JP2018098347A - 半導体多層膜反射鏡、これを用いた垂直共振器型発光素子及びこれらの製造方法。 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 337
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 173
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 98
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 74
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 272
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 205
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 72
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 71
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 8
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[Mg] Chemical compound C1(C=CC=C1)[Mg] MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
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- H01L21/02494—Structure
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- H01L21/02507—Alternating layers, e.g. superlattice
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- H01L21/02538—Group 13/15 materials
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- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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Abstract
Description
次に、半導体多層膜反射鏡15の結晶成長について説明する。有機金属気相成長(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法を用いて、半導体多層膜反射鏡15を構成するIII-V族窒化物半導体層の結晶成長を行った。
次に、垂直共振器型発光素子の半導体発光構造層について説明する。再度、図1を参照すると、半導体多層膜反射鏡15上に、成長温度を1050℃として、層厚が430nmのn型GaN層17を成長した。なお、Siを7×1018cm-3の濃度でドーピングした。
以下に、垂直共振器型発光素子の一例として、垂直共振器面発光型レーザ(VCSEL)30の構造及び製造工程について説明する。図4は、垂直共振器面発光型レーザ(VCSEL)30の断面構造を模式的に示す断面図である。
本発明の半導体多層膜反射鏡の組成及び結晶性について、評価を行った。図5Aは、半導体多層膜反射鏡15の断面を透過型電子顕微鏡(TEM)で観察した観察画像である。図5Aに示すように、2層のGaN層及び当該GaN層に挟まれたAlInN層がTEMにより観察された。また、図5Aの観察領域内における半導体多層膜反射鏡15の積層方向に沿って、TEMに付属のエネルギー分散型X線分析(TEM−EDX)により元素分析を行った。
11:成長基板
13:バッファ層
15:半導体多層膜反射鏡
15A:第1の窒化物半導体膜
15B:第2の窒化物半導体膜、
15C:膜間遷移層
15C1:第1の遷移層
15C2:第2の遷移層
17:第1の半導体層
20:発光層
27:第2の半導体層
30:垂直共振器面発光型レーザ(VCSEL)
31:n電極
33:絶縁膜
34:透光性電極
35:p電極
37:誘電体多層膜反射鏡
Claims (10)
- In(インジウム)を組成に含む第1の窒化物半導体膜と、Inを組成に含まない第2の窒化物半導体膜と、が交互に繰り返し形成された半導体多層膜反射鏡であって、
前記第1の窒化物半導体膜と前記第2の窒化物半導体膜との間に、前記第1の窒化物半導体膜の組成から前記第2の窒化物半導体膜の組成に、組成が次第に変化する膜間遷移層を有し、
前記膜間遷移層は、前記第1の窒化物半導体膜上に形成されてInおよびAl(アルミニウム)を組成に含む第1の遷移層と、前記第1の遷移層上に形成されてAlを組成に含みInを組成に含まない第2の遷移層と、を有し、
前記第1の遷移層において、前記第1の窒化物半導体膜から前記第2の遷移層に向かうに従い、Inの含有率(atomic%)及びAlの含有率が減少し、
前記第1の遷移層における前記Inの含有率の減少は前記Alの含有率の減少よりも前記第1の窒化物半導体膜に近い位置もしくは同じ位置から始まることを特徴とする半導体多層膜反射鏡。 - 前記第1の遷移層において、前記Inの含有率は、前記第2の遷移層に向かうに従い、前記Alの含有率よりも大きな減少の程度で減少することを特徴とする請求項1に記載の半導体多層膜反射鏡。
- 前記第2の窒化物半導体膜はGa(ガリウム)を組成に含み、
前記第1の遷移層は、前記第1の窒化物半導体膜から前記第2の遷移層に向かうに従い、Gaの含有率が次第に増加し、Alの含有率が単調に又は段階的に減少し、Inの含有率が単調に又は段階的に減少して実質的にゼロとなる、AlGaInNからなる組成変化層であり、
前記第2の遷移層は、前記第1の遷移層から前記第2の窒化物半導体膜に向かうに従い、Alの含有率が単調に又は段階的に減少して実質的にゼロとなる、AlGaNからなる組成変化層であることを特徴とする請求項2に記載の半導体多層膜反射鏡。 - 前記第1の窒化物半導体膜はAlInN層であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体多層膜反射鏡。
- 前記第2の窒化物半導体膜はGaN層であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体多層膜反射鏡。
- Inを組成に含む第1の窒化物半導体膜と、Inを組成に含まない第2の窒化物半導体膜と、が交互に繰り返し形成された半導体多層膜反射鏡であって、
前記第1の窒化物半導体膜と前記第2の窒化物半導体膜との間に、前記第1の窒化物半導体膜の組成から前記第2の窒化物半導体膜の組成に、組成が次第に変化する膜間遷移層を有し、
前記膜間遷移層は、前記第1の窒化物半導体膜上に形成されてInおよびAlを組成に含む第1の遷移層と、前記第1の遷移層上に形成されてAlを組成に含みInを組成に含まない第2の遷移層と、を有し、
前記第1の窒化物半導体膜における含有率を1として規格化したとき、前記第1の遷移層において、層厚方向のいずれの位置においても規格化されたIn含有率は規格化されたAl含有率よりも小さいことを特徴とする半導体多層膜反射鏡。 - 請求項1又は6に記載の半導体多層膜反射鏡を第1の反射鏡とし、
前記第1の反射鏡上に形成された、少なくとも1つの半導体層からなる第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された、前記第1の半導体層とは反対の導電型を有する少なくとも1つの半導体層を含む第2の半導体層と、
前記第2の半導体層上に形成された、前記第1の反射鏡に対向する第2の反射鏡と、
を有することを特徴とする垂直共振器型発光素子。 - 有機金属気相成長(MOCVD)法により半導体多層膜反射鏡を製造する製造方法であって、
Inを組成に含む第1の窒化物半導体膜と、Inを組成に含まない第2の窒化物半導体膜と、を交互に繰り返し成長する積層ステップを有し、
前記積層ステップは、
前記第1の窒化物半導体膜を成長するステップと、
前記第1の窒化物半導体膜の成長後であって前記第2の窒化物半導体膜の成長温度に昇温する前に、前記第2の窒化物半導体膜を0nmより大きく1nm以下の層厚で形成する時間条件で、前記第2の窒化物半導体膜の材料ガスを供給する材料ガス供給ステップ、前記材料ガス供給ステップの後に、前記第2の窒化物半導体膜の前記材料ガスの供給を停止して所定の時間保持する保持ステップ及び、前記保持ステップの後に、成長温度を前記第2の窒化物半導体膜の成長温度に昇温する昇温ステップを行って膜間遷移層を形成するステップと、
前記昇温ステップの後に、前記第2の窒化物半導体膜の材料ガスを供給して前記第2の窒化物半導体膜を成長するステップと、
を有することを特徴とする製造方法。 - 有機金属気相成長(MOCVD)法により半導体多層膜反射鏡を製造する製造方法であって、
In及びAlを組成に含む第1の窒化物半導体膜と、Inを組成に含まない第2の窒化物半導体膜と、を交互に繰り返し成長する積層ステップを有し、
前記積層ステップは、
前記第1の窒化物半導体膜を成長するステップと、
前記第1の窒化物半導体膜の成長後であって前記第2の窒化物半導体膜の成長温度に昇温する前に、Inの材料ガスの供給を停止しつつ所定の時間保持する第1の停止ステップ、前記第1の停止ステップの後に、Alの材料ガスの供給を停止する第2の停止ステップ、前記第2の停止ステップの後に、前記第2の窒化物半導体膜の材料ガスを供給して前記第2の窒化物半導体膜からなるキャップ層を形成するキャップ層形成ステップ及び、前記キャップ層形成ステップの後に、成長温度を前記第2の窒化物半導体膜の成長温度に昇温する昇温ステップを行って膜間遷移層を形成するステップと、
前記昇温ステップの後に、前記第2の窒化物半導体膜の材料ガスを供給して前記第2の窒化物半導体膜を成長するステップと、
を有することを特徴とする製造方法。 - 請求項1又は6に記載の半導体多層膜反射鏡を第1の反射鏡として形成するステップと、
前記第1の反射鏡上に少なくとも1つの半導体層からなる第1の半導体層を形成するステップと、
前記第1の半導体層上に活性層を形成するステップと、
前記活性層上に、前記第1の半導体層とは反対の導電型を有する少なくとも1つの半導体層からなる第2の半導体層を形成するステップと、
前記第2の半導体層上に前記半導体多層膜反射鏡に対向する第2の反射鏡を形成するステップと、
を有することを特徴とする垂直共振器型発光素子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016241273A JP6819956B2 (ja) | 2016-12-13 | 2016-12-13 | 半導体多層膜反射鏡、これを用いた垂直共振器型発光素子及びこれらの製造方法。 |
US15/836,601 US10411438B2 (en) | 2016-12-13 | 2017-12-08 | Semiconductor multilayer film reflecting mirror, vertical cavity light-emitting element using the reflecting mirror, and methods for manufacturing the reflecting mirror and the element |
EP17206519.5A EP3336981B1 (en) | 2016-12-13 | 2017-12-11 | Semiconductor multilayer film reflecting mirror, vertical cavity light-emitting element using the reflecting mirror, and methods for manufacturing the reflecting mirror and the element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016241273A JP6819956B2 (ja) | 2016-12-13 | 2016-12-13 | 半導体多層膜反射鏡、これを用いた垂直共振器型発光素子及びこれらの製造方法。 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018098347A true JP2018098347A (ja) | 2018-06-21 |
JP6819956B2 JP6819956B2 (ja) | 2021-01-27 |
Family
ID=60661836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016241273A Active JP6819956B2 (ja) | 2016-12-13 | 2016-12-13 | 半導体多層膜反射鏡、これを用いた垂直共振器型発光素子及びこれらの製造方法。 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10411438B2 (ja) |
EP (1) | EP3336981B1 (ja) |
JP (1) | JP6819956B2 (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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US10411438B2 (en) | 2019-09-10 |
EP3336981B1 (en) | 2021-01-06 |
JP6819956B2 (ja) | 2021-01-27 |
US20180166855A1 (en) | 2018-06-14 |
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