフ素子と上記非最終オフ素子との並び方向において、上記非最終オフ素子よりも上記最終オフ素子に近い位置にある、請求項12に記載の電力変換装置。
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