JP2018080360A - 金属部材および金属部材と樹脂部材との複合体並びにそれらの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
第1実施形態について、図1〜図4を参照して述べる。図1に示す本実施形態の金属部材M1は、例えば電子部品をモールド樹脂等で封止してなるモールドパッケージにおける放熱板、外部引出し端子に用いられる金属部材やダイカスト品の接着部などの密着性や気密性を必要とする金属部材として適用される。
第2実施形態について、図5、図6を参照して述べる。図6では、図2と同様に、切断面における空孔12aを破線で示し、図6の切断面の空孔12a同士を図6の切断面と異なる面において図6の左右方向で繋ぐ空孔12を二点鎖線で示し、凹凸層11と金属多孔層12との界面11aを一点鎖線で示している。
第3実施形態について、図7を参照して述べる。図7に示す本実施形態の複合体C2は、上記第2実施形態と同様に金属部材M1と樹脂部材20とに相当する部材を有してなるが、電子部品がモールド樹脂により封止されてなるモールドパッケージに適用された点が上記第2実施形態と異なる。本実施形態では、この相違点について主に説明する。
第4実施形態について、図8を参照して述べる。図8に示す複合体C3は、上記第2実施形態と同様に金属部材M1と樹脂部材20とに相当する部材を有してなるが、パワーモジュール40と放熱フィン42とが接合された半導体装置に適用された点が上記第2実施形態と異なる。本実施形態では、この相違点について主に説明する。
次に、第4実施形態の変形例について、図9を参照して述べる。上記第4実施形態の複合体C3では、パワーモジュール40の片面から放熱する構造の半導体装置について示したが、図9に示すように、パワーモジュール52の両面から放熱する構造の半導体装置としてもよい。
なお、上記した各実施形態に示した金属部材M1や複合体C1〜C3およびその製造方法は、本発明の一例を示したものであり、上記の各実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
11 凹凸層
11a 凹凸表面
12 金属多孔層
12a 空孔
20 樹脂部材
Claims (14)
- 一面(10a)を有し、金属材料により構成されていると共に、前記一面から凹凸形状によりなる凹凸層(11)とされた領域を有する金属基材(10)と、
前記凹凸層上に形成された網目状の金属多孔層(12)と、を有する金属部材であって、
前記凹凸層の凹凸形状のうち前記一面に対する法線方向において突き出た部分を凸部として、前記凹凸層を構成する複数の凸部の平均高さは、100μm未満であり、
前記凹凸層のうち前記金属多孔層との界面である凹凸表面(11a)に対する接線に対する法線方向を凹凸法線方向とし、前記金属多孔層の凹凸法線方向における厚みは、1μm未満である金属部材。 - 前記金属多孔層は、空孔(12a)を複数個有し、複数の前記空孔同士が網目状に繋がるように形成されると共に、前記複数の空孔の一部が複数箇所にわたって前記金属多孔層のうち最表面まで伸びるように形成されている請求項1に記載の金属部材。
- 前記接線に対して平行な面における任意の方向を凹凸接線方向として、前記複数の空孔のうち前記最表面における前記凹凸接線方向での最大幅寸法は、100nm未満である請求項2に記載の金属部材。
- 前記金属材料は、融点が1000℃未満である低融点の金属材料もしくはその合金である請求項1から3のいずれか1つに記載の金属部材。
- 前記凹凸層および前記金属多孔層は、前記金属材料の酸化物により構成されている請求項1から4のいずれか1つに記載の金属部材。
- 一面(10a)を有し、金属材料によりなる金属基材(10)を用意することと、
前記金属基材のうち前記一面に対して、エネルギー密度が300J/cm2未満であるパルス発振のレーザービームを、パルス幅1μ秒未満として照射することにより前記一面の一部または全部を溶融または蒸発させることと、
前記一面の一部または全部を溶融または蒸発させた後に、前記一面のうち溶融または蒸発させた領域を凝固させることにより、前記一面から凹凸形状によりなる凹凸層(11)を形成しつつ、蒸発した前記金属基材が前記一面のうち溶融または蒸発させた前記領域の内外に再付着させることで前記凹凸層上に網目状の金属多孔層(12)を形成することと、を含む金属部材の製造方法。 - 前記金属基材を用意することにおいては、前記金属材料を融点が1000℃未満である低融点の金属材料もしくはその合金とする請求項6に記載の金属部材の製造方法。
- 前記レーザービームを照射することにおいては、前記レーザービームを照射する円状のレーザー照射領域における直径を照射径(P1)とし、隣接する前記レーザー照射領域の円中心同士の距離を照射ピッチ(P2)として、前記照射径が前記照射ピッチよりも大きくする請求項6または7に記載の金属部材の製造方法。
- 請求項1から5のいずれか1つに記載の金属部材(M1)と、
前記金属部材のうち前記凹凸層および前記金属多孔層に接して設けられた樹脂部材(20)と、を有し、
前記樹脂部材は、前記空孔に入り込んでいる前記金属部材と前記樹脂部材との複合体。 - 前記複合体は、表裏の関係にある表面(30a)と裏面(30b)とを有する基板(30)と、前記表面側に搭載された電子部品(31)と、前記裏面と接続された金属材料によりなる放熱板(32)と、前記表面、前記電子部品および前記放熱板のうち前記基板と接続された面を封止するモールド樹脂(33)とを備えるモールドパッケージであって、
前記複合体のうち前記金属部材は、前記放熱板であり、
前記複合体のうち前記樹脂部材は、前記モールド樹脂であり、
前記金属部材のうち前記樹脂部材との界面をなす領域に前記凹凸層および前記金属多孔層が形成されている請求項9に記載の複合体。 - 前記複合体は、パワーモジュール(40)と放熱フィン(42)とが接合材(41)を介して熱的に接続された半導体装置であって、
前記複合体のうち前記金属部材は、前記放熱フィンであり、
前記複合体のうち前記樹脂部材は、前記接合材であり、
前記金属部材のうち前記樹脂部材と接続されている領域に前記凹凸層および前記金属多孔層が形成されている請求項9に記載の複合体。 - 一面(10a)を有し、金属材料によりなる金属基材(10)を用意することと、
前記金属基材のうち前記一面に対して、エネルギー密度が300J/cm2未満であるパルス発振のレーザービームを、パルス幅1μ秒未満として照射することにより前記一面を溶融または蒸発させることと、
前記一面の一部または全部を溶融または蒸発させた後に、前記一面のうち溶融または蒸発させた領域を凝固させることにより、前記一面から凹凸形状によりなる凹凸層(11)を形成しつつ、蒸発した前記金属基材が前記一面のうち溶融または蒸発させた前記領域の内外に再付着させることで前記凹凸層上に網目状の金属多孔層(12)を形成して金属部材(M1)を製造することと、
前記凹凸層および前記金属多孔層が設けられた前記一面に、流動性の樹脂材料を流し込んだ後に硬化することで前記金属部材と前記一面で接合する樹脂部材(20)を形成することと、を含む前記金属部材と前記樹脂部材との複合体の製造方法。 - 前記金属基材を用意することにおいては、前記金属材料を融点が1000℃未満である低融点の金属材料もしくはその合金とする請求項12に記載の複合体の製造方法。
- 前記レーザービームを照射することにおいては、前記レーザービームを照射する円状のレーザー照射領域における直径を照射径(P1)とし、隣接する前記レーザー照射領域の円中心同士の距離を照射ピッチ(P2)として、前記照射径が前記照射ピッチよりも大きくする請求項12または13に記載の前記接合用金属部材と前記樹脂部材との複合体の製造方法。
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