JP3262302B2 - Phase shift photomask, blanks for phase shift photomask and a process for their preparation - Google Patents

Phase shift photomask, blanks for phase shift photomask and a process for their preparation

Info

Publication number
JP3262302B2
JP3262302B2 JP3142894A JP3142894A JP3262302B2 JP 3262302 B2 JP3262302 B2 JP 3262302B2 JP 3142894 A JP3142894 A JP 3142894A JP 3142894 A JP3142894 A JP 3142894A JP 3262302 B2 JP3262302 B2 JP 3262302B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chromium
oxide
film
carbide
nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP3142894A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH06342205A (en
Inventor
宮下裕之
橋本圭司
弘 毛利
藤川潤二
飯村幸夫
高橋正泰
Original Assignee
三菱電機株式会社
大日本印刷株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP5-83433 priority Critical
Priority to JP8343393 priority
Application filed by 三菱電機株式会社, 大日本印刷株式会社 filed Critical 三菱電機株式会社
Priority to JP3142894A priority patent/JP3262302B2/en
Publication of JPH06342205A publication Critical patent/JPH06342205A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3262302B2 publication Critical patent/JP3262302B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Application status is Expired - Lifetime legal-status Critical

Links

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、LSI、超LSI等の高密度集積回路等の製造に用いられる位相シフトフォトマスク及びそれを製造するための位相シフトフォトマスク用ブランクスに関する。 The present invention relates, LSI, relates blank for a phase shift photomask for producing a phase shift photomask and it is used in the production of such high density integrated circuits such as ultra LSI.

【0002】 [0002]

【従来の技術】IC、LSI、超LSI等の半導体集積回路は、酸化、CVD、スパッタリング等の薄膜形成工程と、シリコンウェーハ等の被加工基板上にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを用いた縮小投影ステッパ等により所望のパタンを露光した後、現像、エッチングを行う、いわゆるフォトリソグラフィ工程やイオン注入等の拡散工程を繰り返すことにより製造されている。 BACKGROUND ART IC, LSI, a semiconductor integrated circuit such as ultra LSI, the oxidation, CVD, a thin film formation process such as sputtering, a photoresist on a substrate to be processed such as a silicon wafer was coated, using a photomask after exposure of the desired pattern by the reduction projection stepper or the like, development, etching is performed, are produced by repeating the so-called photolithography process or a diffusion process such as ion implantation.

【0003】このようなフォトリソグラフィ工程により形成されるフォトレジストパタンの最小図形サイズは、 [0003] minimum figure size of the photoresist pattern formed by such photolithography process,
半導体集積回路の高速化、高集積化に伴って益々微細化が要求されてきており、通常のフォトマスクを用いた縮小投影ステッパ露光方式では解像限界となり、この限界を克服する技術として、例えば、特開昭58−1737 Speed ​​of semiconductor integrated circuits has been increasingly miniaturized with the higher integration requirements, it is the resolution limit in the reduction projection stepper exposure method using an ordinary photomask, as a technique to overcome this limitation, for example, , JP-A-58-1737
44号、特開平4−136854号公報に示されているような新しい構造を有する位相シフトフォトマスク及びこの位相シフトフォトマスクを用いた位相シフト露光法が提案されている。 No. 44, a phase shift photomask and phase shift exposure method using the phase shift photomask having a new structure as shown in JP-A-4-136854 has been proposed.

【0004】この位相シフト露光法は、フォトマスク上に形成した位相シフトパタンを透過する露光光の位相を操作することにより、解像力及び焦点深度を向上させる技術である。 [0004] The phase shift exposure method, by manipulating the phase of exposure light transmitting through the phase shift pattern formed on a photomask, a technique for improving the resolution and depth of focus.

【0005】このような位相シフトフォトマスクの中の一つとして、特に、特開平4−136854号にハーフトーン位相シフトフォトマスクが提案されている。 [0005] As one of such a phase shift photomask, in particular, a halftone phase shift photomask is proposed in JP-A-4-136854.

【0006】このハーフトーン位相シフトフォトマスク(以下、ハーフトーンマスクと呼ぶ。)は、透明基板上に露光光に対して半透明な領域と透明な領域を少なくとも有し、この半透明な領域と透明な領域とを通過する光の位相差が実質的に180°になる構成のものであり、 [0006] The halftone phase shift photomask (hereinafter, referred to as a half-tone mask.) At least have a semi-transparent and transparent areas to exposure light on a transparent substrate, and the semi-transparent region phase difference of light passing through the transparent region is of substantially becomes 180 ° configuration,
半導体素子のホール、ドット、スペース、ライン等において解像力が上がり、焦点深度が広がることが示されている。 Hall of semiconductor elements, dots, spaces, resolution is increased in the lines, etc., have been shown to spread the depth of focus. このとき、半透明膜の膜厚をdとし、露光波長をλ、その露光波長での半透明膜の屈折率をnとすると、 d=λ/{2(n−1)} の関係を満たすとき、最も効果がある。 At this time, the thickness of the semi-transparent film is d, the exposure wavelength lambda, when the refractive index of the translucent film at the exposure wavelength and n, satisfies the relationship d = λ / {2 (n-1)} when, there is the most effective.

【0007】このようなハーフトーンマスクの構造としては、図8のような構造が提案されている。 [0007] As the structure of such a half-tone mask, the structure shown in FIG. 8 has been proposed. 図中、1は石英基板、2はクロム薄膜を示し、クロム薄膜2が半透明な領域を形成し、クロム薄膜2がない領域が透明な領域を形成している。 In the figure, 1 is a quartz substrate, 2 represents a chromium thin film, chromium film 2 to form a semi-transparent region, the area is not chromium thin film 2 is formed a clear area. このような構造のマスクにおいては、通常工程と同様な加工、検査、洗浄は可能であるが、欠陥の修正が困難であるという問題が生じる。 In the mask of this structure, the same processing as normal flow process, inspection, but washing is possible, the problem that correction of defects is difficult.

【0008】また、通常の修正工程での修正可能な構造としては、金属酸化物の単層膜が考えられる。 Further, as the modifiable structure in normal corrective steps are considered a single layer film of a metal oxide. 金属酸化物の一例として、図9に酸化クロムの200nm〜80 An example of a metal oxide, chromium oxide in FIG. 9 200Nm~80
0nmの分光透過率を示す。 The spectral transmittance of 0 nm. この膜の膜厚dは、d=λ The film thickness d of the film, d = λ
/{2(n−1)}を満たすように調整されている。 / It is adjusted so as to satisfy the {2 (n-1)}. 図9からも明らかなように、i線(365nm)等の露光波長での透過率は十分に低いが、検査等に用いる可視域の長波長の透過率は高いことが分かる。 As is clear from FIG. 9, the transmittance at the exposure wavelength such as i-line (365 nm) is sufficiently low, the transmittance of a long wavelength in the visible region used for inspection is high can be seen.

【0009】 [0009]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、金属酸化物の単層の位相シフターにおいては、露光波長での透過率コントロールは可能であるが、長波長側での透過率が上昇してしまう。 As described above THE INVENTION An object you try solving], the phase shifter of the single layer of metal oxide is susceptible transmittance control at the exposure wavelength, transmittance in a long wavelength side is increased put away. 長波長側、特に、超高圧水銀灯のe Long wavelength side, in particular, the ultra-high pressure mercury lamp e
線(546nm)は、フォトマスクの検査、寸法測定に用いられているが、このような金属酸化物の単層の位相シフターを有するマスクを検査する場合、e線での透過率が30%を超えると、透過部と半透明部のコントラスト低下のため、検査、寸法測定ができないという問題が生じていた。 Line (546 nm), the inspection of the photomask, have been used in the dimension measurement, when inspecting a mask having a phase shifter of a single layer of such a metal oxide, a transmittance of 30% at the e-line exceeds the, for contrast reduction of the transmission portion and the translucent portion, inspection, impossible dimensional measurement has occurred.

【0010】また、このような金属酸化物は導電性がなく、電子線露光時にチャージアップし、レジストパターンの位置ズレが生じるという問題も生じていた。 Further, such metal oxides have no conductivity, charge-up during electron beam exposure, the positional deviation of the resist pattern had also occurred a problem that arises.

【0011】さらに、ハーフトーンマスクの透過率は、 [0011] In addition, the transmittance of the half-tone mask,
転写条件、使用メーカーによって異なり、さまざまな透過率が要求されている。 Transfer conditions, varies depending on the manufacturer, various transmittance is required. 成膜条件により位相差を変えずに透過率のみが変化するように、屈折率、吸収係数を制御することは困難であるという問題も生じていた。 As only transmission without changing the phase difference by a film forming condition is changed, the refractive index, it was also caused a problem that it is difficult to control the absorption coefficient.

【0012】本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ハーフトーンマスクにおいて、 検査等に用いる可視の超波長側での透過率を抑えて、 [0012] The present invention has been made in view of such problems, and an object, in the half-tone mask, by suppressing the transmittance in the visible ultra wavelength used for the inspection,
透過部と半透明部のコントラスト低下を防止し、検査、 The contrast reduction of the transmission portion and the translucent portion is prevented, inspection,
測定を容易にすること、 位相シフター膜に導電性を持たせてチャージアップを防止すること、 露光波長の位相差を180度に保ったまま透過率制御を容易にすること、 表裏面の反射率を制御すること、 である。 To facilitate measurement, to prevent charge-up has conductivity to the phase shifter film, to facilitate the transmittance control while the phase difference was kept at 180 degrees the exposure wavelength, the reflectivity of the front and back surfaces to control, it is.

【0013】 [0013]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題に鑑みて実用的でかつ精度の高い位相シフトフォトマスクを開発すべく研究の結果、ハーフトーンマスクの半透明膜を多層構造、特に、窒化クロムと酸化窒化炭化クロムの2層あるいは3層構造にすることにより、 長波長側での透過率を低く抑さえること、 半透明膜にチャージアップ抑止性を持たせること、 露光波長の位相差は変えずに透過率制御を容易にすること、 マスク表裏面の反射率を制御できること、 を見出して本発明を完成させたものである。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention, as a result of studies to develop a high phase shift photomask of practical and accurate in view of the above problems, a semi-transparent film a multilayer structure of the halftone mask, in particular, chromium nitride by a two-layer or three-layer structure of the oxynitride chromium carbide, be more alert suppressed low transmittance in the long wavelength side, be provided with a charge-up deterrent translucent film, the phase difference between the exposure wavelength to facilitate the transmittance controlled without changing, it can control the reflectance of the back mask table, in which to complete the present invention found a.

【0014】すなわち、本発明は、透明基板上に露光光に対して半透明な領域と透明な領域とを有し、透明領域と半透明領域との位相差が実質的に180°になるような構成の位相シフトフォトマスクにおいて、(1)半透明領域を構成する半透明膜の構成が、図1に示すように、透明基板1側より、酸化クロム、酸化窒化クロム、 [0014] Namely, the present invention includes a semi-transparent and transparent areas to exposure light on a transparent substrate, such that the phase difference between the transparent region and the semitransparent region is substantially 180 ° in phase shift photomask Do configuration, (1) configuration of the semi-transparent film constituting the translucent region, as shown in FIG. 1, the transparent substrate 1 side, chromium oxide, chromium nitride,
酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜3と、クロムあるいは窒化クロムの中のどちらかからなる一層膜4との2層膜になっていること、(2)上記の半透明膜の構成が、図2に示すように、透明基板1側より、クロムあるいは窒化クロムの中のどちらかからなる一層膜5と、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜6との2層膜になっていること、(3)上記半透明膜の構成が、図3に示すように、 Oxide chromium carbide, be a more film 3 consisting of one compound in the oxynitride chromium carbide, it has a two-layered film of more film 4 made from either one of chrome or chromium nitride, (2) above semi-structured transparent film, as shown in FIG. 2, the transparent substrate 1 side, the more film 5 made of either one of chrome or chromium nitride, chromium oxide, chromium nitride, oxycarbide, chromium oxide nitride it has a two-layered film of a more film 6 composed of one of the compounds in the chromium carbide, (3) construction of the semi-transparent film, as shown in FIG. 3,
透明基板1側より、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜7と、クロムあるいは窒化クロムの中のどちらかからなる一層膜8と、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜9との3層膜になっていること、を特徴とするものである。 The transparent substrate 1 side, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, the more film 7 consisting of one compound in the oxynitride chromium carbide, the more film 8 made of either one of chrome or chromium nitride, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, that has a three-layered film of a more film 9 made of one compound in the oxynitride chromium carbide, and is characterized in.

【0015】また、本発明はこのような構成の位相シフトフォトマスクを作製するためのブランクス及びそれらの製造方法を含むものである。 Further, the present invention includes a blank and a process for their preparation for producing a phase shift photomask having such a configuration. 上記のクロム、酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの膜の製法としては、通常、スパッタリングが用いられるが、蒸着、イオンプレーティング、 The above chromium, chromium oxide, chromium nitride, chromium oxide nitride, oxide chromium carbide, as the production method of the film of oxynitride chromium carbide, usually sputtering is used, vapor deposition, ion plating,
CVD(Chemical Vapor Deposition) 等の方法を用いることができる。 Method such as CVD (Chemical Vapor Deposition) can be used.

【0016】半透明膜を構成する多層膜の膜厚は、露光波長をλ、半透明膜を構成するi番目の層の膜厚をd i 、その層の露光波長での屈折率をn iとすると、 aλ=Σ ii (n i −1) において、1/4≦a≦3/4となるように調整すればよい。 The thickness of the multilayer film constituting a translucent film, the exposure wavelength lambda, film thickness d i of the i-th layers of the semi-transparent film, a refractive index at an exposure wavelength of the layer n i When, aλ = Σ i d i in (n i -1), may be adjusted so that the 1/4 ≦ a ≦ 3/ 4. ここで、Σ iはiについての総和を表す。 Here, sigma i represents the sum of i.

【0017】これを別の形の表現にすると、半透明膜を、透明基板上に以下で示す式により求まる同じ厚さの空気層との間の位相差Φがnπ±π/2ラジアン(nは正の整数)の範囲となるように形成すればよい。 [0017] When this is expressed in another form, a semi-transparent film, the phase difference Φ is nπ ± π / 2 radians between the air layer of the same thickness which is obtained by the equation shown below on a transparent substrate (n it may be formed to have a range of positive integers). ここで、Φは透明基板に(m−2)層の多層膜が構成されているフォトマスクを垂直に透過する光の位相差であり、n k 、d kはk番目の層を構成する材料の屈折率と膜厚、λは露光光の波長である。 Here, [Phi is the phase difference of light passing through the photomask multilayer film of the transparent substrate (m-2) layers is formed vertically, n k, d k constitute the k-th layer material refractive index and thickness of, lambda is the wavelength of the exposure light. ただし、k=1の層は透明基板、k=m(m>3,mは整数)の層は空気とする。 However, k = 1 layer transparent substrate, k = a layer of m (m> 3, m is an integer) is air.

【0018】次に、半透明膜の透過率については、透明領域の透過率を100%とした場合の半透明領域の透過率は、1〜50%、望ましくは3〜20%に調節すればハーフトーンマスクとしての効果がある。 Next, the transmittance of the semi-transparent film, the transmittance of the semi-transparent region when the transmittance of the transparent area and 100%, 1% to 50%, preferably be adjusted to 3-20% there is an effect of as a half-tone mask.

【0019】図5に膜厚14nmの窒化クロムの200 [0019] 200 having a thickness of 14nm chromium nitride 5
nm〜800nmの分光透過率を示す。 The spectral transmittance of nm~800nm. このように、窒化クロムは、300nmから800nmにかけてフラットな分光特性を持っている。 Thus, the chromium nitride has a flat spectral characteristic from 300nm toward 800 nm. このため、窒化クロムを用いることにより、長波長側の透過率を低く抑えることができる。 Thus, by using a chromium nitride, it is possible to reduce the transmittance of a long wavelength side.

【0020】図4に本発明の窒化クロム、酸化クロムの2層膜での200nm〜800nmの分光透過率を示す。 The chromium nitride of the present invention in FIG. 4 shows the spectral transmittance of 200nm~800nm ​​in two-layered film of chromium oxide. 図9の単層膜での分光透過率と比較すると、可視域の長波長側での透過率が低くなっていることが分かる。 Compared to the spectral transmittance of a single-layer film of Figure 9, it can be seen that the transmittance in a long wavelength side in the visible region is low.
このことにより、通常の2つの半導体チップの比較検査装置KLA−219e(KLA社製)での検査が可能となる。 Thus, inspection can be performed in a normal two semiconductor chips comparison inspection apparatus KLA-219e (manufactured by KLA Corporation).

【0021】次に、半透明膜の加工用マスクとして用いられる電子線レジストの電子線描画におけるチャージアップ抑止効果について説明する。 Next, description will charge-up suppressing effect in electron beam lithography of an electron beam resist used as a processing mask translucent film. 通常の酸化窒化炭化クロム膜に対し、上層、中間層、下層の何れかに導電性を持つクロムあるいは窒化クロム膜を用いることにより、 To normal oxynitride chromium carbide layer, the upper layer, the intermediate layer, by using chromium or chromium nitride film having conductivity in any of the lower layer,
電子線描画時に半透明膜上あるいは膜中に蓄積される電荷がクロムあるいは窒化クロム膜を通ってアースされ、 Charge that is accumulated in a semi-transparent film or films is grounded through a chromium or chromium nitride film when electron beam lithography,
チャージアップが防止できる。 Charge-up can be prevented. この防止効果に対して、 For this prevention effect,
上記(1)の構造が最も効果が大きいが、(2)、 The structure is most effective for the above (1) is large, (2),
(3)の構造でも十分その効果が得られる。 Sufficiently the effect can be obtained even by the structure of (3).

【0022】また、このような構造をとることにより、 [0022] In addition, by adopting such a structure,
露光波長での透過率制御性も向上する。 Also improved transmittance controllability at the exposure wavelength. 屈折率と吸収係数を成膜条件により独立に制御することは困難である。 It is difficult to control the refractive index absorption coefficient independently by deposition conditions.
透過率を例えば7、10、15%と変えるためには、単層構造では、各透過率ごとに成膜条件を設定する必要がある。 In order to change the transmittance for example, 7,10,15%, in a single layer structure, it is necessary to set the film forming conditions for each transmission. これに対して、多層構造では、透過率をクロムあるいは窒化クロムの膜厚で制御し、位相差を酸化窒化炭化クロムの膜厚で制御できるので、透過率制御がやさしくなる。 In contrast, in the multi-layer structure, by controlling the transmittance of a film thickness of chromium or chromium nitride, it is possible to control the phase difference in the thickness of the oxynitride carbide chromium, transmissivity control becomes gentle. これは、クロムあるいは窒化クロムの吸収係数が大きいので、わずかな膜厚変化により透過率は大きく変化するが、位相差の変化は少ない。 This is because the absorption coefficient of the chromium or chromium nitride is large, varies the transmittance increases by a slight change in the film thickness, the change in phase difference is small. 一方、位相差の変化に対しては、酸化窒化炭化クロム膜の膜厚で補正が可能であるからである。 On the other hand, for a change in phase difference, since it is possible to correct a film thickness of oxynitride chromium carbide film.

【0023】ここで、吸収のある膜の透過率Tは、「Pr [0023] In this case, the transmittance T of a absorbing film, "Pr
inciple of Optics 」(928,Max Born and Emil Wolfs inciple of Optics "(928, Max Born and Emil Wolfs
著,草川徹・横田英嗣訳)によれば、 T=(n 3 /n 1 ) ×τ 12 2 τ 23 2 exp(-2 ×k 2 ×η)/{1+ρ 12 2 ρ 23 2 exp(-4 × k 2 ×η)+2 ×ρ 12 ρ 23 exp(-2×k 2 ×η) cos(φ 12 + φ 23 +2×n 2 ×η) } ・・・(1) で与えられる。 Author, according to Toru Kusakawa Eiji Yokota translated), T = (n 3 / n 1) × τ 12 2 τ 23 2 exp (-2 × k 2 × η) / {1 + ρ 12 2 ρ 23 2 exp given by (-4 × k 2 × η) +2 × ρ 12 ρ 23 exp (-2 × k 2 × η) cos (φ 12 + φ 23 + 2 × n 2 × η)} ··· (1) It is. ここで、n 2 , k 2は吸収膜の露光波長での屈折率、消衰係数、n 1 ,k 1はこの吸収膜の入射側物質の露光波長での屈折率、消衰係数、n 3 , k 3はこの吸収膜の出射側物質の露光波長での屈折率、消衰係数であり、以下の式を満たす。 Here, n 2, k 2 is the refractive index at an exposure wavelength of the absorption film, extinction coefficient, n 1, k 1 is the refractive index at an exposure wavelength of the incident side material of the absorption film, extinction coefficient, n 3 , k 3 is the refractive index at the exposure wavelength of the emission-side material of the absorbing film, a extinction coefficient satisfies the following equation.

【0024】ρ 12 ×exp (i×φ 12 ) ={(n 1 + i×k 1 )-(n [0024] ρ 12 × exp (i × φ 12) = {(n 1 + i × k 1) - (n
2 + i×k 2 ) }/{(n 1 + i×k 1 )+(n 2 + i×k 2 ) } τ 12 ×exp (i×χ 12 ) ={2 ×(n 1 + i×k 1 ) }/{(n 1 + 2 + i × k 2)} / {(n 1 + i × k 1) + (n 2 + i × k 2)} τ 12 × exp (i × χ 12) = {2 × (n 1 + i × k 1)} / {(n 1 +
i×k 1 )+(n 2 + i×k 2 ) } ρ 23 ×exp (i×φ 23 ) ={(n 2 + i×k 2 )-(n 3 + i×k 3 ) } i × k 1) + (n 2 + i × k 2)} ρ 23 × exp (i × φ 23) = {(n 2 + i × k 2) - (n 3 + i × k 3)}
/{(n 2 + i×k 2 )+(n 3 + i×k 3 ) } τ 23 ×exp (i×χ 23 ) ={2 ×(n 2 + i×k 2 ) }/{(n 2 + / {(N 2 + i × k 2) + (n 3 + i × k 3)} τ 23 × exp (i × χ 23) = {2 × (n 2 + i × k 2)} / {(n 2 +
i×k 2 )+(n 3 + i×k 3 ) } η=2π×h/λ ここで、hは吸収膜の膜厚、λは露光波長を表す。 i × k 2) + (n 3 + i × k 3)} η = 2π × h / λ where, h is the thickness of the absorbing layer, lambda represents a wavelength of the exposure light. また、垂直入射を仮定している。 Further, it assumes normal incidence. 3層構造の場合、各層の積で全体の透過率が計算できる。 If a three-layer structure, it can be calculated the overall transmittance by the product of the respective layers.

【0025】次に、反射率制御は、前記の(3)の構造を採るときに可能となる。 Next, the reflectance control becomes possible when taking the structure of the above (3). このような構造では、上下層の酸化窒化炭化クロム7、9の膜厚の割合を変えることが可能である。 In such a structure, it is possible to vary the ratio of the thickness of the oxynitride chromium carbide 7,9 of the upper and lower layers. クロムあるいは窒化クロムの分光反射率は、波長による変化が少なく、高反射率となる。 Spectral reflectance of chromium or chromium nitride, the change due to the wavelength is reduced and a high reflectance. クロム膜8上下に形成された酸化窒化炭化クロム7、9は、多重干渉を利用した反射防止膜として働く。 Oxynitride chromium carbide formed on the upper and lower chromium film 8 7, 9 serve as an antireflection film using the multiple interference. このため、膜厚により干渉のピークが変化するので、露光波長での反射率を制御できる。 Therefore, since the peak of the interference is changed by the film thickness can be controlled reflectance at the exposure wavelength.

【0026】図3の構造を仮定すると、反射率Rは、 R={ρ 12 2 exp(2×k 2 ×η)+ρ 23 2 exp (-2×k 2 ×η)+ 2×ρ 12 ×ρ 23 ×cos (φ 12 + φ 23 +2×n 2 ×η) }/{exp (2×k 2 ×η)+ρ 12 2 ρ 23 2 exp (-2 ×k 2 ×η)+ 2×ρ 12 ×ρ 23 ×cos(φ 12 + φ 23 +2×n 2 ×η) } ・・・(2) で与えられる。 [0026] Assuming the structure of FIG. 3, the reflectivity R is, R = {ρ 12 2 exp (2 × k 2 × η) + ρ 23 2 exp (-2 × k 2 × η) + 2 × ρ 12 × ρ 23 × cos (φ 12 + φ 23 + 2 × n 2 × η)} / {exp (2 × k 2 × η) + ρ 12 2 ρ 23 2 exp (-2 × k 2 × η) + 2 × is given by ρ 12 × ρ 23 × cos ( φ 12 + φ 23 + 2 × n 2 × η)} ··· (2). ここでn 2 , k 2は吸収膜8の露光波長での屈折率、消衰係数、n 1 ,k 1は入射側物質7又は9の露光波長での屈折率、消衰係数、n 3 , k 3は出射側物質9又は7の露光波長での屈折率、消衰係数であり、以下の式を満たす。 Here n 2, k 2 is the refractive index at an exposure wavelength of the absorption film 8, the extinction coefficient, n 1, k 1 is the refractive index at an exposure wavelength of the incident-side material 7 or 9, the extinction coefficient, n 3, k 3 is the refractive index at the exposure wavelength of the emission-side material 9 or 7, a extinction coefficient satisfies the following equation.

【0027】ρ 12 ×exp (i×φ 12 ) ={(n 1 + i×k 1 )-(n [0027] ρ 12 × exp (i × φ 12) = {(n 1 + i × k 1) - (n
2 + i×k 2 ) }/{(n 1 + i×k 1 )+(n 2 + i×k 2 ) } ρ 23 ×exp (i×φ 23 ) ={(n 2 + i×k 2 )-(n 3 + i×k 3 ) } 2 + i × k 2)} / {(n 1 + i × k 1) + (n 2 + i × k 2)} ρ 23 × exp (i × φ 23) = {(n 2 + i × k 2 ) - (n 3 + i × k 3)}
/{(n 2 + i×k 2 )+(n 3 + i×k 3 ) } η=2π×h/λ ここで、hは吸収膜の膜厚、λは露光波長を表す。 / {(N 2 + i × k 2) + (n 3 + i × k 3)} η = 2π × h / λ where, h is the thickness of the absorbing layer, lambda represents a wavelength of the exposure light. また、垂直入射を仮定している。 Further, it assumes normal incidence.

【0028】このようなフォトマスクの加工には、通常、Cl 2 、CH 2 Cl 2に酸素を加えた混合ガスによるドライエッチングが用いられる。 [0028] The processing of such photomask, usually, the dry etching is used with a mixed gas of oxygen was added to the Cl 2, CH 2 Cl 2. ドライエッチングに代えて、硝酸第二セリウムアンモンと過塩素酸の混合水溶液を用いてもよい。 Instead of dry etching, it may be used a mixed aqueous solution of ceric nitrate ammon and perchloric acid.

【0029】このような多層構造を用いても、上層も下層も同じクロム系の膜で構成していることより、多層膜のエッチングは一工程で可能であり、多層化により加工工程が増えることはない。 [0029] Even with such a multilayer structure, the upper layer is also lower than that constituted by films of the same chromium-based etching of the multilayer film is possible in one step, the processing step is increased by multi-layer no.

【0030】 [0030]

【作用】本発明の位相シフトフォトマスク及びそのための位相シフトフォトマスク用ブランクスにおいては、ハーフトーンマスクの半透明膜の膜構造が、酸化クロム、 In the phase shift photomask and phase shift photomask blanks therefor the present invention, the film structure of the semitransparent film of the halftone mask, chromium oxide,
酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、又は、酸化窒化炭化クロムの一つと、クロム又は窒化クロムとの多層膜になっているため、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、又は、酸化窒化炭化クロムがフォトマスクの検査等に用いる長波長サイドで比較的透過率が高くても、 Chromium oxynitride, oxycarbide chromium, or a single oxynitride chromium carbide, since that is a multilayer film of chromium or chromium nitride, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, or oxynitride carbide chromium even at high relatively transmittance in the long wavelength side to be used for inspection of photomask,
位相シフト作用を分担(位相シフト層としての役割)することができ、一方、この長波長サイドの透過率を抑える作用はクロム又は窒化クロムに分担(透過率調整層としての役割)させることができ、そのため、露光光での透過率はもちろんのこと、長波長側での透過率も自由に制御できる。 Sharing the phase shift effect can be (role as the phase shift layer), whereas the action of suppressing the transmittance of the long-wavelength side can be shared by chromium or chromium nitride (role as the transmittance adjusting layer) , therefore, the transmittance of the exposure light is, of course, can be freely controlled even transmittance in the long wavelength side. したがって、通常の検査、寸法測定に用いられているe線での透過率も30%以下に抑えることができ、通常の検査等が問題なく可能となる。 Accordingly, normal inspection, transmission at e-line used in the dimension measurement can also be suppressed to 30% or less, normal inspection is possible without problems.

【0031】また、多層構造中に導電膜を含んでいるため、電子線露光時のチャージアップ防止が可能となる。 Further, because it contains a conductive film in the multilayer structure, it is possible to charge-up prevention during electron beam exposure.

【0032】さらに、光学定数の異なるクロム化合物の多層膜構造であるため、膜厚の組み合わせにより、透過率と反射率を制御することができる。 Furthermore, because of the multi-layer film structure of different chromium compound optical constants can be a combination of thickness, controlling the transmittance reflectance.

【0033】 [0033]

【実施例】以下、本発明に係る位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクスの実施例について説明する。 EXAMPLES Hereinafter, a description will be given of an embodiment of a phase shift photomask and phase shift photomask blank according to the present invention. 実施例1 まず、光学研磨された基板上にCrO xyzを膜厚125nmになるように成膜する。 Example 1 First, deposited such that the CrO x N y C z in the thickness 125nm optically polished substrate. この膜のi線(36 i-line of this film (36
5nm)の透過率は13%、e線(546nm)での透過率は45%である。 Transmittance of 5 nm) is transmittance at 13%, e-ray (546 nm) is 45%. 次に、この膜の上にCrN膜を9 Next, a CrN film on the film 9
nm成膜する。 nm is deposited. このCrN膜のi線の透過率は60%、 Transmittance of i-line of the CrN film 60%,
e線での透過率は59%である。 Transmission at the e-line is 59%. この2層積層膜での透過率は、i線の透過率は7.8%、e線での透過率は2 Transmittance in the two-layer laminated film, the transmittance of the i line 7.8% transmission at the e-line is 2
6.6%になる。 It becomes 6.6%. この時のCrN膜のi線での屈折率は1.9、CrO xyz膜の屈折率は2.4である。 Refractive index of the i-line of the CrN film at this time 1.9, the refractive index of the CrO x N y C z film is 2.4.
通常、これらの膜の成膜にはスパッタリングが用いられる。 Normally, sputtering is used for deposition of these films.

【0034】次に、このブランクス上にi線レジストN [0034] Next, i-line resist N on this blank
PR−895i(長瀬産業(株)製)をスピンコーティングし、プリベイク処理をすることにより、厚さ0.1 PR-895i (Nagase & Co., Ltd.) was spin coated, by a pre-baking treatment, 0.1 thickness
μm〜2.0μmのレジスト層を形成する。 Forming a resist layer of Myuemu~2.0Myuemu. 基板としては、石英、高純度石英が望ましいが、低膨張ガラス、M As the substrate, quartz, although high-purity quartz is desired, a low expansion glass, M
gF 2 、CaF 2等を使用することもできる。 It is also possible to use gF 2, CaF 2 and the like. レジスト層の加熱処理は、レジストの種類にもよるが、通常、8 Heat treatment of the resist layer, although depending on the kind of resist, usually 8
0℃〜150℃で5分〜60分行う。 For 5 minutes to 60 minutes at 0 ℃ ~150 ℃.

【0035】次に、CORE−2564等のレーザー露光装置を用いて所定のパターンを露光し、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドライド)を主成分とする現像液でレジスト層を現像後、水でリンスする。 Next, using a laser exposure apparatus such as a CORE-2564 to expose a predetermined pattern, after development of the resist layer with a developer mainly composed of TMAH (tetramethyl ammonium hydride), rinsed with water. 次に、 next,
必要に応じて加熱処理及びディスカム処理してレジストパターンのレジストスカム等を除去した後に、レジストパターンの開口部より露出する被加工部の半透明膜をC After removing the resist scum, etc. of the resist pattern by heating and descum treatment if necessary, the semi-transparent film of the processing unit C exposed from the opening of the resist pattern
2 Cl 2 +O 2ガスを用いたエッチングプラズマによりドライエッチングし、遮光パターンを形成する。 Dry etching by an etching plasma using H 2 Cl 2 + O 2 gas, to form a light-shielding pattern. なお、この遮光パターンの形成は、エッチングガスプラズマによるドライエッチングに代えて、ウェットエッチングにより行ってもよいことは明らかである。 The formation of the light-shielding pattern, in place of the dry etching with etching gas plasma, it is clear that may be performed by wet etching.

【0036】このようにしてエッチングした後に、残存するレジストを酸素プラスマにより除去してハーフトーンマスクが完成する。 [0036] After etching in this way, a halftone mask is completed the resist remaining was removed by oxygen plasma. このマスクの透過率は、i線(3 Transmittance of the mask, i-line (3
65nm)で10%、e線で29%であり、比較検査装置KLA−219HRL−PS(KLA社製)を用いて問題なく検査可能であった。 10% 65 nm), was 29% in the e-line, was no problem can be tested using comparison inspection apparatus KLA-219HRL-PS (manufactured by KLA Corporation). また、透過型寸法測定装置MPA−3(ニコン(株)製)を用いた寸法測定も問題は生じなかった。 Moreover, the problem did not occur dimensional measurement using a transmission type linear measurement apparatus MPA-3 (manufactured by Nikon Corporation). このようにして完成したハーフトーンマスクをホールパターンに適用した場合、その時の露光において焦点深度が50%向上していることが確認された。 When applying the halftone mask completed in this manner the hole pattern, it was confirmed that the depth of focus is improved by 50% in the exposure at that time.

【0037】実施例2 半透明膜の層構成として、図3の3層構造を用いる。 [0037] As the layer structure of Example 2 semitransparent film, a three-layer structure of FIG. 露光波長は365nmとする。 Exposure wavelength to 365nm. 基板1の屈折率は1.47 The refractive index of the substrate 1 is 1.47
5、膜7、膜9を酸化窒化炭化クロム、膜8を窒化クロムとすると、n 0 :1.475,n 1 :2.46,k 1 :0. 5, film 7, film 9 oxynitride chromium carbide, when the film 8 as chromium nitride, n 0: 1.475, n 1 : 2.46, k 1: 0.
29,n 2 :1.94,k 2 :3.15,n 3 :2.46, 29, n 2: 1.94, k 2: 3.15, n 3: 2.46,
k 3 :0.29,n 4 :1となる。 k 3: 0.29, n 4: the 1. また、膜7の厚さをh 1 Moreover, h 1 the thickness of the membrane 7,
膜8の厚さをh 2 、膜9の厚さをh 3とする。 The thickness of the film 8 h 2, the thickness of the film 9 and h 3. このとき、h 1 In this case, h 1
=70nm、h 2 =5nm、h 3 =54.9nmとすると、 = 70nm, h 2 = 5nm, and the h 3 = 54.9nm,
膜形成部と未形成部の位相差Φは、界面位相差を考慮すると、Φ=171°となる。 Phase difference [Phi film forming portion and the non-formation part, considering the interfacial phase difference, and Φ = 171 °. このとき、h 2 =(2.46 In this case, h 2 = (2.46
/1.94)×h 3の関係を満たすように膜厚を変化させても、位相差は変化しない。 It is changed thickness so as to satisfy the relation /1.94)×h 3, no phase difference change. この関係を満たすように、 So as to satisfy this relationship,
h 2 ,h 3を変化させた場合の透過率変化を図6に示す。 The transmittance change when changing the h 2, h 3 shown in FIG. 透過率は、式(1)と上記の各膜の光学定数より計算した。 Permeability was calculated from the optical constants of each film of the equation (1).

【0038】この図6より、図3のような3層構造をとることにより、膜質を変えることなく、位相差を保ったまま、膜厚変化のみで透過率が制御できることが分かる。 [0038] From this FIG. 6, by taking a three-layer structure as shown in FIG. 3, without changing the film quality, while maintaining the phase difference, it can be seen that can control the transmittance in the film thickness change only. また、膜7、膜9には酸化窒化炭化クロムを用いているが、この代わりに、膜7には、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の1種、膜8には、クロム、窒化クロムの中の1種、膜9 Further, the film 7, but using the oxynitride chromium carbide membrane 9, alternatively, the membrane 7, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, one in the oxynitride chromium carbide, film 8, the chromium, one of chrome nitride, film 9
には、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、 The chromium oxide, chromium oxide nitride, oxide chromium carbide,
酸化窒化炭化クロムの中の1種を用いることができる。 It can be used alone in the oxynitride chromium carbide.
また、膜7と膜9は同じ材質でなくてもよい。 Also, film 7 and film 9 may not be the same material. この実施例では、図3のような3層構造を用いて説明したが、図2のような2層構造でも、同様な制御が可能である。 In this embodiment has been described using a three-layer structure as shown in FIG. 3, have a two-layer structure as shown in FIG. 2, it is possible to similar control.

【0039】実施例3 半透明膜の層構成として、図3の3層構造を用いる。 [0039] As the layer structure of Example 3 semitransparent film, a three-layer structure of FIG. 露光波長は365nmとする。 Exposure wavelength to 365nm. 基板1の屈折率は1.47 The refractive index of the substrate 1 is 1.47
5、膜7、膜9を酸化窒化炭化クロム、膜8を窒化クロムとすると、n 0 :1.475,n 1 :2.46,k 1 :0. 5, film 7, film 9 oxynitride chromium carbide, when the film 8 as chromium nitride, n 0: 1.475, n 1 : 2.46, k 1: 0.
29,n 2 :1.94,k 2 :3.15,n 3 :2.46, 29, n 2: 1.94, k 2: 3.15, n 3: 2.46,
k 3 :0.29,n 4 :1となる。 k 3: 0.29, n 4: the 1. また、膜7の厚さをh 1 Moreover, h 1 the thickness of the membrane 7,
膜8の厚さをh 2 、膜9の厚さをh 3とする。 The thickness of the film 8 h 2, the thickness of the film 9 and h 3. このとき、h 1 In this case, h 1
=8nm、h 2 =10nm、h 3 =120nmとすると、膜形成部と未形成部の位相差Φは、界面位相差を考慮すると、Φ=181°となる。 = 8nm, h 2 = 10nm, When h 3 = 120 nm, the phase difference [Phi film forming portion and the non-forming portion, in consideration of the interfacial phase difference, and Φ = 181 °. このとき、h 1 +h 3 =128の関係を満たすように膜7、膜9の膜厚h 1 、h 3を変化させても、位相差は変化しない。 At this time, h 1 + h 3 = film 7 so as to satisfy the relation 128, also by changing the film thickness h 1, h 3 of the membrane 9, no phase difference change. この関係を満たすように、 So as to satisfy this relationship,
h 1 、h 3を変化させた場合のマスク表面、マスク裏面の反射率変化を図7に示す。 h 1, the mask surface in the case of the h 3 is varied, the reflectance change of the mask backside shown in FIG. 反射率は、式(2)と上記の各膜の光学定数より計算した。 Reflectivity, and were calculated from the optical constants of each film of the formula (2).

【0040】この図より、図3のような3層構造を用いると、マスク表面、マスク裏面の反射率を膜厚を変えることにより制御できることが分かる。 [0040] From this figure, the use of three-layer structure as shown in FIG. 3, the mask surface, it is found that can be controlled by varying the thickness of the reflectivity of the mask backside. また、膜7、膜9 In addition, film 7, film 9
には酸化窒化炭化クロムを用いているが、この代わりに、膜7には、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の1種、膜8には、クロム、窒化クロムの中の1種、膜9には、酸化クロム、 While using the oxynitride chromium carbide to, alternatively, the membrane 7, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, one in the oxynitride chromium carbide, the film 8 is chromium nitride one of chrome, the film 9, chromium oxide,
酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の1種を用いることができる。 It can be used chromium oxynitride, oxycarbide chromium, one in the oxynitride chromium carbide. また、膜7と膜9は同じ材質でなくてもよい。 Also, film 7 and film 9 may not be the same material. 実施例4 光学研磨された石英基板上に、ターゲットにクロム、スパッタガスとして窒素と炭酸ガスの混合ガスを用いた反応性スパッタリングを用い、ガス流量比を制御することにより、i線屈折率2.50、i線消衰係数0.27の酸化窒化炭化クロムを膜厚116nmになるように成膜する。 Example 4 optically polished quartz substrate, the chromium in the target, the nitrogen and a mixed gas of carbon dioxide gas reactive sputtering using using as a sputtering gas, by controlling the gas flow rate ratio, i-line refractive index 2. 50, the oxynitride carbide chromium i line extinction coefficient 0.27 is deposited to a thickness of 116 nm. 次に、アルゴンと窒素を用いた反応性スパッタリングを用い、ガス流量比を制御することにより、i線屈折率1.93、i線消衰係数3.15の窒化クロムを膜厚10nmになるように成膜する。 Next, using a reactive sputtering using argon and nitrogen, by controlling the gas flow rate ratio, so that the i-line refractive index 1.93, the chromium nitride of i-ray extinction coefficient 3.15 to thickness 10nm forming a film on. この膜のシート抵抗は26Ω/□である。 The sheet resistance of this film is 26Ω / □. この時のi線透過率は7.0%になる。 i-ray transmittance at this time is 7.0%.

【0041】次に、このブランク上に電子線レジストE Next, electron beam resist E on this blank
BR−900(東レ(株)製)をスピンコーティングし、110℃でプリベーク処理をすることにより、厚さ500nmのレジスト層を形成する。 BR-900 (manufactured by Toray Industries, Inc.) was spin coated by a pre-baking treatment at 110 ° C., to form a resist layer having a thickness of 500 nm. 次に、電子線露光装置MEBESIV(Etec Systems In Next, an electron beam exposure apparatus MEBESIV (Etec Systems In
c. c. 製)により所定のパターンを露光する。 Ltd.) by exposing a predetermined pattern. この時、最上層に導電性の窒化クロムを用いることにより、露光時のチャージアップは防止され、レジストパターンの位置ズレは発生しない。 At this time, by using a chromium nitride of electrically conductive top layer, charge-up at the time of exposure is prevented, positional deviation of the resist pattern does not occur.

【0042】次に、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドライド)を主成分とする現像液により現像、純水リンスすることにより、レジストパターンを形成する。 Next, developed by a developing solution mainly composed of TMAH (tetramethyl ammonium hydride), by pure water rinsing to form a resist pattern.

【0043】次に、必要に応じて加熱処理及びディスカム処理してレジストのスカム等を除去した後に、レジストパターンの開口部より露出する被加工部の半透明膜をジクロロメタンと酸素の混合ガスによるドライエッチングにより加工し、半透明パターンを形成する。 Next, after removing the scum and the like of the resist by heat treatment and descum treatment if necessary, dry the semi-transparent film of the work portion exposed from the opening of the resist pattern due to a gas mixture of dichloromethane and oxygen processed by etching to form a semi-transparent pattern. このようにしてエッチングした後に、残存するレジストを酸素プラズマにより除去し、洗浄、検査、修正することにより、良好なハーフトーンマスクが完成する。 In this way, after etching, the resist remaining was removed by oxygen plasma, washed, inspected, by correcting, good half-tone mask is completed.

【0044】この実施例では、図1のような2層構造を用いて説明したが、図3のような34層構造でも、同様な制御が可能である。 [0044] In this embodiment has been described using a two-layer structure as shown in FIG. 1, at 34-layer structure as shown in FIG. 3, it is possible to similar control.

【0045】 [0045]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明の位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクスによると、通常のフォトマスクと同じプロセス、同じ検査工程、同じ修正工程が可能となる。 As apparent from the above description, made according to the phase shift photomask and phase shift photomask blank of the present invention, the same process as ordinary photomask, the same inspection process, enabling the same modification process . そのため、従来、工程増加、欠陥修正不可能により、歩留まりが低下し、コスト高となっていたハーフトーンマスクを通常のフォトマスクとほぼ同じコストで生産可能となった。 Therefore, conventionally, the process increases, the defect correction impossible, the yield is decreased, the half-tone mask, which has been a cost became possible production at approximately the same cost as conventional photomask. また、電子線露光時のチャージアップ防止が可能となり、さらに、膜厚の組み合わせにより、透過率と反射率を制御することが可能になった。 Also, charge-up prevention during electron beam exposure is possible, furthermore, the combination of film thickness, it has become possible to control the transmittance and reflectance.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明のハーフトーンマスクの一形態を模式的に示す断面図である。 One form of the half-tone mask of the present invention; FIG is a cross-sectional view schematically showing.

【図2】他の形態を模式的に示す断面図である。 The Figure 2 another embodiment is a cross-sectional view schematically showing.

【図3】もう1つの形態を模式的に示す断面図である。 3 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment.

【図4】本発明の窒化クロム、酸化クロムの2層膜の分光透過率を示す図である。 [4] chromium nitride of the present invention, is a diagram showing a spectral transmittance of the two-layer film of chromium oxide.

【図5】窒化クロムの分光透過率を示す図である。 5 is a diagram showing the spectral transmittance of chromium nitride.

【図6】図3の層構成の場合の遮光層膜厚に対する透過率変化を示す図である。 6 is a diagram showing the transmittance change with respect to the light-shielding layer thickness in the case of the layer structure of FIG.

【図7】図3の層構成の場合の入射側層膜厚に対する反射率変化を示す図である。 7 is a diagram showing a change in reflectance to incident side layer thickness in the case of the layer structure of FIG.

【図8】従来のハーフトーンマスクの構造を示す断面図である。 8 is a sectional view showing a structure of a conventional half-tone mask.

【図9】酸化クロムの分光透過率を示す図である。 9 is a diagram showing a spectral transmittance of the chromium oxide.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…透明基板 3、6、7、9…酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、又は、酸化窒化炭化クロムの一層膜 4、5、8…クロム又は窒化クロムの一層膜 1 ... transparent substrate 3,6,7,9 ... chromium oxide, chromium oxide nitride, oxide chromium carbide, or, more film more films 4, 5, 8 ... chromium or chromium nitride oxynitride chromium carbide

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 毛利 弘 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 高橋正泰 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 宮下裕之 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 飯村幸夫 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 (56)参考文献 特開 平6−289589(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) G03F 1/00 - 1/16 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor Hiroshi Mori, Shinjuku-ku, Tokyo Ichigayakaga-cho, 1 chome, Dai Nippon Printing Co., Ltd. in the (72) inventor Takahashi Masayasu Shinjuku-ku, Tokyo Ichigayakaga-cho, chome 1 Ban No. 1 Dai Nippon Printing Co., Ltd. in the (72) inventor Hiroyuki Miyashita Shinjuku-ku, Tokyo Ichigayakaga-cho, 1 chome, Dai Nippon Printing Co., Ltd. in the (72) inventor Yukio Iimura Shinjuku-ku, Tokyo Ichigayakaga-cho, one chome No. 1 Dai Nippon Printing Co., Ltd. in the (56) reference Patent flat 6-289589 (JP, a) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 7, DB name) G03F 1/00 - 1 / 16

Claims (22)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 透明基板上に露光光に対して半透明な領域と透明な領域とを有し、該透明領域と該半透明領域との位相差が実質的に180°になるような構成の位相シフトフォトマスクにおいて、半透明領域がクロムあるい 1. A and a semi-transparent and transparent areas to exposure light on a transparent substrate, configured as a phase difference is substantially 180 ° between the transparent region and the semitransparent region in the phase shift photomask, the translucent area walking chromium
    はクロム化合物の多層膜からなる半透明膜により構成さ It is composed of a semitransparent film made of a multilayer film of chromium compound
    れていることを特徴とする位相シフトフォトマスク。 Phase shift photomask, characterized by being.
  2. 【請求項2】 前記半透明膜の構成が、透明基板側より、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜と、 Configuration according to claim 2, wherein the semitransparent film, the transparent substrate side, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, more and film made from a compound in the oxynitride chromium carbide,
    クロムあるいは窒化クロムの中のどちらかからなる一層膜との2層膜からなることを特徴とする請求項1記載の位相シフトフォトマスク。 Phase shift photomask according to claim 1, comprising the two-layered film of a more film made of either one of chrome or chromium nitride.
  3. 【請求項3】 前記半透明膜の構成が、透明基板側より、クロムあるいは窒化クロムの中のどちらかからなる一層膜と、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜との2層膜からなることを特徴とする請求項1記載の位相シフトフォトマスク。 The structure of claim 3 wherein said semi-transparent film, the transparent substrate side, and chrome or more films made of either in the chromium nitride, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, in the oxynitride chromium carbide phase shift photomask according to claim 1, comprising the two-layered film of the first compound further film consisting of.
  4. 【請求項4】 前記半透明膜の構成が、透明基板側より、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜と、 Configuration according to claim 4, wherein the semitransparent film, the transparent substrate side, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, more and film made from a compound in the oxynitride chromium carbide,
    クロムあるいは窒化クロムの中のどちらかからなる一層膜と、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、 And further film made from either one of chrome or chromium nitride, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide,
    酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜との3層膜からなることを特徴とする請求項1記載の位相シフトフォトマスク。 Phase shift photomask according to claim 1, characterized in that it consists of three layers of a more film composed of one of the compounds in the oxynitride chromium carbide.
  5. 【請求項5】 前記半透明領域が、透明基板側より、導電性クロム化合物からなる一層膜と、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜との2層膜からなることを特徴とする請求項1記載の位相シフトフォトマスク。 Wherein said semitransparent region is from the transparent substrate side, and further film made of a conductive chromium compound, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, more composed of one of the compounds in the oxynitride chromium carbide phase shift photomask according to claim 1, comprising the two-layered film of the film.
  6. 【請求項6】 前記半透明領域が、透明基板側より、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜と、導電性クロム化合物からなる一層膜との2層膜からなることを特徴とする請求項1記載の位相シフトフォトマスク。 Wherein said semitransparent region is from the transparent substrate side, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, and more film made from a compound in the oxynitride chromium carbide, become more conductive chromium compound phase shift photomask according to claim 1, comprising the two-layered film of the film.
  7. 【請求項7】 前記半透明領域が、透明基板側より、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜と、導電性クロム化合物からなる一層膜と、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜との3層膜からなることを特徴とする請求項1記載の位相シフトフォトマスク。 Wherein said semitransparent region is from the transparent substrate side, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, and more film made from a compound in the oxynitride chromium carbide, become more conductive chromium compound film and, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, phase shift photomask according to claim 1, characterized in that it consists of three layers of a more film composed of one of the compounds in the oxynitride chromium carbide.
  8. 【請求項8】 前記半透明領域が、透明基板上に以下で示す式により求まる前記半透明領域と前記透明領域の間の位相差Φがnπ±π/2ラジアン(nは正の整数)の範囲となるように形成されていることを特徴とする請求項1から7の何れか1項記載の位相シフトフォトマスク。 Wherein said semitransparent region is the determined by the formula shown below on a transparent substrate between the translucent areas and the transparent area phase difference Φ is nπ ± π / 2 radians (n ​​is a positive integer) phase shift photomask according to any one of claims 1 7, characterized in that it is formed so as to range. ここで、Φは前記透明基板に(m−2)層の多層膜が構成されているフォトマスクを垂直に透過する光の位相差であり、n k 、d kはk番目の層を構成する材料の屈折率と膜厚、λは露光光の波長である。 Here, [Phi is the phase difference of light transmitted vertically photomask multilayer film of the transparent substrate (m-2) layer is formed, n k, d k constitute the k th layer the refractive index and thickness of the material, lambda is the wavelength of the exposure light. ただし、k=1の層は前記透明基板、k=m(m>3,mは整数)の層は空気とする。 However, k = 1 layer a layer of the transparent substrate, k = m (m> 3, m is an integer) is air.
  9. 【請求項9】 前記半透明領域の露光光に対する透過率が1から50%になるように形成されていることを特徴とする請求項1から8の何れか1項記載の位相シフトフォトマスク。 Wherein said semitransparent region phase shift photomask according to any one of claims 1 to 8, the transmittance is characterized in that it is formed so that 50% 1 with respect to the exposure light.
  10. 【請求項10】 透明基板上に露光光に対して半透明な領域と透明な領域とを有し、該透明領域と該半透明領域との位相差が実質的に180°になるような構成の位相シフトフォトマスクであって、前記半透明領域が、透明基板側より、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜と、導電性クロム化合物からなる一層膜と、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜との3層膜からなる位相シフトフォトマスクの製造方法において、透明基板側の酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜、最外層の酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化ク 10. and a semi-transparent and transparent areas to exposure light on a transparent substrate, configured as a phase difference is substantially 180 ° between the transparent region and the semitransparent region a phase shift photomask, the semi-transparent region, from the transparent substrate side, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, more and film made from a compound in the oxynitride chromium carbide, conductive chromium a compound further film made of chromium oxide, chromium oxide nitride, oxide, chromium carbide, in the manufacturing method of the phase shift photomask consisting of three layers of a more film made from a compound in the oxynitride chromium carbide, transparent substrate side of chromium oxide, chromium oxide nitride, oxide, chromium carbide, more film consists of a compound in the oxynitride chromium carbide, outermost chromium oxide, chromium oxide nitride, oxide carbide, chromium oxide nitride carbide click ムの中の一の化合物からなる一層膜の何れかあるいは両方の膜厚と前記の導電性クロム化合物からなる一層膜の膜厚を変えることにより前記半透明領域の透過率を制御することを特徴とする位相シフトフォトマスクの製造方法。 Characterized by controlling the transmittance of the translucent areas by changing further the film thickness of the film made of either or both of the film thickness and the conductive chromium compound of more film consists of a compound in the arm method of manufacturing a phase shift photomask to be.
  11. 【請求項11】 透明基板上に露光光に対して半透明な領域と透明な領域とを有し、該透明領域と該半透明領域との位相差が実質的に180°になるような構成の位相シフトフォトマスクであって、前記半透明領域が、透明基板側より、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜と、導電性クロム化合物からなる一層膜と、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜との3層膜からなる位相シフトフォトマスクの製造方法において、透明基板側の酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜と、最外層の酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化 11. and a semi-transparent and transparent areas on a transparent substrate to exposure light, configured as a phase difference is substantially 180 ° between the transparent region and the semitransparent region a phase shift photomask, the semi-transparent region, from the transparent substrate side, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, more and film made from a compound in the oxynitride chromium carbide, conductive chromium a compound further film made of chromium oxide, chromium oxide nitride, oxide, chromium carbide, in the manufacturing method of the phase shift photomask consisting of three layers of a more film made from a compound in the oxynitride chromium carbide, transparent substrate side of chromium oxide, chromium oxide nitride, oxide chromium carbide, more and film made from a compound in the oxynitride chromium carbide, outermost chromium oxide, chromium oxide nitride, oxide carbide, chromium oxide nitride carbide ロムの中の一の化合物からなる一層膜との膜厚の割合を変えることにより、マスク表面あるいは裏面の反射率を制御することを特徴とする位相シフトフォトマスクの製造方法。 By varying the ratio of thickness of the further layer composed of one of the compounds in the ROM, method of manufacturing a phase shift photomask and controlling the reflectivity of the back surface or the mask surface.
  12. 【請求項12】 透明基板上に露光光に対して半透明な領域と透明な領域とを有し、該透明領域と該半透明領域との位相差が実質的に180°になるような構成の位相シフトフォトマスクを作製するためのブランクスにおいて、半透明領域がクロムあるいはクロム化合物の多層膜 12. and a semi-transparent and transparent areas to exposure light on a transparent substrate, configured as a phase difference is substantially 180 ° between the transparent region and the semitransparent region multilayer film of the blanks for making a phase shift photomask, the translucent region chromium or a chromium compound
    からなる半透明膜により構成されていることを特徴とする位相シフトフォトマスク用ブランクス。 Phase shift photomask blank characterized in that it is constituted by a semi-transparent film made.
  13. 【請求項13】 前記半透明膜の構成が、透明基板側より、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜と、 Structure of claim 13, wherein the semitransparent film, the transparent substrate side, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, more and film made from a compound in the oxynitride chromium carbide,
    クロムあるいは窒化クロムの中のどちらかからなる一層膜との2層膜からなることを特徴とする請求項12記載の位相シフトフォトマスク用ブランクス。 Phase shift photomask blank according to claim 12, comprising the two-layered film of a more film made of either one of chrome or chromium nitride.
  14. 【請求項14】 前記半透明膜の構成が、透明基板側より、クロムあるいは窒化クロムの中のどちらかからなる一層膜と、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜との2層膜からなることを特徴とする請求項12記載の位相シフトフォトマスク用ブランクス。 The structure of claim 14, wherein the semi-transparent film, the transparent substrate side, and chrome or more films made of either in the chromium nitride, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, in the oxynitride chromium carbide phase shift photomask blank according to claim 12, comprising the two-layered film of a more film composed of one of the compounds of.
  15. 【請求項15】 前記半透明膜の構成が、透明基板側より、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜と、 Structure of claim 15 wherein said semitransparent film, the transparent substrate side, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, more and film made from a compound in the oxynitride chromium carbide,
    クロムあるいは窒化クロムの中のどちらかからなる一層膜と、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、 And further film made from either one of chrome or chromium nitride, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide,
    酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜との3層膜からなることを特徴とする請求項12記載の位相シフトフォトマスク用ブランクス。 Phase shift photomask blank according to claim 12, wherein the three layers film with more film composed of one of the compounds in the oxynitride chromium carbide.
  16. 【請求項16】 前記半透明膜の構成が、透明基板側より、導電性クロム化合物からなる一層膜と、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜との2層膜からなることを特徴とする請求項12記載の位相シフトフォトマスク用ブランクス。 The structure of claim 16 wherein said semi-transparent film, the transparent substrate side, and further film made of a conductive chromium compound, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, from a compound in the oxynitride chromium carbide phase shift photomask blank according to claim 12, wherein the further composed of two layers film and film made.
  17. 【請求項17】 前記半透明膜の構成が、透明基板側より、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜と、 Configuration according to claim 17, wherein the semitransparent film, the transparent substrate side, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, more and film made from a compound in the oxynitride chromium carbide,
    導電性クロム化合物からなる一層膜との2層膜からなることを特徴とする請求項12記載の位相シフトフォトマスク用ブランクス。 12. phase shift photomask blank according to, comprising the two-layered film of a more film composed of a conductive chromium compound.
  18. 【請求項18】 前記半透明膜の構成が、透明基板側より、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜と、 Structure of claim 18, wherein the semitransparent film, the transparent substrate side, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, more and film made from a compound in the oxynitride chromium carbide,
    導電性クロム化合物からなる一層膜と、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜との3層膜からなることを特徴とする請求項12記載の位相シフトフォトマスク用ブランクス。 And further film made of a conductive chromium compound, chromium oxide, chromium nitride, claim characterized oxidized chromium carbide, in that it consists of three layers of a more film composed of one of the compounds in the oxynitride chromium carbide 12 phase shift photomask blanks described.
  19. 【請求項19】 前記半透明膜が、透明基板上に以下で示す式により求まる前記半透明領域と前記透明領域の間の位相差Φがnπ±π/2ラジアン(nは正の整数)の範囲となるように形成されていることを特徴とする請求項12から18の何れか1項記載の位相シフトフォトマスク用ブランクス。 19. The semitransparent film, the obtained by the equation shown below on a transparent substrate between the translucent areas and the transparent area phase difference Φ is nπ ± π / 2 radians (n ​​is a positive integer) phase shift photomask blank according to any one of claims 12 to 18, characterized in that it is formed so as to range. ここで、Φは前記透明基板に(m−2)層の多層膜が構成されているフォトマスクを垂直に透過する光の位相差であり、n k 、d kはk番目の層を構成する材料の屈折率と膜厚、λは露光光の波長である。 Here, [Phi is the phase difference of light transmitted vertically photomask multilayer film of the transparent substrate (m-2) layer is formed, n k, d k constitute the k th layer the refractive index and thickness of the material, lambda is the wavelength of the exposure light. ただし、k=1の層は前記透明基板、k=m(m>3,mは整数)の層は空気とする。 However, k = 1 layer a layer of the transparent substrate, k = m (m> 3, m is an integer) is air.
  20. 【請求項20】 前記半透明領域の露光光に対する透過率が1から50%になるように形成されていることを特徴とする請求項12から19の何れか1項記載の位相シフトフォトマスク用ブランクス。 20. For the phase shift photomask according to any one of claims 12 to 19, transmittance is characterized in that it is formed to be 50% 1 with respect to the exposure light in the translucent areas blanks.
  21. 【請求項21】 透明基板上に露光光に対して半透明な領域と透明な領域とを有し、該透明領域と該半透明領域との位相差が実質的に180°になるような構成の位相シフトフォトマスクを作製するための位相シフトフォトマスク用ブランクスであって、前記半透明領域を構成する半透明膜の構成が、透明基板側より、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜と、導電性クロム化合物からなる一層膜と、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜との3層膜からなる位相シフトフォトマスク用ブランクスにおいて、透明基板側の酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からな 21. and a semi-transparent and transparent areas on a transparent substrate to exposure light, configured as a phase difference is substantially 180 ° between the transparent region and the semitransparent region a phase shift photomask blank for producing a phase shift photomask, the structure of the semitransparent film that constitutes the semitransparent region, the transparent substrate side, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, and one compound further film made in the oxynitride chromium carbide, and more film made of a conductive chromium compound, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, more composed of one of the compounds in the oxynitride chromium carbide in phase shift photomask blanks made of three layers of the film, chromium oxide transparent substrate side, chromium oxide nitride, oxide, chromium carbide, I from a compound in the oxynitride chromium carbide 一層膜、最外層の酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜の何れかあるいは両方の膜厚と前記の導電性クロム化合物からなる一層膜の膜厚を変えることにより前記半透明領域の透過率を制御することを特徴とする位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法。 More film, the outermost layer of chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, more film made of either or both of the film thickness and the conductive chromium compound of more film made from a compound in the oxynitride chromium carbide method of manufacturing a phase shift photomask blank and controlling the transmittance of the translucent areas by changing the thickness of.
  22. 【請求項22】 透明基板上に露光光に対して半透明な領域と透明な領域とを有し、該透明領域と該半透明領域との位相差が実質的に180°になるような構成の位相シフトフォトマスクを作製するための位相シフトフォトマスク用ブランクスであって、前記半透明領域を構成する半透明膜の構成が、透明基板側より、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜と、導電性クロム化合物からなる一層膜と、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜との3層膜からなる位相シフトフォトマスク用ブランクスにおいて、透明基板側の酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からな 22. and a semi-transparent and transparent areas on a transparent substrate to exposure light, configured as a phase difference is substantially 180 ° between the transparent region and the semitransparent region a phase shift photomask blank for producing a phase shift photomask, the structure of the semitransparent film that constitutes the semitransparent region, the transparent substrate side, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, and one compound further film made in the oxynitride chromium carbide, and more film made of a conductive chromium compound, chromium oxide, chromium nitride, oxide chromium carbide, more composed of one of the compounds in the oxynitride chromium carbide in phase shift photomask blanks made of three layers of the film, chromium oxide transparent substrate side, chromium oxide nitride, oxide, chromium carbide, I from a compound in the oxynitride chromium carbide 一層膜と、最外層の酸化クロム、 And more film, the outermost layer of chromium oxide,
    酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜との膜厚の割合を変えることにより、マスク表面あるいは裏面の反射率を制御することを特徴とする位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法。 Chromium oxynitride, oxycarbide chromium, by changing the ratio of the thickness of the further layer composed of one of the compounds in the oxynitride chromium carbide, phase shift and controlling the reflectivity of the rear surface or the surface of the mask method of manufacturing the blanks for photomasks.
JP3142894A 1993-04-09 1994-03-01 Phase shift photomask, blanks for phase shift photomask and a process for their preparation Expired - Lifetime JP3262302B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5-83433 1993-04-09
JP8343393 1993-04-09
JP3142894A JP3262302B2 (en) 1993-04-09 1994-03-01 Phase shift photomask, blanks for phase shift photomask and a process for their preparation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3142894A JP3262302B2 (en) 1993-04-09 1994-03-01 Phase shift photomask, blanks for phase shift photomask and a process for their preparation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06342205A JPH06342205A (en) 1994-12-13
JP3262302B2 true JP3262302B2 (en) 2002-03-04

Family

ID=26369900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3142894A Expired - Lifetime JP3262302B2 (en) 1993-04-09 1994-03-01 Phase shift photomask, blanks for phase shift photomask and a process for their preparation

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3262302B2 (en)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5674647A (en) * 1992-11-21 1997-10-07 Ulvac Coating Corporation Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask
JP2785757B2 (en) * 1995-08-30 1998-08-13 日本電気株式会社 Photomask
KR0161856B1 (en) * 1995-09-25 1999-01-15 문정환 The manufacture of phase shift mask
JP5215421B2 (en) * 1999-11-09 2013-06-19 アルバック成膜株式会社 Phase shift photomask blank, phase shift photomask, and semiconductor device manufacturing method
JP2001201842A (en) * 1999-11-09 2001-07-27 Mitsubishi Electric Corp Phase shift photomask blank, phase shift photomask, and manufacturing method of semiconductor device
JP4525893B2 (en) * 2003-10-24 2010-08-18 信越化学工業株式会社 Phase shift mask blank, the phase shift mask and pattern transfer method
JP2005210093A (en) * 2003-12-25 2005-08-04 Hoya Corp Substrate with muti-layer reflective film, exposure reflection type mask blank, exposure reflection type mask, and manufacturing methods for these
JP4919220B2 (en) * 2005-02-28 2012-04-18 Hoya株式会社 Gray tone mask
TWI395053B (en) * 2005-02-28 2013-05-01 Hoya Corp Gray level mask, and gray level mask blank
JP4752555B2 (en) * 2005-08-26 2011-08-17 凸版印刷株式会社 Extreme ultraviolet exposure mask, mask blank, and pattern transfer method
JP2007093798A (en) * 2005-09-27 2007-04-12 Sharp Corp Photomask and its manufacturing method
JP5076473B2 (en) * 2005-12-05 2012-11-21 大日本印刷株式会社 Mask blank and gradation mask
JP4961990B2 (en) * 2005-12-14 2012-06-27 大日本印刷株式会社 Mask blank and gradation mask
JP5298424B2 (en) * 2005-12-16 2013-09-25 大日本印刷株式会社 Manufacturing method of color filter
JP4821310B2 (en) * 2005-12-22 2011-11-24 大日本印刷株式会社 Manufacturing method of color filter for liquid crystal display device
JP4915093B2 (en) * 2005-12-22 2012-04-11 大日本印刷株式会社 Manufacturing method of color filter
JP4516560B2 (en) * 2005-12-26 2010-08-04 Hoya株式会社 Mask blank and photomask
KR101210661B1 (en) * 2005-12-26 2012-12-11 호야 가부시키가이샤 Mask blank and photomask
JP5142469B2 (en) * 2005-12-27 2013-02-13 大日本印刷株式会社 Manufacturing method of color filter
JP2007178662A (en) * 2005-12-27 2007-07-12 Dainippon Printing Co Ltd Manufacturing method of color filter
KR100864375B1 (en) * 2006-01-03 2008-10-21 주식회사 에스앤에스텍 Blank mask and manufacturing method of Photo-mask using the same
KR101247768B1 (en) * 2007-10-12 2013-03-25 알박 세이마쿠 가부시키가이샤 Process for producing gray tone mask
JP5121020B2 (en) * 2008-09-26 2013-01-16 Hoya株式会社 Multi-tone photomask, photomask blank, and pattern transfer method
JP5381051B2 (en) * 2008-12-01 2014-01-08 大日本印刷株式会社 Multispectral mask and color filter manufacturing method
JP5588633B2 (en) * 2009-06-30 2014-09-10 アルバック成膜株式会社 Phase shift mask manufacturing method, flat panel display manufacturing method, and phase shift mask
JP5480856B2 (en) * 2011-09-06 2014-04-23 大日本印刷株式会社 Manufacturing method of color filter
CN103998985B (en) * 2011-12-21 2018-04-03 大日本印刷株式会社 A large phase shift mask and a method of manufacturing a phase shift mask of large
JP6186962B2 (en) * 2013-07-08 2017-08-30 旭硝子株式会社 Reflective mask blank for EUV lithography and reflective mask for EUV lithography
JP6186996B2 (en) * 2013-07-30 2017-08-30 旭硝子株式会社 Reflective mask blank for EUV lithography and reflective mask for EUV lithography

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06342205A (en) 1994-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101394715B1 (en) Method of producing photomask and photomask blank
US20080063950A1 (en) Photomask Blank and Photomask
TWI548931B (en) Mask blank substrate, and a manufacturing method of a photomask
JP3105234B2 (en) A method of manufacturing a semiconductor device
JP2757983B2 (en) Forming semiconductor patterns
KR0168134B1 (en) Reflection type phase shifting mask, transmittance type phase shifting mask and the method for forming pattern
US5358808A (en) Exposure mask, method of manufacturing the same, and exposure method using the same
US20040023134A1 (en) Multi-layer, attenuated phase-shifting mask
KR101029162B1 (en) Photomask blank, photomask, and pattern transfer method using photomask
US5750290A (en) Photo mask and fabrication process therefor
US5723236A (en) Photomasks and a manufacturing method thereof
EP0620497B1 (en) Halftone phase shift photomask, halftone phase shift photomask blank, and methods of producing the same
TWI461830B (en) Phase shift mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing phase shift mask blank
KR950008384B1 (en) Method of forming pattern
KR100758052B1 (en) The dry etching process phase shifting photomask and a phase shifting photomask
US5702847A (en) Phase shift photomask, phase shift photomask blank, and process for fabricating them
JP6050408B2 (en) Reflective mask, reflective mask blank and manufacturing method thereof
EP0453310B1 (en) Mask for photolithography
JP3177404B2 (en) Manufacturing method of a photomask
US5786114A (en) Attenuated phase shift mask with halftone boundary regions
CN101010631A (en) Photomask blank, photomask and method for producing those
JPH07168343A (en) Phase-shift mask and its production
CN101937170A (en) Method for manufacturing phase shift mask, method for manufacturing flat panel display, and phase shift mask
JP2983020B1 (en) Half-tone type phase shift mask blank and a half-tone type phase shift mask
KR100647182B1 (en) Photomask, photomask manufacturing method and semiconductor device manufacturing method using photomask

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081221

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091221

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091221

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091221

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221

Year of fee payment: 9

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221

Year of fee payment: 9

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131221

Year of fee payment: 12

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term