RU2012134344A - Способ и устройство для формирования нанорисунка - Google Patents

Способ и устройство для формирования нанорисунка Download PDF

Info

Publication number
RU2012134344A
RU2012134344A RU2012134344/28A RU2012134344A RU2012134344A RU 2012134344 A RU2012134344 A RU 2012134344A RU 2012134344/28 A RU2012134344/28 A RU 2012134344/28A RU 2012134344 A RU2012134344 A RU 2012134344A RU 2012134344 A RU2012134344 A RU 2012134344A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
film
nanostructured film
nanostructured
radiation
substrate
Prior art date
Application number
RU2012134344/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Борис КОБРИН
Original Assignee
Борис КОБРИН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Борис КОБРИН filed Critical Борис КОБРИН
Publication of RU2012134344A publication Critical patent/RU2012134344A/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60—Substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2035—Exposure; Apparatus therefor simultaneous coating and exposure; using a belt mask, e.g. endless
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

Abstract

1. Способ формирования нанорисунка, содержащий этапы, на которых:a) предоставляют подложку, имеющую чувствительный к излучению слой на упомянутой поверхности подложки;b) предоставляют подвижную наноструктурированную пленку,c) обеспечивают контакт упомянутой наноструктурированной пленки с упомянутым чувствительным к излучению слоем на упомянутой подложке вдоль поверхности контакта;d) распределяют излучение через упомянутый контакт при сдвиге подложки относительно упомянутой пленки.2. Способ по п.1, в котором упомянутая наноструктурированная пленка вызывает модуляцию силы света в плоскости чувствительного к излучению слоя.3. Способ по п.2, в котором упомянутая наноструктурированная пленка имеет поверхностный рельеф.4. Способ по п.3, в котором упомянутая наноструктурированная пленка является маской со сдвигом фаз, которая заставляет излучение формировать интерференционный рисунок в упомянутом чувствительном к излучению слое.5. Способ по п.2, в котором упомянутая наноструктурированная пленка изготавливается из конформного эластомерного материала.6. Способ по п.2, в котором упомянутая наноструктурированная пленка изготавливается из нескольких слоев прозрачных гибких материалов.7. Способ по п. 6, в котором наружный слой изготавливается из эластомерного материала.8. Способ по п.6, в котором наружный слой изготавливается из силанового материала.9. Способ по п.3, в котором упомянутый поверхностный рельеф изготавливается посредством формовки или литья из подложки наноструктурированного оригинала.10. Способ по п.2, в котором упомянутая конформная наноструктурированная пленка является плазмонной маской.11. Способ по

Claims (34)

1. Способ формирования нанорисунка, содержащий этапы, на которых:
a) предоставляют подложку, имеющую чувствительный к излучению слой на упомянутой поверхности подложки;
b) предоставляют подвижную наноструктурированную пленку,
c) обеспечивают контакт упомянутой наноструктурированной пленки с упомянутым чувствительным к излучению слоем на упомянутой подложке вдоль поверхности контакта;
d) распределяют излучение через упомянутый контакт при сдвиге подложки относительно упомянутой пленки.
2. Способ по п.1, в котором упомянутая наноструктурированная пленка вызывает модуляцию силы света в плоскости чувствительного к излучению слоя.
3. Способ по п.2, в котором упомянутая наноструктурированная пленка имеет поверхностный рельеф.
4. Способ по п.3, в котором упомянутая наноструктурированная пленка является маской со сдвигом фаз, которая заставляет излучение формировать интерференционный рисунок в упомянутом чувствительном к излучению слое.
5. Способ по п.2, в котором упомянутая наноструктурированная пленка изготавливается из конформного эластомерного материала.
6. Способ по п.2, в котором упомянутая наноструктурированная пленка изготавливается из нескольких слоев прозрачных гибких материалов.
7. Способ по п. 6, в котором наружный слой изготавливается из эластомерного материала.
8. Способ по п.6, в котором наружный слой изготавливается из силанового материала.
9. Способ по п.3, в котором упомянутый поверхностный рельеф изготавливается посредством формовки или литья из подложки наноструктурированного оригинала.
10. Способ по п.2, в котором упомянутая конформная наноструктурированная пленка является плазмонной маской.
11. Способ по п.10, в котором упомянутая плазмонная маска изготавливается из металлической пленки, имеющей матрицы нанодырок.
12. Способ по п.10, в котором упомянутая плазмонная маска изготавливается с использованием металлического слоя с нанорисунком, осажденного или ламинированного на прозрачной гибкой пленке.
13. Способ по п.10, в котором упомянутая плазмонная маска изготавливается посредством матрицы металлических наночастиц, осажденных на прозрачной гибкой пленке.
14. Способ по п.1, в котором упомянутый контакт между наноструктурированной пленкой и чувствительным к излучению слоем осуществляется с использованием подвижного рычага.
15. Способ по п.14, в котором упомянутый подвижный рычаг отходит от контакта в ходе фоточувствительного экспонирования слоя.
16. Способ по п.14, в котором упомянутый подвижный рычаг является цилиндром, и такой цилиндр вращается, будучи в контакте с наноструктурированной пленкой.
17. Способ по п.16, в котором упомянутый цилиндр имеет гибкие стенки и подвергается давлению газа.
18. Способ по п. 16, в котором источник света размещается внутри такого цилиндра.
19. Способ по п.1, в котором упомянутая подложка сдвигается в направлении к или от контактной линии упомянутой наноструктурированной пленки в ходе распространения излучения из упомянутого контактной линии.
20. Способ по п.1, в котором упомянутая наноструктурированная пленка перемещается в замкнутом контуре.
21. Способ по п.1, в котором упомянутая наноструктурированная пленка сдвигается рулон за рулоном.
22. Способ по п.1, в котором упомянутая подложка является жесткой пластиной.
23. Способ по п.1, в котором упомянутая подложка имеет кривизну.
24. Способ по п.1, в котором упомянутая подложка является гибкой пленкой.
25. Способ по п.1, в котором дополнительная наноструктурированная гибкая пленка и источник света предоставляются на другой стороне подложки, покрытой фоточувствительным слоем на обеих поверхностях, для формирования нанорисунка на обеих сторонах подложки.
26. Способ по п.1, в котором упомянутый чувствительный к излучению слой является жидким резистом с ультрафиолетовым отверждением.
27. Устройство для выполнения формирования нанорисунка, содержащее:
a) наноструктурированную пленку, и
b) источник излучения, который предоставляет излучение с длиной волны 650 нм или меньше через часть упомянутой наноструктурированной пленки в то время, когда упомянутая часть находится в контакте с чувствительным к излучению слоем материала.
28. Устройство по п. 27, в котором наноструктурированная пленка является полимером, имеющим поверхностный рельеф.
29. Устройство по п. 27, в котором наноструктурированная пленка является перфорированной металлической пленкой или полимерной пленкой с металлическими наночастицами.
30. Устройство по п. 27, в котором упомянутая наноструктурированная пленка имеет более, чем один слой.
31. Устройство по п. 27, в котором подвижный цилиндр предоставляется, чтобы управлять контактом наноструктурированной пленки с упомянутым чувствительным к излучению слоем.
32. Устройство по п. 31, в котором такой цилиндр подвергается давлению газа.
33. Устройство по п. 27, в котором упомянутая наноструктурированная пленка сконфигурирована для сдвига рулон за рулоном.
34. Устройство по п. 27, в котором упомянутая наноструктурированная пленка сконфигурирована для перемещения в замкнутом контуре.
RU2012134344/28A 2010-01-12 2011-01-07 Способ и устройство для формирования нанорисунка RU2012134344A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US33587710P 2010-01-12 2010-01-12
US61/335,877 2010-01-12
PCT/US2011/000029 WO2011087896A2 (en) 2010-01-12 2011-01-07 Nanopatterning method and apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2012134344A true RU2012134344A (ru) 2014-02-20

Family

ID=44304914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012134344/28A RU2012134344A (ru) 2010-01-12 2011-01-07 Способ и устройство для формирования нанорисунка

Country Status (9)

Country Link
EP (1) EP2524266A2 (ru)
JP (1) JP2013517625A (ru)
KR (1) KR101430849B1 (ru)
CN (1) CN102859441A (ru)
AU (1) AU2011205582A1 (ru)
CA (1) CA2786489A1 (ru)
MX (1) MX2012008072A (ru)
RU (1) RU2012134344A (ru)
WO (1) WO2011087896A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2574527C1 (ru) * 2014-07-29 2016-02-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет" Способ формирования полимерных шаблонов наноструктур разной геометрии

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9465296B2 (en) 2010-01-12 2016-10-11 Rolith, Inc. Nanopatterning method and apparatus
RU2544280C2 (ru) 2010-08-23 2015-03-20 Ролит, Инк. Маска для ближнепольной литографии и ее изготовление
WO2013158543A1 (en) * 2012-04-17 2013-10-24 The Regents Of The University Of Michigan Methods for making micro- and nano-scale conductive grids for transparent electrodes and polarizers by roll to roll optical lithography
TWI494537B (zh) * 2013-01-23 2015-08-01 Hitachi High Tech Corp A pattern measuring method, a device condition setting method of a charged particle beam device, and a charged particle beam device
CN103199268B (zh) * 2013-03-11 2016-02-03 中国科学院上海高等研究院 基于纳米压印技术的有序纳米结构膜、有序纳米结构膜电极的制备及应用
CN103268056A (zh) * 2013-05-10 2013-08-28 西安建筑科技大学 柔性掩膜板及其制备方法
CN103576447A (zh) * 2013-11-05 2014-02-12 无锡英普林纳米科技有限公司 一种含氟聚合物紫外纳米压印模板及其制备方法
KR101566263B1 (ko) * 2014-02-28 2015-11-05 연세대학교 산학협력단 초해상막 및 이를 이용한 리소그래피 방법
US9244356B1 (en) 2014-04-03 2016-01-26 Rolith, Inc. Transparent metal mesh and method of manufacture
WO2015183243A1 (en) 2014-05-27 2015-12-03 Rolith, Inc. Anti-counterfeiting features and methods of fabrication and detection
CN104698745B (zh) * 2015-02-11 2019-04-12 广州中国科学院先进技术研究所 一种尺寸可控制的纳米块制作方法
RU2725707C2 (ru) * 2015-11-03 2020-07-03 Материон Корпорейшн Фильтрующая решетка с уменьшенным рассеянием сфокусированного света
AU2018262130B2 (en) * 2017-05-03 2021-11-11 Nanotech Security Corp. Methods for micro and nano fabrication by selective template removal
TW202241687A (zh) 2017-05-25 2022-11-01 美商麥吉克利普公司 雙面壓印方法
US10890769B2 (en) 2017-10-26 2021-01-12 Magic Leap, Inc. Augmented reality display having liquid crystal variable focus element and roll-to-roll method and apparatus for forming the same
CN109901362B (zh) 2017-12-11 2022-04-19 中国科学院光电技术研究所 二次成像光学光刻方法和设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0467654U (ru) * 1990-10-24 1992-06-16
US6518189B1 (en) * 1995-11-15 2003-02-11 Regents Of The University Of Minnesota Method and apparatus for high density nanostructures
US6236033B1 (en) * 1998-12-09 2001-05-22 Nec Research Institute, Inc. Enhanced optical transmission apparatus utilizing metal films having apertures and periodic surface topography
JP2000241648A (ja) * 1999-02-17 2000-09-08 Sony Corp 光学部品の製造装置およびその製造方法ならびに光学部品
JP2005025860A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Ricoh Co Ltd 光プローブ及び光ピックアップ装置
JP2006133550A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Toshiba Corp 画像消去装置及び画像消去方法
JP4789039B2 (ja) * 2005-06-10 2011-10-05 独立行政法人産業技術総合研究所 ナノインプリント装置
JP2008116514A (ja) * 2006-10-31 2008-05-22 Mitsubishi Paper Mills Ltd 連続露光装置
JP4406452B2 (ja) * 2007-09-27 2010-01-27 株式会社日立製作所 ベルト状金型およびそれを用いたナノインプリント装置
CN105171985A (zh) * 2008-01-22 2015-12-23 罗利诗公司 大面积纳米图案化方法和设备
US8192920B2 (en) * 2008-04-26 2012-06-05 Rolith Inc. Lithography method
JP2009290504A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Kyocera Corp 携帯電子機器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2574527C1 (ru) * 2014-07-29 2016-02-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет" Способ формирования полимерных шаблонов наноструктур разной геометрии

Also Published As

Publication number Publication date
EP2524266A2 (en) 2012-11-21
CA2786489A1 (en) 2011-07-21
CN102859441A (zh) 2013-01-02
KR101430849B1 (ko) 2014-09-22
AU2011205582A1 (en) 2012-08-30
KR20120123413A (ko) 2012-11-08
WO2011087896A2 (en) 2011-07-21
JP2013517625A (ja) 2013-05-16
MX2012008072A (es) 2013-01-29
WO2011087896A3 (en) 2012-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012134344A (ru) Способ и устройство для формирования нанорисунка
RU2010134893A (ru) Способ и устройство нанесения нанорисунка на большие площади
US9465296B2 (en) Nanopatterning method and apparatus
JP6005117B2 (ja) 近接場リソグラフィのためのマスクの製造方法
KR20080000297A (ko) 광경화 타입 소수성 몰드 및 그 제조방법
US10969686B2 (en) Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby
TW200633791A (en) Method for fabricating nano-adhesive
JP2008293963A5 (ru)
TW200606179A (en) Material for forming resist protection film for liquid immersion lithography and method for forming resist pattern by using the protection film
WO2008059440A3 (en) Double patterning for lithography to increase feature spatial density
WO2013158543A1 (en) Methods for making micro- and nano-scale conductive grids for transparent electrodes and polarizers by roll to roll optical lithography
JP2008230232A (ja) モールド、モールドの製造方法、インプリント装置及びインプリント方法、インプリント方法を用いた構造体の製造方法
JP2016122684A5 (ru)
US8445166B2 (en) Fabrication method of lithography mask and formation method of fine pattern using the same
US20160356934A1 (en) Circular polarizer and fabricating method thereof, as well as display panel
JPWO2019232303A5 (ru)
Kobrin et al. Rolling mask nanolithography: the pathway to large area and low cost nanofabrication
Škriniarová et al. Periodic structures prepared by two-beam interference method
JP2015120611A5 (ru)
KR101751683B1 (ko) 고분자 나노 구조체의 제조 방법
TW200728929A (en) Exposure method of forming three dimensional lithographic pattern
Choi et al. Simultaneous fabrication of line defects-embedded periodic lattice by topographically assisted holographic lithography
JP4820883B2 (ja) 印刷版の製造方法及び製造装置
KR101416629B1 (ko) 미세 패턴을 갖는 제품의 제조 방법, 및 이에 의해 제조되는 제품
JP2018151531A5 (ru)

Legal Events

Date Code Title Description
HZ9A Changing address for correspondence with an applicant
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20150123