JP2018151531A - 転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
基板の主表面上に薄膜を有するマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法であって、
前記薄膜上に、無機レジスト膜を形成する工程と、
前記無機レジスト膜に対し、電子線を用いて転写パターンを描画露光した後、現像処理を行って前記無機レジスト膜に転写パターンを形成する工程と、
前記転写パターンが形成された後の無機レジスト膜に対して電子線を照射する工程と、
前記電子線が照射された後の無機レジスト膜をマスクとし、前記薄膜に対してドライエッチングを行い、前記薄膜に転写パターンを形成する工程と
を備えることを特徴とする転写用マスクの製造方法。
前記無機レジスト膜を形成する工程は、金属亜酸化物陽イオン、多原子無機陰イオン、および過酸化物系リガントを含む水溶液を前記薄膜上に塗布して液膜を形成した後、前記液膜を乾燥させることによって無機レジスト膜を形成する
ことを特徴とする構成1記載の転写用マスクの製造方法。
前記金属亜酸化物陽イオンは、ハフニウムと共有結合した酸素原子を有する多原子陽イオンである
ことを特徴とする構成2に記載の転写用マスクの製造方法。
前記薄膜は、スパッタリング法によって形成されたものである
ことを特徴とする構成1から3のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
前記薄膜は、クロムを含有する材料からなる
ことを特徴とする構成1から4のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
前記転写パターンが形成された後の無機レジスト膜に対して電子線を照射する工程では、前記描画露光よりも低い加速電圧で電子線を照射する
ことを特徴とする構成1から5のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
前記ドライエッチングは、エッチングガスに酸素含有塩素系ガスを用いる
ことを特徴とする構成1から6のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
前記マスクブランクは、前記基板と前記薄膜の間に遮光膜が設けられており、
前記転写パターンが形成された前記薄膜をマスクとし、前記遮光膜に対してドライエッチングを行い、前記遮光膜に転写パターンを形成する工程と、
前記遮光膜に転写パターンを形成した後に前記薄膜を除去する工程とを備える
ことを特徴とする構成1から7のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
前記マスクブランクは、前記基板と前記薄膜の間に光半透過膜が設けられており、
前記転写パターンが形成された前記薄膜をマスクとし、前記光半透過膜に対してドライエッチングを行い、前記光半透過膜に転写パターンを形成する工程と、
前記光半透過膜に転写パターンを形成した後、前記無機レジスト膜を除去し、次いで前記薄膜上に遮光帯パターンを含むレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記薄膜に対してドライエッチングを行い、前記薄膜に遮光帯を含むパターンを形成する工程とを備える
ことを特徴とする構成1から7のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
構成8または9記載の転写用マスクの製造方法により製造された転写用マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備える
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
図1〜図2は、第1実施形態に係る転写用マスクの製造方法を説明する断面工程図である。これらの図を参照して説明する第1実施形態の転写用マスクの製造方法は、転写用マスクとしてバイナリマスクまたは反射型マスクを製造する際に適用される方法である。以下、これらの図1〜図2を参照し、第1実施形態の転写用マスクの製造方法を説明する。
先ず図1(A)に示すように、基板11の一主面上に、遮光膜(吸収体膜)13および薄膜15がこの順に設けられたマスクブランク1を準備する。各構成要素の詳細は次のようである。
基板11は、ケイ素を含有する材料からなるものが選択される。例えば、例えばバイナリマスク用のマスクブランクの基板11であれば、ArFエキシマレーザ光(波長:約193nm)のような露光光に対して透過性を有する材料で構成されればよい。このような材料としては、合成石英ガラスが用いられるが、この他にも、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラスなどのガラス材料を用いることができる。特に、合成石英ガラス基板は、ArFエキシマレーザ光、またはそれよりも短波長の領域で透明性が高いので、基板11として好適に用いることができる。
遮光膜(吸収体膜)13は、次に説明する薄膜をマスクにしたエッチングによって微細パターンが形成される膜である。この遮光膜(吸収体膜)13は、マスクブランクの種類に応じた材料を用いて構成された単層または多層構造の膜である。
バイナリマスク用の遮光膜13は、バイナリマスクとして使用されるときのマスクパターンの露光転写に用いられる露光光に対して遮光性能(所定以上の光学濃度)を有していれば、公知の組成で構成することができる。具体的には、クロム、タンタル、ルテニウム、タングステン、チタン、ハフニウム、モリブデン、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ロジウム等の遷移金属単体あるいはその化合物を含む材料で構成されていればよい。たとえば、クロムや、クロムに酸素、窒素、炭素等の元素から選ばれる1種以上の元素を添加したクロム化合物で構成してもよいし、タンタルに、酸素、窒素、ホウ素等の元素から選ばれる1種以上の元素を添加したタンタル化合物で構成してもよい。
反射型マスク用の吸収体膜13は、ここでの図示を省略した多層反射膜上に設けられる膜であり、EUV光を吸収する機能を有する。このような反射型マスク用の吸収体膜13は、例えばタンタル(Ta)単体またはタンタルを主成分とする材料(タンタル系材料)を好ましく用いることができる。このような反射型マスク用の吸収体膜13の結晶状態は、平滑性、平坦性の点から、アモルファス状または微結晶の構造を有しているものが好ましい。
薄膜15は、遮光膜(吸収体膜)13をエッチングする際のエッチングマスク膜として機能するものである。このような薄膜15は、遮光膜(吸収体膜)13をエッチングする際に用いられるエッチャントに対してエッチング耐性を有する材料で構成する。遮光膜(吸収体膜)13が、ケイ素系材料や遷移金属シリサイド系材料で構成され、フッ素系ガスによるドライエッチングでパターニングされる場合、薄膜15は、これらのドライエッチングに対して耐性が高い材料であるクロムや、クロムに酸素、窒素、炭素等の元素を添加したクロム化合物からなる材料で構成することが好ましい。また、遮光膜13が、クロム系材料で構成され、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスによるドライエッチングでパターニングされる場合、薄膜15は、ケイ素や、ケイ素に酸素、窒素、炭素等の元素を添加したケイ素化合物からなる材料で構成することが好ましい。
次に、図1(B)に示すように、マスクブランク1の薄膜15の上部に、無機レジスト膜21を形成する。無機レジスト膜21は、リソグラフィー処理によってパターニングされる膜であり、パターニングされたレジストパターンが薄膜15をエッチングする際のエッチングマスクとなる。このような無機レジスト膜21の形成は、金属亜酸化物陽イオン、多原子陰イオン、および過酸化物系リガンドを含む水溶液(前駆体溶液)の液膜を薄膜15上に形成した後、この液膜を乾燥させることによって実施される。また無機レジスト膜21を形成した後には、無機レジスト膜21中の物質を安定化させるために、無機レジスト膜21に対して熱処理(Post applied bake:PAB)を実施することがこのましい。
次に図1(C)に示すように、マスクブランク1上の無機レジスト膜21に対して露光処理とその後の現像処理を行うことにより、薄膜15に形成すべき転写パターンを無機レジスト膜21に形成する。これにより無機レジスト膜21が転写パターンの形状にパターニングされた無機レジストパターン21aを得る。
次に図1(D)に示すように、転写パターンが形成された後の無機レジスト膜21、すなわち無機レジストパターン21aに対して電子線Eを照射する。これにより、無機レジストパターン21a内に縮合されずに残された物質の縮合反応を進める。
次に図1(E)に示すように、無機レジストパターン21aをマスクとして薄膜15をエッチングし、薄膜15に転写パターン15aを形成し、薄膜15からなる転写パターン15aを得る。ここでは、無機レジストによって構成された無機レジストパターン21aをマスクにして、クロム系の薄膜15をエッチングする。この際、塩素系ガスと酸素ガスとの混合ガス(酸素含有塩素系ガス)をエッチングガスに用いたドライエッチングを行う。これにより、無機レジストパターン21aに対して、きわめて高いエッチング選択性でクロム系の薄膜15をエッチングすることができ、無機レジストによって構成された無機レジストパターン21aの形状を精度良好に転写した転写パターン15aを形成する。
その後、図2(A)に示すように、クロム系材料によって構成された薄膜15からなる転写パターン15aをマスクとして遮光膜(吸収体膜)13のドライエッチングを行う。これにより、遮光膜(吸収体膜)13に転写パターンを形成し、転写パターン15aの形状に遮光膜13をパターニングしてなる遮光パターン(吸収体パターン)13aaを得る。この際、遮光膜13がバイナリマスク用のものであって、ケイ素を含有する材料で形成されている場合であれば、フッ素系ガスを用いた遮光膜13のドライエッチングを行なう。またマスクブランク1が反射型マスク用のマスクブランクであって、吸収体膜13がタンタルを主成分とする材料で形成されている場合であれば、フッ素系ガスあるいは酸素を含有しない塩素系ガス(酸素非含有塩素系ガス)を用いたドライエッチングを吸収体膜13に対して行う。
次に、図2(B)に示すように、クロム系材料によって構成された薄膜15からなる転写パターン15aを除去し、転写用マスク1aを得る。この際、クロム系材料からなる転写パターン15aの除去には、塩素系ガスと酸素ガスとの混合ガス(酸素含有塩素系ガス)をエッチングガスに用いる。これにより、ケイ素系またはタンタル系の遮光膜(吸収体膜)13に対して、きわめて高いエッチング選択性でクロム系材の薄膜15をエッチング除去することができる。
図3〜図4は、第2実施形態に係る転写用マスクの製造方法を説明する断面工程図である。これらの図を参照して説明する第2実施形態の転写用マスクの製造方法は、転写用マスクとしてハーフトーン型位相シフトマスクを製造する際に適用される方法である。以下、これらの図3〜図4を参照し、第2実施形態の転写用マスクの製造方法を説明する。なお、図3〜図4においては、図1〜図2を用いて説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
先ず図3(A)に示すように、基板11の一主面上に、光半透過膜43、および薄膜45がこの順に設けられたマスクブランク2を準備する。マスクブランク2を構成するこれらの各要素のうち、基板11は、上述した第1実施形態のバイナリマスク用のマスクブランク1のものと同様であってよい。このためここでは、光半透過膜43と薄膜45の構成を説明する。
光半透過膜(位相シフト膜)43は、露光光を、実質的に露光に寄与しない強度(たとえば、露光光に対する透過率が1%〜30%)で透過させ、この光半透過膜43を透過する露光光に対し、その光半透過膜43の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間で所定の位相差(たとえば、150度〜200度)を生じさせる機能を有していれば、公知の組成で構成されていればよい。具体的には、遷移金属およびケイ素(遷移金属シリサイドを含む)の化合物を含む材料からなり、これらの遷移金属およびケイ素と、酸素および/または窒素を主たる構成要素とする材料が例示される。遷移金属としては、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、クロム等が適用可能である。以上のような光半透過膜43は、例えばスパッタ法によって形成することができる。
薄膜45は、遮光膜として用いられる膜であって、例えばクロムを含有する材料膜である。このような薄膜45は、単層で成膜してもよく、図示したような下層45aと上層45bとの2層構造で成膜してもよく、さらに多層の複数層で成膜してもよい。遮光膜として用いられる薄膜45を複数層として成膜する場合には、クロム(Cr)の含有量を変化させた各層を成膜する。
次に図3(B)〜図3(D)に示す工程は、先の第1実施形態において図1(B)〜図1(D)を用いて説明した工程と同様に実施する。
以上の後、図3(E)に示すように、無機レジストパターン21aをマスクとして薄膜45をエッチングし、薄膜45に転写パターン45aaを形成する。ここでは、例えば無機レジストパターン21aをマスクにして、クロム系材料の薄膜45をエッチングする。この際、塩素系ガスと酸素ガスとの混合ガス(酸素含有塩素系ガス)をエッチングガスに用いたドライエッチングを行う。これにより、無機レジストパターン21aに対して、極めて高いエッチング選択性でクロム系材料の薄膜45をエッチングすることができ、無機レジストパターン21aの形状が薄膜45に対して精度良好に転写される。
次いで図4(A)に示すように、転写パターン45aaが形成された薄膜45をマスクとして、フッ素系ガスを用いた光半透過膜43のドライエッチングを行ない、ケイ素を含有する材料で形成された光半透過膜43をパターニングする。これにより、光半透過膜43に転写パターンを形成し、基板11における光半透過パターン形成領域11aに、光半透過膜43をパターニングしてなる光半透過パターン43aを形成する。また、基板11における外周領域11bに、薄膜45と光半透過膜43とを貫通する孔形状のアライメントマークパターン43bを形成する。
次に図4(B)に示すように、転写パターン45aaが形成された薄膜45上に、遮光帯パターンを含むレジストパターン47を形成する。ここでは、基板11における外周領域11bを覆う遮光帯パターンを含む形状のレジストパターン47を形成する。この際、先ず基板11上に、レジスト膜をスピン塗布法によって形成する。次に、基板11における外周領域11bを覆う形状でレジスト膜が残されるように、当該レジスト膜に対して露光を行い、その後レジスト膜に対して現像処理等の所定の処理を行う。これにより、基板11における外周領域11bを覆う形状で、遮光帯パターンを含むレジストパターン47を形成する。なお、ここで形成するレジストパターン47は、微細なパターンではないため、膜厚が厚いものであってもよい。このため、有機レジスト材料を用いて形成してよい。
次に図4(C)に示すように、遮光帯パターンを含むレジストパターン47をマスクとして、薄膜45のドライエッチングを行い、外周領域11bを覆う帯状に薄膜45をパターニングしてなる遮光パターン45cを形成する。この際、エッチングガスとして、塩素系ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いることにより、クロム系材の薄膜45をエッチングする。
次いで、図4(D)に示すように、遮光帯パターンを含むレジストパターン47を除去し、洗浄等の所定の処理を行う。以上により、転写用マスク2aとしてハーフトーン型位相シフトマスクが得られる。
実施形態に係る半導体デバイスの製造方法は、先に説明した転写用マスクの製造方法によって製造された転写用マスク1aまたは転写用マスク2aを用い、基板上のレジスト膜に対して転写パターンを露光転写することを特徴としている。このような半導体デバイスの製造方法は、次のように行う。
以上説明した実施形態の転写用マスクの製造方法は、電子線描画とその後の現像処理とによって無機レジストパターン21aを形成した後、無機レジストパターン21aに対して電子線の一括照射を行う構成である。これにより、電子線描画の後に無機レジストパターン21a内に縮合されずに残った物質の縮合反応を進めることができ、無機レジストパターン21aを緻密な構造体とすることが可能である。
この第3実施形態の転写用マスクの製造方法は、基板上に多層反射膜と薄膜がこの順に積層した構造を備えるマスクブランクを用いて反射型マスクとしての転写用マスクを製造する方法に関するものである。この第3実施形態では、薄膜に吸収体膜として必要な機能を持たせる。すなわち、吸収体膜の機能を有する薄膜上に吸収パターンを有する無機レジストパターンを形成し、薄膜に対して無機レジストパターンをマスクとするドライエッチングを行うことにより、薄膜に吸収パターンを形成する。出来上がった反射型マスクは、基板上に多層反射膜と吸収体パターンを有する薄膜(吸収体膜)が順に積層した構造を有するものとなる。薄膜は、第1の実施形態の吸収体膜13と同様の構成を備えている。このため、無機レジストパターンをマスクとする薄膜のドライエッチングには、フッ素系ガスか酸素非含有塩素系ガスが用いられる。その他、基板、多層反射膜、無機レジストパターンに関する事項等については、第1実施形態の場合と同様である。
以上説明した各実施形態の転写用マスクの製造方法は、基板上にエッチングマスク膜(本発明の薄膜に対応。)を備えたマスクブランクからインプリントモールドを製造する場合にも応用できる。すなわち、そのインプリントモールドの製造方法は、基板の主表面上にエッチングマスク膜を有するマスクブランクを用いたインプリントモールドの製造方法であってエッチングマスク膜上に、無機レジスト膜を形成する工程と、その無機レジスト膜に対し、電子線を用いて転写パターンを描画露光した後、現像処理を行って無機レジスト膜に転写パターンを形成する工程と、転写パターンが形成された後の無機レジスト膜に対して電子線を照射する工程と、電子線が照射された後の無機レジスト膜をマスクとし、エッチングマスク膜に対してドライエッチングを行い、エッチングマスク膜に転写パターンを形成する工程とを備えることを特徴とする。
実施例により、本発明の転写用マスクの製造方法をさらに具体的に説明する。ここでは、図1〜図2を参照し、下記の手順でバイナリマスクとなる転写用マスクを作製した。
図5は、上記評価1で観察した照射領域10aと非照射領域10bの二次電子像であり、図5(A)の一部を拡大した図が図5(B)に相当する。これらの図においては、照射領域10aと非照射領域10bともに、図1(E)の断面図に示した状態の無機レジストパターン21aと遮光膜13の表面が観察される。
1a,2a…転写用マスク
11…基板
13…遮光膜(吸収体膜)
15…薄膜(エッチングマスク膜)
21…無機レジスト膜
21a…無機レジストパターン(転写パターン)
E…電子線
43…光半透過膜
45…薄膜(遮光膜)
47…遮光帯パターンを含むレジストパターン
Claims (10)
- 基板の主表面上に薄膜を有するマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法であって、
前記薄膜上に、無機レジスト膜を形成する工程と、
前記無機レジスト膜に対し、電子線を用いて転写パターンを描画露光した後、現像処理を行って前記無機レジスト膜に転写パターンを形成する工程と、
前記転写パターンが形成された後の無機レジスト膜に対して電子線を照射する工程と、
前記電子線が照射された後の無機レジスト膜をマスクとし、前記薄膜に対してドライエッチングを行い、前記薄膜に転写パターンを形成する工程と
を備えることを特徴とする転写用マスクの製造方法。 - 前記無機レジスト膜を形成する工程は、金属亜酸化物陽イオン、多原子無機陰イオン、および過酸化物系リガントを含む水溶液を前記薄膜上に塗布して液膜を形成した後、前記液膜を乾燥させることによって無機レジスト膜を形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の転写用マスクの製造方法。 - 前記金属亜酸化物陽イオンは、ハフニウムと共有結合した酸素原子を有する多原子陽イオンである
ことを特徴とする請求項2に記載の転写用マスクの製造方法。 - 前記薄膜は、スパッタリング法によって形成されたものである
ことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。 - 前記薄膜は、クロムを含有する材料からなる
ことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。 - 前記転写パターンが形成された後の無機レジスト膜に対して電子線を照射する工程では、前記描画露光よりも低い加速電圧で電子線を照射する
ことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。 - 前記ドライエッチングは、エッチングガスに酸素含有塩素系ガスを用いる
ことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。 - 前記マスクブランクは、前記基板と前記薄膜の間に遮光膜が設けられており、
前記転写パターンが形成された前記薄膜をマスクとし、前記遮光膜に対してドライエッチングを行い、前記遮光膜に転写パターンを形成する工程と、
前記遮光膜に転写パターンを形成した後に前記薄膜を除去する工程とを備える
ことを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。 - 前記マスクブランクは、前記基板と前記薄膜の間に光半透過膜が設けられており、
前記転写パターンが形成された前記薄膜をマスクとし、前記光半透過膜に対してドライエッチングを行い、前記光半透過膜に転写パターンを形成する工程と、
前記光半透過膜に転写パターンを形成した後、前記無機レジスト膜を除去し、次いで前記薄膜上に遮光帯パターンを含むレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記薄膜に対してドライエッチングを行い、前記薄膜に遮光帯を含むパターンを形成する工程とを備える
ことを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。 - 請求項8または9記載の転写用マスクの製造方法により製造された転写用マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備える
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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