JP2018117051A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

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Abstract

【課題】誘電体層がより薄層化し、高電界強度の電圧が印加された場合にも、優れた耐久性と、良好な誘電体特性を示す積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１０は、積層体１２を有する。積層体１２は、最も第１の主面１２ａ側に位置する内部電極２２から最も第２の主面１２ｂ側に位置する内部電極２２までを含む内層部１６と、内層部１６の第１の主面１２ａ側に位置する第１の主面側外層部１８ａと、内層部１６の第２の主面１２ｂ側に位置する第２の主面側外層部１８ｂと、を有する。第１および第２の主面側外層部１８ａ，１８ｂに接する内部電極２２においてのみ、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第１および第２の主面側外層部１８ａ，１８ｂに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である。【選択図】図２

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
近年、エレクトロニクス技術の進展に伴い、積層セラミックコンデンサには、小型化および大容量化が要求されている。これらの要求を満たすため、積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層の薄層化が進められている。しかし、誘電体層を薄層化すると、１層あたりに加わる電界強度が相対的に高くなる。よって、電圧印加時における耐久性、信頼性の向上が求められる。
積層セラミックコンデンサとしては、例えば、積層されている複数の誘電体層と、誘電体層間の界面に沿って形成されている複数の内部電極とを有する積層体と、積層体の外表面に形成され、内部電極と電気的に接続されている複数の外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサが知られている（特許文献１を参照）。そして、この特許文献１の積層セラミックコンデンサにおいては、内部電極として、Ｎｉを主成分として用いたものが開示されている。
特開平１１−２８３８６７号公報
しかしながら、Ｎｉを主成分として用いた内部電極を備える、上記特許文献１の積層セラミックコンデンサにおいては、近年の小型化および大容量化の要求に応えるためには、高電圧印加時における耐久性が未だ不十分であるという問題がある。
それゆえに、この発明の主たる目的は、誘電体層がより薄層化し、高電界強度の電圧が印加された場合にも、優れた耐久性と、良好な誘電体特性を示す積層セラミックコンデンサを提供することである。
この発明にかかる積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層を含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、複数の誘電体層と交互に積層され、第１の端面に露出する第１の内部電極および第２の端面に露出する第２の内部電極と、第１の内部電極に接続され、第１の端面上に配置された第１の外部電極と、第２の内部電極に接続され、第２の端面上に配置された第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサにおいて、積層体が、積層方向において、最も第１の主面側に位置する第１の内部電極または第２の内部電極から最も第２の主面側に位置する第１の内部電極または第２の内部電極までを含む内層部と、第１の主面側に位置し、第１の主面と第１の主面側の内層部の最表面との間に位置する複数の誘電体層から形成される第１の主面側外層部と、第２の主面側に位置し、第２の主面と第２の主面側の内層部の最表面との間に位置する複数の誘電体層から形成される第２の主面側外層部と、を有し、内層部における第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する第１の内部電極および第２の内部電極においてのみ、Ｓｎが第１の内部電極および第２の内部電極のＮｉに固溶しており、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する第１の内部電極および第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である、積層セラミックコンデンサである。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサは、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する第１の内部電極および第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であることが好ましい。
この発明にかかる積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層を含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、複数の誘電体層と交互に積層され、第１の端面に露出する第１の内部電極および第２の端面に露出する第２の内部電極と、第１の内部電極に接続され、第１の端面上に配置された第１の外部電極と、第２の内部電極に接続され、第２の端面上に配置された第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサにおいて、積層体が、積層方向において、最も第１の主面側に位置する第１の内部電極または第２の内部電極から最も第２の主面側に位置する第１の内部電極または第２の内部電極までを含む内層部と、第１の側面側に位置し、第１の側面と第１の側面側の内層部の最表面との間に位置する誘電体層から形成される第１の側面側外層部と、第２の側面側に位置し、第２の側面と第２の側面側の内層部の最表面との間に位置する誘電体層から形成される第２の側面側外層部と、を有し、内層部における第１の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の第１の内部電極および第２の内部電極においてのみ、Ｓｎが第１の内部電極および第２の内部電極のＮｉに固溶しており、第１の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の第１の内部電極および第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である、積層セラミックコンデンサである。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサは、第１の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の第１の内部電極および第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であることが好ましい。
この発明にかかる積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層を含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、複数の誘電体層と交互に積層され、第１の端面に露出する第１の内部電極および第２の端面に露出する第２の内部電極と、第１の内部電極に接続され、第１の端面上に配置された第１の外部電極と、第２の内部電極に接続され、第２の端面上に配置された第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサにおいて、積層体が、積層方向において、最も第１の主面側に位置する第１の内部電極または第２の内部電極から最も第２の主面側に位置する第１の内部電極または第２の内部電極までを含む内層部と、第１の主面側に位置し、第１の主面と第１の主面側の内層部の最表面との間に位置する複数の誘電体層から形成される第１の主面側外層部と、第２の主面側に位置し、第２の主面と第２の主面側の内層部の最表面との間に位置する複数の誘電体層から形成される第２の主面側外層部と、第１の側面側に位置し、第１の側面と第１の側面側の内層部の最表面との間に位置する誘電体層から形成される第１の側面側外層部と、第２の側面側に位置し、第２の側面と第２の側面側の内層部の最表面との間に位置する誘電体層から形成される第２の側面側外層部と、を有し、内層部における第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する第１の内部電極および第２の内部電極、並びに第１の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の第１の内部電極および第２の内部電極においてのみ、Ｓｎが第１の内部電極および第２の内部電極のＮｉに固溶しており、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する第１の内部電極および第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以上であり、第１の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の第１の内部電極および第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である、積層セラミックコンデンサである。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサは、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する第１の内部電極および第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であり、第１の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の第１の内部電極および第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であることが好ましい。
この発明にかかる積層セラミックコンデンサによれば、内層部における第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する第１の内部電極および第２の内部電極においてのみ、Ｓｎが第１の内部電極および第２の内部電極のＮｉに固溶しており、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する第１の内部電極および第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であるため、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する第１の内部電極および第２の内部電極がＮｉ−Ｓｎ合金化することによってセラミックと電極の界面の状態（電気的な障壁の高さ）を変化させることができ、高い高温負荷寿命を実現することができる。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサでは、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する第１の内部電極および第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であると、Ｎｉの一部をＳｎで置換してＮｉ−Ｓｎ合金とし、その箇所の物性（例えば、線膨張係数など）を変化させることができる。そのため、有効層（内層部）中央と無効層（外層部）近傍の有効層（内層部）の間で線膨張係数が異なることで、積層セラミックコンデンサ内部の応力分布に変化が生じるため、静電容量を向上させることができる。
この発明にかかる積層セラミックコンデンサによれば、内層部における第１の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の第１の内部電極および第２の内部電極においてのみ、Ｓｎが第１の内部電極および第２の内部電極のＮｉに固溶しており、第１の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の第１の内部電極および第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であるため、第１の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内における第１の内部電極および第２の内部電極がＮｉ−Ｓｎ合金化することによってセラミックと電極の界面の状態（電気的な障壁の高さ）を変化させることができ、高い高温負荷寿命を実現することができる。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサでは、第１の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の第１の内部電極および第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であると、Ｎｉの一部をＳｎで置換してＮｉ−Ｓｎ合金とし、その箇所の物性（例えば、線膨張係数など）を変化させることができる。そのため、有効層（内層部）中央と無効層（外層部）近傍の有効層（内層部）の間で線膨張係数が異なることで、積層セラミックコンデンサ内部の応力分布に変化が生じるため、静電容量を向上させることができる。
この発明にかかる積層セラミックコンデンサによれば、内層部における第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する第１の内部電極および第２の内部電極、並びに第１の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の第１の内部電極および第２の内部電極においてのみ、Ｓｎが第１の内部電極および第２の内部電極のＮｉに固溶しており、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する第１の内部電極および第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以上であり、第１の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の第１の内部電極および第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であるため、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する第１の内部電極および第２の内部電極、並びに第１の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内における第１の内部電極および第２の内部電極がＮｉ−Ｓｎ合金化することによってセラミックと電極の界面の状態（電気的な障壁の高さ）を変化させることができ、高い高温負荷寿命を実現することができる。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサでは、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する第１の内部電極および第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であり、第１の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の第１の内部電極および第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であると、Ｎｉの一部をＳｎで置換してＮｉ−Ｓｎ合金とし、その箇所の物性（例えば、線膨張係数など）を変化させることができる。そのため、有効層（内層部）中央と無効層（外層部）近傍の有効層（内層部）の間で線膨張係数が異なることで、積層セラミックコンデンサ内部の応力分布に変化が生じるため、静電容量を向上させることができる。
この発明によれば、誘電体層がより薄層化し、高電界強度の電圧が印加された場合にも、優れた耐久性と、良好な誘電体特性を示す積層セラミックコンデンサが得られる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
この発明にかかる積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。 この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。 この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
１．第１の実施の形態
（１）積層セラミックコンデンサ
この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサについて説明する。図１は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。図２は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図であり、図３は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
図１ないし図３に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状の積層体１２を含む。
積層体１２は、積層された複数の誘電体層１４と複数の内部電極２２とを有する。さらに、積層体１２は、積層方向ｘに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、積層方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、積層方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆとを有する。この積層体１２には、角部および稜線部に丸みがつけられていることが好ましい。なお、角部とは、積層体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する２面が交わる部分のことである。また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ、ならびに第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆの一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。さらに、積層体１２の長さ方向ｚの寸法は、幅方向ｙの寸法よりも必ずしも長いとは限らない。
積層体１２は、積層体１２の積層方向ｘにおいて、複数の内部電極２２のうち最も第１の主面１２ａ側に位置する内部電極２２から複数の内部電極２２のうち最も第２の主面１２ｂ側に位置する内部電極２２までを含む、内層部１６を有する。また、積層体１２は、第１の主面１２ａ側に位置し、第１の主面１２ａと第１の主面１２ａ側の内層部１６の最表面１６ａとの間に位置する複数の誘電体層１４から形成される第１の主面側外層部１８ａと、第２の主面１２ｂ側に位置し、第２の主面１２ｂと第２の主面１２ｂ側の内層部１６の最表面１６ｂとの間に位置する複数の誘電体層１４から形成される第２の主面側外層部１８ｂとを有する。また、積層体１２は、第１の側面１２ｃ側に位置し、第１の側面１２ｃと第１の側面１２ｃ側の内層部１６の最表面１６ｃとの間に位置する誘電体層１４から形成される第１の側面側外層部２０ａと、第２の側面１２ｄ側に位置し、第２の側面１２ｄと第２の側面１２ｄ側の内層部１６の最表面１６ｄとの間に位置する誘電体層１４から形成される第２の側面側外層部２０ａとを有する。このように、積層体１２の外層部は、第１の主面側外層部１８ａ、第２の主面側外層部１８ｂ、第１の側面側外層部２０ａおよび第２の側面側外層部２０ｂにより構成される。
誘電体層１４は、たとえば、誘電体材料により形成することができる。誘電体層１４を構成する誘電体材料の粉末は、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型酸化物を主成分とすることが望ましい。このような誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ3の成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する電子部品本体１２の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない副成分を添加したものを用いてもよい。
焼成後の誘電体層１４一層あたりの厚みは、０．５μｍ以上２．５μｍ以下であることが好ましい。
積層体１２は、複数の内部電極２２として、たとえば略矩形状の複数の第１の内部電極２２ａおよび複数の第２の内部電極２２ｂを有する。複数の第１の内部電極２２ａおよび複数の第２の内部電極２２ｂは、積層体１２の積層方向ｘに沿って等間隔に交互に配置されるように埋設されている。
第１の内部電極２２ａは、第２の内部電極２２ｂと対向する第１の対向電極部２４ａと、第１の内部電極２２ａの一端側に位置し、積層体１２の第１の端面１２ｅに引き出された第１の引出電極部２６ａとを有する。
第２の内部電極２２ｂは、第１の内部電極２２ａと対向する第２の対向電極部２４ｂと、第２の内部電極２２ｂの一端側に位置し、積層体１２の第２の端面１２ｆに引き出された第２の引出電極部２６ｂとを有する。
積層体１２は、第１の対向電極部２４ａおよび第２の対向電極部２４ｂの幅方向ｙの一端と第１の側面１２ｃとの間および第１の対向電極部２４ａおよび第２の対向電極部２４ｂの幅方向ｙの他端と第２の側面１２ｄとの間に形成される積層体１２の側部（以下、「Ｗギャップ」という。）２８ａを含む。さらに、積層体１２は、第１の内部電極２２ａの第１の引出電極部２４ａとは反対側の端部と第２の端面１２ｆとの間および第２の内部電極２２ｂの第２の引出電極部２４ｂとは反対側の端部と第１の端面１２ｅとの間に形成される積層体１２の端部（以下、「Ｌギャップ」という。）２８ｂを含む。
内部電極２２は、主成分がＮｉからなる。
内層部１６における第１の主面側外層部１８ａに接する内部電極２２（第１の内部電極２２ａおよび第２の内部電極２２ｂ）において、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第１の主面側外層部１８ａに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である。また、第１の主面側外層部１８ａに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であることが好ましい。
また、内層部１６における第２の主面側外層部１８ｂに接する内部電極２２（第１の内部電極２２ａおよび第２の内部電極２２ｂ）において、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第２の主面側外層部１８ｂに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である。また、第２の主面側外層部１８ｂに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であることが好ましい。
一方、内層部１６を積層方向ｘに３等分したうちの中央部の第１の側面側外層部２０ａ（第１の側面１２ｃ側の内層部１６の最表面１６ｃ）から幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ１内、および内層部１６を積層方向ｘに３等分したうちの中央部の第１の側面側外層部２０ｂ（第２の側面１２ｄ側の内層部１６の最表面１６ｄ）から幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ２内における内部電極２２のＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌよりも小さくてもよい。
内部電極２２は、さらに誘電体層１４に含まれるセラミックスと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。
内部電極２２の厚みは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。また、内部電極２２の枚数は、特に限定されない。
積層体１２の第１の端面１２ｅ側および第２の端面１２ｆ側には、外部電極３０が配置される。外部電極３０は、第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂを有する。
第１の外部電極３０ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置される。この場合、第１の外部電極３０ａは、第１の内部電極２２ａの第１の引出電極２６ａと電気的に接続される。なお、第１の外部電極３０ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅを覆い、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成されることが好ましい。
第２の外部電極３０ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置される。この場合、第２の外部電極３０ｂは、第２の内部電極２２ｂの第２の引出電極２６ｂと電気的に接続される。なお、第２の外部電極３０ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆを覆い、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成されることが好ましい。
積層体１２内においては、第１の内部電極２２ａの第１の対向電極部２４ａと第２の内部電極２２ｂの第２の対向電極２４ｂとが誘電体層１４を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第１の内部電極２２ａが接続された第１の外部電極３０ａと第２の内部電極２２ｂが接続された第２の外部電極３０ｂとの間に、静電容量を得ることができ、コンデンサの特性が発現する。
第１の外部電極３０ａは、第１の下地電極層３２ａと、第１の下地電極層３２ａの表面に配置された第１のめっき層３４ａとを含む。同様に、第２の外部電極３０ｂは、第２の下地電極層３２ｂと、第２の下地電極層３２ｂの表面に配置された第２のめっき層３４ｂとを含む。
第１の下地電極層３２ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置され、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
また、第２の下地電極層３２ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置され、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
なお、第１の下地電極層３２ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面のみに配置されてもよいし、第２の下地電極層３２ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面にのみ配置されてもよい。
第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂ（以下、単に下地電極層ともいう）は、導電性金属およびガラスを含む。下地電極層の金属としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。また、下地電極層のガラスとしては、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。下地電極層は、複数層であってもよい。下地電極層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体１２に塗布して焼き付けたものであり、誘電体層１４および内部電極２２と同時に焼成したものでもよく、誘電体層１４および内部電極２２を焼成した後に焼き付けたものでもよい。下地電極層のうちの最も厚い部分の厚みは、特に限定されないが、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
第１のめっき層３４ａは、第１の下地電極層３２ａを覆うように配置される。具体的には、第１のめっき層３４ａは、第１の下地電極層３２ａの表面の第１の端面１２ｅに配置され、第１の下地電極層３２ａの表面の第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。なお、第１のめっき層３４ａは、第１の端面１２ｅに配置される第１の下地電極層３２ａの表面のみに配置されてもよい。
同様に、第２のめっき層３４ｂは、第２の下地電極層３２ｂを覆うように配置される。具体的には、第２のめっき層３４ｂは、第２の下地電極層３２ｂの表面の第２の端面１２ｆに配置され、第２の下地電極層３２ｂの表面の第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。なお、第２のめっき層３４ｂは、第２の端面１２ｆに配置される第２の下地電極層３２ｂの表面のみに配置されてもよい。
また、第１のめっき層３４ａおよび第２のめっき層３４ｂ（以下、単にめっき層ともいう）としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどから選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金が用いられる。
めっき層は、複数層によって形成されてもよい。この場合、めっき層は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造であることが好ましい。Ｎｉめっき層が、下地電極層の表面を覆うように設けられることで、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、実装に用いられる半田によって下地電極層が侵食されることを防止することができる。また、Ｎｉめっき層の表面に、Ｓｎめっき層を設けることにより、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、実装に用いられる半田の濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。
めっき層一層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
なお、積層体１２、第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向ｚの寸法をＬ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の積層方向ｘの寸法をＴ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の幅方向ｙの寸法をＷ寸法とする。
積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、特に限定されないが、長さ方向ｚのＬ寸法が０．２ｍｍ以上３．２ｍｍ以下、幅方向ｙのＷ寸法が０．１ｍｍ以上２．５ｍｍ以下、積層方向ｘのＴ寸法が０．１ｍｍ以上２．５ｍｍ以下である。なお、長さ方向ｚのＬ寸法は、幅方向ｙのＷ寸法よりも必ずしも長いとは限らない。また、積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、マイクロスコープにより測定することができる。
第１の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０によれば、内層部１６における第１の主面側外層部１８ａに接する内部電極２２において、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第１の主面側外層部１８ａに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であり、内層部１６における第２の主面側外層部１８ｂに接する内部電極２２において、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第２の主面側外層部１８ｂに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であるので、第１の主面側外層部１８ａおよび第２の主面側外層部１８ｂに接する内部電極２２がＮｉ−Ｓｎ合金化することによってセラミックと電極の界面の状態（電気的な障壁の高さ）を変化させることができ、高い高温負荷寿命を実現することができる。これは、積層セラミックコンデンサの高温負荷試験における故障が、有効層（内層部）における内部電極２２の端部で発生することが多いため、その部分の高温負荷寿命を向上させることで、積層セラミックコンデンサ全体の高温負荷寿命を向上させることができると考えられる。
また、第１の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０によれば、第１の主面側外層部１８ａに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であり、第２の主面側外層部１８ｂに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であると、上記の効果だけでなく、Ｎｉの一部をＳｎで置換してＮｉ−Ｓｎ合金とし、その箇所の物性（例えば、線膨張係数など）を変化させることができる。そのため、有効層（内層部）中央と無効層（外層部）近傍の有効層（内層部）の間で線膨張係数が異なることで、積層セラミックコンデンサ１０内部の応力分布に変化が生じるため、静電容量を向上させることができる。従って、高温負荷寿命と高静電容量との両立を実現することができる。
（２）積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、以上の構成からなる第１の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施の形態について説明する。
（ａ）誘電体原料粉末の作製
最初に、主成分であるＢａＴｉＯ3粉末が用意される。具体的には、ＢａＣＯ3粉末、ＴｉＯ2粉末が所定量秤量され、ボールミルにより一定時間混合された後、熱処理を行い、主成分のＢａＴｉＯ3粉末が得られる。
なお、誘電体層１４を構成する誘電体材料の粉末は、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型酸化物を主成分とすることが望ましい。
次に、副成分であるＤｙ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＳｉＯ2の各粉末が用意される。そして、主成分であるＢａＴｉＯ3１００ｍｏｌ部に対してＤｙ2Ｏ3が０．７５ｍｏｌ部、ＭｇＯが１ｍｏｌ部、ＭｎＯが０．２ｍｏｌ部、ＳｉＯ2が１ｍｏｌ部となるように秤量する。これらの粉末が主成分のＢａＴｉＯ3粉末と配合され、ボールミルにより一定時間混合された後、乾燥、乾式粉砕され、原料粉末１が得られる。
また、副成分であるＤｙ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＳｉＯ2の各粉末に加えて、ＳｎＯ2粉末が用意される。そして、主成分であるＢａＴｉＯ3１００ｍｏｌ部に対してＤｙ2Ｏ3が０．７５ｍｏｌ部、ＭｇＯが１ｍｏｌ部、ＭｎＯが０．２ｍｏｌ部、ＳｉＯ2が１ｍｏｌ部であり、ＳｎＯ2はＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率が０．０６ｗｔ％以上１．２５ｗｔ％以下となるように秤量する。これらの粉末が主成分のＢａＴｉＯ3粉末と配合され、ボールミルにより一定時間混合された後、乾燥、乾式粉砕され、原料粉末２が得られる。
（ｂ）積層セラミックコンデンサの製造
次に、原料粉末１にポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、スラリーが調整される。このセラミックスラリーが、ドクターブレード法によりシート成形され、たとえば、厚み２．８μｍのＳｎＯ2を含まないセラミックグリーンシート１が得られる。
同様に、原料粉末２にポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、スラリーが調整される。このセラミックスラリーが、ドクターブレード法によりシート成形され、たとえば、厚み２．８μｍのＳｎＯ2を含むセラミックグリーンシート２が得られる。
次に、内部電極２２を形成するための内部電極用導電性ペーストが用意される。導電性粉末としてＮｉ粉末が用意され、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノールなどの有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、内部電極用導電性ペーストが作製される。
続いて、セラミックグリーンシート１の表面に、用意した内部電極用導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンが形成される。なお、内部電極用導電性ペーストは、スクリーン印刷やグラビア印刷などの公知の方法により印刷することができる。
次に、内部電極パターンが印刷されていないセラミックグリーンシート２のみが所定枚数（たとえば、５０枚）積み重ねられ、その上に、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシート１を積み、内部電極パターンが引き出されている側が互い違いになるように所定枚数（たとえば、３０１枚）積層され、さらにその上に、内部電極パターンが印刷されていないセラミックグリーンシート２のみが所定枚数（たとえば、５０枚）積み重ねられて、積層体ブロックが作製される。必要に応じて、この積層体ブロックは、静水圧プレスなどの手段により積層方向に圧着させてもよい。
その後、積層体ブロックが所定の形状寸法に切断され、未焼成の積層体チップが切り出される。積層体チップを得るために積層体ブロックを切断する際に、切断位置を調整して、焼成後のＷギャップの厚みが約１００μｍになるようにする。なお、このとき、バレル研磨などにより積層体の角部や稜線部に丸みをつけてもよい。
続いて、切り出された未焼成の積層体チップが、たとえば、Ｎ2雰囲気にて３５０℃の温度で加熱し、バインダが燃焼された後、酸素分圧１０-10ＭＰａ以上１０-12ＭＰａ以下のＨ2−Ｎ2−Ｈ2Ｏガスからなる還元雰囲気中において、２０℃／ｍｉｎで昇温し、１２００℃にて２０分焼成される。
次に、焼成後の積層体１２の両端面に外部電極用導電性ペーストが塗布され、焼き付けられ、第１の内部電極２２ａと電気的に接続される第１の外部電極３０ａの第１の下地電極層３２ａおよび第２の内部電極２２ｂと電気的に接続される第２の外部電極３０ｂの第２の下地電極層３２ｂが形成される。外部電極用導電性ペーストは、たとえば、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＢａＯ系ガラスフリットが含有されるＣｕペーストが用いられる。また、焼き付けは、Ｎ2雰囲気中において６００℃で行われる。
続いて、必要に応じて、第１の下地電極層３２ａを覆うように、第１のめっき層３４ａが形成され、第２の下地電極層３２ｂを覆うように、第２のめっき層３４ａが形成される。
第１のめっき層３４ａおよび第２のめっき層３４ｂがＮｉめっき層で形成される場合は、その形成方法として電解めっきが用いられる。
なお、第１のめっき層３４ａおよび第２のめっき層３４ｂは、２層構造で形成される場合、必要に応じて、それぞれのＮｉめっき層の表面にＳｎめっき層が形成される。
上述のようにして、第１の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
２．第２の実施の形態
（１）積層セラミックコンデンサ
この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサについて説明する。なお、この実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０は、内部電極２２においてＳｎが存在する態様が異なることを除いて、図１ないし図３を用いて説明した第１の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０と同様の構成を有する。従って、第１の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０と同一の構成部分については、その説明を省略する。
第２の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０では、内層部１６における第１の側面１２ｃ側の内層部１６の最表面１６ｃから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ１内の内部電極２２（第１の内部電極２２ａおよび第２の内部電極２２ｂ）において、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第１の側面１２ｃ側の内層部１６の最表面１６ｃから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ１内の内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である。また、第１の側面１２ｃ側の内層部１６の最表面１６ｃから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ１内の内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であることが好ましい。
また、内層部１６における第２の側面１２ｄ側の内層部１６の最表面１６ｄから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ２内の内部電極２２（第１の内部電極２２ａおよび第２の内部電極２２ｂ）において、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第２の側面１２ｄ側の内層部１６の最表面１６ｄから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ２内の内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である。また、第２の側面１２ｄ側の内層部１６の最表面１６ｄから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ２内の内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であることが好ましい。
第２の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０によれば、内層部１６における第１の側面１２ｃ側の内層部１６の最表面１６ｃから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ１内の内部電極２２（第１の内部電極２２ａおよび第２の内部電極２２ｂ）において、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第１の側面１２ｃ側の内層部１６の最表面１６ｃから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ１内の内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であり、内層部１６における第２の側面１２ｄ側の内層部１６の最表面１６ｄから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ２内の内部電極２２（第１の内部電極２２ａおよび第２の内部電極２２ｂ）において、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第２の側面１２ｄ側の内層部１６の最表面１６ｄから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ２内の内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であるので、第１の側面１２ｃ側および第２の側面１２ｄ側の内層部１６の最表面から幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域内における内部電極２２がＮｉ−Ｓｎ合金化することによってセラミックと電極の界面の状態（電気的な障壁の高さ）を変化させることができ、高い高温負荷寿命を実現することができる。これは、積層セラミックコンデンサの高温負荷試験における故障が、有効層（内層部）における内部電極２２の端部で発生することが多いため、その部分の高温負荷寿命を向上させることで、積層セラミックコンデンサ全体の高温負荷寿命を向上させることができると考えられる。
また、第２の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０によれば、第１の側面１２ｃ側の内層部１６の最表面１６ｃから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ１内の内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であり、第２の側面１２ｄ側の内層部１６の最表面１６ｄから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ２内の内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であると、上記の効果だけでなく、Ｎｉの一部をＳｎで置換してＮｉ−Ｓｎ合金とし、その箇所の物性（例えば、線膨張係数など）を変化させることができる。そのため、有効層（内層部）中央と無効層（外層部）近傍の有効層（内層部）の間で線膨張係数が異なることで、積層セラミックコンデンサ１０内部の応力分布に変化が生じるため、静電容量を向上させることができる。従って、高温負荷寿命と高静電容量との両立を実現することができる。
（２）積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、以上の構成からなる第２の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施の形態について説明する。
（ａ）誘電体原料粉末の作製
最初に、主成分であるＢａＴｉＯ3粉末が用意される。具体的には、ＢａＣＯ3粉末、ＴｉＯ2粉末が所定量秤量され、ボールミルにより一定時間混合された後、熱処理を行い、主成分のＢａＴｉＯ3粉末が得られる。
なお、誘電体層１４を構成する誘電体材料の粉末は、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型酸化物を主成分とすることが望ましい。
次に、副成分であるＤｙ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＳｉＯ2の各粉末が用意される。そして、主成分であるＢａＴｉＯ3１００ｍｏｌ部に対してＤｙ2Ｏ3が０．７５ｍｏｌ部、ＭｇＯが１ｍｏｌ部、ＭｎＯが０．２ｍｏｌ部、ＳｉＯ2が１ｍｏｌ部となるように秤量する。これらの粉末が主成分のＢａＴｉＯ3粉末と配合され、ボールミルにより一定時間混合された後、乾燥、乾式粉砕され、原料粉末１が得られる。
また、副成分であるＤｙ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＳｉＯ2の各粉末に加えて、ＳｎＯ2粉末が用意される。そして、主成分であるＢａＴｉＯ3１００ｍｏｌ部に対してＤｙ2Ｏ3が０．７５ｍｏｌ部、ＭｇＯが１ｍｏｌ部、ＭｎＯが０．２ｍｏｌ部、ＳｉＯ2が１ｍｏｌ部であり、ＳｎＯ2はＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率が０．０６ｗｔ％以上１．２５ｗｔ％以下となるように秤量する。これらの粉末が主成分のＢａＴｉＯ3粉末と配合され、ボールミルにより一定時間混合された後、乾燥、乾式粉砕され、原料粉末２が得られる。
（ｂ）積層セラミックコンデンサの製造
次に、原料粉末１にポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、スラリーが調整される。このセラミックスラリーが、ドクターブレード法によりシート成形され、たとえば、厚み２．８μｍのＳｎＯ2を含まないセラミックグリーンシート１が得られる。
また、原料粉末２にポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、スラリーが調整され、Ｗギャップ形成用スラリーが作製される。
次に、内部電極２２を形成するための内部電極用導電性ペーストが用意される。導電性粉末としてＮｉ粉末が用意され、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノールなどの有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、内部電極用導電性ペーストが作製される。
続いて、セラミックグリーンシート１の表面に、用意した内部電極用導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンが形成される。なお、内部電極用導電性ペーストは、スクリーン印刷やグラビア印刷などの公知の方法により印刷することができる。
次に、内部電極パターンが印刷されていないセラミックグリーンシート１が所定枚数（たとえば、５０枚）積み重ねられ、その上に、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシート１を積み、内部電極パターンが引き出されている側が互い違いになるように所定枚数（たとえば、３０１枚）積層され、さらにその上に、内部電極パターンが印刷されていないセラミックグリーンシート１が所定枚数（たとえば、５０枚）積み重ねられて、積層体ブロックが作製される。必要に応じて、この積層体ブロックは、静水圧プレスなどの手段により積層方向に圧着させてもよい。
その後、積層体ブロックが所定の形状寸法に切断され、未焼成の積層体チップが切り出される。積層体チップを得るために積層体ブロックを切断する際に、切断位置を調整して、Ｗギャップを有さない（すなわち、積層体チップの幅方向ｙに相対する両側面に内部電極パターンが露出している）ようにする。なお、このとき、バレル研磨などにより積層体の角部や稜線部に丸みをつけてもよい。
次に、得られた積層体チップにＷギャップが形成される。具体的には、積層体チップの一方の側面（ＬＴ面）が上を向くようにマトリクス状にカット後の積層体チップを整列した集合体が枠体内にはめ込まれる。このとき、形成したいＷギャップの所望の厚さ分（たとえば、約１３０μｍ。焼成後には１００μｍとなる。）だけ、集合体の表面が枠体の表面から低い位置に位置するようにする。そして、Ｗギャップ形成用スラリーをスキージで塗布し、乾燥させることにより、積層体チップの一方の側面にＷギャップを形成する。その後、同様にして、積層体チップの他方の側面（ＬＴ面）にもＷギャップを形成する。なお、Ｗギャップ形成用スラリーは、側面からたれ落ちないように高粘度のものが好ましい。
続いて、Ｗギャップの形成された未焼成の積層体チップが、たとえば、Ｎ2雰囲気にて３５０℃の温度で加熱し、バインダが燃焼された後、酸素分圧１０-10ＭＰａ以上１０-12ＭＰａ以下のＨ2−Ｎ2−Ｈ2Ｏガスからなる還元雰囲気中において、２０℃／ｍｉｎで昇温し、１２００℃にて２０分焼成される。
次に、焼成後の積層体１２の両端面に外部電極用導電性ペーストが塗布され、焼き付けられ、第１の内部電極２２ａと電気的に接続される第１の外部電極３０ａの第１の下地電極層３２ａおよび第２の内部電極２２ｂと電気的に接続される第２の外部電極３０ｂの第２の下地電極層３２ｂが形成される。外部電極用導電性ペーストは、たとえば、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＢａＯ系ガラスフリットが含有されるＣｕペーストが用いられる。また、焼き付けは、Ｎ2雰囲気中において６００℃で行われる。
続いて、必要に応じて、第１の下地電極層３２ａを覆うように、第１のめっき層３４ａが形成され、第２の下地電極層３２ｂを覆うように、第２のめっき層３４ａが形成される。
第１のめっき層３４ａおよび第２のめっき層３４ｂがＮｉめっき層で形成される場合は、その形成方法として電解めっきが用いられる。
なお、第１のめっき層３４ａおよび第２のめっき層３４ｂは、２層構造で形成される場合、必要に応じて、それぞれのＮｉめっき層の表面にＳｎめっき層が形成される。
上述のようにして、第２の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
３．第３の実施の形態
（１）積層セラミックコンデンサ
この発明の第３の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサについて説明する。なお、この実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０は、内部電極２２においてＳｎが存在する態様が異なることを除いて、図１ないし図３を用いて説明した第１の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０と同様の構成を有する。従って、第１の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０と同一の構成部分については、その説明を省略する。
第３の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサでは、内層部１６における第１の主面側外層部１８ａに接する内部電極２２（第１の内部電極２２ａおよび第２の内部電極２２ｂ）において、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第１の主面側外層部１８ａに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である。また、第１の主面側外層部１８ａに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であることが好ましい。
また、内層部１６における第２の主面側外層部１８ｂに接する内部電極２２（第１の内部電極２２ａおよび第２の内部電極２２ｂ）において、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第２の主面側外層部１８ｂに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である。また、第２の主面側外層部１８ｂに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であることが好ましい。
さらに、第３の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０では、内層部１６における第１の側面１２ｃ側の内層部１６の最表面１６ｃから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ１内の内部電極２２（第１の内部電極２２ａおよび第２の内部電極２２ｂ）において、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第１の側面１２ｃ側の内層部１６の最表面１６ｃから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ１内の内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である。また、第１の側面１２ｃ側の内層部１６の最表面１６ｃから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ１内の内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であることが好ましい。
また、内層部１６における第２の側面１２ｄ側の内層部１６の最表面１６ｄから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ２内の内部電極２２（第１の内部電極２２ａおよび第２の内部電極２２ｂ）において、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第２の側面１２ｄ側の内層部１６の最表面１６ｄから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ２内の内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である。また、第２の側面１２ｄ側の内層部１６の最表面１６ｄから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ２内の内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であることが好ましい。
第３の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０によれば、内層部１６における第１の主面側外層部１８ａに接する内部電極２２において、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第１の主面側外層部１８ａに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であり、内層部１６における第２の主面側外層部１８ｂに接する内部電極２２において、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第２の主面側外層部１８ｂに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である。
また、内層部１６における第１の側面１２ｃ側の内層部１６の最表面１６ｃから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ１内の内部電極２２において、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第１の側面１２ｃ側の内層部１６の最表面１６ｃから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ１内の内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であり、内層部１６における第２の側面１２ｄ側の内層部１６の最表面１６ｄから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ２内の内部電極２２において、Ｓｎが内部電極２２のＮｉに固溶しており、第２の側面１２ｄ側の内層部１６の最表面１６ｄから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ２内の内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である。
従って、第１の主面側外層部１８ａおよび第２の主面側外層部１８ｂに接する内部電極２２、ならびに第１の側面１２ｃ側および第２の側面１２ｄの内層部１６の最表面から幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域内の内部電極２２がＮｉ−Ｓｎ合金化することによってセラミックと電極の界面の状態（電気的な障壁の高さ）を変化させることができ、高い高温負荷寿命を実現することができる。これは、積層セラミックコンデンサの高温負荷試験における故障が、有効層（内層部）における内部電極２２の端部で発生することが多いため、その部分の高温負荷寿命を向上させることで、積層セラミックコンデンサ全体の高温負荷寿命を向上させることができると考えられる。
また、第３の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０によれば、第１の主面側外層部１８ａに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であり、第２の主面側外層部１８ｂに接する内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であることが好ましく、第１の側面１２ｃ側の内層部１６の最表面１６ｃから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ１内の内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であり、第２の側面１２ｄ側の内層部１６の最表面１６ｄから幅方向ｙに沿って５μｍまでの領域Ｓ２内の内部電極２２におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量は、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であることが好ましい。
そうすると、上記の効果だけでなく、Ｎｉの一部をＳｎで置換してＮｉ−Ｓｎ合金とし、その箇所の物性（例えば、線膨張係数など）を変化させることができる。そのため、有効層（内層部）中央と無効層（外層部）近傍の有効層（内層部）の間で線膨張係数が異なることで、積層セラミックコンデンサ１０内部の応力分布に変化が生じるため、静電容量を向上させることができる。従って、高温負荷寿命と高静電容量との両立を実現することができる。
（２）積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、以上の構成からなる第３の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施の形態について説明する。
（ａ）誘電体原料粉末の作製
最初に、主成分であるＢａＴｉＯ3粉末が用意される。具体的には、ＢａＣＯ3粉末、ＴｉＯ2粉末が所定量秤量され、ボールミルにより一定時間混合された後、熱処理を行い、主成分のＢａＴｉＯ3粉末が得られる。
なお、誘電体層１４を構成する誘電体材料の粉末は、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型酸化物を主成分とすることが望ましい。
次に、副成分であるＤｙ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＳｉＯ2の各粉末が用意される。そして、主成分であるＢａＴｉＯ3１００ｍｏｌ部に対してＤｙ2Ｏ3が０．７５ｍｏｌ部、ＭｇＯが１ｍｏｌ部、ＭｎＯが０．２ｍｏｌ部、ＳｉＯ2が１ｍｏｌ部となるように秤量する。これらの粉末が主成分のＢａＴｉＯ3粉末と配合され、ボールミルにより一定時間混合された後、乾燥、乾式粉砕され、原料粉末１が得られる。
また、副成分であるＤｙ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＳｉＯ2の各粉末に加えて、ＳｎＯ2粉末が用意される。そして、主成分であるＢａＴｉＯ3１００ｍｏｌ部に対してＤｙ2Ｏ3が０．７５ｍｏｌ部、ＭｇＯが１ｍｏｌ部、ＭｎＯが０．２ｍｏｌ部、ＳｉＯ2が１ｍｏｌ部であり、ＳｎＯ2はＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率が０．０６ｗｔ％以上１．２５ｗｔ％以下となるように秤量する。これらの粉末が主成分のＢａＴｉＯ3粉末と配合され、ボールミルにより一定時間混合された後、乾燥、乾式粉砕され、原料粉末２が得られる。
（ｂ）積層セラミックコンデンサの製造
次に、原料粉末１にポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、スラリーが調整される。このセラミックスラリーが、ドクターブレード法によりシート成形され、たとえば、厚み２．８μｍのＳｎＯ2を含まないセラミックグリーンシート１が得られる。
同様に、原料粉末２にポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、スラリーが調整される。このセラミックスラリーが、ドクターブレード法によりシート成形され、たとえば、厚み２．８μｍのＳｎＯ2を含むセラミックグリーンシート２が得られる。
さらに、原料粉末２にポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、スラリーが調整され、Ｗギャップ形成用スラリーが作製される。
次に、内部電極２２を形成するための内部電極用導電性ペーストが用意される。導電性粉末としてＮｉ粉末が用意され、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノールなどの有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、内部電極用導電性ペーストが作製される。
続いて、セラミックグリーンシート１の表面に、用意した内部電極用導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンが形成される。なお、内部電極用導電性ペーストは、スクリーン印刷やグラビア印刷などの公知の方法により印刷することができる。
次に、内部電極パターンが印刷されていないセラミックグリーンシート２のみが所定枚数（たとえば、５０枚）積み重ねられ、その上に、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシート１を積み、内部電極パターンが引き出されている側が互い違いになるように所定枚数（たとえば、３０１枚）積層され、さらにその上に、内部電極パターンが印刷されていないセラミックグリーンシート２のみが所定枚数（たとえば、５０枚）積み重ねられて、積層体ブロックが作製される。必要に応じて、この積層体ブロックは、静水圧プレスなどの手段により積層方向に圧着させてもよい。
その後、積層体ブロックが所定の形状寸法に切断され、未焼成の積層体チップが切り出される。積層体チップを得るために積層体ブロックを切断する際に、切断位置を調整して、Ｗギャップを有さない（すなわち、積層体チップの幅方向ｙに相対する両側面に内部電極パターンが露出している）ようにする。なお、このとき、バレル研磨などにより積層体の角部や稜線部に丸みをつけてもよい。
次に、得られた積層体チップにＷギャップが形成される。具体的には、積層体チップの一方の側面（ＬＴ面）が上を向くようにマトリクス状にカット後の積層体チップを整列した集合体が枠体内にはめ込まれる。このとき、形成したいＷギャップの所望の厚さ分（たとえば、約１３０μｍ。焼成後には１００μｍとなる。）だけ、集合体の表面が枠体の表面から低い位置に位置するようにする。そして、Ｗギャップ形成用スラリーをスキージで塗布し、乾燥させることにより、積層体チップの一方の側面にＷギャップを形成する。その後、同様にして、積層体チップの他方の側面（ＬＴ面）にもＷギャップを形成する。なお、Ｗギャップ形成用スラリーは、側面からたれ落ちないように高粘度のものが好ましい。
続いて、Ｗギャップの形成された未焼成の積層体チップが、たとえば、Ｎ2雰囲気にて３５０℃の温度で加熱し、バインダが燃焼された後、酸素分圧１０-10ＭＰａ以上１０-12ＭＰａ以下のＨ2−Ｎ2−Ｈ2Ｏガスからなる還元雰囲気中において、２０℃／ｍｉｎで昇温し、１２００℃にて２０分焼成される。
次に、焼成後の積層体１２の両端面に外部電極用導電性ペーストが塗布され、焼き付けられ、第１の内部電極２２ａと電気的に接続される第１の外部電極３０ａの第１の下地電極層３２ａおよび第２の内部電極２２ｂと電気的に接続される第２の外部電極３０ｂの第２の下地電極層３２ｂが形成される。外部電極用導電性ペーストは、たとえば、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＢａＯ系ガラスフリットが含有されるＣｕペーストが用いられる。また、焼き付けは、Ｎ2雰囲気中において６００℃で行われる。
続いて、必要に応じて、第１の下地電極層３２ａを覆うように、第１のめっき層３４ａが形成され、第２の下地電極層３２ｂを覆うように、第２のめっき層３４ａが形成される。
第１のめっき層３４ａおよび第２のめっき層３４ｂがＮｉめっき層で形成される場合は、その形成方法として電解めっきが用いられる。
なお、第１のめっき層３４ａおよび第２のめっき層３４ｂは、２層構造で形成される場合、必要に応じて、それぞれのＮｉめっき層の表面にＳｎめっき層が形成される。
上述のようにして、第３の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
４．実験例
次に、上述した第１の実施の形態ないし第３の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０の効果を確認するために、積層セラミックコンデンサの誘電率の算出と高温負荷試験に基づく実験とを行った。
（１）評価のための試料の作製
以下、前述の製造方法を使用して、以下の条件に基づいて実験例の各試料（試料番号１ないし試料番号２１）の積層セラミックコンデンサが作製された。
（ａ）設計条件
積層セラミックコンデンサのサイズ（設計値）は、長さ×幅×高さ＝２．０ｍｍ×１．２ｍｍ×１．２ｍｍであり、複数の内部電極の間に介在する誘電体層一層あたりの厚みは、２．２μｍであった。また、内層部における誘電体層の総数は３００層であり、１層あたりの対向電極の面積は、１．６×１０-6ｍ2であった。また、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部の積層方向ｘの厚み、ならびに第１の側面側外層部および第２の側面側外層部の幅方向ｙの厚みは、約１００μｍであった。
（ｂ）各試料の製造条件
試料番号１ないし試料番号４、試料番号１１ないし試料番号１３、ならびに試料番号２０は、第１の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法に基づいて、積層セラミックコンデンサの試料を作製した。
なお、原料粉末２の作製に際して、試料番号１では、ＳｎＯ2を含有しなかった。
一方、原料粉末２の作製に際して、試料番号２は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を０．０１ｗｔ％とし、試料番号３は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を０．０６ｗｔ％とし、試料番号４は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を０．１０ｗｔ％とし、試料番号１１は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を０．１８ｗｔ％とし、試料番号１２は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を０．７５ｗｔ％とし、試料番号１３は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を１．２５ｗｔ％とし、試料番号２０は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を１．５０ｗｔ％とした。
試料番号１の内部電極には、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶していない。
試料番号２ないし試料番号４、試料番号１１ないし試料番号１３、ならびに試料番号２０の各試料の積層セラミックコンデンサは、内層部における第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶している。
また、試料番号５ないし試料番号７、試料番号１４ないし試料番号１６、ならびに試料番号２１は、第２の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法に基づいて、積層セラミックコンデンサの試料を作製した。
なお、原料粉末２の作製に際して、試料番号５は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を０．０１ｗｔ％とし、試料番号６は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を０．０６ｗｔ％とし、試料番号７は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を０．１０ｗｔ％とし、試料番号１４は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を０．１８ｗｔ％とし、試料番号１５は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を０．７５ｗｔ％とし、試料番号１６は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を１．２５ｗｔ％とし、試料番号２１は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を１．５０ｗｔ％とした。
試料番号５ないし試料番号７、試料番号１４ない試料番号１６、ならびに試料番号２１の各試料の積層セラミックコンデンサは、内層部における第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶している。
また、試料番号８ないし試料番号１０、ならびに試料番号１７ないし試料番号１９は、第３の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法に基づいて、積層セラミックコンデンサの試料を作製した。
なお、原料粉末２の作製に際して、試料番号８は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を０．０１ｗｔ％とし、試料番号９は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を０．０６ｗｔ％とし、試料番号１０は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を０．１０ｗｔ％とし、試料番号１７は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を０．１８ｗｔ％とし、試料番号１８は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を０．７５ｗｔ％とし、試料番号１９は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を１．２５ｗｔ％とし、試料番号２１は、ＳｎＯ2／ＢａＴｉＯ3の比率を１．５０ｗｔ％とした。
試料番号８ないし試料番号１０、試料番号１７ないし試料番号１９、ならびに試料番号２０の各試料の積層セラミックコンデンサは、内層部における第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極、ならびに第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内における内部電極に、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶している。
（２）評価項目および評価方法
（ａ）内部電極中にＳｎが存在すること及びその量の確認
・研磨
各試料を垂直になるように立てて、各試料の周りを樹脂で固めた。このとき、各試料のＷＴ面が露出するようにした。続いて、研磨機により、ＷＴ面を研磨した。積層セラミックコンデンサの長さ方向ｚの１／２程度の深さで研磨を終了し、ＷＴ面を露出させた。そして、研磨による内部電極のダレをなくすために、研磨終了後、イオンミリングにより、研磨表面を加工した。
・内部電極における組成分析
図３に示すとおり、ＷＴ面の長さ方向ｚの１／２程度において、試料の内部電極が積層されている領域から、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接した内部電極、第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内における内部電極、ならびに積層されている領域を積層方向ｘに３等分したうちの中央部で、かつ、第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域（以下、中央領域という）内における内部電極の各領域の内部電極からそれぞれ１本ずつ内部電極を選んだ。それぞれの内部電極の１０か所に対して、ＦＥ−ＷＤＸ（走査型電子顕微鏡）を用いて、ＮｉとＳｎの定量分析を実施した。なお、ＦＥ−ＷＤＸは、ＪＸＡ−８５００Ｆ（ＪＥＯＬ（日本電子株式会社）社製）を用い、加速電圧は１５ｋＶ、照射電流５０ｎＡで測定した。
（ｂ）誘電率と高温負荷試験
各試料の評価は、誘電率と高温負荷試験により行った。
高温負荷試験は、絶縁抵抗の劣化測定により評価した。
試料番号１ないし試料番号２１のそれぞれの試料に対して行った誘電率の算出と高温負荷試験とは、以下の方法により行った。
まず、試料番号１ないし試料番号２１のそれぞれの試料について、１０個サンプリングした。次に、自動ブリッジ式測定器を用いて、静電容量（Ｃ）、誘電損失をＡＣ電圧１Ｖｒｍｓ、１ｋＨｚで測定し、誘電率を算出した。その後、１６５℃、７．５Ｖで高温負荷試験を行い、絶縁抵抗が１０ｋΩ以下になった時間を故障と判定した。この故障から平均故障時間（ＭＴＴＦ）を算出した。
（３）評価結果
各試料番号に対する積層セラミックコンデンサの誘電率および平均故障時間（ＭＴＴＦ）の算出結果を表１に示す。なお、表中の＊印を付した試料番号は、本発明の範囲外である。
まず、表１に基づいて、第１の実施の形態に対する積層セラミックコンデンサの実験結果について述べる。
試料番号３の試料では、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しており、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１０ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが８０時間であり、静電容量は５．０８μＦであった。
また、試料番号４の試料では、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しており、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．５０ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが８３時間であり、静電容量は５．０７μＦであった。
また、試料番号１１の試料では、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しており、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．００ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが９２時間であり、静電容量は５．４８μＦであった。
試料番号１２の試料では、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しており、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、４．００ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが９３時間であり、静電容量は５．４６μＦであった。
試料番号１３の試料では、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しており、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、８．５０ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが８９時間であり、静電容量は５．４８μＦであった。
一方、試料番号１の試料では、内部電極のＮｉにＳｎが固溶していないため、ＭＴＴＦが２７時間であり、静電容量は、５．１１μＦであった。
試料番号２の試料では、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しているものの、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．０６ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが３１時間であり、静電容量は、５．１０であった。
試料番号２０の試料では、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しているものの、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１０．２０ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが２０時間であり、静電容量は、５．４１であった。
以上の結果から、試料番号３、試料番号４、ならびに試料番号１１ないし試料番号１３において示されるように、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶している場合において、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下の場合は、ＭＴＴＦの時間が、試料番号１、試料番号２および試料番号２０の試料のＭＴＴＦの時間と比較して、良好な結果が得られた。
また、試料番号１１ないし試料番号１３において示されるように、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶している場合において、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下の場合、試料番号１１ないし試料番号１３の各試料の静電容量と、試料番号３および試料番号４の各試料の静電容量とを比較することにより、静電容量の向上が確認された。
続いて、表１に基づいて、第２の実施の形態に対する積層セラミックコンデンサの実験結果について述べる。
試料番号６の試料では、第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しており、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１０ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが８２時間であり、静電容量は５．１２μＦであった。
また、試料番号７の試料では、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しており、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．５０ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが８６時間であり、静電容量は５．１３μＦであった。
また、試料番号１４の試料では、第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しており、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．００ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが９０時間であり、静電容量は５．４５μＦであった。
試料番号１５の試料では、第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しており、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、４．００ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが９１時間であり、静電容量は５．５０μＦであった。
試料番号１６の試料では、第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しており、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、８．５０ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが８７時間であり、静電容量は５．４４μＦであった。
一方、試料番号５の試料では、第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しているものの、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．０６ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが２８時間であり、静電容量は、５．０９であった。
試料番号２１の試料では、第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しているものの、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１０．２０ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが２０時間であり、静電容量は、５．４２であった。
以上の結果から、試料番号６、試料番号７、ならびに試料番号１４ないし試料番号１６において示されるように、第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶している場合において、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下の場合は、ＭＴＴＦの時間が、試料番号５および試料番号２１の試料のＭＴＴＦと比較して、良好な結果が得られた。
また、試料番号１４ないし試料番号１６において示されるように、第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極においてのみ、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶している場合において、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下の場合、試料番号１４ないし試料番号１６の各試料の静電容量と、試料番号６および試料番号７の各試料の静電容量とを比較することにより、静電容量の向上が確認された。
続いて、表１に基づいて、第３の実施の形態に対する積層セラミックコンデンサの実験結果について述べる。
試料番号９の試料では、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極、ならびに第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極において、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しており、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、それぞれ０．１０ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが８５時間であり、静電容量は５．１３μＦであった。
また、試料番号１０の試料では、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極、ならびに第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極において、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しており、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、それぞれ０．５０ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが８８時間であり、静電容量は５．１５μＦであった。
また、試料番号１７の試料では、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極、ならびに第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極において、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しており、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、それぞれ１．００ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが９４時間であり、静電容量は５．５９μＦであった。
試料番号１８の試料では、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極、ならびに第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極において、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しており、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、それぞれ４．００ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが９０時間であり、静電容量は５．４４μＦであった。
試料番号１９の試料では、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極、ならびに第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極において、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しており、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、それぞれ８．５０ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが９６時間であり、静電容量は５．５３μＦであった。
一方、試料番号８の試料では、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極、ならびに第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極において、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶しているものの、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、それぞれ０．０６ｍｏｌであるので、ＭＴＴＦが３０時間であり、静電容量は、５．１１であった。
以上の結果から、試料番号９、試料番号１０、ならびに試料番号１７ないし試料番号１９において示されるように、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極、ならびに第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極において、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶している場合において、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下の場合は、ＭＴＴＦの時間が、試料番号８の試料のＭＴＴＦと比較して、良好な結果が得られた。
また、試料番号１７ないし試料番号１９において示されるように、第１の主面側外層部および第２の主面側外層部に接する内部電極、ならびに第１の側面側および第２の側面側の内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の内部電極において、Ｓｎが内部電極のＮｉに固溶している場合において、内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、それぞれ１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下の場合、試料番号１７ないし試料番号１９の各試料の静電容量と、試料番号９および試料番号１０の各試料の静電容量とを比較することにより、静電容量の向上が確認された。
なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。
たとえば、第１の主面側外層部１８ａおよび第２の主面側外層部１８ｂに接する内部電極２２において、Ｓｎを内部電極２２のＮｉに固溶させて、ＮｉとＳｎからなる合金を形成する手段として、誘電体層１４を形成するための原料粉末にＳｎＯ2を添加する方法を用いたが、これに限るものではなく、外層に接する内部電極にＮｉ−Ｓｎ合金を主成分とする粉末、Ｎｉ粉末もしくはＮｉを主成分とする合金粉末にＳｎ金属もしくはＳｎを含む合金もしくはＳｎ化合物を混合した内部電極用導電性ペーストを使用してもよい。
１０ 積層セラミックコンデンサ
１２ 積層体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の側面
１２ｄ 第２の側面
１２ｅ 第１の端面
１２ｆ 第２の端面
１４ 誘電体層
１６ 内層部
１６ａ 第１の主面側の内層部の最表面
１６ｂ 第２の主面側の内層部の最表面
１６ｃ 第１の側面側の内層部の最表面
１６ｄ 第２の側面側の内層部の最表面
１８ａ 第１の主面側外層部
１８ｂ 第２の主面側外層部
２０ａ 第１の側面側外層部
２０ｂ 第２の側面側外層部
２２ 内部電極
２２ａ 第１の内部電極
２２ｂ 第２の内部電極
２４ａ 第１の対向電極部
２４ｂ 第２の対向電極部
２６ａ 第１の引出電極部
２６ｂ 第２の引出電極部
２８ａ 側部（Ｗギャップ）
２８ｂ 端部（Ｌギャップ）
３０ 外部電極
３０ａ 第１の外部電極
３０ｂ 第２の外部電極
３２ａ 第１の下地電極層
３２ｂ 第２の下地電極層
３４ａ 第１のめっき層
３４ｂ 第２のめっき層
ｘ 積層方向
ｙ 幅方向
ｚ 長さ方向

Claims (6)

  1. 積層された複数の誘電体層を含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
    前記複数の誘電体層と交互に積層され、前記第１の端面に露出する第１の内部電極および前記第２の端面に露出する第２の内部電極と、
    前記第１の内部電極に接続され、前記第１の端面上に配置された第１の外部電極と、前記第２の内部電極に接続され、前記第２の端面上に配置された第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサにおいて、
    前記積層体は、
    積層方向において、最も第１の主面側に位置する第１の内部電極または第２の内部電極から最も第２の主面側に位置する第１の内部電極または第２の内部電極までを含む内層部と、
    前記第１の主面側に位置し、前記第１の主面と前記第１の主面側の前記内層部の最表面との間に位置する前記複数の誘電体層から形成される第１の主面側外層部と、
    前記第２の主面側に位置し、前記第２の主面と前記第２の主面側の前記内層部の最表面との間に位置する前記複数の誘電体層から形成される第２の主面側外層部と、
    を有し、
    前記内層部における前記第１の主面側外層部および前記第２の主面側外層部に接する前記第１の内部電極および前記第２の内部電極においてのみ、Ｓｎが前記第１の内部電極および前記第２の内部電極のＮｉに固溶しており、
    前記第１の主面側外層部および前記第２の主面側外層部に接する前記第１の内部電極および前記第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である、積層セラミックコンデンサ。
  2. 前記第１の主面側外層部および前記第２の主面側外層部に接する前記第１の内部電極および前記第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
  3. 積層された複数の誘電体層を含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
    前記複数の誘電体層と交互に積層され、前記第１の端面に露出する第１の内部電極および前記第２の端面に露出する第２の内部電極と、
    前記第１の内部電極に接続され、前記第１の端面上に配置された第１の外部電極と、前記第２の内部電極に接続され、前記第２の端面上に配置された第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサにおいて、
    前記積層体は、
    積層方向において、最も第１の主面側に位置する第１の内部電極または第２の内部電極から最も第２の主面側に位置する第１の内部電極または第２の内部電極までを含む内層部と、
    前記第１の側面側に位置し、前記第１の側面と前記第１の側面側の前記内層部の最表面との間に位置する前記誘電体層から形成される第１の側面側外層部と、
    前記第２の側面側に位置し、前記第２の側面と前記第２の側面側の前記内層部の最表面との間に位置する前記誘電体層から形成される第２の側面側外層部と、
    を有し、
    前記内層部における前記第１の側面側の前記内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および前記第２の側面側の前記内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の前記第１の内部電極および前記第２の内部電極においてのみ、Ｓｎが前記第１の内部電極および前記第２の内部電極のＮｉに固溶しており、
    前記第１の側面側の前記内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および前記第２の側面側の前記内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の前記第１の内部電極および前記第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である、積層セラミックコンデンサ。
  4. 前記第１の側面側の前記内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および前記第２の側面側の前記内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の前記第１の内部電極および前記第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である、請求項３に記載の積層セラミックコンデンサ。
  5. 積層された複数の誘電体層を含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
    前記複数の誘電体層と交互に積層され、前記第１の端面に露出する第１の内部電極および前記第２の端面に露出する第２の内部電極と、
    前記第１の内部電極に接続され、前記第１の端面上に配置された第１の外部電極と、前記第２の内部電極に接続され、前記第２の端面上に配置された第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサにおいて、
    前記積層体は、
    積層方向において、最も第１の主面側に位置する第１の内部電極または第２の内部電極から最も第２の主面側に位置する第１の内部電極または第２の内部電極までを含む内層部と、
    前記第１の主面側に位置し、前記第１の主面と前記第１の主面側の前記内層部の最表面との間に位置する前記複数の誘電体層から形成される第１の主面側外層部と、
    前記第２の主面側に位置し、前記第２の主面と前記第２の主面側の前記内層部の最表面との間に位置する前記複数の誘電体層から形成される第２の主面側外層部と、
    前記第１の側面側に位置し、前記第１の側面と前記第１の側面側の前記内層部の最表面との間に位置する前記誘電体層から形成される第１の側面側外層部と、
    前記第２の側面側に位置し、前記第２の側面と前記第２の側面側の前記内層部の最表面との間に位置する前記誘電体層から形成される第２の側面側外層部と、
    を有し、
    前記内層部における前記第１の主面側外層部および前記第２の主面側外層部に接する前記第１の内部電極および前記第２の内部電極、並びに前記第１の側面側の前記内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および前記第２の側面側の前記内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の前記第１の内部電極および前記第２の内部電極においてのみ、Ｓｎが前記第１の内部電極および前記第２の内部電極のＮｉに固溶しており、
    前記第１の主面側外層部および前記第２の主面側外層部に接する前記第１の内部電極および前記第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以上であり、
    前記第１の側面側の前記内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および前記第２の側面側の前記内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の前記第１の内部電極および前記第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、０．１ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である、積層セラミックコンデンサ。
  6. 前記第１の主面側外層部および前記第２の主面側外層部に接する前記第１の内部電極および前記第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下であり、
    前記第１の側面側の前記内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内および前記第２の側面側の前記内層部の最表面から幅方向に沿って５μｍまでの領域内の前記第１の内部電極および前記第２の内部電極におけるＮｉとＳｎとの合計を１００ｍｏｌとしたときのＳｎの含有量が、１．０ｍｏｌ以上８．５ｍｏｌ以下である、請求項５に記載の積層セラミックコンデンサ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021044533A (ja) * 2019-09-10 2021-03-18 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102140622B1 (ko) * 2018-08-23 2020-08-03 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법
JP2020068262A (ja) * 2018-10-23 2020-04-30 株式会社村田製作所 誘電体磁器組成物及び積層セラミックコンデンサ
KR20190116183A (ko) * 2019-09-20 2019-10-14 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR20220101911A (ko) * 2021-01-12 2022-07-19 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품
JP2022114552A (ja) * 2021-01-27 2022-08-08 太陽誘電株式会社 セラミック電子部品およびその製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11283867A (ja) 1998-03-31 1999-10-15 Tdk Corp 電子部品およびその製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021044533A (ja) * 2019-09-10 2021-03-18 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法
CN115083779A (zh) * 2019-09-10 2022-09-20 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器
JP7226896B2 (ja) 2019-09-10 2023-02-21 サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法
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US11923146B2 (en) 2019-09-10 2024-03-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor and method of manufacturing the same
JP7497551B2 (ja) 2019-09-10 2024-06-11 サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法
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