JP2018116263A5

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Publication number: JP2018116263A5
Application number: JP2017230282A
Authority: JP
Filing date: 2017-11-30
Publication date: 2020-10-08
Anticipated expiration: 2037-11-30

Description

また、位相シフト膜３０を構成する金属系材料の金属にチタン（Ｔｉ）が含まれて金属シリサイド系材料の金属にモリブデン（Ｍｏ）や、ジルコニウム（Ｚｒ）や、チタン（Ｔｉ）が含まれる場合、メタル層３３は、モリブデン（Ｍｏ）と、ケイ素（Ｓｉ）と、炭素（Ｃ）及び／又は窒素（Ｎ）とを含有するモリブデンシリサイド系材料や、ジルコニウム（Ｚｒ）と、ケイ素（Ｓｉ）と、炭素（Ｃ）及び／又は窒素（Ｎ）とを含有するジルコニウムシリサイド系材料や、チタン（Ｔｉ）とケイ素（Ｓｉ）と、炭素（Ｃ）及び／又は窒素（Ｎ）とを含有するチタンシリサイド系材料で構成される。モリブデンシリサイド系材料の場合、各元素の平均含有率は、モリブデン（Ｍｏ）が５〜２０原子％、ケイ素（Ｓｉ）が１５〜７０原子％、炭素（Ｃ）が０〜２０原子％、窒素（Ｎ）が０〜３０原子％であることが好ましい。また、ジルコニウムシリサイド系材料の場合、各元素の平均含有率は、ジルコニウム（Ｚｒ）が５〜３５原子％、ケイ素（Ｓｉ）が５〜７０原子％、炭素（Ｃ）が０〜２０原子％、窒素（Ｎ）が０〜２０原子％であることが好ましい。また、チタンシリサイド系材料の場合、各元素の平均含有率は、チタン（Ｔｉ）が５〜３５原子％、ケイ素（Ｓｉ）が５〜７０原子％、炭素（Ｃ）が０〜２０原子％、窒素（Ｎ）が０〜２０原子％であることが好ましい。メタル層３３に含まれるモリブデンシリサイドの平均含有率、ジルコニウムシリサイドの平均含有率、チタンシリサイドの平均含有率は、位相シフト層３１、反射率低減層３２に含まれるモリブデンシリサイドの平均含有率、ジルコニウムシリサイドの平均含有率、チタンシリサイドの平均含有率よりも多い。さらに、メタル層３３は、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、および酸素（Ｏ）のうちの少なくとも一種を含むモリブデンシリサイド系材料やジルコニウムシリサイド系材料やチタンシリサイド系材料であってもよい。例えば、メタル層３３を形成する材料として、ＭｏＳｉＣ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＣＮ、ＭｏＳｉＣＯ、ＭｏＳｉＣＯＮ、ＺｒＳｉＣ、ＺｒＳｉＮ、ＺｒＳｉＣＮ、ＺｒＳｉＣＯ、ＺｒＳｉＣＯＮ、ＴｉＳｉＣ、ＴｉＳｉＮ、ＴｉＳｉＣＮ、ＴｉＳｉＣＯ、ＴｉＳｉＣＯＮが挙げられる。
メタル層３３を備えることにより、位相シフト膜３０のシート抵抗が下がるため、位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクのチャージアップを防止することができる。メタル層３３を備えていない場合、位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクをケースから出し入れするとき発生する電気が逃げずに位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクに電気が貯まるため、異物を付着させやすい。また、位相シフトマスクに小さなパターンが形成されているとき、パターンからパターンに電気が飛び、静電気破壊が起こりやすい。
メタル層３３は、スパッタリング法により形成することができる。 Further, when titanium (Ti) is contained in the metal of the metal-based material constituting the phase shift film 30, and molybdenum (Mo), zirconium (Zr), or titanium (Ti) is contained in the metal of the metal silicide-based material. The metal layer 33 includes molybdenum (Mo), silicon (Si), carbon (C) and / or nitrogen (N) -containing molybdenum silicide-based material, zirconium (Zr), and silicon (Si). , Carbon (C) and / or nitrogen (N) -containing zirconilicide-based materials, titanium (Ti) and silicon (Si), and carbon (C) and / or nitrogen (N) -containing titanium silicide. It is composed of system materials. In the case of molybdenum silicide-based materials, the average content of each element is 5 to 20 atomic% for molybdenum (Mo), 15 to 70 atomic% for silicon (Si), 0 to 20 atomic% for carbon (C), and nitrogen ( N) is preferably 0 to 30 atomic%. In the case of a zirconium silicide-based material, the average content of each element is 5 to 35 atomic% for zirconium (Zr), 5 to 70 atomic% for silicon (Si), and 0 to 20 atomic% for carbon (C). The nitrogen (N) is preferably 0 to 20 atomic%. In the case of titanium silicide-based materials, the average content of each element is 5 to 35 atomic% for titanium (Ti), 5 to 70 atomic% for silicon (Si), and 0 to 20 atomic% for carbon (C). Nitrogen (N) is preferably 0 to 20 atomic%. The average content of molybdenum silicide contained in the metal layer 33, the average content of zirconium silicide, and the average content of titanium silicide are the average content of molybdenum silicide contained in the phase shift layer 31 and the reflectance reduction layer 32, and zirconium silicide. Is higher than the average content of titanium silicide. Further, the metal layer 33 may be a molybdenum silicide-based material, a zirconium silicide-based material, or a titanium silicide-based material containing at least one of carbon (C), nitrogen (N), and oxygen (O). For example, examples of the material forming the metal layer 33 include MoSiC, MoSiN, MoSiCN, MoSiCO, MoSiCON, ZrSiC, ZrSiN, ZrSiCN, ZrSiCO, ZrSiCON, TiSiC, TiSiN, TiSiCN, TiSiCO, and TiSiCON.
By providing the metal layer 33, the sheet resistance of the phase shift film 30 is lowered, so that it is possible to prevent the phase shift mask blank and the phase shift mask from being charged up. When the metal layer 33 is not provided, electricity generated when the phase shift mask blank and the phase shift mask are taken in and out of the case does not escape, and electricity is stored in the phase shift mask blank and the phase shift mask, so that foreign matter is easily attached. Further, when a small pattern is formed on the phase shift mask, electricity is spilled from the pattern to the pattern, and electrostatic breakdown is likely to occur.
The metal layer 33 can be formed by a sputtering method.

位相シフト膜３０の膜面反射率の変動幅は、好ましくは、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において９％以下、さらに好ましくは、８．５％以下である。また、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において１２．５％以下であることが好ましく、さらに好ましくは、１２％以下である。すなわち、位相シフト膜３０の膜面反射率の変動幅は、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において９％以下、さらには８．５％以下であることが好ましく、波長域を３１３ｎｍ〜４３６ｎｍに広げても、１２．５％以下、さらには１２％以下であることが好ましい。 The fluctuation range of the film surface reflectance of the phase shift film 30 is preferably 9% or less, more preferably 8.5% or less in the wavelength range of 350 nm to 436 nm. Further, it is preferably 12.5% or less, more preferably 12% or less in the wavelength range of 313 nm to 436 nm. That is, the fluctuation range of the film surface reflectance of the phase shift film 30 is preferably 9% or less, more preferably 8.5% or less in the wavelength range of 350 nm to 436 nm, and even if the wavelength range is expanded to 313 nm to 436 nm. It is preferably 12.5% or less, more preferably 12% or less.

位相シフト膜３０の裏面反射率の変動幅は、好ましくは、３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において１８％以下、さらに好ましくは、１６％以下である。また、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において１８％以下であることが好ましく、さらに好ましくは、１６％以下である。すなわち、位相シフト膜３０の膜面反射率の変動幅は、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において９％以下、さらには８．５％以下であることが好ましく、また、波長域を３１３ｎｍ〜４３６ｎｍにおいて、１２．５％以下、さらには１２％以下であることが好ましい。

The fluctuation range of the back surface reflectance of the phase shift film 30 is preferably 18% or less, more preferably 16% or less in the wavelength range of 365 nm to 436 nm. Further, it is preferably 18% or less, more preferably 16% or less in the wavelength range of 313 nm to 436 nm. That is, the fluctuation range of the film surface reflectance of the phase shift film 30 is preferably 9% or less, more preferably 8.5% or less in the wavelength range of 350 nm to 436 nm, and the wavelength range is 313 nm to 436 nm. It is preferably 12.5% or less, more preferably 12% or less.