CN116670583A - 相移掩模坯料、相移掩模、曝光方法及器件的制造方法 - Google Patents
相移掩模坯料、相移掩模、曝光方法及器件的制造方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供一种能够制造图案精度高的相移掩模的相移掩模坯料。相移掩模坯料(100)具有基材(10)和形成在上述基材(10)上的包含锆(Zr)、硅(Si)和氮(N)的相移层(20)。上述相移层(20)中所含的氮浓度为51原子％以上。
Description
技术领域
本发明涉及相移掩模坯料、相移掩模、曝光方法及器件的制造方法。
背景技术
已知有在透明基材上形成了由氧化氮化铬构成的相移层的相移掩模(专利文献1)。一直以来，希望提高相移掩模的品质。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011～013283号公报
根据第一方式，提供一种相移掩模坯料，其具有基材和形成于上述基材上的包含锆(Zr)、硅(Si)和氮(N)的相移层，上述相移层中所含的氮浓度为51原子％以上。
根据第二方式，提供一种相移掩模，其中，第一方式的相移掩模坯料的上述相移层的一部分被去除，在上述相移层的表面形成有规定的图案。
根据第三方式，提供藉由第二方式的相移掩模对感光性基板进行曝光的曝光方法。
根据第四方式，提供包括第三方式的曝光方法的器件的制造方法。
附图说明
图1是实施方式的相移掩模坯料的示意性截面图。
图2是变形例的相移掩模坯料的示意性截面图。
图3是实施方式的相移掩模的示意性截面图。
图4(a)～(e)是说明实施方式的相移掩模的制造方法的图。
图5是实施方式的曝光方法所使用的曝光装置的示意图。
图6是表示实施例中的相移层中的氮浓度与相移层对波长365nm的光的折射率及消光系数的关系的图。
图7是表示实施例中的相移层中的氮浓度与相移层对波长365nm的光的透射率的关系的图。
图8(a)～(j)是实施例中的相移层截面的SEM照片。
图9是表示实施例中的相移层中的氮浓度与相移层截面的倾斜角度的关系的图。
图10是表示实施例中的溅射气体中的氮导入比率与相移层对波长365nm的光的折射率及消光系数的关系的图。
图11是表示实施例中的溅射气体中的氮导入比率与相移层对波长365nm的光的透射率的关系的图。
具体实施方式
[相移掩模坯料]
对图1所示的本实施方式的相移掩模坯料100进行说明。相移掩模坯料100具备基材10和形成于基材10的表面(基材表面)10a上的相移层(半透射层或相移膜)20。从相移掩模坯料100，通过在相移层20上形成规定的图案50，能够制作相移掩模300(参照图3)。相移掩模300在制造FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等显示用设备、LSI(Large ScaleIntegration：大规模集成电路)等半导体器件时使用。
作为基材10的材料，例如使用合成石英玻璃。需要说明的是，基材10的材料不限于合成石英玻璃。基材10只要使使用相移掩模300的曝光装置的曝光光充分透过即可。
相移层20包含锆(Zr)、硅(Si)和氮(N)。相移层20中的氮浓度为51原子％以上，优选为52原子％以上、或53原子％以上。如图3所示，在相移掩模300中，相移层20的一部分通过湿式蚀刻等从基材表面10a去除，该去除部分在相移层20的表面形成规定的图案50。图案50(去除部分、凹部)由通过湿式蚀刻等而露出的相移层20的侧面21和露出的基材表面10a划分。图3示出相移层20的与基材表面10a正交的截面。在图3所示的截面中，从基材表面10a到划分图案50的相移层20的侧面21的倾斜角度θ越接近90°，则能够判断为形成于相移掩模300的图案50的精度越高。倾斜角度θ是在相移层20的与基材表面10a正交的截面中，划分相移层20的图案50(凹部)的侧面21与基材表面10a所成的角度中的包含相移层20的角度。因此，倾斜角度θ越接近90°越优选。具体而言，倾斜角度θ优选为45°～90°，下限值更优选为60°，进一步优选为70°。上限值可以为85°或75°。图3示出θ＝90°的状态。本发明人发现，通过将相移层20中的氮浓度设为51原子％以上，在由相移掩模坯料100制作的相移掩模300中，倾斜角度θ变大(接近90°)，相移掩模300的图案精度提高。另外，从氮导入效率的观点出发，相移层20中的氮浓度的上限值更优选为56原子％以下，进一步优选为55原子％以下。
相移层20中的锆浓度例如为20原子％～27原子％，下限值优选为21原子％，更优选为22原子％。上限值优选为25％，更优选为24.5％。相移层中的硅浓度例如为20原子％～27原子％，下限值优选为21原子％，更优选为22原子％。上限值优选为26％，更优选为25％。
相移层20可以不包含Zr、Si及N以外的元素、或者作为不影响效果的程度的少量杂质而包含。另外，在本申请说明书中，相移层20的原子浓度可以使用后述的实施例中说明的X射线光电子能谱法(XPS)来测定。
另外，本实施方式的相移掩模坯料中，通过使相移层20中的氮浓度为51原子％以上，相移层20的折射率和消光系数稳定。在相移层20中的氮浓度小于51原子％的情况下，相移层20的折射率和消光系数根据相移层20中的氮浓度而大幅变动。氮浓度越高，折射率具有越高的倾向。氮浓度越高，消光系数具有越低的倾向。另一方面，在氮浓度为51原子％以上时，即使改变氮浓度，折射率也稳定为较高的值，消光系数稳定为较低的值。即，通过使氮浓度为51原子％以上，可得到稳定的光学特性(折射率和消光系数)。由于光学特性稳定，因此基于此的光学设计变得容易。另外，在相移层20的形成工序(成膜工序)中，包括折射率和消光系数的值的光学特性也稳定，因此成膜条件的控制变得容易。
另外，相移层20中的氮浓度为51原子％以上时，折射率为高的值，消光系数为低的值，因此还产生以下的优点。由于折射率变高，能够减薄由后述的式：d＝λ/(2(n-1))(d：相移层20的厚度，λ：曝光光的波长，n：波长λ下的相移层20的折射率)导出的相移层20的厚度。通过使成膜所需的厚度变薄，能够利用基材10均匀地形成膜。另外，如果能够使相移层20的厚度变薄，则能够减少后述的侧蚀刻量，能够形成更接近设计尺寸的图案50(图案精度提高)。另外，通过消光系数变低，光的吸收变小，能够提高相移层20的透射率。
本实施方式的相移层20对波长365nm的光的折射率例如可以为2.60～2.85，更优选的折射率的下限值为2.7，进一步优选为2.75。
本实施方式的相移层20对波长365nm的光的消光系数例如可以为0.13～0.18，另外，更优选的消光系数的上限值为0.17，更优选为0.16，进一步优选为0.15。
相移层20作为移相器发挥功能，使在使用了相移掩模300的曝光工序中照射的曝光光的相位局部地变化。因此，相移层20需要使曝光光以某种程度透过。相移层20对曝光光(例如波长330nm～470nm的光)的透射率优选为20％以上或30％～40％。与上述的折射率及消光系数同样，本实施方式的相移掩模坯料100通过使相移层20中的氮浓度为51原子％以上，相移层20对具有上述范围的波长的光的透射率稳定在20％以上。作为在使用了相移掩模300的曝光工序中使用的代表性的曝光光，例如可举出深紫外线(DUV、波长：302nm、313nm、334nm)、i线(波长：365nm)、h线(波长：405nm)、g线(波长：436nm)，它们可以作为单色光或作为复合光使用。
在此，在对波长365nm光赋予180°的相移的膜厚下，相移层20对波长365nm的光的透射率可以为30％～40％，下限值优选为33％，更优选为34％。另外，上限值优选为38％，更优选为37％。另外，在对波长405nm赋予180°的相移的膜厚下，相移层20对波长405nm的光的透射率可以为45％～55％，下限值优选为47％，更优选为48％。此外，上限值优选为53％，更优选为52％。另外，在对波长436nm的光赋予180°的相移的膜厚下，相移层20对波长436nm的光的透射率可以为55％～75％，下限值优选为57％，更优选为60％。另外，上限值优选为73％，更优选为72％。
相移层20优选将在使用了相移掩模300的曝光工序中照射的曝光光的相位变更(移位)约180°(相移量：约180°)。即，相移层20优选使透过其的曝光光(例如波长330nm～470nm的光)的相位变化160°～200°(180°±20°)或170°～190°(180°±10°)。
可以根据透过相移掩模300的光(曝光光)的波长来变更相移层20的折射率、厚度(膜厚)等，由此来调整相移量。相移层20的厚度可以设计成考虑相移层20的折射率等特性、透射的光(曝光光)的波长而使相移量为约180°。即，相移层20的厚度d可以基于式：d＝λ/(2(n-1))来设计(d：相移层20的厚度，λ：曝光光的波长，n：波长λ下的相移层20的折射率)。相移层20的厚度例如优选为90nm～125nm，更优选的相移层20的厚度的下限值为96nm，进一步优选为102nm。更优选的相移层20的厚度的上限值为116nm，进一步优选为110nm。
相移掩模坯料100的制造方法没有特别限定，可以使用通用的方法。例如，相移掩模坯料100可以使用后述的实施例中说明的反应性溅射在基材10上成膜相移层20来制造。
＜变形例＞
在本变形例中，对图2所示的相移掩模坯料200进行说明。相移掩模坯料200具备基材10、形成于基材表面10a的相移层20、以及形成于相移层20上的包含铬化合物的蚀刻掩模层(铬化合物层)30。除了具有蚀刻掩模层30以外，相移掩模坯料200的构成与图1所示的相移掩模坯料100相同。本变形例的相移掩模坯料200起到与相移掩模坯料100同样的效果，进而，通过具有蚀刻掩模层30，起到以下说明的效果。
与相移掩模坯料100同样地，通过在相移层20形成规定的图案50，能够从相移掩模坯料200制作相移掩模300(参照图3)。在通过湿式蚀刻在相移层20形成规定的图案50的情况下，在相移掩模坯料200上形成光致抗蚀剂层40(参照图4(a))。本变形例的相移层(ZrSiN系层)20相对于光致抗蚀剂层40的密合性低。因此，如果在相移层20上直接形成光致抗蚀剂层40，则在湿式蚀刻中光致抗蚀剂层40可能剥离。因此，在相移掩模坯料200中，通过设置与光致抗蚀剂层40和相移层20两者具有密合性的蚀刻掩模层30，能够抑制湿式蚀刻中的光致抗蚀剂层40的剥离。
蚀刻掩模层30的材料没有特别限定，只要是提高光致抗蚀剂层40与相移层20的密合性的材料即可，例如可以使用氮化铬、氧化铬等铬化合物。另外，在相移掩模300的制作中，光致抗蚀剂层40被波长350nm～450nm的光曝光。因此，设置于光致抗蚀剂层40之下的蚀刻掩模层30优选对波长350nm～450nm的光的反射率低，也作为防反射层发挥功能，更优选氧化铬作为防反射层。通过抑制曝光光的反射，可抑制曝光光的在光致抗蚀剂层40内的多重反射，相移掩模300的图案精度提高。例如，蚀刻掩模层30对波长413nm的光的反射率优选为15％以下。蚀刻掩模层30可以是单层，也可以由2层以上形成。在蚀刻掩模层30由2层以上形成的情况下，优选光致抗蚀剂层40的正下方的层对曝光光的反射率低。例如，蚀刻掩模层30可以由形成在相移层20上的氮化铬层31和形成在氮化铬层31上的氧化铬层32构成。氧化铬层32例如能够将波长413nm的光的反射率抑制为11％左右。
蚀刻掩模层30的厚度没有特别限定，可以适当调整，例如可以设为10nm～120nm。在蚀刻掩模层30由氮化铬层31和氧化铬层32构成的情况下，例如，优选蚀刻掩模层30的厚度为80～120nm，氮化铬层31的厚度与氧化铬层32的厚度之比为6：4(3：2)～8：2(4：1)的比率成膜。若蚀刻掩模层30过薄，则蚀刻时间变短，相移层面内的CD(Critical dimension：关键尺寸)控制(即，图案50的线宽控制)变得困难。另外，若蚀刻掩模层30过厚，则侧蚀刻量变大，难以得到如设计那样的图案尺寸。在基于蚀刻掩模层30对相移层20进行湿式蚀刻时(参照图4的(d))，相移层20被蚀刻液各向同性地蚀刻。因此，除了在与基材10垂直的方向上蚀刻相移层20以外，在与垂直方向正交的横向上也对相移层20进行蚀刻。将在该横向上进行蚀刻的现象称为侧蚀刻。因此，在蚀刻掩模层30过厚的情况、如上述那样相移层20过厚的情况下，有可能以比期望的图案宽度宽的宽度进行蚀刻。
相移掩模坯料200的制造方法没有特别限定，可以使用通用的方法。例如，相移掩模坯料200可以使用后述的实施例中说明的反应性溅射在基材10上成膜相移层20和蚀刻掩模层30来制造。
[相移掩模]
对图3所示的相移掩模300进行说明。相移掩模300具有基材10和形成于基材10的表面10a的相移层20，在相移层20形成有规定的图案50。除了在相移层20形成有规定的图案50以外，相移掩模300的构成与图1所示的相移掩模坯料100相同。在相移层20的与基材表面10a正交的截面中，从基材表面10a到划分图案50的相移层20的侧面21的倾斜角度θ优选为45°～90°。
相移掩模300的制造方法没有特别限定，可以使用通用的方法。例如，相移掩模300也可以使用后述的实施例中说明的反应性溅射和湿式蚀刻(参照图4)来制造。
[曝光方法]
接着，对使用了由相移掩模坯料100、200制作的相移掩模300的曝光方法进行说明。使用了相移掩模300的曝光方法在半导体、液晶面板等器件制造中，能够作为使用了曝光装置的光刻工序来实施。
如图5所示，曝光方法中使用的曝光装置500具备：光源LS，照明光学系统502，保持相移掩模300的掩模台503，投影光学系统504，保持作为曝光对象物的感光性基板515的基板台505，以及使基板台505在水平面内移动的驱动机构506。
首先，在曝光装置500的掩模台503上配置相移掩模300。另外，在基板台505上配置涂布有光致抗蚀剂的感光性基板515。然后，从光源LS射出曝光光。射出的曝光光入射到照明光学系统502而被调整为规定光束，照射到掩模台503所保持的相移掩模300。通过了相移掩模300的光具有与相移掩模300所描绘的器件的图案50相同的图案，该图案藉由投影光学系统504照射到被基板台505保持的感光性基板515的规定位置。由此，感光性基板515通过相移掩模300的器件图案以规定倍率进行曝光。
由相移掩模坯料100、200制作的相移掩模300的图案精度高。因此，通过使用相移掩模300进行曝光，能够减少曝光工序中的电路图案不良，能够高效地制造集成度高的器件。
实施例
以下，通过实施例和比较例对相移掩模坯料和相移掩模进行具体说明，但本发明并不限定于这些实施例。
试样的制作
作为试样1～试样10，制作了图1所示的相移掩模坯料100。需要说明的是，试样6～试样10相当于实施例，试样1～试样5相当于比较例。
[试样1]
首先，准备石英玻璃的圆形的平行平板(尺寸：直径3英寸、厚度0.5毫米)作为基材10。使用DC磁控溅射装置，使用ZrSi合金靶作为溅射靶，一边导入Ar-N2混合气体一边进行反应性溅射，在基材10上形成厚度101nm的相移层20，制作了试样1。ZrSi合金靶的组成(原子比)为Zr∶Si＝1∶2。成膜条件设为混合气体总压为0.32Pa、混合气体(溅射气体)中的N2导入比率为5.0％、DC输出为1.5kw。
[试样2～10]
除了如表1所示变更混合气体中的N2导入比率以外，通过与试样1同样的方法制作试样2～试样10。
相移层的物性评价
(1)组成分析
通过X射线光电子能谱法(XPS)进行试样1～试样10的相移层20的组成分析。将结果示于表1。需要说明的是，相移层的最表面有可能被氧化，因此在通过溅射削去最表面的存在氧化的影响的部分后进行组成分析。分析装置使用PHI公司制造的QuanteraAXM。分析条件如下。X射线源：单色化Al(1486.6eV)、检测区域：直径100μm的圆形区域、检测深度：约4～5nm(取出角45°)、测定光谱：Zr3d、Si2p、N1s和O1s、溅射条件：Ar+2.0kV、溅射速度：约5nm/分钟(SiO2换算)。
(2)折射率和消光系数的测定以及透射率的模拟
关于试样1～试样10的相移层20，通过椭偏法，测定i线(365nm)的折射率和消光系数。将结果示于表1和图6。另外，关于试样1～试样10的相移层20，根据折射率的测定结果，求出在3种(365nm、405nm、436nm)波长下分别赋予180°的相移的膜厚，通过模拟算出该膜厚下的相移层20的透射率。将结果示于表1和图7。使用模拟软件“TFCalc”进行模拟，根据通过椭偏法得到的i线(365nm)的折射率和消光系数的测定结果，使用在3种(365nm、405nm、436nm)波长下分别赋予180°的相移的膜厚，算出该膜厚下的相移层20的透射率。在此，透射率是还考虑了反射的外部透射率。
相移掩模的制作
在试样1(相移掩模坯料)的相移层20形成图案50，制作图3所示的相移掩模300。首先，使用DC磁控溅射装置，使用Cr靶作为溅射靶，一边导入Ar-N2混合气体一边进行反应性溅射，接着一边导入Ar-O2混合气体一边进行反应性溅射。由此，在相移掩模坯料100上形成由氮化铬层31和氧化铬层32构成的蚀刻掩模30，制作相移掩模坯料200(图2)。蚀刻掩模30的厚度为96nm(氮化铬层31的厚度：氧化铬层32的厚度＝7：3)。接着，在相移掩模坯料200上通过旋涂涂布正型紫外线抗蚀剂(Nagase ChemteX制，GRX-M237)，形成光致抗蚀剂层40(图4(a))。光致抗蚀剂层40的厚度为660nm。
使用其中使用了高压汞灯的掩模对准器(佳能制，PLA-501)，使用形成有与图案50对应的开口的遮光掩模对光致抗蚀剂层40进行曝光。由此，光致抗蚀剂层40的与图案50对应的部分被曝光。接着，将曝光后的相移掩模坯料200浸渍于有机碱系显影液(多摩化学工业制，1.83％四甲基氢氧化铵)中。由此，光致抗蚀剂层40的感光部被溶解、去除，形成与图案50对应的开口(图4(b))。
接着，将形成有与图案50对应的开口的光致抗蚀剂层40作为掩模，使用包含硝酸铈(Ⅳ)铵和硝酸的蚀刻液(林纯药工业制，PureEtchCR 101)对蚀刻掩模层30进行湿式蚀刻。蚀刻液温度为23±3℃，蚀刻时间为100秒。由此，蚀刻掩模层30的未被光致抗蚀剂层40覆盖而露出的部分被去除(图4(c))。
接着，将形成有与图案50对应的开口的光致抗蚀剂层40和蚀刻掩模层30作为掩模，使用包含氟化铵的蚀刻液(ADEKA制，Adeka CHELUMICA WGM-155)对相移层20进行湿式蚀刻。蚀刻液温度设为23±3℃，为了均匀地无残留地去除露出的相移层20而进行40％过蚀刻。由此，在相移层20形成了图案50(图4(d))。
最后，进行光致抗蚀剂层40和蚀刻掩模层30的剥离处理。通过以上的工序，从试样1(相移掩模坯料)得到图4(e)所示的相移掩模300。
也从试样2～试样10(相移掩模坯料)通过与试样1同样的方法制造图3所示的相移掩模300。
在相移掩模300的制作过程中，对形成于试样1～试样10的图案50进行截面观察。截面观察在去除蚀刻掩模层30和光致抗蚀剂层40之前的状态(图4的(d)所示的状态)下进行。图8(a)～(j)示出与试样1～试样10的基材表面10a正交的截面的SEM照片。根据图8(a)～(j)，在试样1～试样10中，测量了从基材表面10a到相移层20的侧面21的倾斜角度θ。将结果示于表1和图9。需要说明的是，图8(a)中示出了θ，此外用虚线表示相移层20与氮化铬层31的边界、以及氮化铬层31与氧化铬层32的边界。
[表1]
如表1、图8和图9所示，相移层20中的氮浓度为51原子％以上的试样6～试样10在相移层20的与基材表面10a正交的截面中，从基材表面10a到划分图案50的相移层20的侧面21的倾斜角度θ为45°以上。由此可知，从试样6～试样10(相移掩模坯料)得到了精度良好地形成了图案(图案精度高)的相移掩模300。
另外，如表1、图6和图7所示，相移层20中的氮浓度为51原子％以上的试样6～试样10中，相移层20的光学特性(折射率、消光系数和透射率)在试样之间相差不大，为接近的值。即，在相移层20中的氮浓度为51原子％以上的情况下，即使相移层20中的氮浓度发生变化，光学特性(折射率、消光系数和透射率)也稳定。另外，如表1、图10和图11所示，试样6～试样10是在相移层20的形成工序(成膜工序)中使溅射气体中的氮导入比率在35％至100％的宽范围内变化而制作的。在氮导入比率为35％以上(试样6～试样10)的情况下，相移层20的光学特性稳定，因此容易控制成膜条件。
另一方面，如表1、图8和图9所示，相移层20中的氮浓度小于51原子％的试样1～试样5的倾斜角度θ小于45°。由此可知，由试样1～试样5(相移掩模坯料)制作的相移掩模300的图案精度低。另外，如表1、图6和图7所示，相移层20中的氮浓度小于51原子％的试样1～试样5的相移层20的光学特性(折射率、消光系数和透射率)根据氮浓度而大幅变动。另外，如表1所示，关于试样1～试样5，在相移层20的形成工序(成膜工序)中，将溅射气体中的氮导入比率设为低于35％来制作。如图10和图11所示，若溅射气体中的氮导入比率小于35％(试样1～试样5)，则相移层20的光学特性根据氮导入比率而大幅变化，因此要求严格地控制成膜条件。
工业实用性
由本实施方式的相移掩模坯料能够制造图案精度高的相移掩模。相移掩模在制造FPD等显示用器件、LSI等半导体器件时使用。
符号说明
10 基材
20 相移层
30 蚀刻掩模层
31 氮化铬层
32 氧化铬层
40 光致抗蚀剂层
50 图案
100、200相移掩模坯料
300相移掩模
500曝光装置
LS光源
502照明光学系统
504投影光学系统
503掩模台
505基板台
Claims (20)
1.一种相移掩模坯料，其具有：
基材，和
形成于所述基材上的包含锆(Zr)、硅(Si)和氮(N)的相移层，
所述相移层中所含的氮浓度为51原子％以上。
2.根据权利要求1所述的相移掩模坯料，其中，所述相移层中所含的氮浓度为51原子％～56原子％。
3.根据权利要求1或2所述的相移掩模坯料，其中，所述相移层中所含的锆浓度为20原子％～27原子％。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的相移掩模坯料，其中，所述相移层中的硅浓度为20原子％～27原子％。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的相移掩模坯料，其中，所述相移层对波长365nm的光的折射率为2.60～2.85。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的相移掩模坯料，其中，所述相移层对波长365nm的光的消光系数为0.13～0.18。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的相移掩模坯料，其中，所述相移层的波长330nm～470nm的光的透射率为20％以上。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的相移掩模坯料，其中，在对波长365nm的光赋予180°的相移的膜厚下，所述相移层对波长365nm的光的透射率为30％～40％。
9.根据权利要求1～7中任一项所述的相移掩模坯料，其中，在对波长405nm的光赋予180°的相移的膜厚下，所述相移层对波长405nm的光的透射率为45％～55％。
10.根据权利要求1～7中任一项所述的相移掩模坯料，其中，在对波长436nm的光赋予180°的相移的膜厚下，所述相移层对波长436nm的光的透射率为55％～75％。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的相移掩模坯料，其中，所述相移层使透过所述相移层的光的相位偏移160°～200°。
12.根据权利要求11所述的相移掩模坯料，其中，所述相移层使透过所述相移层的光的相位偏移170°～190°。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的相移掩模坯料，其还具有形成于所述相移层上的铬化合物层。
14.根据权利要求13所述的相移掩模坯料，其中，所述铬化合物层包含铬(Cr)和氧(O)。
15.根据权利要求13或14所述的相移掩模坯料，其中，所述铬化合物层包括形成于所述相移层上的氮化铬(CrN)层和形成于所述氮化铬层上的氧化铬(CrO)层。
16.一种相移掩模，其中，权利要求1～15中任一项所述的相移掩模坯料的所述相移层的一部分被去除，在所述相移层的表面形成有规定的图案。
17.根据权利要求16所述的相移掩模，其中，在所述相移层的与所述基材表面正交的截面中，所述相移层的划分所述图案的侧面与所述基材表面所成的角度中的包含相移层的角度即倾斜角度为45°～90°。
18.根据权利要求17所述的相移掩模，其中，所述倾斜角度为60°～90°。
19.一种曝光方法，其藉由权利要求16～18中任一项所述的相移掩模对感光性基板进行曝光。
20.一种器件的制造方法，其包括权利要求19所述的曝光方法。
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