MÉTODO Y APARATO DE NANOMODELADO DE ÁREAS GRANDES
CAMPO DE LA INVENCIÓN Las modalidades de la invención se refieren a métodos de nanomodelado que se pueden usar para modelar substratos grandes o substratos tal como películas que se pueden vender como artículos enrollados. Otras modalidades de la invención se refieren a un aparato que se puede usar para modelar substratos, y que se puede usar para llevar a cabo las modalidades de método, incluyendo la clase descrita. ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN Esta sección describe la materia antecedente relacionada a las modalidades descritas de la presente invención. No hay intención, ni se expresa ni se implica, que la técnica antecedente analizada en esta sección constituya legalmente técnica anterior. La nanoestructuración es necesaria para muchas aplicaciones e industrias actuales y para nuevas tecnologías que están bajo desarrollo. Se pueden lograr mejoras en la eficiencia para aplicaciones actuales en áreas tal como celdas solares y LED, y en los dispositivos de almacenamiento de datos de siguiente generación, a manera de ejemplo y no a manera de limitación. Se pueden fabricar substratos nanoestructurados
usando técnica tal como escritura directa con haz electrónico, litografía con luz UV intensa, litografía con nanoesferas, litografía de nanoimpresion, litografía de cambio de fase de campo próximo, y litografía plasmónica, a manera de ejemplo. La Litografía de Nanoimpresion (NIL) crea patrones por deformación mecánica de una sustancia protectora de impresión, seguido por procesamiento subsiguiente. La sustancia protectora de impresión es típicamente una formulación monomérica o polimérica que se cura por calor o por luz UV durante la impresión. Existen diversas variaciones de la NIL. Sin embargo, dos de los procesos parecen ser los más importantes. Estos son Litografía de Nanoimpresion Termoplástica (TNIL) y Litografía de Nanoimpresion de Escala y Flash (SFIL) . La TNIL es la litografía de nanoimpresion más antigua y más madura. En un proceso normal de TNIL, se reviste de manera giratoria una capa delgada de sustancia protectora de impresión (un polímero termoplástico) sobre un substrato de muestra. Entonces un molde, que tiene patrones topológicos predefinidos, se pone en contacto con la muestra, y se presiona contra la muestra bajo una presión determinada. Cuando se calienta por arriba de la temperatura de transición vitrea del polímero termoplástico, el patrón o modelo en el
molde se presiona en la masa fundida de la película de polímero termoplástico . Después de que se enfría la muestra con el molde imprimido, el molde se separa de la muestra y la sustancia protectora de impresión se deja en la superficie de substrato de muestra. El patrón no pasa a través de la sustancia protectora de impresión; hay un espesor residual de película de polímero termoplástico sin cambio que permanece en la superficie del substrato de muestra. Un proceso de transferencia de patrón o modelo, tal como grabado iónico reactivo, se puede usar para transferir el patrón en la sustancia protectora al substrato subyacente. La variación en el espesor residual de la película sin alterar del polímero termoplástico presenta un problema con respecto a la uniformidad y optimización del proceso de grabado usado para transferir el patrón al substrato. En el proceso de SFIL, se aplica una sustancia protectora, líquida, curable con UV l substrato de muestra y el molde se produce de un substrato transparente, tal como sílice fusionada. Después de que se presionan conjuntamente el molde y el substrato de muestra, se cura la sustancia protectora usando luz UV, y llega a ser sólida. Después de la separación del molde del material curado de sustancia protectora, se puede usar un patrón similar a aquel usado en TNIL para transferir el patrón al substrato de muestra
subyacente. Existen varios retos tanto con los proceso de SFIL como TNIL, que incluyen duración de la plantilla, proporción de rendimiento, tolerancias de la capa de impresión, y control dimensional crítico durante la transferencia del patrón al substrato subyacente. La capa residual no impresa que permanece después del proceso de impresión requiere un paso adicional de grabado antes del grabado principal de transferencia de patrón. La NIL de campo individual tiene dificultad en el control de la uniformidad de un patrón reproducidos sobre un substrato de gran área superficial, debido a los problemas en mantener una presión uniformes sobre áreas grandes. Un método de escala y repetición puede cubrir potencialmente áreas grandes, pero la microestructura formada en cada escala es independiente de las otras escalas, y es un problema a la formación de un micro-o nano-estructura sin costura sobre un área grande sin costura. Se presenta un error de costura cuando no se alinean de manera apropiada las transferencias repetidas de patrón . Si se puede obtener una superficie de rodillo uniformemente modelada, puede ser posible el procesamiento de rodillo a rodillo. En una publicación de patente japonesa no examinada No. 59200419A, publicada el 13 de Noviembre de 1984, titulada "Large Area Exposure Apparatus" , Toshio Aoki
et al., describieron el uso de un tambor cilindrico transparente que puede girar y trasladarse con una fuente interna de luz y una película de material de fotomáscara modelada, unido al exterior del tambor cilindrico. Una película de un material reflexivo, térmico, transparente está presente en el interior del tambor. Un substrato con una película de aluminio en su superficie y una sustancia fotoprotectora que cubre la película de aluminio se pone en contacto con la fotomáscara modelada en la superficie del tambor y se hace pasar luz formadora de imágenes a través de la fotomáscara para formar en imagen la sustancia fotoprotectora en la superficie de la película de aluminio. La sustancia fotoprotectora se revela de manera subsiguiente, para proporcionar una sustancia fotoprotectora, modelada. La sustancia fotoprotectora modelada entonces se usa como una máscara de grabado para una película de aluminio presente en el substrato. No hay descripción con respecto a las clases de materiales que se usaron como una película de fotomáscara o como una sustancia fotoprotectora en la superficie de la película de aluminio. Se usó una fuente de luz de lámpara de mercurio de alta presión (500 W) para formar en imagen la sustancia fotoprotectora que cubre la película de aluminio. Se produjeron substratos de vidrio de aproximadamente 210 mm
(8.3 pulgadas) x 150 mm (5.9 pulgadas) y de aproximadamente 0.2 mm (0.008 pulgadas) de grueso usando el aparato de transferencia de patrón de tambor cilindrico. El tamaño característico del patrón transferido usando la técnica fue de aproximadamente 500 ym2, que fue aparentemente un cuadrado que tiene una dimensión de aproximadamente 22.2 ym x 22.2 ym. Este tamaño característico se basó en el tamaño aproximado de píxel de una pantalla de LCD en el momento en que se presentó la solicitud de patente en 1984. La película de fotomáscara en el exterior del tambor cilindrico se dice que duró para aproximadamente 140,000 transferencias de patrón. El esquema de litografía de contacto, usado por; Toshio Aoki et al., no es capaz de producir características sub-micrónicas . Tapio Makela et al., de VTT, un centro de investigación técnica en Finlandia, ha publicado información a cerca de una herramienta de impresión de rodillo a rodillo, a escala de laboratorio, construida por encargo, dedicada a fabricar estructuras submicrónicas con alto rendimiento. Hitachi y otros han desarrollado una máquina prototipo de NIL de rodillo a rodillo o de lámina, y han demostrado la capacidad de procesar láminas de 15 metros de largo. El objetivo ha sido crear un proceso continuo de impresión que use moldeo por banda (moldes chapeados con níquel) para imprimir láminas de poliestireno para aplicaciones de
geometría grande tal como membranas para celdas de combustible, baterías y posiblemente pantallas. Actualmente, las herramientas prototipo no ofrecen un rendimiento deseable. Además, existe la necesidad de mejorar la conflabilidad y capacidad de repetición con respecto a la superficie impresa. Toshiba también ha publicado información a cerca de la herramienta de impresión por UV de rodillo a rodillo que se dice que produce tamaños característicos de sub-micrones . La técnica de litografía de nanoimpresión, que incluye la NIL de rodillo a rodillo aún debe superar varios retos. Se pueden producir defectos por relleno incompleto de patrones negativos y el fenómeno de encogimiento que frecuentemente se presenta con respecto a materiales poliméricos. La diferencia en los coeficientes de expansión térmica entre el molde y el substrato provocan tensión lateral, y la tensión se concentra en la esquina del patrón. La tensión induce defectos y provoca defectos por fractura en la parte base del patrón durante el paso de liberación del molde. Además, el espesor no uniforme de la capa residual no impresa que permanece después del proceso de impresión es particularmente negativo en términos de obtener un patrón uniformemente grabado en un substrato de área grande por debajo de la capa impresa de sustancia protectora.
La litografía blanda es una alternativa a la fotolitografía como un método de micro- y nano-fabricación. Esta tecnología se refiere al moldeo de reproducción de monocapas de auto-montaje. En la litografía blanda se usa un sello elastomérico con estructuras modeladas en relieve en su superficie para generar patrones y estructuras con tamaños característicos que varían desde 30 nm a 100 nm. La técnica más promisoria de litografía blanda es impresión de microcontacto (yCP) con monocapas auto-montadas (SAMS) . El proceso básico de yCP incluye: 1. Se sumerge un molde de polidimetilsiloxano (PD S) en una solución de un material específico, donde el material específico es capaz de formar una monocapa auto-montada (SAM) . Estos materiales específicos se pueden referir como una tinta. El material específico se adhiere a un patrón sobresaliente en la superficie principal de PDMS. 2. El molde de PDMS, con la superficie revestida con material, que da hacia abajo, se pone en contacto con una superficie de un substrato revestido con metal tal como oro o plata, de modo que solo el patrón en la superficie del molde de PDMS hace contacto con el substrato revestido con metal. 3. El material específico forma una unión química con el metal, de modo que solo el material específico que está en la superficie del patrón sobresaliente permanece aún en la superficie revestida con metal después de la remoción del
molde de PDMS. El material específico forma una SAN en el substrato revestido con metal que se extiende sobre la superficie revestida con metal aproximadamente de uno a dos nanómetros (tal como la tinta en una pieza de papel) . 4. El molde de PDMS se remueve de la superficie revestida con metal del substrato, dejando la SAM modelada en la superficie revestida con metal . Los materiales específicos bien establecidos para formar las SAM en superficies revestidas con oro o plata son los alcanotiolatos . Cuando la superficie del substrato contiene porciones terminadas en hidroxilo tal como Si/Si02, A1/A1203, vidrio, mica, y polímeros tratados con plasma, los alquilsiloxanos trabajan bien como los materiales específicos. Con respecto a los alcanotiolatos, la yCP de hexadecanotiol en películas delgadas evaporadas (10 - 200 nm de grueso) de oro o plata parecen ser el proceso más reproducible . En tanto que estos son los materiales mejor conocidos para llevar a cabo la formación de patrones, el oro y la plata no son compatibles con los dispositivos microelectrónicos basados en tecnología de silicio, aunque se pueden usar electrodos o alambres conductores que contienen oro o plata. Actualmente, la µCP para SA S de síloxanos en superficies de Si/Si02 no son tan tratables como las SAMS de los alcanotiolatos en oro o plata. Las SAMS de siloxanos en
Si/Si02 proporcionan frecuentemente SAM desordenadas, y en algunos casos generan submonocapas o multicapas. Finalmente, los moldes modelados disponibles para pCP son superficies de "sellos" planas, y la impresión reproducible y confiable en áreas grandes no solo requiere costura muy exacta del patrón impreso del molde, sino también requiere humectación constante del sello con el material específico que forma la SAM, que es bastante problemático. Algunas técnicas novedosas de litografía óptica, basadas en efectos evanescentes de campo próximo han demostrado ya ventajas en la impresión de estructuras de sub-100 nm aunque sólo en áreas pequeñas. La litografía de cambio de fase de campo próximo NFPSL comprende la exposición de una capa de sustancia fotoprotectora a luz ultravioleta (UV) que pasa a través de una máscara de fase elastomérica en tanto que la máscara está en contacto conformado con una sustancia fotoprotectora . La puesta en contacto de una máscara de fase elastomérica con una capa delgada de sustancia fotoprotectora provoca que la sustancia fotoprotectora "humedezca" la superficie de la superficie de contacto de la máscara. El paso de luz UV a través de la máscara en tanto que está en contacto con la sustancia fotoprotectora expone a la sustancia fotoprotectora a la distribución de intensidad de luz que se desarrolla en la superficie de la máscara. En el
caso de una máscara con una profundidad de relieve que se diseña para modular la fase de la luz transmitida por p, a parece un nulo local en la intensidad en el borde gradual de relieve. Cuando se usa una sustancia fotoprotectora positiva, la exposición a través de esta máscara, seguido por el revelado, produce una línea de sustancia fotoprotectora con un ancho igual al ancho característico del nulo en intensidad. Para la luz de 365 nm (Cerca de UV) en combinación con una sustancia fotoprotectora convencional, el ancho del nulo en intensidad es aproximadamente 100 nm. Se puede usar una máscara de PDMS para formar un contacto conformado a escala atómica con una capa sólida, plana de sustancia fotoprotectora . Este contacto se establece espontáneamente en el contacto, sin presión aplicada. Las fuerzas generalizadas de adición guían este proceso y proporcionan un método simple y conveniente para alinear la máscara en un ángulo y posición en la dirección normal a la superficie de la sustancia fotoprotectora, para establecer un contacto perfecto. No hay separación física con respecto a la sustancia fotoprotectora . El PDMS es transparente a luz UV con longitudes de onda mayores de 300 nm. El paso de la luz desde una lámpara de mercurio (donde las líneas espectrales principales están en 355 - 365 nm) a través del PDMS en tanto que está en contacto conformado con una capa de sustancia
fotoprotectora expone a la sustancia fotoprotectora a la distribución de intensidad que se forma en la máscara . Yasuhisa Inao, en una presentación titulada "Near-Field Lithography as a prototype nano-fabrication tool" , en la 32ava Conferencia Internacional de Micro y Nano- Ingeniería en 2006, describió una nanolitografía de campo próximo de escala y repetición, desarrollada por Canon, Inc., se usa la litografía de campo próximo (NFL) , donde la distancia entre una máscara y la sustancia fotoprotectora a la cual se va a transferir un patrón están tan cerca como sea posible. La distancia inicial entre la máscara y un substrato de oblea se ajustó a aproximadamente 50 pm. La técnica de modelado se describió como un "proceso de sustancia fotoprotectora de tres capas" , que usa una sustancia fotoprotectora muy delgada. Se unió una máscara de transferencia de patrón al fondo de un recipiente de presión y se presurizó para lograr un "contacto físico perfecto" entre la máscara y la superficie de la oblea. La máscara se "deformó para ajustarse a la oblea". La distancia inicial de 50 ym entre la máscara y la oblea se dice que permite el movimiento de la máscara a otra posición para exposición y el modelado de áreas mayores de 5 mm x 5mm. El sistema de modelado hizo uso de radiación i -línea (365 nm) de una lámpara de mercurio como una fuente
de luz. Se logró un modelado exitoso de una oblea de silicio de 4 pulgadas (10.16 centímetros) con estructuras más pequeñas que 50 nm, por este método de escala y repetición . En un artículo titulado "Large-area patterning of
50 nm structures on flexible substrates using near-field 193 nm radiation" , JVST B 21 (2002), en las páginas 78 - 81, Kunz et al., aplicaron litografía de máscara de cambio de fase de campo próximo al nanomodelado de láminas flexibles (Películas de poliimida) usando máscaras de sílice, fusionadas, rígidas y exposición intensa con longitudes de onda de UV. En un artículo subsiguiente titulado "Experimental and computational studies of phase shift lithography with binary elastomeric masks" , JVST B 24(2) (2006) en las páginas 828 -835, María et al., presentan estudios experimentales y computacionales de una técnica fotolitográfica de cambio de fase que usa máscaras de fase elastomérica binaria en contacto conformado con capas de sustancia fotoprotectora . El trabajo incorpora máscaras utilizadas formadas al moldear y curar prepolímeros al elastomero poli (dimetilsiloxano) contra estructuras anisotrópicamente grabadas de silicio de cristal individual en Si02/Si. Los autores reportan la capacidad de usar la máscara de fase de PDMS para formar características de la sustancia protectora en la geometría completa del
relieve en la máscara. La patente de los Estados Unidos No. 6,753,131 de Rogers et al, emitida el 22 de Junio del 2004, titulada "Transparent Elastomeric, Contact-Mode Photolithography Mask, Sensor, and Wavefront Engineering Element", describe una máscara de fase de fotolitografía de modo de contacto que incluye una superficie de difracción que tiene una pluralidad de hendiduras y salientes. Las salientes se ponen en contacto con una superficie de una sustancia fotoprotectora positiva, en la superficie se expone a radiación electromagnética a través de la máscara de cambio de fase. El cambio de fase debido a la radiación que pasa a través de las hendiduras como a lo opuesto a las salientes es esencialmente completo. De este modo se producen mínimos en intensidad de radiación electromagnética en los límites entre las hendiduras y las salientes. La máscara elastomérica se ajusta bien a la superficie de la sustancia fotoprotectora, y después del revelado de la sustancia fotoprotectora, se pueden obtener características por rasgos menores de 100 nm. (Resumen) En una modalidad, se usan placas reflexivas exteriores al substrato y la máscara de contacto, de modo que la radiación rebotará a una ubicación deseada .en el cambio de fase. En otra modalidad, el substrato se puede formar de una manera que provoca una deformación de la máscara de cambio de fase,
afectando el comportamiento de la máscara de cambio de fase durante la exposición. La publicación de solicitud de patente de los Estados Unidos No. U.S. 2006/0286488, de Rogers et al., publicada el 21 de Diciembre de 2006, titulada " ethods And Devices For Fabricating Three-Dimensional Nanoscale Structures" , describe métodos para fabricar estructuras 3-D en superficies de substrato. Las estructuras 3-D se pueden generar usando una máscara de fase elastomérica, conformable de contacto conformado con un material sensible a radiación que se somete a fotoprocesamiento (para producir las estructuras 3-D) . Las estructuras 3D no pueden extenderse completamente a través del material sensible a radiación. (Resumen) La Litografía de Plasmón Superficial de Campo
Próximo (NFSPL) hace uso de excitación de campo próximo para inducir cambios fotoquímicos o fotofísicos para producir nanoestructuras . La técnica de campo próximo principal se basa en el mejoramiento de campo local alrededor de las nanoestructuras metálicas cuando se ilumina a la frecuencia de resonancia de plasmón superficial. La impresión por plasmón consiste del uso de ondas evanescentes guiadas por plasmón a través de nanoestructuras metálicas para producir cambios fotoquímicos y fotofísicos en una capa por debajo de
la estructura metálica. En particular, la exposición visible (? = 410 nm) de las nanopartículas de plata en proximidad cercana a una película delgada de una sustancia fotoprotectora de g-línea (AZ-1813 disponible de AZ-Electronic Materials, MicroChemicals GmbH, Ulm, Alemania) puede producir áreas selectivamente expuestas con un diámetro más pequeño que ?/20. W. Srituravanich et al., en un artículo titulado "Plasmonic Nanolithography" , Nanoletters V4 , N6 (2004), pp. 1085 - 1088, describe el uso de luz casi UV (? = 230 nm - 350 nm) para excitar SP en un substrato metálico, para mejorar la transmisión a través de las aberturas periódicas de sub-longitud de onda con longitudes de onda efectivamente más cortas en comparación a la longitud de onda de la luz de excitación. Una máscara plasmónica diseñada para litografía en el intervalo UV está compuesta de una capa de aluminio perforada con arreglos de agujeros periódicos bi-dimensionales y dos capas dieléctricas circundantes, una en cada lado. Se elige aluminio puesto que puede excitar los SP en el intervalo UV. Se emplea cuarzo como el substrato de soporte de máscara, con una capa separadora de poli(metil-metacrilato) que actúa como adhesivo para la hoja de aluminio y como un dieléctrico entre aluminio y el cuarzo. Se usa poli (metil-metacrilato) en combinación con cuarzo debido a su transparencia a luz UV a la longitud de onda de exposición
(i-línea a 365 nm) y constantes dieléctricas comparables (2.18 y 2.30, cuarzo y PMMA, respectivamente). Un patrón de arreglo de puntos de sub-100 nm en un período de 170 nm se ha generado exitosamente usando una radiación de exposición con longitud de onda de 365 nm. Aparentemente, el área total de modelado fue aproximadamente 5 pm x 5 µp?, sin cuestiones de escalabilidad analizadas en el artículo. No parece que un método de impresión (térmico o curado por UV) o de litografía blanda que use impresión con materiales de SAM sean procesos altamente manufacturables . En general, el método de impresión crea de formación de material de substrato debido al tratamiento térmico (NIL térmica, a manera de ejemplo) o encogimiento de las características de los patrones en la curación del polímero (características o rasgos poliméricos curados por UV) . Además, debido a la aplicación de presión (contacto duro) entre un sello y un substrato, son esencialmente inevitables los defectos, y un sello tiene muy limitada duración. La litografía blanda tiene la ventaja que es tecnología de impresión térmica y libre de esfuerzo. Sin embargo, el uso de una SAM como una "tinta" para un patrón de sub-100 nm es muy problemático debido al desplazamiento de las moléculas sobre la superficie, y no se ha probado de manera experimental la aplicación sobre áreas grandes .
SUMARIO DE LA INVENCIÓN Las modalidades de la invención se refiere a métodos y aparatos útiles en el nanomodelado de substratos de área grande que varían desde aproximadamente 200 mm2 a aproximadamente 1,000,000 mm2, a manera de ejemplo y no a manera de limitación. En algunos casos, el substrato puede ser una película que tiene un ancho determinado y una longitud indefinida, que se vende en un rollo. La técnica de nanomodelado hace uso de la fotolitografía de UV de Campo Próximo, donde la máscara usada para modelar el substrato está en contacto dinámico o en proximidad muy cercana (en el campo evanescente, menos de 100 nm) del substrato. La fotolitografía de Campo Próximo puede incluir una máscara de cambio de fase o tecnología de plasmón superficial. El tamaño de las características o rasgos, obtenible usando lo métodos descritos, varía desde aproximadamente 1 µp? hasta abajo hasta aproximadamente 1 nm, y varía frecuentemente desde aproximadamente 100 nm a abajo a aproximadamente 10 nm. En una modalidad, el aparato de exposición que incluye una máscara de cambio de fase en la forma de una máscara giratoria transparente a UV que tiene relieve específico de cambio de fase en su superficie exterior. En otra modalidad de la tecnología de máscara de cambio de fase, la máscara giratoria, transparente, que es típicamente un
cilindro, puede tener una película polimérica que es la máscara de cambio de fase, y la máscara se une a la superficie exterior del cilindro. Cuando es difícil obtener un contacto bueno y uniforme con la superficie del substrato, especialmente para áreas grandes de procesamiento, es ventajoso hacer que la película polimérica sea una película polimérica, elastomérica, conformada tal como P DS, que hace contacto conformado excelente con el substrato a través de fuerzas de Van-der aals. La máscara de cambio de fase de película polimérica puede consistir de múltiples capas, donde la capa exterior se nanomodela para representar de manera más precisa las dimensiones prescritas de las características . o rasgos en una capa sensible a radiación (fotosensibles) . Otra modalidad del aparato de exposición emplea un material de fotomáscara elastomérica, blanda, tal como una película de PDMS, que tiene características no transparentes fabricadas en una de sus superficies, que se une a la superficie exterior del cilindro. Estas características pueden ser características crómicas producidas en la película de PDMS usando una de las técnicas litográficas conocidas en la técnica. En una modalidad del aparato de exposición que incluye tecnología de plasmón superficial, una capa o película metálica se lamina o deposita en la superficie
exterior de la máscara giratoria, que es típicamente un cilindro transparente. La capa o película metálica tiene una serie específica de nanoagujeros de paso. En otra modalidad de tecnología de plasmón superficial, se deposita una capa de nanopartículas metálicas en la superficie exterior de la máscara giratoria transparente, para lograr el nanomodelado mejorado por plasmón superficial. Se proporciona una fuente de radiación, interior al cilindro transparente. Por ejemplo, y no a manera de limitación, se puede instalar una lámpara UV, interior del cilindro. En la alternativa, la fuente de radiación se puede colocar fuera del cilindro, con la luz desde la fuente de radiación que se conduce al interior del cilindro a través de uno o ambos extremos del cilindro. La radiación se puede dirigir desde el exterior del cilindro o dentro del cilindro hacia áreas particulares dentro del interior del cilindro usando un sistema óptico que incluye espejos, lentes, o combinaciones de los mismos, a manera de ejemplo. La radiación presente dentro del cilindro se puede dirigir hacia el área de contacto del substrato de máscara usando una rejilla óptica. La radiación se puede dirigir hacia el área de substrato de máscara (acopladas) a través de un guía ondas con una rejilla. El guía ondas o rejilla se coloca típicamente dentro del cilindro, para redirigir la radiación hacia las áreas de contacto entre la superficie
exterior del cilindro y la superficie del substrato que se va a formar en imágenes . En una modalidad especializada de una fuente de luz de radiación, se puede unir una pantalla flexible de OLED alrededor del exterior de la máscara giratoria, para emitir luz desde cada uno de los pixeles hacia el substrato. En este caso, la máscara giratoria no necesita ser transparente. Además, el patrón o modelo particular que se va a transferir a un material sensible a radiación en la superficie del substrato se puede generar dependiendo de la aplicación, a través del control de la luz emitida desde el OLED. El patrón o modelo que se va a transferir se puede cambiar "al vuelo" sin la necesidad de apagar la línea de fabricación. Para proporcionar un alto rendimiento de transferencia de patrones a un material sensible a radiación, y para incrementar la cantidad de área superficial nanomodelada, es útil mover el substrato o la máscara giratoria, tal como un cilindro, uno contra otro, el cilindro se hace girar sobre la superficie del substrato cuanto el substrato está estático o el substrato se mueve hacia el cilindro. En tanto que está estático el cilindro. Por las razones analizadas más adelante, hay ventajas en mover el substrato hacia el cilindro. Es importante ser capaces de controlar la cantidad
de fuerza que se presenta en la línea de contacto entre el cilindro y el material sensible a radiación en la superficie del substrato (por ejemplo, la línea de contacto entre una película nanomodelada elastomérica presente en la superficie del cilindro y una sustancia fotoprotectora en la superficie del substrato) . Para controlar esta línea de contacto, el cilindro se puede soportar por un dispositivo tensor, tal como por ejemplo, muelles que compensan el peso del cilindro. El substrato o cilindro o ambos) se mueven (hacia arriba y hacia abajo) uno hacia a otro de modo que se reduzca la separación entre las superficies, hasta que se haga contacto entre la superficie del cilindro y el material sensible a radiación (la película nanomodelada elastomérica y la sustancia fotoprotectora en la superficie del substrato, a manera de ejemplo). La película nanomodelada elastomérica creará un enlace con una sustancia fotoprotectora mediante fuerzas de Van-der Walls. La posición del substrato entonces se mueve de regreso (hacia abajo) en una posición en la cual se alargan los muelles, pero la película nanomodelada elastomérica permanece en contacto con la sustancia fotoprotectora . El substrato entonces se puede mover hacia el cilindro, forzando a girar al cilindro, que mantiene un contacto dinámico entre la película nanomodelada, elastomérica y la sustancia fotoprotectora en la superficie
del substrato, de manera alternativa, el cilindro se puede hacer girar y el substrato se puede mover de manera independiente, pero en un movimiento sincrónico, que asegurará un contacto libre de deslizamiento durante la exposición dinámica. Se pueden combinar múltiples cilindros en un sistema y arreglar para exponer la superficie sensible a radiación del substrato en un modo secuencial, para proporcionar doble, triple y múltiple modelado de la superficie del substrato. Esta técnica de exposición se puede usar para proporcionar mayor resolución. Las posiciones relativas de los cilindros se pueden controlar por interferómetro de un sistema apropiado de control computarizado'. En otra modalidad, la dosis de exposición puede afectar la litografía, de modo que se puede cambiar una litografía de borde (donde se pueden formar características estrechas, que corresponden a un cambio de fase en una máscara de PDMS, a manera de ejemplo) a una litografía convencional de contacto, y se puede controlar el tamaño de la característica o rasgo en una sustancia fotoprotectora, formada en imagen, por la dosis de exposición. Este control de la dosis de exposición es posible al controlar la potencia de la fuente de radiación o la velocidad rotacional del
cilindro (tiempo de exposición) . El tamaño de la característica o rasgo, producido en la sustancia fotoprotectora también se puede controlar al cambiar la longitud de onda de la radiación de exposición, la fuente de luz, a manera de ejemplo. Las máscaras en los cilindros se pueden orientar por un ángulo a la dirección de movimiento del substrato. Esto permite la formación de patrones en diferentes direcciones contra el substrato. Se pueden colocar dos o más cilindros en secuencia para permitir patrones 2D. En otra modalidad, la cámara cilindrica transparente no necesita ser rígida, pero se puede formar de un material flexible que se puede presurizar con un gas ópticamente transparente. La máscara puede ser la pared del cilindro o puede ser un material conformado, presente en la superficie de la pared del cilindro. Esto permite que el cilindro se enrollo en un substrato que no es plano, en tanto que hace contacto conformado con la superficie del substrato. BREVE DESCRIPCIÓN DE LAS FIGURAS De modo que sea clara y se pueda entender en detalle la manera en la cual se logran las modalidades de ejemplo de la presente invención, con referencia a la descripción particular proporcionada anteriormente, y con referencia a la descripción detallada de las modalidades de
ejemplo, los solicitantes han proporcionados figuras ilustrativas. Se va a apreciar que las figuras no solo se proporcionan cuando es necesario entender modalidades de ejemplo de la invención y que ciertos procesos bien conocidos y aparatos bien conocidos no se ilustran en la presente a fin de no entorpecer la naturaleza inventiva de la materia de la descripción . La Figura 1A muestra una vista en sección transversal de una modalidad de un aparato 100 útil en el modelado de áreas grandes de material de substrato donde un cilindro 106 transparente a radiación tiene un interior hueco 104 en el cual reside una fuente 102 de radiación. En esta modalidad, la superficie exterior 111 del cilindro 106 se modela con un relieve 112 superficial específico. El cilindro 106 se enrolla sobre un material 108 sensible a radiación que cubre un substrato 110. La Figura IB muestra una vista superior del aparato y substrato ilustrados en la Figura 1A, donde el material 108 sensible a radiación se ha formado con imágenes 109 por radiación (no mostradas) que pasa a través del relieve superficial 112. La Figura 2 muestra una vista en sección transversal de otra modalidad de un aparato 200 útil en el modelado de áreas grandes de material de substrato. En la
Figura 2, el substrato es una película 208 en la cual se forma en imágenes un patrón por radiación que pasa a través el relieve superficial 212 en un primer cilindro 206 (transparente) en tanto que la película 208 viaja desde el rodillo 211 al rodillo 213. Se proporciona un segundo cilindro 215 en la parte posterior 209 de la película 208 para controlar el contacto entre la película 208 y el primer cilindro 206. La Figura 3 muestra una vista en sección transversal de otra modalidad de un aparato 300 útil en el modelado de áreas grandes de material de substrato. En la Figura 3, el substrato es una película 308 que viaja desde el rodillo 311 al rodillo 313. Un primer cilindro transparente 306 con el relieve superficial 312 se usa para modelar el lado superior 310 de la película 308 en tanto que se usa un segundo cilindro transparente 326 con el relieve superficial 332 para modelar el lado 309 de fondo de la película 308. La Figura 4A muestra una vista en sección transversal de una modalidad 400 de un cilindro transparente 406 que incluye un área 404 central hueca con una fuente interna de radiación 402. El área 412 de relieve superficial es una estructura conformada que incluye la película 415 de polímero con una superficie 413 modelada que es particularmente útil para litografía de campo próximo.
La Figura 4B muestra un agrandamiento de la superficie 413, que es una estructura 413 de polímero de relieve superficial en la parte superior del material base polimérico 415. La Figura 4B, del material base polimérico 415 puede ser ya sea el mismo material polimérico puede ser un diferente material polimérico del material 413 superficial, modelado. La Figura 5A muestra una vista en sección transversal de una modalidad alternativa 500 del relieve superficial 512 que está presente en un cilindro 506 transparente, hueco. La Figura 5B muestra un agrandamiento del relieve superficial 512, que es una capa metálica delgada 514 que se modela con una serie de nanoagujeros 513, donde la capa metálica se aplica sobre la superficie exterior 511 del cilindro transparente hueco 506. La Figura 5C muestra un relieve superficial 522 alternativo que se puede usar en la superficie del cilindro transparente 506. El relieve superficial 522 se forma por partículas metálicas 526 que se pueden aplicar directamente en la superficie exterior 511 del cilindro transparente hueco 506 o se pueden aplicar en una película transparente 524 que se une a la superficie exterior 511 del cilindro transparente, hueco 506.
La Figura 6A es una ilustración tridimensional esquemática 600 de un cilindro transparente 604 que tiene una superficie modelada 608, donde el cilindro 604 está suspendido por arriba de un substrato 610 usando un dispositivo tensor 602 ilustrado como muelles. La Figura 6B es una vista esquemática de una modalidad 620 donde la radiación usada para lograr la formación de imágenes se suministra desde una fuente 612 de radiación exterior al cilindro 604, con la radiación distribuida de manera interna 615 y 616 dentro de la porción hueca del cilindro 604. La Figura 6C es una vista esquemática de una modalidad 630 donde la radiación usada para lograr la formación de imágenes se suministra desde la fuente 612 de radiación, exterior, y se enfoca 617 en un guíaondas 618 y se distribuye desde el guíaondas 618 a una rejilla óptica 621 presente en la superficie interior 601 del cilindro 604. La Figura 6D es una vista esquemática de una modalidad 640 donde la radiación usada para lograr la formación de imágenes se suministra desde dos fuentes 612A y 612B de radiación, exteriores, y se enfoca 621 y 619, respectivamente en una rejilla óptica 621 presente en la superficie interior 601 del cilindro 604. La Figura 7A es una vista esquemática que muestra
el uso de múltiples cilindros, tal como dos cilindros 702 y 704, a manera de ejemplo, en serie para proporcionar modelado múltiple que se puede usar para obtener mayor resolución, a manera de ejemplo. La Figura 7B es una vista esquemática en sección transversal que muestra un patrón 706 creado por un primer cilindro 702 después de la formación de imágenes y revelado de un material 710 sensible a radiación. El patrón 708 alterado está después de la formación de imágenes y revelado del material 710 sensible a radiación donde se crea el patrón alterado 708 por el uso del primer cilindro 702 en combinación con un segundo cilindro 704. La Figura 8 una vista esquemática en sección transversal de un cilindro deformable 800, el interior 804 del cual se presuriza usando un aparato 813 que suministra un gas ópticamente transparente. La superficie exterior 811 del cilindro deformable 800 puede ser una película 802 nanomodelada/nanoestructurada de un material conformable, que se puede enrollar en un substrato no plano 805 de modo que se puede aplicar de manera precisa la radiación desde la fuente 802 de radiación sobre una superficie 816 del substrato 805. DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LA INVENCIÓN Como un prefacio a la descripción detallada, se debe señalar que, como se usa en esta especificación y en las
reivindicaciones anexas, las formas singulares "un", "una" y "el (la)" incluyen referentes plurales a menos que el contexto dicte claramente lo contrario. Cuando en la presente se usa la palabra "aproximadamente" esta se propone que signifique que el valor nominal presentado sea preciso de + 10 . Las modalidades de la invención se refieren a métodos y aparatos útiles en el nanomodelado de substrato de área grande, donde se usa una máscara giratoria para formar en imagen un material sensible a radiación. Típicamente, la máscara giratoria comprende un cilindro. La técnica de nanomodelado hace uso de fotolitografía de campo próximo, donde la longitud de onda de la radiación usada para formar en imagen una capa sensible a radiación en un substrato es de 438 nm o menos, en donde la máscara usada para modelar el substrato está en contacto con el substrato. La fotolitografía de campo próximo puede ser uso de una máscara de cambio de fase, o de nanopartículas en la superficie de un cilindro giratorio transparente, o puede emplear tecnología de plasmón superficial, donde una capa metálica en la superficie del cilindro giratorio comprende nanoaguj eros . La descripción detallada proporciona más adelante solo una muestra de las posibilidades que se reconocerán por el experto en la técnica en la lectura de la descripción de la
presente . Aunque la máscara giratoria usada para generar un nahopatrón o nanomodelo dentro de una capa de material sensible a radiación puede ser de cualquier configuración que sea benéfica, y se describe más adelante varios de estos, un cilindro hueco es particularmente ventajoso en términos de capacidad de manufactura de substrato formado con imágenes a costos mínimos de mantenimiento. La Figura 1A muestra una vista en sección transversal de una modalidad de un aparato 100 útil en el modelado de áreas grandes de material de substrato, donde un cilindro 106 transparente a la radiación tiene un interior hueco 104 en el cual reside una fuente 102 de radiación. En esta modalidad, la superficie exterior 111 del cilindro 106 se modela o graba con patrones con un relieve superficial específico 112. La superficie 106 se enrolla sobre un material 108 sensible a radiación que cubre un substrato 110. La Figura IB muestra una vista superior del aparato y substrato ilustraos en la Figura 1A, donde el material 108 sensible a radiación se ha formado con imágenes 109 por radiación (no mostrada) que pasa a través del relieve superficial 112. El cilindro está girando en la dirección mostrada por la flecha 118, y la radiación desde una fuente 102 de radiación pasa a través del nanopatrón 112 presente en la superficie exterior 103 del cilindro giratorio 106 para
formar en imagen la capa sensible a radiación (no mostrada) en el substrato 108, que proporciona un patrón 109 formado en imágenes dentro de la capa sensible a radiación. La capa sensible a radiación se revela de manera subsiguiente para proporcionar una nanoestructura en la superficie del substrato 108. En la Figura IB, el cilindro giratorio 106 y el substrato 120 se muestran como que están impulsados de manera independiente uno con relación al otro. En otra modalidad, el substrato 120 se puede mantener en contacto dinámico con un cilindro giratorio 106 y mover en una dirección hacia o lejos de una superficie de contacto del cilindro giratorio 106 para proporcionar movimiento a un cilindro giratorio 106 de otro modo estático. En aún otra modalidad, el cilindro giratorio 106 se puede hacer girar sobre un substrato 120 en tanto que está estático el substrato. El relieve superficial específico 112 se puede grabar en la superficie exterior del cilindro giratorio transparente 106. En la alternativa, el relieve superficial específico 112 puede estar presente en una película de material polimérica que se adhiere a la superficie exterior del cilindro giratorio 106. La película del material polimérico se puede producir por depósito de un material polimérico sobre un molde (modelo) . El modelo, creado en un
substrato de silicio, por ejemplo, se genera típicamente usando una escritura directa de haz electrónico de un patrón en una sustancia fotoprotectora presente en el substrato de silicio. De manera subsiguiente, el patrón o modelo se graba en el substrato de silicio. El patrón en el molde modelo de silicio entonces se duplica en el material polimérico depositado en la superficie del molde. El material polimérico es preferentemente un material conformado, que exhibe suficiente rigidez para resistir bien cuando se usa como una máscara de contacto contra un substrato, pero que también puede hacer excelente contacto con el material sensible a radiación en la superficie del substrato. Un ejemplo de los materiales conformados, usados en general como un material de máscara de transferencia es PDMS, que se puede vaciar en la superficie del molde modelo, curar con radiación UV, y desprender del molde para producir excelente duplicación de la superficie del molde. La Figura 2 muestra una vista 200 en sección transversal de otra modalidad de un aparato 200 útil en el modelado de áreas grandes del material de substrato. En la Figura 2, el substrato es una película 208 en la cual se forma en imagen un patrón o modelo por radiación que pasa a través del relieve superficial 212 en un primer cilindro (transparente) 206 en tanto que la película 208 viaja desde
el rodillo 211 al rodillo 213. Se proporciona un segundo cilindro 215 en la parte posterior 209 de la película 208 para controlar el contacto entre la película 208 y el primer cilindro 206. La fuente 202 de radiación que está presente en el espacio hueco 204 dentro del cilindro transparente 206 puede ser una lámpara de vapor de mercurio u otra fuente de radiación que proporcione una longitud de onda de radiación de 365 nm o menos. El relieve superficial 212 puede ser una máscara de cambio de fase, por ejemplo, donde la máscara incluye una superficie de difracción que tienen una pluralidad de hendiduras y salientes, como se analiza anteriormente en la técnica antecedente. La saliente se ponen en contacto con una superficie de una sustancia fotoprotectora positiva (un material sensible a radiación) , en la superficie se expone a radiación electromagnética a través de la máscara de fase. El cambio de fase debido a la radiación que pasa a través de las hendiduras como lo opuesto a las salientes es esencialmente completo. Se producen de esta manera mínimos en intensidad de radiación electromagnética en los límites entre las hendiduras y las salientes. Una máscara de fase elastomérica se ajusta bien a la superficie de la sustancia fotoprotectora, y después del revelado de la sustancia fotoprotectora, se pueden obtener características o rasgos menores de 100 nm.
La Figura 3 muestra una vista 300 de sección transversal de otra modalidad de un aparato 300 útil en el modelado de áreas grandes de material de substrato. El substrato es una película 308 que viaja desde el rodillo 311 al rodillo 313. Hay una capa de material sensible a radiación (no mostrado) tanto en el lado superior 310 de la película 308 como en el lado de fondo 309 de la película 308. Hay un primer cilindro transparente 306, con un centro hueco 304, que incluye una fuente 302, de radiación que tiene el relieve superficial 312, que se usa para modelar el lado superior 310 de la película 308. Hay un segundo cilindro transparente 326, con un centro hueco 324, que incluye una fuente 322, de radiación, que tiene el relieve superficial 332, que se usa para modelar el lado 309 de fondo de la película 308. La Figura 4A muestra una vista 400 en sección transversal en una modalidad de un cilindro transparente 406 que incluye un área central hueca 404 con una superficie interna de radiación 402. El relieve superficial 412 es una estructura conformada que incluye la película polimérica 415 con una superficie 413 modelada o grabada con patrones, que es particularmente útil para litografía de campo próximo. El material polimérico de la superficie 413 modelada necesita ser suficientemente rígido de modo que el patrón hará contacto con la superficie de un substrato que se va formar
con imágenes en la ubicación apropiada. Al mismo tiempo, el material polimérico debe ajustarse a la superficie del material sensible a radiación (no mostrado) que se va a formar con imágenes. La Figura 4B muestra un agrandamiento de la superficie 413, que es una estructura 413 polimérica de relieve superficial en la parte superior del material base polimérico 415. En la Figura 4B, el material base polimérico 415 puede ser ya sea el mismo material polimérico o puede ser un diferente material polimérico del material 413 de la superficie modelada. Un material conformado, transparente tal como un silicón o PDMS, por ejemplo, se puede usar como la película polimérica 415, en combinación con una capa de material, de cubierta, transparente, más rígida, tal como PDMS con una diferente relación de componentes de mezclado o polimetil-metacrilato PMMA, a manera de ejemplo. Esto proporciona una superficie 413 modelada, que ayuda a evitar la distorsión de las características en contacto con una ubicación en la superficie sensible a radiación de un substrato (no mostrado) , en tanto que el material base polimérico proporciona simultáneamente conformidad con la superficie del substrato en general. La Figura 5A muestra una vista 500 de sección transversal de un cilindro transparente 506, con el área
central hueca 504 que incluye una fuente 502 de radiación, donde la superficie 511 presenta una modalidad alternativa del relieve superficial 512. La Figura 5B muestra un agrandamiento del relieve superficial 512, que es una capa metálica delgadas 514 que se modela con una serie de nanoagujero 513, donde la capa metálica está presente en la superficie exterior 511 del cilindro transparente hueco 506. La capa metálica puede ser una capa modelada adherida a la superficie exterior del cilindro transparente 506. En la alternativa, se puede depositar una capa metálica en la superficie de cilindro transparente por evaporación o chisporroteo u otra técnica conocida y entonces se puede grabar o extirpar de manera subsiguiente con un láser para proporcionar una superficie exterior metálica modelada 511. La Figura 5C muestra un relieve superficial 522 alternativo que se puede usar en la superficie del cilindro transparente 506. El relieve superficial 522 se forma por partículas metálicas 526 que se aplican en una superficie exterior 511 del cilindro transparente, hueco 506, o en una película transparente 524 que se une a la superficie exterior 511 del cilindro transparente, hueco 506. La Figura 6A es una ilustración tridimensional esquemática 600 de un cilindro transparente 604 que tiene una superficie 608 modelada. Una fuente de radiación (no
mostrada) está presente dentro del interior del cilindro transparente 604. El cilindro transparente 604 está suspendido por arriba de un substrato 610 usando un dispositivo tensor 602, que se muestra como muelles en la ilustración 600. Un experto en la técnica de ingeniería mecánica estará familiarizado con varios dispositivos tensores que se pueden usar para obtener la cantidad apropiada de contacto entre la superficie exterior 608 del cilindro transparente 604 y la superficie del substrato 610. En una modalidad de método para usar el aparato mostrado en la Figura 6A, el aparato se usa para formar en imagen un material sensible a radiación (no mostrado) en un substrato 610, donde el substrato 610 es una película polimérica, que se puede suministrar y recuperar en un sistema de rodillo a rodillo en la clase mostrada en la Figura 2. El cilindro transparente 604 se baja hacia el substrato de película polimérica (o se levanta el substrato de película polimérica) , hasta que se hace contacto con el material sensible a radiación. La película polimérica, que es típicamente elastomérica creará un enlace por fuerzas de Van-der- alls con el material sensible a radiación. El cilindro transparente 604 entonces se puede levantar (o se baja el substrato de película polimérica) a una posición donde permanece el contacto de la superficie 608 del cilindro
transparente 604 y la superficie del material sensible a radiación, pero la tensión entre las dos superficies es tal que la fuerza colocada en la superficie 608 es mínima. Esto permite el uso de características o rasgos nanomodelados muy finos en la superficie 608 del cilindro transparente 604. Cuando el substrato 610 se empieza a mover, el cilindro transparente 604 también se moverá, forzando a girar al cilindro transparente 604, manteniendo el contacto dinámico entre el material sensible a radiación y el substrato 610 subyacente de película polimérica. En cualquier momento de la exposición dinámica, el contacto entre el cilindro y una capa fotosensible se limita a una línea estrecha. Debido a las fuertes fuerzas de Van-der alls entre una película elastomérica, por ejemplo, en la superficie exterior del cilindro y la capa sensible a radiación (fotosensible) en el substrato, el contacto se mantiene uniforme a todo lo largo del proceso completo, y a lo largo del ancho completo de la máscara (longitud) en la superficie del cilindro. En casos donde las fuerzas de Van-der-Walls no proporcionan una adhesión suficientemente fuerte entre la superficie de contacto del cilindro y una capa fotosensible, se puede usar un cilindro accionador (giratorio) que usa un motor de velocidad gradual sincronizado con el movimiento translacional del substrato. Esto proporciona un proceso de
exposición libre de deslizamientos para el material polimérico u otro material de la superficie del cilindro que no proporcione fuertes fuerzas de adhesión con relación al substrato . La Figura 6B es una vista esquemática de una modalidad 620 donde la radiación usada para lograr la formación de imágenes se suministra desde una fuente 612 de radiación exterior al cilindro 604, con la radiación distribuida de manera interna 615 y 616 dentro de la porción hueca del cilindro 604. La radiación se puede dirigir a través del cilindro transparente 604 a través de la superficie 608 de máscara modelada hacia la superficie sensible a radiación (no mostrada) del substrato 608 usando varios lentes, espejos y combinaciones de los mismos. La Figura 6C es una vista esquemática de una modalidad 630 donde la radiación usada para lograr la formación de imágenes del material sensible a radiación se suministra desde una ubicación que está exterior al cilindro transparente 604. La fuente 612 de radiación exterior se enfoca 617 en un guíaonda 618 y se distribuye desde el guíaonda 618 a una rejilla óptica 620 presente en la superficie interior 601 del cilindro 604. La Figura 6D es una vista esquemática de una modalidad 640 donde la radiación usada para lograr la
formación de imágenes se suministra desde dos fuentes 612 A y 612B exteriores de radiación, y se enfoca 621 y 619, respectivamente, en una rejilla óptica 620 presente en la superficie interior 601 del cilindro 604. La Figura 7A es una vista esquemática 700 que muestra el ,uso de múltiples cilindros, tal como dos cilindros 702 y 704, por ejemplo, en serie, para proporcionar modelado múltiple, que se puede usar para obtener mayor resolución, a manera de ejemplo. Las posiciones relativas de los cilindros 702 y 704, por ejemplo, se puede controlar usando datos desde un interferómetro (no mostrado) en combinación con un sistema de control computarizado (no mostrado) . La Figura 7B es una vista esquemática 720 en sección transversal que muestra un patrón o modelo 706 creado por un primer cilindro 702 después de la formación de imágenes y el revelado de un material 710 sensible a radiación. El patrón alterado 708 es después de la formación de imágenes y el revelado del material 710 sensible a radiación donde se crea el patrón alterado 708 por el uso del primer cilindro 702 en combinación con un segundo cilindro
704. La Figura 8 muestra una vista esquemática en sección transversal de un cilindro deformable 800, el interior 804 del cual se presuriza usando un aparato 813 que
suministra un gas ópticamente transparente, tal como por ejemplo nitrógeno. La superficie exterior 811 del cilindro deformable 800 puede ser una película 812 nanomodelada/nanoestructurada de un material conformable, que se puede enrollar en un substrato 805 no plano de modo que se pueda aplicar de manera precisa a la radiación desde la fuente 802 de radiación sobre una superficie 816 del substrato 805. En otra modalidad, se puede usar un líquido que tiene un índice de refracción mayor que uno entre la superficie del cilindro y un material sensible a radiación (fotosensible, por ejemplo) presente en la superficie del substrato. Se puede usar agua, a manera de ejemplo. Esto mejora el contraste de la característica o rasgo del patrón o modelo en la capa fotosensible. En tanto que la invención se ha descrito en detalle para una variedad de modalidades anteriores, serán evidentes para los expertos en la técnica en este campo tecnológico varias modificaciones dentro del alcance y espíritu de la invención. Por consiguiente, el alcance de la invención se debe medir por las reivindicaciones anexas.