JP2018137249A - 電子装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】2つの基板のうち一方の基板の板厚および他方の基板の孔部の加工精度がばらついた場合でも、当該他方の基板の孔部内に一方の基板を挿入する際の両基板間の挿入性、はんだ付け性および信頼性の低下を抑制することが可能な構成を有する電子装置を提供する。【解決手段】孔部12が形成された第1の基板100と、第1の基板100の孔部12内に、第1の基板100と互いに交差するように挿入される第2の基板200とを備える。第1の基板100には孔部12を挟んで1対の第1電極15が形成され、第2の基板200には1対の第2電極25が形成され、それらははんだ31により接続される。1対の第2電極25の少なくとも一部は孔部12内に配置される。第2の基板200には、孔部12内において一方および他方の第2電極25の最外周より内側の領域から孔部12の内壁面に向けて延びる突起部32が形成されている。【選択図】図3
Description
本発明は電子装置に関し、特に、メイン基板に対して立ち基板がほぼ垂直に交差するように挿入された構成のプリント配線板を有する電子装置に関するものである。
メイン基板の一方の主表面から他方の主表面に達するようにこれを貫通するスリットが形成され、そのスリット内に立ち基板が挿入され、両者の電極同士がはんだ付けされたプリント配線板を有する電子装置が、たとえば特開2004−153178号公報(特許文献1)に開示されている。立ち基板は、その一方および他方の主表面が、メイン基板の一方および他方の主表面にほぼ垂直に交差するように、上記スリット内に挿入される。
上記の特開2004−153178号公報に開示の実装構造においては、メイン基板に形成されたスリットの加工精度および立ち基板の板厚ばらつきにより、スリットへの立ち基板の挿入性、メイン基板と立ち基板とのはんだ付け性および電子装置の信頼性が低下する可能性がある。
たとえばスリットの幅が所望の中央値よりも小さく、立ち基板の板厚が所望の中央値よりも大きく加工されれば、立ち基板の主表面がメイン基板のスリットの内壁面に接触し、両基板間の挿入性が低下する。また立ち基板の電極にメイン基板のスリットの内壁面が接触すれば、両基板間のはんだ付け性および信頼性が低下する。また逆にスリットの幅が所望の中央値よりも大きく加工されれば、メイン基板の電極と立ち基板の電極とのクリアランスが大きくなり、両者間のはんだ付け性が低下する。
本発明は、以上の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、2つの基板のうち一方の基板の板厚および他方の基板の孔部の加工精度がばらついた場合でも、当該他方の基板の孔部内に一方の基板を挿入する際の両基板間の挿入性、はんだ付け性および信頼性の低下を抑制することが可能な構成を有する電子装置を提供することである。
本発明の電子装置は、第1の基板と、第2の基板とを備える。第1の基板は、一方の第1主表面と一方の第1主表面に対向する他方の第1主表面とを有し、一方の第1主表面から他方の第1主表面に達するように孔部が形成されている。第2の基板は、一方の第2主表面と一方の第2主表面に対向する他方の第2主表面とを有し、第1の基板の孔部内に、第1の基板と互いに交差するように挿入されている。第1の基板の一方または他方の第1主表面には、孔部を挟んで1対の一方および他方の第1電極が形成されている。第2の基板の一方の第2主表面には一方の第2電極が形成され、一方の第2電極に対向するように他方の第2主表面には他方の第2電極が形成されている。一方および他方の第2電極の少なくとも一部は、孔部内に配置されている。一方および他方の第2電極は、一方および他方の第1電極のそれぞれとはんだにより接続されている。第2の基板には、孔部内において一方および他方の第2電極の最外周より内側の領域から孔部の内壁面に向けて延びる突起部が形成されている。
本発明によれば、突起部により、第2の基板の電極が孔部の内壁面に接触することなく、第2の基板を孔部の幅方向の中央により近い位置に配置させることができる。このため、第1電極と第2電極との間のクリアランスを減少させ、両基板間の挿入性、はんだ付け性および信頼性を向上させることができる。
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
(実施の形態1)
まず本実施の形態の電子装置を構成する第1および第2の基板としてのメイン基板および立ち基板の構成について、図1(A),(B)を用いて説明する。
(実施の形態1)
まず本実施の形態の電子装置を構成する第1および第2の基板としてのメイン基板および立ち基板の構成について、図1(A),(B)を用いて説明する。
図1(A)を参照して、本実施の形態の第1の基板としてのメイン基板100は、たとえば平面視において矩形の平板形状を有している。メイン基板100は、一方の第1主表面としての一方主表面11aと、主表面11aに対向する他方の第1主表面としての他方主表面11bとを有するメイン基板本体11からなる。メイン基板100には、主表面11aから主表面11bに達するようにメイン基板100を貫通する孔部が形成されている。具体的には、上記孔部として、メイン支持部スリット12と、第1の補助支持部スリット13と、第2の補助支持部スリット14とを有している。第1の補助支持部スリット13および第2の補助支持部スリット14は、メイン支持部スリット12に対して互いに間隔をあけてそれぞれ図1(A)の左側および右側に形成されている。言い換えればメイン支持部スリット12は、第1の補助支持部スリット13および第2の補助支持部スリット14に挟まれるように、図1(A)の左右方向に関する中央部に形成されている。
メイン支持部スリット12は、平面視において図1(A)の左右方向に延びる矩形の長尺形状を有している。第1の補助支持部スリット13および第2の補助支持部スリット14は、平面視において正方形状、またはそれに近い(アスペクト比が比較的小さい)長方形状を有している。メイン支持部スリット12の延びる方向に交差する図1(A)の奥行き方向の幅は、第1の補助支持部スリット13および第2の補助支持部スリット14の図1(A)の奥行き方向の幅とほぼ等しくなっている。
メイン基板本体11の一方主表面11aには、図1(A)の奥行き方向すなわちメイン支持部スリット12などの幅方向に関してメイン支持部スリット12を挟むように、1対のメインメス電極15が配置されている。具体的には、図1(A)におけるメイン支持部スリット12の奥側には一方の第1電極としてのメインメス電極15が、図1(A)におけるメイン支持部スリット12の手前側には他方の第1電極としてのメインメス電極15が、それぞれ形成されている。1対のメインメス電極15は、図1(A)の左右方向すなわちメイン支持部スリット12の延びる方向に沿って互いに間隔をあけて、複数形成されている。
同様に、図1(A)の奥行き方向に関して第1の補助支持部スリット13を挟むように1対の第1の補助メス電極16が、第2の補助支持部スリット14を挟むように1対の第2の補助メス電極17が、それぞれ形成されている。具体的には、図1(A)における第1の補助支持部スリット13の奥側には一方の第1電極としての第1の補助メス電極16が、図1(A)における第1の補助支持部スリット13の手前側には他方の第1電極としての第1の補助メス電極16が、それぞれ形成されている。同様に、図1(A)における第2の補助支持部スリット14の奥側には一方の第1電極としての第2の補助メス電極17が、図1(A)における第2の補助支持部スリット14の手前側には他方の第1電極としての第2の補助メス電極17が、それぞれ形成されている。
メインメス電極15が図1(A)の左右方向に関して複数並ぶように形成されるのに対し、第1の補助メス電極16および第2の補助メス電極17は、第1の補助支持部スリット13および第2の補助支持部スリット14を挟むようにそれぞれ1対ずつのみ形成されている。
なお一方主表面11aの代わりに他方主表面11bに、上記のメインメス電極15、第1の補助メス電極16および第2の補助メス電極17が形成されてもよい。
図1(B)を参照して、本実施の形態の第2の基板としての立ち基板200は、一方の第2主表面としての一方主表面21aと、主表面21aに対向する他方の第2主表面としての他方主表面21bとを有する立ち基板本体21からなる。
基本的には平面視において矩形の平板形状を有しているが、部分的に(図1(B)の下方に)これをメイン基板100のメイン支持部スリット12などに挿入するための切欠き部が形成されている。つまりこの切欠き部により、立ち基板本体21は、特に図1(B)の下方の領域において、メイン支持部22と、第1の補助支持部23と、第2の補助支持部24とを形成している。メイン支持部22、第1の補助支持部23および第2の補助支持部24は、図1(B)の下方に延びる突起状の部分である。
メイン支持部22は、図1(B)の上下方向がメイン支持部スリット12を貫通するように、メイン支持部スリット12内に挿入可能となっている。同様に、第1の補助支持部23および第2の補助支持部24のそれぞれは、第1の補助支持部スリット13および第2の補助支持部スリット14内に挿入可能となっている。このため第1の補助支持部23および第2の補助支持部24は、メイン支持部22に対して互いに間隔をあけてそれぞれ図1(B)の左側および右側に形成されている。言い換えればメイン支持部22は、第1の補助支持部23および第2の補助支持部24に挟まれるように、図1(B)の左右方向に関する中央部に形成されている。さらに言い換えればメイン支持部22、第1の補助支持部23および第2の補助支持部24のそれぞれは、図の左右方向に関してメイン支持部スリット12、第1の補助支持部スリット13および第2の補助支持部スリット14のそれぞれに対応する(等しい)位置に形成されている。
メイン支持部スリット12、第1の補助支持部スリット13および第2の補助支持部スリット14内にメイン支持部22、第1の補助支持部23および第2の補助支持部24が挿入可能となっている。これにより、立ち基板本体21の一方および他方主表面21a,21bがメイン基板本体11の一方および他方主表面11a,11bと互いに(たとえば垂直に)交差するように組み立て可能となっている。
図1(B)のメイン支持部22における一方主表面21aには一方の第2電極としてのメインオス電極25が形成されている。また当該メイン支持部22における他方主表面21bには他方の第2電極としてのメインオス電極25が形成されている。一方主表面21a上、他方主表面21b上ともに、図1(B)の左右方向すなわちメイン支持部22の延びる方向に沿って互いに間隔をあけて、複数のメインオス電極25が形成されている。これらの複数のメインオス電極25のそれぞれは、互いに対向する対をなすように形成されている。
同様に、図1(B)の第1の補助支持部23における一方主表面21aおよび他方主表面21bには、それぞれ一方および他方の第2電極としての第1の補助オス電極26が、互いに対向するように形成されている。また図1(B)の第2の補助支持部24における一方主表面21aおよび他方主表面21bには、それぞれ一方および他方の第2電極としての第2の補助オス電極27が、互いに対向するように形成されている。
立ち基板200のメインオス電極25、第1の補助オス電極26および第2の補助オス電極27のそれぞれは、図の左右方向に関してメイン基板100のメインメス電極15、第1の補助メス電極16および第2の補助メス電極17のそれぞれに対応する(等しい)位置に形成されている。したがってメインオス電極25が複数対形成されるのに対し、第1および第2の補助オス電極26,27はそれぞれ1対ずつ形成されている。
これにより、メインメス電極15とメインオス電極25とがはんだにより接続可能となっている。同様に、第1の補助メス電極16と第1の補助オス電極26とが、および第2の補助メス電極17と第2の補助オス電極27とが、それぞれはんだにより接続可能となっている。
なおメイン基板本体11および立ち基板本体21は、たとえば一般公知のガラスエポキシ材料により形成されている。またメインメス電極15、第1および第2の補助メス電極16,17、メインオス電極25、第1および第2の補助オス電極26,27などの電極は、たとえば一般公知の銅の薄膜パターンにより形成されている。
図2は、図1の立ち基板200がメイン基板100に固定され一体となった態様を示している。図2を参照して、図1(A)のメイン基板100と図1(B)の立ち基板200とが組み立てられることにより、立体型プリント配線板300が形成される。ここではメイン支持部スリット12内にメイン支持部22が、第1の補助支持部スリット13内に第1の補助支持部23が、第2の補助支持部スリット14内に第2の補助支持部24が、それぞれ挿入される。これによりメイン基板100の一方主表面11aなどと立ち基板200の一方主表面21aなどとが互いに(たとえば垂直に)交差する態様となる。
再度図1(A)を参照して、第1の補助支持部スリット13の左右方向の寸法と、第2の補助支持部スリット14の左右方向の寸法とが互いに異なる態様とすることが好ましい。同様に、再度図1(B)を参照して、第1の補助支持部23の左右方向の寸法と、第2の補助支持部24の左右方向の寸法とが互いに異なる態様とすることが好ましい。具体的には、たとえば第1の補助支持部スリット13の当該寸法が第2の補助支持部スリット14の当該寸法よりも大きく、第1の補助支持部23の当該寸法が第2の補助支持部24の当該寸法よりも大きくなるように形成されることが好ましい。このようにすれば、第1の補助支持部23を第1の補助支持部スリット13に、第2の補助支持部24を第2の補助支持部スリット14に確実に挿入させることができ、たとえば誤って第1の補助支持部23を第2の補助支持部スリット14に挿入するなどの不具合を抑制することができる。
たとえば図1および図2のメイン基板100内および立ち基板200内の余白の領域に電子部品などが実装および電気的接続されることにより、立体型プリント配線板300は電子装置として用いられる。
図3は、後述する図4中のIII−III線に沿う部分を含む概略断面図である。図3を参照して、たとえばメインメス電極15などがメイン基板100の一方主表面11aに形成される場合、一方主表面11aが鉛直方向下側を向くようにセットされることが好ましい。
メイン支持部スリット12内に立ち基板200の一部が交差するように挿入された部分においては、一方主表面21a上および他方主表面21b上に形成された互いに対向する1対のメインオス電極25の一部が配置されている。つまり互いに対向する1対のメインオス電極25の少なくとも一部は、メイン支持部スリット12に配置されている。ただしここではメイン支持部スリット12内のメインオス電極25の少なくとも一部は、クリアランス抑制領域28として配置されている。クリアランス抑制領域28はメインオス電極25の一部であるが、クリアランス抑制領域28の内部と外部との間にはメインオス電極25の除去部29が形成されており、この除去部29によりクリアランス抑制領域28はクリアランス抑制領域28以外のメインオス電極25と区画されている。
メイン支持部スリット12の外側におけるメインオス電極25の一部、特にメイン基板本体11の下側の領域においては、メイン支持部スリット12の下側の互いに対向する一方および他方のメインオス電極25のそれぞれの一部と、メイン支持部スリット12を挟むように形成される一方および他方のメインメス電極15のそれぞれの一部とが、はんだにより接続される。すなわち、立ち基板200の左側および右側の双方において、メインオス電極25とメインメス電極15との双方に接触するように固着されたはんだフィレット31が形成されている。このはんだフィレット31の形成により、メイン基板100と立ち基板200とが互いに固定されている。
このように、メインオス電極25およびメインメス電極15は、主に、メイン基板100と立ち基板200とを固定させるとともに、メイン基板100に形成される部品および配線等と立ち基板200に形成される部品および配線等とを電気的に接続することにより両基板間の電気信号の入出力を可能とする。
メイン支持部スリット12の図3中の左右方向に示す幅、すなわちメイン支持部スリット12の延びる方向に交差する(図1(A)の奥行き方向の)幅は、立ち基板200の厚み(図3中の立ち基板200の左右方向の寸法)よりも大きい。また図示されないが第1および第2の補助支持部スリット13,14についても同様に、上記幅が、立ち基板200の厚みよりも大きい。つまり立ち基板200がメイン支持部スリット12の幅方向に関する中央部に配置されれば、立ち基板200は、一方主表面21aおよび他方主表面21bがメイン支持部スリット12の内壁面と接触しないように挿入される。これにより、立ち基板200のメイン基板100に対する挿入性が良好になる。
ただしこの場合、メインメス電極15とメインオス電極25との(図3の左右方向に関する)間隔が大きくなるため、メインメス電極15とメインオス電極25との位置ずれによりはんだ付けの不具合が生じる可能性が高くなる。しかし再度図1(A),(B)を参照して、個々の第1の補助メス電極16および第2の補助メス電極17は、個々のメインメス電極15よりも図1(A)の左右方向の寸法が大きく、個々の第1の補助オス電極26および第2の補助オス電極27は、個々のメインオス電極25よりも図1(B)の左右方向の寸法が大きくなっている。
これにより、第1の補助メス電極16と第1の補助オス電極26とのはんだ付けの際に、はんだの量がより多くなることから、両電極間のセルフアライメント効果を増加させることができ、はんだ付け具合をより良好にさせることができる。第2の補助メス電極17および第2の補助オス電極27についても、上記と同様の効果を奏することができる。以上のように第1および第2の補助メス電極16,17と第1および第2の補助オス電極26,27とのはんだ付け性が良好になり位置ずれが抑制されることにより、メインメス電極15とメインオス電極25とのはんだ付け性も必然的に良好になり位置ずれが抑制される。
また第1および第2の補助メス電極16,17ならびに第1および第2の補助オス電極26,27をより大きくし、そこへのはんだ付け量を増加させその接合強度を増加させる。これにより、メイン基板本体11と立ち基板本体21との線膨張係数の差に起因する両者のはんだ付け時の膨張量または収縮量の影響を低減させることができる。またこれにより、第1および第2の補助メス電極16,17と第1および第2の補助オス電極26,27とのはんだ付けにより形成されるはんだフィレットの応力を緩和させることができ、その結果、当該はんだ付け部の信頼性を向上させることができる。
以上のようにサイズの大きい第1および第2の補助メス電極16,17ならびに第1および第2の補助オス電極26,27は、主に、メイン基板本体11と立ち基板本体21との線膨張係数の差に起因する両者のはんだ付け時の膨張量または収縮量を低減および吸収させることを可能とする。
以上により、少なくともはんだ付け後においては挿入性、はんだ付け性および信頼性をある程度向上させることができる。しかしこれらの挿入性、はんだ付け性および信頼性をより向上させるためには、立ち基板200をメイン基板100のスリットに挿入してからはんだ付けするまでの時間において、図3のように立ち基板200をメイン支持部スリット12の幅方向に関する中央部に保持する必要がある。
そこで本実施の形態においては、立ち基板200の挿入によりメイン支持部スリット12内に配置される、一方主表面21a上および他方主表面21b上の双方のメインオス電極25の最外周より内側の領域の表面から、メイン支持部スリット12の内壁面に向けて(図3の左右方向に)延びる突起部としてのはんだ盛り32が形成されている。より具体的には、はんだ盛り32は、メインオス電極25の最外周より内側の領域の一部にメインオス電極25と同一の層として形成されたクリアランス抑制領域28の表面から、メイン支持部スリット12の内壁面に向けて延びている。なおメイン支持部スリット12内に配置される第1の補助オス電極26および第2の補助オス電極27の表面にも、上記と同様の態様を有する突起部としてのはんだ盛り32が形成されている。
図3および図4を参照して、立ち基板200の一方主表面21a上および他方主表面21b上の双方の、メインオス電極25および第2の補助オス電極27の表面の一部に、環状のメインオス電極25および第2の補助オス電極27の除去部29が形成される。図4においてはメインオス電極25および第2の補助オス電極27の上下方向に関する中央よりやや上方に、正方形状を描くように環状の除去部29が形成されているがこれに限らず、除去部29の平面形状はたとえば円形状など任意の環状形状とすることができる。また図4においては省略されているが、第1の補助オス電極26にも図4と同様に除去部29およびはんだ盛り32が形成されている。
除去部29においてはメインオス電極25などがくり抜くように除去されている。つまり除去部29以外の領域においてはメインオス電極25などの第2電極が残存している。ただしここでは、除去部29の外側の領域はメインオス電極25として示されるが、除去部29の内側の(除去部29に囲まれた島状の)領域はクリアランス抑制領域28として示される。
クリアランス抑制領域28の表面上にはんだ盛り32が形成されている。はんだ盛り32は、各図の立ち基板200の主表面21a,21bの余白の領域に電子部品などの実装するためのはんだペーストを印刷する際に、それと同時にクリアランス抑制領域28上にはんだを印刷することにより供給される。これらのはんだペーストおよびはんだ盛り32は、その後リフロー槽などで加熱されることにより固化および固着される。このようにすれば、はんだ盛り32を形成するために工程を追加する必要がなく、既存の他の領域へのはんだペーストの印刷工程を利用してそれと同時にはんだ盛り32用のはんだを所望の領域に供給することができる。したがって工程削減による低コスト化ができる。
また上記のはんだペーストおよびはんだ盛り32の供給工程にはメタルマスクが用いられる。このため図3の左右方向に関する第2電極の表面からの突起の寸法のばらつきを抑制することができる。つまりたとえば図3の立ち基板200の左側のはんだ盛り32と右側のはんだ盛り32との図3の左右方向の寸法(突起高さ)の差を小さくすることができる。
図3に示すように、上記のはんだ盛り32の突起高さT(第2電極であるメインオス電極25などの表面からメイン支持部スリット12などの内壁面に向けて突起する方向の寸法)は、メイン支持部スリット12などの幅W(上記はんだ盛り32の突起する方向に関する寸法)の10%以上40%以下であることが好ましい。
以上のように、はんだ盛り32がメイン支持部スリット12などの内部に配置される。このため、はんだ盛り32が形成されるクリアランス抑制領域28を形成するための除去部29も、少なくともその一部がメイン支持部スリット12などのスリットの内部に形成された態様とすることが好ましい。
なお本実施の形態においては、はんだ盛り32の一部がメイン支持部スリット12などのスリットの内壁面に接触してもよいが、接触しなくてもよい。スリットの内壁面には導電膜が形成されないため、たとえはんだ盛り32の一部がスリットの内壁面に接触しても、はんだ盛り32とメイン基板100とが短絡することはない。
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
図3に示すように、特に孔部(メイン基板100のスリット)内の立ち基板200の一方主表面21a上および他方主表面21b上の双方において、第2電極であるメインオス電極25の表面からはんだ盛り32が形成されている。このはんだ盛り32が、図3の左右方向(はんだ盛り32が突起する方向)に関して、メイン支持部スリット12などの内壁面と接触するかまたは至近距離で対向する。また上記のように一方主表面21a側のはんだ盛り32と他方主表面21b側のはんだ盛り32とは、その突起高さの差が小さい。このためはんだ盛り32は、立ち基板200の主表面21a,21bとの間隔がある値以上に広くなることを抑制することができる。
図3に示すように、特に孔部(メイン基板100のスリット)内の立ち基板200の一方主表面21a上および他方主表面21b上の双方において、第2電極であるメインオス電極25の表面からはんだ盛り32が形成されている。このはんだ盛り32が、図3の左右方向(はんだ盛り32が突起する方向)に関して、メイン支持部スリット12などの内壁面と接触するかまたは至近距離で対向する。また上記のように一方主表面21a側のはんだ盛り32と他方主表面21b側のはんだ盛り32とは、その突起高さの差が小さい。このためはんだ盛り32は、立ち基板200の主表面21a,21bとの間隔がある値以上に広くなることを抑制することができる。
このことから、上記双方のはんだ盛り32により、メイン支持部スリット12に挿入される立ち基板200を、はんだ付け前においてもスリットの幅方向に関する中央部すなわちほぼ中心位置に配置されるよう維持することができる。つまり立ち基板200の厚み方向に関する仮想の中心線が、スリットの幅方向に関する仮想の中心線の位置にほぼ重なるように、立ち基板200が配置された状態を維持することができる。また、はんだ付け前においても立ち基板200の一方主表面21aおよび他方主表面21bがメイン基板100の一方主表面11aおよび他方主表面11bにほぼ垂直になるよう交差した状態を維持することができる。
このため、たとえ立て基板200の厚みが所望の中央値よりも小さくなるように加工され、これが挿入されるスリットの幅が所望の中央値よりも大きくなるように加工された場合でも、立て基板200をスリットの幅方向に関する中心位置に保持することができる。また立て基板200のたとえばメインオス電極25とメイン基板100のメインメス電極15との電極間クリアランスを、その想定される最大ばらつきの値の50%以下に低減することができる。
立て基板200の一方主表面21a側と他方主表面21b側との双方に形成されるはんだ盛り32がスリット内においてスペーサとして機能する。これにより、立ち基板200がメイン基板100に対してほぼ垂直になるよう交差し、かつスリットの中央部に立ち基板200が配置されるように、立ち基板200がメイン基板100にはんだ付けされ固定される。このためはんだフィレット31によるメインオス電極25とメインメス電極15とのはんだ付け性が良好になり、たとえば立ち基板200がメイン基板100に対して斜めに挿入されはんだ付け性が低下することによる立ち基板200とメイン基板100との間の導通不良を抑制することができる。すなわちはんだ盛り32により、メインオス電極25とメインメス電極15とを含む立体型プリント配線板300の信頼性および品質(導電性など)を向上させることができる。
またたとえば立て基板200の厚みが所望の中央値よりも大きくなるように加工され、これが挿入されるスリットの幅が所望の中央値よりも小さくなるように加工されれば、はんだ盛り32の表面がスリットの内壁面に接触する場合がある。このため立て基板200のメインオス電極25などの第2電極は、これが挿入されるスリットの内壁面に接触しない。このため当該電極がスリット内にてスリットの内壁面に接触することによる傷、汚れおよび剥がれなどの不具合の発生を抑制することができる。
したがって、立ち基板200の挿入性の低下を抑制することができるとともに、メインオス電極25のはんだ付け性および信頼性の低下を抑制することができ、立体型プリント配線板300の信頼性および品質を向上させることができる。
さらに本実施の形態によれば、立て基板200を挿入して立体型プリント配線板300を組み立てる際に、これをメイン基板100に対してほぼ垂直の状態で保持するための大掛かりな治具などを用いる必要がなく、メイン基板100と立て基板200とを組み合わせたものをそのままリフロー槽などに投入することができる。このため製造工程の簡略化と低コスト化を図ることができる。
上記の効果は、はんだ盛り32の突起する方向の寸法T(図3参照)が、スリットの上記突起する方向の幅W(図3参照)の10%以上40%以下とすることによりいっそう顕著となる。
さらに、はんだ盛り32は、メインオス電極25などの最外周より内側の領域にある、除去部29により区画された島状のクリアランス抑制領域28内に形成される。これにより、はんだ盛り32を形成するために当該箇所に供給されるはんだペーストが、加熱溶融の際にメインオス電極25の表面上を過剰に濡れ広がることにより突起状のはんだ盛り32が形成できなくなる不具合を抑制することができる。これははんだの濡れ性の高いメインオス電極25(と同一の層としてのクリアランス抑制領域28)が除去部29により切断されており、除去部29に達したはんだはそれ以上外側に広がりにくくなるためである。環状の溝部としての除去部29に囲まれた当該クリアランス抑制領域28内にはんだを供給することにより、当該領域28内に確実に当該はんだを滞留させることにより、突起状のはんだ盛り32を確実に形成することができる。
上記のようにはんだ盛り32はスリットの内壁面に接触しなくてもよいが、接触する態様とすれば、はんだ盛り32とスリット内壁面との間に間隙が存在しなくなる。このため、より確実に立ち基板200をメイン基板100に対してほぼ垂直に、かつスリット内の中心位置に配置させることができる。このため上記の挿入性、はんだ付け性および信頼性をいっそう高めることができる。逆にはんだ盛り32がスリットの内壁面に接触しなければ、挿入時にはんだ盛り32がその真下のクリアランス抑制領域28に応力を加え、クリアランス抑制領域28(メインオス電極25などと同じ銅薄膜など)が立ち基板本体21の主表面21a,21bから剥がれる可能性を低減することができる。
(実施の形態2)
図5は、後述する図6中のV−V線に沿う部分を含む概略断面図である。図5および図6を参照して、本実施の形態は、はんだ盛り32が形成されるクリアランス抑制領域の構成において、図3および図4に示す実施の形態1と異なっている。ただしそれ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態1の構成とほぼ同じであり、メイン基板100、立ち基板200および立体型プリント配線板300の構成は、図1および図2の構成とほぼ同じである。このため以下において実施の形態1と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
図5は、後述する図6中のV−V線に沿う部分を含む概略断面図である。図5および図6を参照して、本実施の形態は、はんだ盛り32が形成されるクリアランス抑制領域の構成において、図3および図4に示す実施の形態1と異なっている。ただしそれ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態1の構成とほぼ同じであり、メイン基板100、立ち基板200および立体型プリント配線板300の構成は、図1および図2の構成とほぼ同じである。このため以下において実施の形態1と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
本実施の形態においては、立ち基板200の一方主表面21a上および他方主表面21b上の双方の、メインオス電極25および第2の補助オス電極27の表面の少なくとも一部(たとえば図の比較的上方の領域)に、絶縁被膜としてのオーバーレジスト33が形成されている。そしてオーバーレジスト33の表面に、実施の形態1と同様のはんだ盛り32が形成されている。つまりオーバーレジスト33が形成される領域が、実施の形態1におけるクリアランス抑制領域28に相当する。本実施の形態においてもはんだ盛り32は、(オーバーレジスト33を挟んでいるものの)孔部(メイン基板100のスリット)内においてメインオス電極25および第2の補助オス電極27の表面の上から、孔部の内壁面に向けて延びる突起部である。
図6においてはメインオス電極25などの平面形状に合わせるように、矩形状のオーバーレジスト33のパターンが形成されているがこれに限らず、オーバーレジスト33はたとえば円形状など任意の平面形状とすることができる。また図6においては省略されているが、第1の補助オス電極26にも図6と同様にオーバーレジスト33およびはんだ盛り32が形成されている。
オーバーレジスト33は、各図の立ち基板200の主表面21a,21bの余白の領域に各種パターンを形成するために感光体であるフォトレジストを印刷する際に、それと同時に第2電極の表面上に形成されるものである。このようにすれば、オーバーレジスト33を形成するために工程を追加する必要がなく、既存の他の領域へのフォトレジストのパターン形成工程を利用してそれと同時にオーバーレジスト33のパターンを所望の領域に供給することができる。したがって工程削減による低コスト化ができる。
上記のように本実施の形態においても実施の形態1と同様に、はんだ盛り32はメイン支持部スリット12などの内部に形成される。このため、はんだ盛り32が形成されるクリアランス抑制領域としてのオーバーレジスト33も、少なくともその一部がメイン支持部スリット12などのスリットの内部に形成された態様とすることが好ましい。
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態は、実施の形態1と同様の作用効果に加え、以下の作用効果を奏する。
本実施の形態においては、特に孔部(メイン基板100のスリット)内において、メインオス電極25などの第2電極の表面を覆うようにオーバーレジスト33が形成されている。つまりメインオス電極25などの第2電極の表面がオーバーレジスト33に保護されるため、メインオス電極25などの表面における傷や汚れなどの不具合の発生を抑制することができる。
またオーバーレジスト33に覆われるメインオス電極25などの剥がれおよびめくれなどに対する強度を増加させることもできる。たとえば立て基板200の厚みが所望の中央値よりも大きくなるように加工され、これが挿入されるスリットの幅が所望の中央値よりも小さくなるように加工されれば、はんだ盛り32の表面がスリットの内壁面に接触する場合がある。通常、立ち基板200の一方主表面21aおよび他方主表面21bに第2電極およびはんだ盛り32が形成された後に、立ち基板200がメイン基板100のスリットに挿入されるため、上記のように立て基板200が厚ければ挿入時にはんだ盛り32がスリットの内壁面に接触しはんだ盛り32に応力が加わる。このときたとえば実施の形態1のように電極の一部をくり抜いてクリアランス抑制領域28を形成した場合、はんだ盛り32は実質的に電極の表面に形成される。このため挿入時などにはんだ盛り32に応力が加われば、クリアランス抑制領域28(メインオス電極25などと同じ銅薄膜など)が立ち基板本体21の主表面21a,21bから剥がれる可能性がある。
しかし本実施の形態においては、はんだ盛り32の形成部分にはクリアランス抑制領域として第2電極を保護するためのオーバーレジスト33が形成されている。このため上記のように挿入時にはんだ盛り32がスリット内壁面などからの応力を受けても、オーバーレジスト33の真下の第2電極の剥がれおよびめくれの発生が抑制できる。
以上により、本実施の形態においては、実施の形態1と同様にスリットの中心位置に、メイン基板100にほぼ垂直に交差するように立ち基板200を安定に固定できるとともに、第2電極の剥がれなどによる品質低下を抑制することができる。
なお本実施の形態においては、はんだ盛り32は、各図の立ち基板200の主表面21a,21bの余白の領域に電子部品などの実装するためのはんだペーストを印刷する際に、それと同時にクリアランス抑制領域としてのオーバーレジスト33の表面上にはんだを印刷することにより形成される。絶縁被膜であるオーバーレジスト33の表面上に供給されるはんだは、その後のリフロー槽などでの加熱溶融によってもオーバーレジスト33の表面上を過剰に濡れ広がる可能性が低い。このため本実施の形態においては実施の形態1のような除去部29を設けなくても、突起状のはんだ盛り32を確実に形成することができる。
(実施の形態3)
図7は、後述する図8中のVII−VII線に沿う部分を含む概略断面図である。図7および図8を参照して、本実施の形態は、実施の形態1,2においてはんだ盛り32として形成される突起部の構成において、実施の形態1,2と異なっている。ただしそれ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態1の構成とほぼ同じであり、メイン基板100、立ち基板200および立体型プリント配線板300の構成は、図1および図2の構成とほぼ同じである。このため以下において実施の形態1と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
図7は、後述する図8中のVII−VII線に沿う部分を含む概略断面図である。図7および図8を参照して、本実施の形態は、実施の形態1,2においてはんだ盛り32として形成される突起部の構成において、実施の形態1,2と異なっている。ただしそれ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態1の構成とほぼ同じであり、メイン基板100、立ち基板200および立体型プリント配線板300の構成は、図1および図2の構成とほぼ同じである。このため以下において実施の形態1と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
本実施の形態においては、立ち基板200のメインオス電極25などの第2電極に形成される突起部が、はんだ盛り32の代わりにシルク34となっている。シルク34はシルクスクリーン印刷により形成された、樹脂などからなる絶縁体の印刷物である。
シルク34は、孔部(メイン基板100のスリット)内における立ち基板200の一方主表面21a上および他方主表面21b上の双方の、メインオス電極25および第2の補助オス電極27の表面に直接形成されている。つまり実施の形態1のように除去部29で区画されたクリアランス抑制領域28や、実施の形態2のようにオーバーレジスト33をかぶせることによるクリアランス抑制領域が設けられていない。言い換えれば、本実施の形態においてはシルク34自体がクリアランス抑制領域である。
通常、立ち基板200などのプリント配線板には、そこに搭載される電子部品などを認識するためのシルク(樹脂)が印刷される。このため、第2電極の表面の一部にシルク34を印刷する工程は、たとえば各図の立ち基板200の主表面21a,21bの余白の領域にシルクを印刷する工程と同時に行なうことができる。このようにすれば、シルク34を形成するために工程を追加する必要がなく、既存の他の領域へのシルクスクリーン印刷の工程を利用してそれと同時にシルク34を所望の領域に供給することができる。したがって工程削減による低コスト化ができる。
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態のシルク34は、実施の形態1,2のはんだ盛り32と同様に、メイン支持部スリット12などのスリットの内壁面と接触するかまたは至近距離で対向する。このため当該シルク34は、立ち基板200をスリットの中心位置に、メイン基板100に対してほぼ垂直に交差するように挿入固定することを可能とする。したがって実施の形態1,2と同様に、はんだフィレット31によるメインオス電極25とメインメス電極15とのはんだ付け性が良好になり、立体型プリント配線板300の信頼性および品質を向上させることができる。
本実施の形態のシルク34は、実施の形態1,2のはんだ盛り32と同様に、メイン支持部スリット12などのスリットの内壁面と接触するかまたは至近距離で対向する。このため当該シルク34は、立ち基板200をスリットの中心位置に、メイン基板100に対してほぼ垂直に交差するように挿入固定することを可能とする。したがって実施の形態1,2と同様に、はんだフィレット31によるメインオス電極25とメインメス電極15とのはんだ付け性が良好になり、立体型プリント配線板300の信頼性および品質を向上させることができる。
その他の本実施の形態の作用効果については、基本的に実施の形態1の作用効果と同様であるため、ここではその説明を省略する。
以上に述べた各実施の形態(に含まれる各例)に記載した特徴を、技術的に矛盾のない範囲で適宜組み合わせるように適用してもよい。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
11 メイン基板本体、11a,21a 一方主表面、11b,21b 他方主表面、12 メイン支持部スリット、13 第1の補助支持部スリット、14 第2の補助支持部スリット、15 メインメス電極、16 第1の補助メス電極、17 第2の補助メス電極、21 立ち基板本体、22 メイン支持部、23 第1の補助支持部、24 第2の補助支持部、25 メインオス電極、26 第1の補助オス電極、27 第2の補助オス電極、28 クリアランス抑制領域、29 除去部、31 はんだフィレット、32 はんだ盛り、33 オーバーレジスト、34 シルク、100 メイン基板、200 立ち基板、300 立体型プリント配線板。
Claims (5)
- 一方の第1主表面と前記一方の第1主表面に対向する他方の第1主表面とを有し、前記一方の第1主表面から前記他方の第1主表面に達するように孔部が形成された第1の基板と、
一方の第2主表面と前記一方の第2主表面に対向する他方の第2主表面とを有し、前記第1の基板の前記孔部内に、前記第1の基板と互いに交差するように挿入される第2の基板とを備え、
前記第1の基板の前記一方または他方の第1主表面には、前記孔部を挟んで1対の一方および他方の第1電極が形成され、
前記第2の基板の前記一方の第2主表面には一方の第2電極が形成され、前記一方の第2電極に対向するように前記他方の第2主表面には他方の第2電極が形成され、
前記一方および他方の第2電極の少なくとも一部は、前記孔部内に配置され、
前記一方および他方の第2電極は、前記一方および他方の第1電極のそれぞれとはんだにより接続され、
前記第2の基板には、前記孔部内において前記一方および他方の第2電極の最外周より内側の領域から前記孔部の内壁面に向けて延びる突起部が形成されている、電子装置。 - 前記一方および他方の第2電極の一部に、環状の前記第2電極の除去部が形成されており、
前記突起部は、前記一方および他方の第2電極のうち前記除去部に囲まれた領域内に形成されるはんだ盛りである、請求項1に記載の電子装置。 - 前記一方および他方の第2電極の少なくとも一部上に絶縁被膜が形成され、
前記突起部は前記絶縁被膜の表面に形成されるはんだ盛りである、請求項1に記載の電子装置。 - 前記突起部は絶縁体である、請求項1に記載の電子装置。
- 前記突起部が前記一方および他方の第2電極の表面から前記孔部の内壁面に向けて突起する方向の寸法は、前記孔部の前記突起する方向に関する寸法の10%以上40%以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子装置。
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