JP2018151531A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 基板の主表面上に薄膜を有するマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法であって、
   前記薄膜上に、無機レジスト膜を形成する工程と、
   前記無機レジスト膜に対し、電子線を用いて転写パターンを描画露光した後、現像処理を行って前記無機レジスト膜に転写パターンを形成する工程と、
   前記転写パターンが形成された後の無機レジスト膜に対して電子線を照射する工程と、
   前記電子線が照射された後の無機レジスト膜をマスクとし、前記薄膜に対してドライエッチングを行い、前記薄膜に転写パターンを形成する工程と
   を備えることを特徴とする転写用マスクの製造方法。
2. 前記無機レジスト膜を形成する工程は、金属亜酸化物陽イオン、多原子無機陰イオン、および過酸化物系リガントを含む水溶液を前記薄膜上に塗布して液膜を形成した後、前記液膜を乾燥させることによって無機レジスト膜を形成する
   ことを特徴とする請求項１に記載の転写用マスクの製造方法。
3. 前記金属亜酸化物陽イオンは、ハフニウムと共有結合した酸素原子を有する多原子陽イオンである
   ことを特徴とする請求項２に記載の転写用マスクの製造方法。
4. 前記薄膜は、スパッタリング法によって形成されたものである
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
5. 前記薄膜は、クロムを含有する材料からなる
   ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
6. 前記転写パターンが形成された後の無機レジスト膜に対して電子線を照射する工程では、前記描画露光よりも低い加速電圧で電子線を照射する
   ことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
7. 前記ドライエッチングは、エッチングガスに酸素含有塩素系ガスを用いる
   ことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
8. 前記マスクブランクは、前記基板と前記薄膜の間に遮光膜が設けられており、
   前記転写パターンが形成された前記薄膜をマスクとし、前記遮光膜に対してドライエッチングを行い、前記遮光膜に転写パターンを形成する工程と、
   前記遮光膜に転写パターンを形成した後に前記薄膜を除去する工程とを備える
   ことを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
9. 前記マスクブランクは、前記基板と前記薄膜の間に光半透過膜が設けられており、
   前記転写パターンが形成された前記薄膜をマスクとし、前記光半透過膜に対してドライエッチングを行い、前記光半透過膜に転写パターンを形成する工程と、
   前記光半透過膜に転写パターンを形成した後、前記無機レジスト膜を除去し、次いで前記薄膜上に遮光帯パターンを含むレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記薄膜に対してドライエッチングを行い、前記薄膜に遮光帯を含むパターンを形成する工程とを備える
   ことを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
10. 前記マスクブランクは、前記基板と前記薄膜の間に、前記基板側から光反射膜と吸収体膜とがこの順に積層した構造を備えており、
    前記転写パターンが形成された前記薄膜をマスクとし、前記吸収体膜に対してドライエッチングを行い、前記吸収体膜に転写パターンを形成する工程と、
    前記吸収体膜に転写パターンを形成した後に前記薄膜を除去する工程とを備える
    ことを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
11. 請求項８から１０のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法により製造された転写用マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備える
    ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。