JP2018095545A - Ramo4基板、およびiii族窒化物結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
tanθ ≦ Wy/Wx ・・・(1)
上記では、RAMO4基板に、ScAlMgO4単結晶基板を含む形態を説明したが、本開示は、これに限定されない。RAMO4基板が含む単結晶基板は、一般式RAMO4で表されるほぼ単一結晶材料から構成される基板であればよい。ここで、一般式において、Rは、Sc、In、Y、およびランタノイド系元素(原子番号67−71)から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Aは、Fe(III)、Ga、およびAlから選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Mは、Mg、Mn、Fe(II),Co,Cu,Zn,Cdから選択される一つまたは複数の二価の元素を表す。なお、ほぼ単一結晶材料とは、RAMO4で表される構造が90at%以上含まれ、かつ、任意の結晶軸に注目したとき、エピタキシャル成長面のどの部分においてもその向きが同一であるような結晶質固体をいう。ただし、局所的に結晶軸の向きが変わっているものや、局所的な格子欠陥が含まれるものも、単結晶として扱う。なお、Oは酸素である。また、上記の通り、RはSc、MはMg、AはAlとするのが特に好ましい。
32 ScAlMgO4単結晶基板
41 III族窒化物結晶
42 ScAlMgO4単結晶基板
51 ScAlMgO4単結晶基板
70 ScAlMgO4基板
71 シード層
72 ScAlMgO4単結晶基板
73 III族窒化物結晶
74 ScAlMgO4単結晶残部
Claims (12)
- 一般式RAMO4で表される単結晶体(一般式において、Rは、Sc、In、Y、およびランタノイド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Aは、Fe(III)、Ga、およびAlからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Mは、Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、およびCdからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す)からなるRAMO4単結晶基板を含み、
前記RAMO4単結晶基板は、主面に複数の溝を備え、
前記主面は、前記単結晶体のへき開面に対してオフ角θを有し、
前記溝間に位置する凸部の頂面の幅をWx、前記凸部の高さをWyとすると、
tanθ ≦ Wy/Wx
を満たす、RAMO4基板。 - 前記Wx、前記Wy、および前記θが、1μm≦Wx≦360μm、0.36μm≦Wy≦1000μm、0°<θ≦20°をそれぞれ満たす、請求項1に記載のRAMO4基板。
- 前記Wx、前記Wy、および前記θが、16.6μm≦Wx≦301.1μm、0.88μm≦Wy≦28.7μm、0°<θ≦11.1°をそれぞれ満たす、請求項1に記載のRAMO4基板。
- 前記RAMO4単結晶基板の前記凸部の頂面上に、III族窒化物種結晶層を更に備える、請求項1〜3のいずれか一項に記載のRAMO4基板。
- 前記一般式におけるRがScであり、AがAlであり、MがMgである、請求項1〜4のいずれか一項に記載のRAMO4基板。
- (i)複数の溝を主面に備え、一般式RAMO4で表される単結晶体(一般式において、Rは、Sc、In、Y、およびランタノイド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Aは、Fe(III)、Ga、およびAlからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Mは、Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、およびCdからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す)からなり、前記主面は、前記単結晶のへき開面に対してオフ角θを有し、前記溝間に位置する凸部の頂面の幅をWx、前記凸部の高さをWyとすると、
tanθ ≦ Wy/Wx
を満たすRAMO4単結晶基板を含む、RAMO4基板を準備する工程と、
(ii)前記RAMO4基板の前記RAMO4単結晶基板の前記凸部上に、III族窒化物結晶を成長させる工程と、
(iii)前記RAMO4単結晶基板の前記凸部内で前記単結晶を劈開し、前記RAMO4基板の少なくとも一部を含む部分、および前記III族窒化物結晶を含む部分を分離する工程と、
を含むIII族窒化物結晶の製造方法。 - 前記RAMO4単結晶基板の前記複数の溝は、前記単結晶体にレーザーを照射することで形成される、請求項6に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記レーザーの波長範囲は、370nm以下190nm以上である、請求項6または7に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記Wx、前記Wy、および前記θが、1μm≦Wx≦360μm、0.36μm≦Wy≦1000μm、0°<θ≦20°をそれぞれ満たす、請求項5〜7のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記Wx、前記Wy、および前記θが、16.6μm≦Wx≦301.1μm、0.88μm≦Wy≦28.7μm、0°<θ≦11.1°をそれぞれ満たす、請求項6〜8のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記RAMO4基板は、前記RAMO4単結晶基板の前記凸部の頂面上にそれぞれ配されたIII族窒化物種結晶層を更に備え、前記III族窒化物種結晶上に、前記III族窒化物結晶を成長させる、請求項6〜10のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記一般式におけるRがScであり、AがAlであり、MがMgである、請求項6〜11のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
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