RU2010134893A - Способ и устройство нанесения нанорисунка на большие площади - Google Patents

Способ и устройство нанесения нанорисунка на большие площади Download PDF

Info

Publication number
RU2010134893A
RU2010134893A RU2010134893/28A RU2010134893A RU2010134893A RU 2010134893 A RU2010134893 A RU 2010134893A RU 2010134893/28 A RU2010134893/28 A RU 2010134893/28A RU 2010134893 A RU2010134893 A RU 2010134893A RU 2010134893 A RU2010134893 A RU 2010134893A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mask
radiation
substrate
cylinder
rotatable
Prior art date
Application number
RU2010134893/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2488188C2 (ru
Inventor
Борис КОБРИН (US)
Борис КОБРИН
Игорь ЛАНДАУ (US)
Игорь ЛАНДАУ
Борис ВОЛЬФ (US)
Борис ВОЛЬФ
Original Assignee
Ролит, Инк. (Us)
Ролит, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ролит, Инк. (Us), Ролит, Инк. filed Critical Ролит, Инк. (Us)
Publication of RU2010134893A publication Critical patent/RU2010134893A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2488188C2 publication Critical patent/RU2488188C2/ru

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/42—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
    • B29C33/424—Moulding surfaces provided with means for marking or patterning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60—Substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/24—Curved surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

1. Способ ближнеполевой нанолитографии, содержащий ! a) обеспечение подложки, имеющей слой, чувствительный к излучению, на поверхности упомянутой подложки, ! b) обеспечение вращаемой маски, имеющей нанорисунок на внешней поверхности упомянутой вращаемой маски, ! c) соприкосновение упомянутого нанорисунка с упомянутым слоем, чувствительным к излучению, на поверхности упомянутой подложки, ! d) распределение излучения через упомянутый нанорисунок при вращении упомянутой вращаемой маски по упомянутому слою, чувствительному к излучению, посредством чего создают изображение, имеющее размер элемента в диапазоне от менее чем 1 мкм ниже до около 1 нм в упомянутом слое, чувствительном к излучению. ! 2. Способ по п.1, в котором упомянутый размер элемента варьируется от около 100 нм ниже до около 10 нм. ! 3. Способ по п.1, в котором упомянутое излучение имеет длину волны 436 нм или менее. ! 4. Способ по п.1, в котором упомянутый нанорисунок является податливым нанорисунком, который согласуется с упомянутым слоем, чувствительным к излучению, на поверхности упомянутой подложки. ! 5. Способ по п.4, в котором упомянутый податливый нанорисунок является сформованным или наноструктурированным полимерным материалом. ! 6. Способ по п.3, в котором упомянутая вращаемая маска представляет собой фазосдвигающую маску, которая заставляет излучение формировать интерференционную картину в упомянутом слое, чувствительном к излучению. ! 7. Способ по п.3, в котором упомянутая маска использует поведение поверхностных плазмонов. ! 8. Способ по п.1, в котором упомянутая вращаемая маска представляет собой цилиндр. ! 9. Способ по п.8, в котором упомянутый цилиндр и

Claims (31)

1. Способ ближнеполевой нанолитографии, содержащий
a) обеспечение подложки, имеющей слой, чувствительный к излучению, на поверхности упомянутой подложки,
b) обеспечение вращаемой маски, имеющей нанорисунок на внешней поверхности упомянутой вращаемой маски,
c) соприкосновение упомянутого нанорисунка с упомянутым слоем, чувствительным к излучению, на поверхности упомянутой подложки,
d) распределение излучения через упомянутый нанорисунок при вращении упомянутой вращаемой маски по упомянутому слою, чувствительному к излучению, посредством чего создают изображение, имеющее размер элемента в диапазоне от менее чем 1 мкм ниже до около 1 нм в упомянутом слое, чувствительном к излучению.
2. Способ по п.1, в котором упомянутый размер элемента варьируется от около 100 нм ниже до около 10 нм.
3. Способ по п.1, в котором упомянутое излучение имеет длину волны 436 нм или менее.
4. Способ по п.1, в котором упомянутый нанорисунок является податливым нанорисунком, который согласуется с упомянутым слоем, чувствительным к излучению, на поверхности упомянутой подложки.
5. Способ по п.4, в котором упомянутый податливый нанорисунок является сформованным или наноструктурированным полимерным материалом.
6. Способ по п.3, в котором упомянутая вращаемая маска представляет собой фазосдвигающую маску, которая заставляет излучение формировать интерференционную картину в упомянутом слое, чувствительном к излучению.
7. Способ по п.3, в котором упомянутая маска использует поведение поверхностных плазмонов.
8. Способ по п.1, в котором упомянутая вращаемая маска представляет собой цилиндр.
9. Способ по п.8, в котором упомянутый цилиндр имеет гибкую стенку, благодаря чему упомянутая цилиндрическая форма может деформироваться при контакте с поверхностью упомянутой подложки.
10. Способ по п.9, в котором для заполнения упомянутого цилиндра используется оптически прозрачный газ.
11. Способ по п.3, в котором упомянутая вращаемая маска представляет собой прозрачный цилиндр, тем самым излучение может пропускаться из местоположения внутри упомянутого цилиндра.
12. Способ по п.11, в котором упомянутая маска представляет собой фазосдвигающую маску, которая присутствует в качестве рельефа на поверхности упомянутого прозрачного цилиндра.
13. Способ по п.11, в котором упомянутая маска представляет собой фазосдвигающую маску, которая присутствует на слое, нанесенном на поверхность упомянутого цилиндра.
14. Способ по п.13, в котором упомянутая фазосдвигающая маска состоит из множественных слоев, и на наружный слой нанесен рисунок для более точного представления предписанных размеров элементов в упомянутом светочувствительном слое.
15. Способ по п.8, в котором упомянутая подложка удерживается в динамическом контакте с упомянутым вращаемым цилиндром и перемещается в направлении к или от контактной поверхности упомянутого вращаемого цилиндра в ходе распределения излучения от упомянутой контактной поверхности упомянутого цилиндра.
16. Способ по п.8, в котором упомянутый цилиндр вращают на упомянутой подложке, когда упомянутая подложка неподвижна.
17. Способ по любому из пп.1-16, в котором множественные вращающиеся маски контактируют со слоем, чувствительным к излучению.
18. Способ по п.1, в котором упомянутая вращаемая маска и поверхность упомянутой подложки движутся независимо с использованием шагового двигателя и моторизованного механизма поступательного движения подложки, и в котором движение упомянутой вращаемой маски и поверхности упомянутой подложки синхронизированы друг с другом, тем самым достигается контактное экспонирование без проскальзывания упомянутого слоя, чувствительного к излучению.
19. Способ по п.1 или п.18, в котором жидкость подается к границе раздела между упомянутой вращаемой маской и поверхностью упомянутой подложки.
20. Устройство для осуществления ближнеполевой литографии, содержащее
a) вращаемую маску, имеющую нанорисунок на внешней поверхности упомянутой маски; и
b) источник излучения, который обеспечивает излучение с длиной волны 436 нм или менее от упомянутого нанорисунка, пока упомянутый нанорисунок находится в контакте с чувствительным к излучению слоем материала.
21. Устройство по п.20, в котором упомянутая вращаемая маска является прозрачной.
22. Устройство по п.21, в котором упомянутая вращаемая маска представляет собой фазосдвигающую маску.
23. Устройство по п.21, в котором упомянутая вращаемая маска использует излучение, генерируемое с использованием методов поверхностных плазмонов.
24. Устройство по п.22, в котором поверхность упомянут ой маски содержит металлический слой, включающий в себя наноотверстия.
25. Устройство по любому из пп.20-24, в котором упомянутая вращаемая маска представляет собой цилиндр.
26. Устройство по п.25, в котором упомянутый цилиндр представляет собой гибкий цилиндр.
27. Устройство по п.26, в котором упомянутый гибкий цилиндр заполнен оптически прозрачным газом.
28. Устройство по п.25, в котором множественные цилиндры присутствуют в конфигурации, так что упомянутые множественные цилиндры последовательно проходят по подложке.
29. Устройство по п.25, в котором присутствуют множественные цилиндры, и в котором цилиндр присутствует как на верхней стороне, так и на нижней стороне подложки, на которой упомянутое устройство создает изображение.
30. Устройство по п.29, в котором, по меньшей мере, один цилиндр, который пропускает излучение для изображения, присутствует как на верхней стороне, так и на нижней стороне подложки, на которой упомянутое устройство создает изображение.
31. Устройство по п.20, в котором вращаемая маска подвешена над упомянутой подложкой с помощью натяжного приспособления, которое можно регулировать для управления величиной силы, прилагаемой к поверхности в контакте с упомянутой вращаемой маской.
RU2010134893/28A 2008-01-22 2008-11-18 Способ и устройство нанесения нанорисунка на большие площади RU2488188C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US1186108P 2008-01-22 2008-01-22
US61/011,861 2008-01-22
PCT/US2008/012901 WO2009094009A1 (en) 2008-01-22 2008-11-18 Large area nanopatterning method and apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010134893A true RU2010134893A (ru) 2012-02-27
RU2488188C2 RU2488188C2 (ru) 2013-07-20

Family

ID=40901352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010134893/28A RU2488188C2 (ru) 2008-01-22 2008-11-18 Способ и устройство нанесения нанорисунка на большие площади

Country Status (10)

Country Link
EP (1) EP2238608A4 (ru)
JP (1) JP5102879B2 (ru)
KR (1) KR20110008159A (ru)
CN (2) CN105171985A (ru)
AU (1) AU2008348353A1 (ru)
CA (1) CA2709718A1 (ru)
MX (1) MX2010007954A (ru)
RU (1) RU2488188C2 (ru)
TW (1) TWI518027B (ru)
WO (1) WO2009094009A1 (ru)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2871366A1 (fr) 2004-06-09 2005-12-16 Ceravic Soc Par Actions Simpli Implant expansible prothetique osseux
WO2008153674A1 (en) 2007-06-09 2008-12-18 Boris Kobrin Method and apparatus for anisotropic etching
US8518633B2 (en) 2008-01-22 2013-08-27 Rolith Inc. Large area nanopatterning method and apparatus
US8192920B2 (en) 2008-04-26 2012-06-05 Rolith Inc. Lithography method
US8334217B2 (en) 2008-06-09 2012-12-18 Rolith Inc. Material deposition over template
CN101692151B (zh) * 2009-09-17 2011-12-28 复旦大学 一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线制作方法
US9465296B2 (en) * 2010-01-12 2016-10-11 Rolith, Inc. Nanopatterning method and apparatus
AU2011205582A1 (en) * 2010-01-12 2012-08-30 Rolith, Inc. Nanopatterning method and apparatus
CN101846880B (zh) * 2010-05-12 2012-05-30 上海交通大学 激发表面等离子体的纳米光刻方法
AT510217B1 (de) * 2010-08-13 2013-12-15 Hueck Folien Gmbh Verfahren zur partiellen mattierung von uv-lackschichten
EP2609467A4 (en) * 2010-08-23 2014-07-30 Rolith Inc MASK FOR NEAR FIELD LITHOGRAPHY AND ITS MANUFACTURE
US9187839B2 (en) * 2010-10-07 2015-11-17 Michael Sheehy Process for the manufacture of sealed anodized aluminum components
CN102169819B (zh) * 2011-01-14 2013-01-30 中国科学院物理研究所 一种制备纳米金属结构的方法
WO2013049367A2 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Rolith, Inc. Plasmonic lithography using phase mask
KR101260221B1 (ko) * 2011-12-01 2013-05-06 주식회사 엘지화학 마스크
US9720330B2 (en) * 2012-04-17 2017-08-01 The Regents Of The University Of Michigan Methods for making micro- and nano-scale conductive grids for transparent electrodes and polarizers by roll to roll optical lithography
KR102243425B1 (ko) * 2012-05-02 2021-04-22 메타머트리얼 테크놀러지스 유에스에이, 인크. 원통형 고분자 마스크 및 제작 방법
US9481112B2 (en) 2013-01-31 2016-11-01 Metamaterial Technologies Usa, Inc. Cylindrical master mold assembly for casting cylindrical masks
US20150336301A1 (en) 2012-05-02 2015-11-26 Rolith, Inc. Cylindrical polymer mask and method of fabrication
US9782917B2 (en) 2013-01-31 2017-10-10 Metamaterial Technologies Usa, Inc. Cylindrical master mold and method of fabrication
CN102759855A (zh) * 2012-07-17 2012-10-31 西安交通大学 一种单码道绝对式光栅尺辊压印模具制造方法
TWI474432B (zh) * 2012-11-15 2015-02-21 Lextar Electronics Corp 晶粒定位裝置、具有晶粒定位裝置的晶粒定位系統與發光二極體顯示板的晶粒定位方法
RU2593463C2 (ru) * 2013-12-23 2016-08-10 Станислав Викторович Хартов Способ получения проводящих сетчатых микро- и наноструктур и структура для его реализации
US9244356B1 (en) 2014-04-03 2016-01-26 Rolith, Inc. Transparent metal mesh and method of manufacture
KR101636696B1 (ko) 2014-05-23 2016-07-06 연세대학교 산학협력단 플렉서블 나노박막 광구조를 이용하는 가변 대면적 나노이미징 광학헤드 및 이미징 장치
WO2015183243A1 (en) 2014-05-27 2015-12-03 Rolith, Inc. Anti-counterfeiting features and methods of fabrication and detection
KR102252049B1 (ko) 2014-08-04 2021-05-18 삼성디스플레이 주식회사 노광용 마스크, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 기판의 제조 방법
KR102240761B1 (ko) 2015-01-29 2021-04-15 삼성디스플레이 주식회사 가변 마스크
WO2017030151A1 (ja) * 2015-08-19 2017-02-23 国立大学法人 東京大学 母型の製造方法
TWI579640B (zh) * 2015-10-15 2017-04-21 許銘案 薄膜光罩、貼合輔具、貼合與曝光輔助裝置及將一薄膜光罩貼合於一曲面基板的方法
CN106773531B (zh) * 2017-01-03 2020-06-16 京东方科技集团股份有限公司 一种纳米压印装置中的压印滚轮及纳米压印装置
CN106547044B (zh) * 2017-01-24 2019-03-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种偏光片的加工设备及制造方法
CN106647192A (zh) * 2017-03-10 2017-05-10 深圳市华星光电技术有限公司 曝光设备
CN109390263A (zh) * 2017-08-07 2019-02-26 财团法人工业技术研究院 元件扩距转移方法及实施此转移方法的设备
CN109901362B (zh) 2017-12-11 2022-04-19 中国科学院光电技术研究所 二次成像光学光刻方法和设备
EP3732047A4 (en) * 2017-12-29 2021-09-29 3M Innovative Properties Company PATTERNED NON-FLAT NANOSTRUCTURED SURFACE AND PRINTING PROCESSES TO PRODUCE SUCH SURFACE
KR102096606B1 (ko) * 2018-08-29 2020-04-02 부산대학교 산학협력단 실린더 표면의 나노구조 임프린트를 위한 소프트 몰드 제조 및 이를 이용한 나노임프린트 공정 방법
GB2576922B (en) * 2018-09-06 2021-10-27 Stensborg As An optical engine for an imprinter
CN109668631B (zh) * 2018-12-11 2021-06-01 中国科学院光电技术研究所 一种大面积、低成本的超导纳米线单光子探测器的制备方法
TWI765276B (zh) * 2020-06-12 2022-05-21 光群雷射科技股份有限公司 透鏡的轉印式製造方法及透鏡轉印層的製造方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59200419A (ja) * 1983-04-28 1984-11-13 Toshiba Corp 大面積露光装置
DE69405451T2 (de) * 1993-03-16 1998-03-12 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines strukturierten Reliefbildes aus vernetztem Photoresist auf einer flachen Substratoberfläche
AU7377996A (en) * 1995-09-29 1997-04-17 Sage Technology, Incorporated Optical digital media recording and reproduction system
US5865978A (en) * 1997-05-09 1999-02-02 Cohen; Adam E. Near-field photolithographic masks and photolithography; nanoscale patterning techniques; apparatus and method therefor
US5928815A (en) * 1997-11-14 1999-07-27 Martin; Joseph Proximity masking device for near-field optical lithography
DE19826971C2 (de) * 1998-06-18 2002-03-14 Reiner Goetzen Verfahren zum mechanischen und elektrischen Verbinden von Systembauteilen
US20030129545A1 (en) * 2001-06-29 2003-07-10 Kik Pieter G Method and apparatus for use of plasmon printing in near-field lithography
US7144539B2 (en) * 2002-04-04 2006-12-05 Obducat Ab Imprint method and device
DE10217151A1 (de) * 2002-04-17 2003-10-30 Clariant Gmbh Nanoimprint-Resist
RU2214359C1 (ru) * 2002-09-05 2003-10-20 Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (технический университет) Способ формирования решетки нанокластеров кремния на структурированной подложке
CA2513127C (en) * 2003-01-17 2010-03-30 Reiner Goetzen Method for producing microsystems
JP4572406B2 (ja) * 2004-04-16 2010-11-04 独立行政法人理化学研究所 リソグラフィーマスク
CN100492588C (zh) * 2004-05-21 2009-05-27 Jsr株式会社 浸液曝光用液体以及浸液曝光方法
JP2006013216A (ja) * 2004-06-28 2006-01-12 Canon Inc 近接場露光によるレジストパターンの形成方法、及び該レジストパターンの形成方法を用いた基板の加工方法、デバイスの作製方法
JP2006073784A (ja) * 2004-09-02 2006-03-16 Ricoh Co Ltd フォトマスク、露光装置及び露光方法
JP4674105B2 (ja) * 2005-03-25 2011-04-20 独立行政法人科学技術振興機構 回路パターン転写装置及び方法
JP4246174B2 (ja) * 2005-04-01 2009-04-02 独立行政法人科学技術振興機構 ナノインプリント方法及び装置
US7274998B2 (en) * 2005-09-30 2007-09-25 Intel Corporation Near-field photo-lithography using nano light emitting diodes
US20070116831A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-24 The Coca-Cola Company Dental Composition with High-Potency Sweetener
US20070138699A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20070200276A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-30 Micron Technology, Inc. Method for rapid printing of near-field and imprint lithographic features
JP2007329214A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Canon Inc 近接場露光方法
JP2008021869A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Ricoh Co Ltd プラズモン共鳴リソグラフィおよびリソグラム
JP5570688B2 (ja) * 2007-06-28 2014-08-13 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 微細レジストパターン形成方法及びナノインプリントモールド構造
JP4406452B2 (ja) * 2007-09-27 2010-01-27 株式会社日立製作所 ベルト状金型およびそれを用いたナノインプリント装置

Also Published As

Publication number Publication date
MX2010007954A (es) 2010-11-05
RU2488188C2 (ru) 2013-07-20
CN105171985A (zh) 2015-12-23
CN101911249A (zh) 2010-12-08
EP2238608A4 (en) 2012-02-22
TWI518027B (zh) 2016-01-21
KR20110008159A (ko) 2011-01-26
AU2008348353A1 (en) 2009-07-30
JP5102879B2 (ja) 2012-12-19
CA2709718A1 (en) 2009-07-30
WO2009094009A1 (en) 2009-07-30
TW200932666A (en) 2009-08-01
EP2238608A1 (en) 2010-10-13
JP2011526069A (ja) 2011-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010134893A (ru) Способ и устройство нанесения нанорисунка на большие площади
RU2544280C2 (ru) Маска для ближнепольной литографии и ее изготовление
US9465296B2 (en) Nanopatterning method and apparatus
RU2012134344A (ru) Способ и устройство для формирования нанорисунка
US8318386B2 (en) Fabrication of nanostructured devices
JP5316132B2 (ja) ナノインプリント用モールド
US9766551B2 (en) Heat actuated and projected lithography systems and methods
US20120282554A1 (en) Large area nanopatterning method and apparatus
JP2017520441A (ja) セキュリティエレメント及び光散乱構造を有するセキュリティエレメントを製造する方法
US9804494B2 (en) Method for creating topographical patterns in polymers via surface energy patterned films and the marangoni effect
US20120176588A1 (en) Immersion Lithography Apparatus and Tank Thereof
US20140202986A1 (en) High aspect ratio patterning using near-field optical lithography with top surface imaging
Oda et al. Photoreactive chemisorbed monolayer suppressing polymer dewetting in thermal nanoimprint lithography
JP5733338B2 (ja) ナノインプリント用モールドの製造方法
Rumler et al. One-step fabrication of hierarchical structures
JPH02204748A (ja) 平版印刷版

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20161119