JP2018116263A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018116263A5 JP2018116263A5 JP2017230282A JP2017230282A JP2018116263A5 JP 2018116263 A5 JP2018116263 A5 JP 2018116263A5 JP 2017230282 A JP2017230282 A JP 2017230282A JP 2017230282 A JP2017230282 A JP 2017230282A JP 2018116263 A5 JP2018116263 A5 JP 2018116263A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- less
- phase shift
- atomic
- silicide
- titanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- WEAMLHXSIBDPGN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxy-3-methylphenyl) thiocyanate Chemical compound CC1=CC(SC#N)=CC=C1O WEAMLHXSIBDPGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021355 zirconium silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910016008 MoSiC Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008482 TiSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N isoniazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW106146200A TWI800499B (zh) | 2017-01-16 | 2017-12-28 | 相位偏移光罩基底及使用其之相位偏移光罩之製造方法、與顯示裝置之製造方法 |
| TW112111541A TWI808927B (zh) | 2017-01-16 | 2017-12-28 | 相位偏移光罩基底及使用其之相位偏移光罩之製造方法、與顯示裝置之製造方法 |
| KR1020180001708A KR102505733B1 (ko) | 2017-01-16 | 2018-01-05 | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 이것을 사용한 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법 |
| CN201810034453.4A CN108319103B (zh) | 2017-01-16 | 2018-01-15 | 相移掩模坯料及使用其的相移掩模的制造方法、以及显示装置的制造方法 |
| CN202311459935.1A CN117518704A (zh) | 2017-01-16 | 2018-01-15 | 相移掩模坯料及使用其的相移掩模的制造方法、以及显示装置的制造方法 |
| JP2021087557A JP7095157B2 (ja) | 2017-01-16 | 2021-05-25 | 位相シフトマスクブランクおよびこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
| KR1020230025855A KR102548886B1 (ko) | 2017-01-16 | 2023-02-27 | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 이것을 사용한 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017004875 | 2017-01-16 | ||
| JP2017004875 | 2017-01-16 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021087557A Division JP7095157B2 (ja) | 2017-01-16 | 2021-05-25 | 位相シフトマスクブランクおよびこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018116263A JP2018116263A (ja) | 2018-07-26 |
| JP2018116263A5 true JP2018116263A5 (enExample) | 2020-10-08 |
| JP6891099B2 JP6891099B2 (ja) | 2021-06-18 |
Family
ID=62985516
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017230282A Active JP6891099B2 (ja) | 2017-01-16 | 2017-11-30 | 位相シフトマスクブランクおよびこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
| JP2021087557A Active JP7095157B2 (ja) | 2017-01-16 | 2021-05-25 | 位相シフトマスクブランクおよびこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021087557A Active JP7095157B2 (ja) | 2017-01-16 | 2021-05-25 | 位相シフトマスクブランクおよびこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP6891099B2 (enExample) |
| KR (2) | KR102505733B1 (enExample) |
| CN (1) | CN117518704A (enExample) |
| TW (2) | TWI800499B (enExample) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7420065B2 (ja) * | 2018-03-15 | 2024-01-23 | 大日本印刷株式会社 | 大型フォトマスク |
| JP7151774B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2022-10-12 | 株式会社ニコン | 位相シフトマスクブランクス、位相シフトマスク、露光方法、デバイスの製造方法、位相シフトマスクブランクスの製造方法、位相シフトマスクの製造方法、露光方法、及び、デバイスの製造方法 |
| JP2022083394A (ja) * | 2020-11-24 | 2022-06-03 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法 |
| KR20240003435A (ko) * | 2021-04-30 | 2024-01-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 노광방법, 및 디바이스의 제조 방법 |
| KR102402742B1 (ko) * | 2021-04-30 | 2022-05-26 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 포토마스크 블랭크 및 이를 이용한 포토마스크 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6342205A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-23 | Nec Corp | 発振回路 |
| JP3262302B2 (ja) * | 1993-04-09 | 2002-03-04 | 大日本印刷株式会社 | 位相シフトフォトマスク、位相シフトフォトマスク用ブランクス及びそれらの製造方法 |
| JPH10186632A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-07-14 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP2983020B1 (ja) * | 1998-12-18 | 1999-11-29 | ホーヤ株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP2001083687A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Dainippon Printing Co Ltd | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びこれを作製するためのハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス |
| US6500587B1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-12-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Binary and attenuating phase-shifting masks for multiple wavelengths |
| JP2005092241A (ja) * | 2002-03-01 | 2005-04-07 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法 |
| JP2003322947A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP4525893B2 (ja) * | 2003-10-24 | 2010-08-18 | 信越化学工業株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法 |
| JP4784983B2 (ja) * | 2006-01-10 | 2011-10-05 | Ｈｏｙａ株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP5121020B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2013-01-16 | Ｈｏｙａ株式会社 | 多階調フォトマスク、フォトマスクブランク、及びパターン転写方法 |
| KR101282040B1 (ko) | 2012-07-26 | 2013-07-04 | 주식회사 에스앤에스텍 | 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 |
| JP6138676B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2017-05-31 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスクの製造方法 |
| JP5743008B2 (ja) * | 2014-06-06 | 2015-07-01 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びその製造方法、フォトマスク、光パターン照射方法、並びにハーフトーン位相シフト膜の設計方法 |
| WO2016103843A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| JP6322250B2 (ja) * | 2016-10-05 | 2018-05-09 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク |
-
2017
- 2017-11-30 JP JP2017230282A patent/JP6891099B2/ja active Active
- 2017-12-28 TW TW106146200A patent/TWI800499B/zh active
- 2017-12-28 TW TW112111541A patent/TWI808927B/zh active
-
2018
- 2018-01-05 KR KR1020180001708A patent/KR102505733B1/ko active Active
- 2018-01-15 CN CN202311459935.1A patent/CN117518704A/zh active Pending
-
2021
- 2021-05-25 JP JP2021087557A patent/JP7095157B2/ja active Active
-
2023
- 2023-02-27 KR KR1020230025855A patent/KR102548886B1/ko active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2018116263A5 (enExample) | ||
| TW200637924A (en) | Novel ruthenium-based materials and ruthenium alloys, their use in vapor deposition or atomic layer deposition and films produced therefrom | |
| TWI525383B (zh) | 光罩空白基板及其製法，光罩，光圖形照射方法，及過渡金屬／矽基材料膜之設計方法 | |
| JP2016509270A5 (enExample) | ||
| JP2017508648A5 (enExample) | ||
| US9864267B2 (en) | Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device | |
| TW202004327A (zh) | 反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法 | |
| EP3214496B1 (en) | Photomask blank and method for preparing a photomask | |
| KR102365595B1 (ko) | 마스크 블랭크, 반사형 마스크의 제조 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
| TW201026638A (en) | Thermally reactive resist material, laminated body for thermal lithography using the material, and mold manufacturing method using the material and the laminated body | |
| JP2019091097A5 (enExample) | ||
| JP2017181571A5 (enExample) | ||
| CN106502041A (zh) | 光掩模坯 | |
| JP2015111212A (ja) | フォトマスクブランク | |
| JP2012069286A5 (enExample) | ||
| JP2019066311A5 (enExample) | ||
| CN106019809A (zh) | 半色调相移掩模坯，半色调相移掩模，和图案曝光方法 | |
| JP2010092947A5 (enExample) | ||
| JP2013234378A5 (enExample) | ||
| JP2011059502A5 (enExample) | ||
| JP2014172399A5 (enExample) | ||
| JP2018180170A5 (enExample) | ||
| DE602005000665D1 (de) | Photoaktive Schicht mit Makropartikeln und Nanopartikeln | |
| TW200619408A (en) | Carbon containing sputter target alloy compositions | |
| CN111290213B (zh) | 光掩模坯料的设计和光掩模坯料 |