JP2018080360A - 金属部材および金属部材と樹脂部材との複合体並びにそれらの製造方法 - Google Patents

金属部材および金属部材と樹脂部材との複合体並びにそれらの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018080360A
JP2018080360A JP2016222542A JP2016222542A JP2018080360A JP 2018080360 A JP2018080360 A JP 2018080360A JP 2016222542 A JP2016222542 A JP 2016222542A JP 2016222542 A JP2016222542 A JP 2016222542A JP 2018080360 A JP2018080360 A JP 2018080360A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
layer
convex
concavo
porous layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016222542A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6648671B2 (ja
Inventor
匠 野村
Takumi Nomura
匠 野村
小林 渉
Wataru Kobayashi
渉 小林
和輝 神田
Kazuki Kanda
和輝 神田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2016222542A priority Critical patent/JP6648671B2/ja
Priority to PCT/JP2017/039796 priority patent/WO2018092607A1/ja
Priority to CN201780069366.6A priority patent/CN110073035B/zh
Publication of JP2018080360A publication Critical patent/JP2018080360A/ja
Priority to US16/296,868 priority patent/US10755998B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6648671B2 publication Critical patent/JP6648671B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672Foil-like cooling fins or heat sinks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C37/00Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
    • B29C37/0078Measures or configurations for obtaining anchoring effects in the contact areas between layers
    • B29C37/0082Mechanical anchoring
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/70Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by moulding
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • C23F4/02Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00 by evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • C23F4/04Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00 by physical dissolution
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28FDETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F13/00Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing
    • F28F13/18Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing by applying coatings, e.g. radiation-absorbing, radiation-reflecting; by surface treatment, e.g. polishing
    • F28F13/185Heat-exchange surfaces provided with microstructures or with porous coatings
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28FDETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F3/00Plate-like or laminated elements; Assemblies of plate-like or laminated elements
    • F28F3/02Elements or assemblies thereof with means for increasing heat-transfer area, e.g. with fins, with recesses, with corrugations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3142Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736Metallic materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2089Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
    • H05K7/209Heat transfer by conduction from internal heat source to heat radiating structure
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/354Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by melting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/362Laser etching
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C37/00Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
    • B29C37/0078Measures or configurations for obtaining anchoring effects in the contact areas between layers
    • B29C37/0082Mechanical anchoring
    • B29C37/0085Mechanical anchoring by means of openings in the layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2705/00Use of metals, their alloys or their compounds, for preformed parts, e.g. for inserts
    • B29K2705/02Aluminium
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28DHEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D21/00Heat-exchange apparatus not covered by any of the groups F28D1/00 - F28D20/00
    • F28D2021/0019Other heat exchangers for particular applications; Heat exchange systems not otherwise provided for
    • F28D2021/0028Other heat exchangers for particular applications; Heat exchange systems not otherwise provided for for cooling heat generating elements, e.g. for cooling electronic components or electric devices
    • F28D2021/0029Heat sinks
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28FDETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F2215/00Fins
    • F28F2215/04Assemblies of fins having different features, e.g. with different fin densities
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28FDETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F2255/00Heat exchanger elements made of materials having special features or resulting from particular manufacturing processes
    • F28F2255/06Heat exchanger elements made of materials having special features or resulting from particular manufacturing processes composite, e.g. polymers with fillers or fibres
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)

Abstract

【課題】凹凸形状および凹凸形状上に網目状の金属多孔層を有しつつ、押圧による折れや還元による凹凸形状の鈍化を抑制できる構造を備えた金属部材および当該金属部材と樹脂部材とが接合された複合体並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】ミクロオーダーの凹凸形状の凹凸層11と、凹凸層11上に網目状に繋がっている複数の空孔12aを有し、空孔12aが金属多孔層12の最表面まで複数箇所にわたって伸びるように形成されたナノオーダーの網目状の金属多孔層12とを備える金属部材とする。また、当該金属部材と樹脂部材とが接合され、樹脂部材が凹凸層11を埋めつつ、金属多孔層12の空孔12aに流れ込んでいる複合体とする。これらの製造方法としては、融点1000℃未満の低融点の金属材料もしくはその合金を基材とし、当該基材の表面に300J/cm2未満の低エネルギー密度のレーザービームをパルス発振にて照射することを含む。【選択図】図1

Description

本発明は、凹凸層とこの凹凸層の表面を構成する金属多孔層とを備える金属部材、当該金属部材と樹脂部材とを接合した複合体並びにそれらの製造方法に関する。
従来より、樹脂部材と接合して一体化しやすいように表面処理が施された金属部材や当該金属部材と樹脂部材とが接合されて一体化した複合体が多くの産業分野で使用されている。しかしながら、金属部材と樹脂部材とを接合する際、これらの界面において微小な隙間が生じたりすることで、十分な密着性や気密性を確保しにくいことが課題である。
このような課題を解決する金属部材や複合体としては、特許文献1に記載の金属部材や複合体が挙げられる。特許文献1に記載の金属部材は、導電性金属材料よりなる基材の表面に凹凸形状を有するように粗面化された金属薄膜が設けられている(以下、「粗面化金属部材」という)。具体的には、金属薄膜に形成される粗面は、低いエネルギー密度、例えば100J/cm以下のレーザービームが照射されることで当該金属薄膜が貫通されることなく設けられ、微細な凹凸が形成された微細凹凸構造をなす。また、特許文献1に記載の複合体は、微細凹凸構造をなす金属薄膜の粗面の隙間を埋めるように樹脂部材が入り込むことで、粗面化金属部材と樹脂部材とが接合されてなり、例えば半導体装置などにおける接合構造などに用いられる。
このような構造とすることにより、粗面化金属部材は、樹脂部材との接合に際して、粗面化金属部材と樹脂部材との隙間が小さくなりやすく、樹脂部材との接合に適した構造となる。また、粗面化金属部材と樹脂部材とが接合されることにより、これらの界面における密着性や気密性を向上した複合体となる。
特開2016−20001号公報
しかしながら、上記の粗面化金属部材は、従来の金属部材に比べて樹脂部材との接合に適するものの、上記の微細凹凸構造は、言わば針状の形状であって微小な力でも折れやすいため、この針部分が折れた場合、アンカー効果が十分に発揮されない形状となり得る。また、当該微細凹凸構造は、金属薄膜の酸化物で構成されているため、還元雰囲気にさらされた場合には、酸化物が還元されることで針状の形状が鈍ってしまい、その表面の粗さが小さくなって樹脂部材が入り込む空隙が少なくなってしまう。このような場合、粗面化金属部材は、樹脂部材との接合に適さない形状となってしまう。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、表面を針状と異なる形状であって、樹脂部材が入り込む空隙を備えた構造を有し、樹脂部材との接合に適した金属部材および当該金属部材と樹脂部材との複合体並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の金属部材は、一面(10a)を有し、金属材料により構成されていると共に、一面から凹凸形状によりなる凹凸層(11)とされた領域を有する金属基材(10)と、凹凸層上に形成された網目状の金属多孔層(12)と、を有する。このような構成において、凹凸層の凹凸形状のうち一面に対する法線方向において突き出た部分を凸部として、凹凸層を構成する複数の凸部の平均高さは、100μm未満であり、凹凸層のうち金属多孔層との界面である凹凸表面(11a)に対する接線に対する法線方向を凹凸法線方向とし、金属多孔層の凹凸法線方向における厚みは、1μm未満である。
これにより、凹凸形状とされた凹凸層と該凹凸層上に空孔を有する網目状の金属多孔層を備えることで、他の部材が凹凸層および金属多孔層のそれぞれにおいてアンカー効果を発揮し、他の部材との接合に適した金属部材となる。
請求項6に記載の金属部材の製造方法は、一面(10a)を有し、金属材料によりなる金属基材(10)を用意することと、金属基材のうち一面に対して、エネルギー密度が300J/cm未満であるパルス発振のレーザービームを、パルス幅1μ秒未満として照射することにより一面の一部または全部を溶融または蒸発させることと、一面の一部または全部を溶融または蒸発させた後に、一面のうち溶融または蒸発させた領域を凝固させることにより、一面から凹凸形状によりなる凹凸層(11)を形成しつつ、蒸発した金属基材が一面のうち溶融または蒸発させた領域の内外に再付着させることで凹凸層上に網目状の金属多孔層(12)を形成することと、を含む。
これにより、凹凸形状とされた凹凸層と該凹凸層上に空孔を有する網目状の金属多孔層を金属基材に形成することで、他の部材が凹凸層および金属多孔層のそれぞれにおいてアンカー効果を発揮し、他の部材との接合に適した金属部材を製造することができる。
請求項9に記載の複合体は、請求項1から5のいずれか1つに記載の金属部材(M1)と、金属部材のうち凹凸層および金属多孔層に接して設けられた樹脂部材(20)と、を有し、樹脂部材は、空孔に入り込んでいる。
これにより、凹凸形状とされた凹凸層と該凹凸層上に空孔を有する金属多孔層を備えた金属部材と接合されている樹脂部材が、凹凸層と金属多孔層のそれぞれとアンカー効果を発揮することで、従来の金属部材と樹脂部材との複合体よりも密着性の高い複合体となる。
請求項12に記載の複合体の製造方法は、一面(10a)を有し、金属材料によりなる金属基材(10)を用意することと、金属基材のうち一面に対して、エネルギー密度が300J/cm未満であるパルス発振のレーザービームを、パルス幅1μ秒未満として照射することにより一面を溶融または蒸発させることと、一面の一部または全部を溶融または蒸発させた後に、一面のうち溶融または蒸発させた領域を凝固させることにより、一面から凹凸形状によりなる凹凸層(11)を形成しつつ、蒸発した金属基材が一面のうち溶融または蒸発させた領域の内外に再付着させることで凹凸層上に網目状の金属多孔層(12)を形成して金属部材(M1)を製造することと、凹凸層および金属多孔層が設けられた一面に、流動性の樹脂材料を流し込んだ後に硬化することで金属部材と一面で接合する樹脂部材(20)を形成することと、を含む。
これにより、凹凸形状とされた凹凸層と該凹凸層上に空孔を有する金属多孔層を備えた金属部材を製造でき、当該金属部材と樹脂部材とを接合することにより、従来の金属部材と樹脂部材との複合体よりも密着性の高い複合体を製造できる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
第1実施形態の金属部材を示す断面図である。 第1実施形態の金属部材のうち凹凸層および金属多孔層の一部の領域を拡大した断面図である。 第1実施形態の金属部材の製造工程におけるレーザービームの照射について示す図である。 第1実施形態の金属部材のうち凹凸層および金属多孔層の断面を透過電子顕微鏡(TEM、Transmission Electron Microscopeの略)により観察した結果を示す図である。 第1実施形態の金属部材のうち凹凸層および金属多孔層の断面をTEMにより観察した結果を示す図である。 第1実施形態の金属部材のうち凹凸層および金属多孔層の断面をTEMにより観察した結果を示す図である。 第1実施形態の金属部材のうち凹凸層および金属多孔層の断面をTEMにより観察した結果を示す図である。 第2実施形態の複合体を示す断面図である。 第2実施形態の複合体における金属部材と樹脂部材との接合の様子を示す断面図である。 第3実施形態の複合体を示す断面図である。 第4実施形態の複合体を示す断面図である。 第4実施形態の変形例である複合体を示す断面図である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
(第1実施形態)
第1実施形態について、図1〜図4を参照して述べる。図1に示す本実施形態の金属部材M1は、例えば電子部品をモールド樹脂等で封止してなるモールドパッケージにおける放熱板、外部引出し端子に用いられる金属部材やダイカスト品の接着部などの密着性や気密性を必要とする金属部材として適用される。
図2では、図1に破線で示した領域R1、すなわち凹凸層11および金属多孔層12を設けた部位の一部の領域について拡大した断面を示し、凹凸層11と金属多孔層12との界面である凹凸表面11aを便宜的に一点鎖線で示している。また、図2では、後述する空孔12aを備える金属多孔層12の構造を分かり易くするために、便宜的に図2で示す断面における空孔12aを破線で示し、図2で示す断面における空孔12a同士を図2と別断面において図2中の左右方向で繋ぐ空隙については二点鎖線で示している。図4A〜図4Dでは、図1に破線で示した領域R1における断面について透過電子顕微鏡(TEM)により観察した結果を示しており、分かり易くするために符号を付している。なお、図4A〜図4DでのTEM観察では、本実施形態の金属部材M1のうち凹凸層11および金属多孔層12が形成された領域を樹脂部材で封止して切断したサンプルについて行っており、後述する図4Dでの炭素原子については、この樹脂部材に起因したものである。
本実施形態の金属部材M1は、図1、図2に示すように、一面10aを有し、金属材料によりなる金属基材10と、金属基材10の一面10a側に設けられ、凹凸形状とされている凹凸層11と、凹凸層11上に設けられた金属多孔層12とを有してなる。金属多孔層12は、図1もしくは図2に示すように、凹凸層11上に設けられると共に、空孔12aが複数個形成されている。
他の部材との接合において、凹凸層11では、ミクロオーダーの凹凸形状によるアンカー効果を生じ、金属多孔層12では、空孔12aに他の部材が入り込むことによるアンカー効果が生じる。以下、凹凸層11によるアンカー効果を「第1のアンカー効果」といい、金属多孔層12によるアンカー効果を「第2のアンカー効果」という。つまり、金属部材M1は、凹凸層11による第1のアンカー効果および金属多孔層12による第2のアンカー効果、すなわち二重のアンカー効果を奏する構造を備えている。なお、金属部材M1は、例えば直方体とされているが、直方体に限られず、立方体、円柱形状、多角柱形状、枠体形状などにされてもよく、他の様々な形状とされてもよい。
金属基材10を構成する金属材料は、融点が1000℃未満である低融点の金属材料もしくはその合金、例えばAl、Ag、Mg、ZnやAl合金などを用いることが好ましい。金属基材10を低融点の金属材料もしくはその合金によりなる金属材料により構成することが、凹凸層11および金属多孔層12を形成するために必要な条件だからである。
なお、ここでいう合金とは、低融点の金属材料を主材料として、他の金属材料を含有する金属材料をいい、融点が1000℃以上である高融点金属、例えばCu、Mn、Siなどが他の金属材料として含まれていてもよい。例えば、低融点の金属材料としてAlを用いる場合、純Alを示す国際アルミニウム合金の記号1000番台の合金だけでなく、Al−Cu系合金を示す同記号2000番台からAl−Zn系合金を示す同記号7000番台の合金まで金属基材10として用いられてもよい。また、ここでいう「低融点の金属材料を主材料とする」とは、低融点の金属材料が合金全体のうち90質量%以上を占めることをいう。
金属基材10は、低融点の金属材料により構成されていればよく、板材や削りだしによる形成された部品であってもよいし、ダイカスト製品であってもよいし、他の部品等であってもよい。
凹凸層11は、図1に示すように、金属部材M1の一面10aに設けられ、他の部材、特に樹脂部材との接合に適した凹凸形状とされ、金属基材10を構成する金属材料の酸化物により構成されている。凹凸層11は、凹凸層11のうち一面10aに対する法線方向、すなわち一面法線方向において突き出た部位を凸部として、複数の凸部が並んで配置されるように形成されている。凹凸層11は、上記のような凹凸形状を備えることで他の部材と接合される際に、第1のアンカー効果により他の部材との密着性や気密性が向上する形状とされている。
凹凸層11を構成する複数の凸部の一面法線方向における厚みを高さとして、複数の凸部の平均高さは、1μm以上100μm未満であることが好ましい。少なくとも凸部の平均高さが1μmの場合には、二重のアンカー効果が得られるものの、1μm未満の場合には、第1のアンカー効果が薄くなることで二重のアンカー効果が得られにくくなると考えられる。一方、凸部の平均高さが100μmを超える金属部材M1とする場合、後述する製造工程におけるレーザービームのエネルギー密度を高くせざるを得ず、エネルギー密度を高くしすぎると、金属基材10の材料が飛散してコンタミなどの不具合が生じ得るためである。
なお、図1では、主に凹凸層11による凹凸形状が、規則的に配列された形状とされている例について示したが、第1のアンカー効果を発揮する程度の凹凸形状とされていればよく、凹凸層11は、不規則な配列とされた形状等、様々な形状とされていてもよい。
金属多孔層12は、図1もしくは図2に示すように、金属部材M1の一面10aに設けられた凹凸層11上に形成され、他の部材、特に樹脂部材との接合に適した空孔12aを複数個備えた網目状とされている。
具体的には、空孔12aは、他の部材と接合する際に、流動性のある他の部材が入り込んで硬化することができる隙間である。すなわち、金属多孔層12は、複数の空孔12a同士が網目状に繋がりつつ、複数箇所にわたって金属多孔層12のうち一面法線方向に沿って最も外側である最表面まで伸びるように形成されることで網目状の形状をなしている。つまり、空孔12aは、複数箇所にわたって金属多孔層12の最表面で外気と繋がっている。そのため、流動性のある他の部材が空孔12a上に塗布された場合であっても、1箇所のみで外気と繋がる穴状の空隙、例えばアルマイト処理で生ずる孔と異なり、空気が密閉されることによる空気抵抗の影響が少なく、他の部材が流れ込みやすい形状とされている。このように、複数個の空孔12aを備える金属多孔層12は、他の部材が空孔12aに流れ込んで硬化することで第2のアンカー効果を発揮する形状とされている。
凹凸層11のうち金属多孔層12との界面である凹凸表面11aに対する接線に対する法線方向を凹凸法線方向とし、金属多孔層12の凹凸法線方向における厚みは、ナノオーダー、すなわち1μm未満とされている。これは、金属多孔層12の凹凸法線方向における厚みが1μm以上であっても他の部材との密着性等の向上効果が得られるものの、必要以上に金属多孔層12を設ける意義が薄く、1μm未満であっても他の部材との密着性等の向上効果が得られるためである。
空孔12aの最大幅寸法については100nm以下とされ、空孔12aの寸法幅については、1nm以上100nm以下の範囲内とされることが好ましい。空孔12aの寸法幅が1nm未満である場合には、空孔12aに樹脂部材20が入り込みにくくなり、空孔12aの寸法幅が100nmを超える場合には、金属多孔層12の形状が針形状に近づくことで押圧や還元により微細な形状を維持しにくくなるためである。
なお、ここでいう幅寸法とは、凹凸表面11aに対する接線に対して平行な面における任意の方向を凹凸接線方向として、金属多孔層12の最表面まで伸びた空孔12aの凹凸接線方向における幅の寸法を意味する。また、最大幅寸法とは、寸法幅のうち最大のものを意味する。
なお、凹凸層11および金属多孔層12は、低融点の金属材料もしくはその合金により構成される金属基材10に後述するレーザービーム照射をすることにより形成される。凹凸層11および金属多孔層12は、他の部材と接合される接合面に設けられていればよく、金属基材10の表面のうち一部もしくはすべての領域に形成されていてもよい。
次に、本実施形態の金属部材M1の製造方法について、図3を参照して述べる。金属部材M1の製造工程は、金属基材10の用意工程、レーザービーム照射による金属基材10の表面の溶融・蒸発工程、レーザービーム照射後の凝固・再付着の工程を有してなる。
なお、レーザービーム照射による金属基材10の表面の溶融・蒸発工程、レーザービーム照射後の凝固・再付着の工程については、金属基材10の一部の溶融・蒸発、凝固・再付着がこの順に瞬間的に発生する。しかし、ここでは、便宜的に上記の2つの工程に分けて説明する。
まず、金属基材10の用意工程として、一面10aを有し、低融点の金属材料もしくはその合金からなる金属基材10を用意する。
次に、レーザービーム照射による溶融・蒸発工程として、所定の間隔で位置を変えながらパルス発振のレーザービームを金属基材10の一面10aに照射する。これにより、図3に示すように、金属基材10の一面10aのうちレーザービームを照射したレーザー照射領域R2の部分を溶融および蒸発させる。具体的には、金属基材10は、レーザービームを照射することにより、一面10aのうちレーザー照射領域R2内においてその一部が蒸発すると共に、残りが溶融する。このパルス発振のレーザービームは、エネルギー密度が300J/cm未満、かつ、パルス幅が1μ秒未満となるように調節されている。例えば、アルミ合金を金属基材10として用い、エネルギー密度を11J/cm、パルス幅を50ナノ秒、レーザー照射領域R2をφ100μm径に調整して、アルミ合金にレーザービームを照射する。
ここで、パルス発振のレーザービームのエネルギー密度は、10J/cm以上300J/cm未満の範囲内とされることが好ましい。パルス発振のレーザービームのエネルギー密度が、例えば2J/cm程度と低すぎる場合には、金属基材10が十分に溶融と蒸発をしないために金属多孔層12が形成されないためである。一方、パルス発振のレーザービームのエネルギー密度が、300J/cm以上と高すぎる場合には、金属基材10が溶融または蒸発し過ぎて他の領域へ飛散し、飛沫がコンタミの原因になるなどの不具合が発生し得るためである。
本実施形態では、図3中の左右方向をX方向とし、図3の平面上であってX方向と直交する方向をY方向として、XY平面上に沿ってレーザービームの光源を移動させることにより、金属基材10の一面10aの一部にレーザービームを順に照射する。レーザービームの照射の際、金属基材10を固定してレーザービームの光源を移動させてもよいし、レーザービームの光源を固定して金属基材10を移動させてもよい。
最後に、レーザービーム照射後の凝固・再付着工程として、上記の溶融・蒸発工程において金属基材10のうち溶融した部分を凝固させ、蒸発した部分を再付着させる。具体的には、溶融・蒸発工程にて金属基材10の一部が溶融または蒸発され、その後に凝固することにより、金属基材10のうちレーザービーム照射領域R2に凹凸層11が形成される。さらに、蒸発した金属基材10の一部をレーザービーム照射領域R2内外に蒸着する。この際、蒸発した金属基材10の一部は、蒸着後に酸化されて酸化物を構成しつつ固定されることにより、金属多孔層12を形成する。そのため、少なくとも再付着工程については、酸素を含む雰囲気下、例えば大気環境下などで行うことが好ましい。
このようにして、金属基材10の一面10aの一部に、凹凸形状の凹凸層11および複数の空孔12aを備えた金属多孔層12が形成された金属部材M1を製造することができる。
なお、図3に示すように、レーザー照射領域R2の直径を照射径P1とし、隣り合うレーザー照射領域R2の照射径P1の中心同士の距離を照射ピッチP2として、照射径P1が照射ピッチP2よりも大きいことが好ましい。
照射径P1が照射ピッチP2よりも小さい場合には、レーザー照射領域R2には凹凸層11および金属多孔層12が形成されるものの、図3(a)に示すように、一面10aのうち隣り合うレーザー照射領域R2同士を分割するような未処理の領域が生じてしまう。すなわち、金属基材10の一面10aの一部に凹凸層11および金属多孔層12が形成されることによって、他の部材との密着性や気密性の向上に適した形状となるものの、未処理の領域については、他の部材との密着性や気密性の向上効果が薄い形状のままである。
これに対して、図3(b)に示すように、照射径P1が照射ピッチP2よりも大きい場合には、一面10aのうち隣り合うレーザー照射領域R2同士を分割するような未処理の領域が生じない。また、照射径P1が照射ピッチP2よりもわずかに大きい場合であっても、互いに隣り合う4つのレーザー照射領域R2に囲まれた中心付近の領域に未処理の領域が生じるのみである。よって、金属部材M1のうちレーザー照射領域R2の集合領域については、照射径P1を照射ピッチP2よりも大きくすることで、照射径P1を照射ピッチP2よりも小さくした場合に比べて、より他の部材との密着性や気密性の向上に適した形状となる。
ここで、本実施形態の金属部材M1の特徴となる凹凸層11および金属多孔層12に至った経緯について詳しく説明する。
特許文献1に記載の従来の金属部材は、金属部材の表面に微細凹凸構造が設けられたものであり、言わば針状の形状に近い構造である。そのため、特許文献1に記載の金属部材は、押圧により針状の部分が折れたり、還元雰囲気下において微細凹凸構造の部位が還元されることで微細凹凸構造の形状が鈍ったりして、他の部材、特に樹脂部材との密着性や気密性に適した形状を維持しにくかった。
また、他の従来技術としては、金属基材としてAlもしくはAl合金を用い、これにアルマイト処理を施すことでポアーと呼ばれる穴を無数に有する酸化被膜を形成することなどが挙げられる。このような酸化被膜を備えた金属部材は、ポアーに他の部材が流れ込めば、他の部材との密着性の向上効果が高い形状であるとも思われる。しかしながら、特にAl合金では、材質によりアルマイト処理による酸化被膜が形成されにくいものもあり、材料選択が制限されてしまう。また、アルマイト処理による酸化被膜は、熱応力等によるクラックが発生する課題があり、クラックが発生すると他の部材との密着性が低くなる。さらに、ポアーは、酸化被膜の最表面側の一箇所のみが外気と繋がる形状であるため、空気が密閉されることによる空気抵抗の影響が大きく、他の部材が流れ込みやすい形状と言い難い。
そこで、本発明者らは、他の部材、特に樹脂部材との接合に適した構造を有する金属部材について鋭意検討を行った。その結果、金属部材の表面に、針状とは異なる微細凹凸構造であって、ミクロオーダーの凹凸形状である凹凸層11に加えて、凹凸層11の最表面側に樹脂部材が入り込みやすい穴状の空隙を有する金属多孔層12を設けた金属部材M1とすることを見出した。また、本発明者らは、低融点の金属材料もしくはその合金を用い、これに低エネルギー密度のレーザービームをパルス発振で照射することにより上記の構造を備える金属部材M1を製造できることを見出した。
これにより、金属部材M1は、樹脂部材との接合において、凹凸形状による第1のアンカー効果と、樹脂部材が空孔12aに入り込むことによる第2のアンカー効果を加えた、いわば二重のアンカー効果を奏する形状とされる。また、金属部材M1は、ミクロオーダーの凹凸形状の凹凸層11と凹凸層11の最表面側に空孔12aを備えた形状であるため、先端が尖った形状となっている領域が少なく、押圧による破壊や還元されることによる微細構造の形状の鈍化が抑制される構造となる。
また、レーザービームにより溶融または蒸発させられた金属基材10が凝固することで、凹凸層11および金属多孔層12が金属基材10の酸化物により形成されるため、凹凸層11および金属多孔層12は、耐食性を備えた膜となる。凹凸層11および金属多孔層12は、仮に還元雰囲気中で還元された場合には耐食性の効果が薄くなるものの、針状の形状でないため、多少形状が鈍ったとしても二重のアンカー効果が損なわれにくい。
さらに、凹凸層11および金属多孔層12は、上記の工程により形成されるため、残留応力が小さく、耐クラック性を備えると共に、形成領域の自由度も高い。加えて、低融点の金属材料もしくはその合金を用いれば凹凸層11および金属多孔層12を形成できるため、金属部材M1は、その材料選択の自由度が高い。
本発明者らの試作検討によると、低融点の金属材料もしくはその合金を金属基材10として用い、パルス幅が1μ秒未満、かつ、エネルギー密度が10J/cm以上、300J/cm未満のレーザービームを照射することで本実施形態の金属部材M1が得られた。この条件と異なる条件においては、凹凸層11および金属多孔層12を備えた金属部材M1が製造されにくく、上記の製造方法により金属基材10に凹凸層11および金属多孔層12が形成される詳細なメカニズムについては現時点では不明である。
しかしながら、上記の条件において凹凸層11および金属多孔層12が形成される理由については、次の推定メカニズムが考えられる。
レーザービーム照射により、金属基材10のうち蒸発するために要するエネルギー、すなわち蒸発エネルギー以上のエネルギーを与えられた部分は、蒸発して、その後再付着したときに与えられたエネルギーを放出しながら固定化される。このとき、蒸発した金属部材10は、有するエネルギーが蒸発エネルギー未満となったときに、固定化され始めると考えられる。すなわち、レーザービーム照射により与えられたエネルギーから蒸発エネルギーを差し引いたエネルギー、すなわち余剰エネルギーを放出するまでは、再付着した金属基材10は、余剰エネルギーによって振動などの動きをすると推測される。金属基材10が再付着して固定化されるまでに放出される余剰エネルギーが大きいと、振動などの動きの量が大きくなるため、網目状などの複雑な構造になることができると考えられる。そのため、金属基材10が完全に固定化されるまでに放出される余剰エネルギーが大きいことが、金属基材10から凹凸層11および金属多孔層12、特に金属多孔層12が形成される要因であると推測される。
ここで、高融点金属、例えば融点が1000℃以上の金属材料にレーザービームを照射すると、高融点金属の一部は、蒸発エネルギー以上のエネルギーが与えられて蒸発する。このとき、高融点金属の融点が1000℃以上と高いことから、高融点金属の蒸発エネルギーについては大きく、余剰エネルギーについては小さいと考えられる。そのため、再付着後に固定化されるまでに失うエネルギーが小さく、高融点金属は、再付着・固定化までに振動等の動きによって放出されるエネルギーが小さいと考えられる。したがって、高融点金属は、レーザービーム照射により凹凸層11および金属多孔層12、特に金属多孔層12が形成されにくいと考えられる。
これに対して、低融点の金属にレーザービームを照射すると、高融点金属と同様に蒸発するが、低融点の金属の融点が1000℃未満と低いため、低融点の金属の蒸発エネルギーについては小さく、余剰エネルギーについては大きいと考えられる。そのため、再付着後に固定化されるまでに失うエネルギーが大きく、低融点の金属は、再付着・固定化までに振動等の動きによって放出されるエネルギーが高融点金属と比べて大きいと考えられる。したがって、低融点の金属は、レーザービーム照射により凹凸層11および金属多孔層12、特に金属多孔層12が形成されると考えられる。
上記のような推定メカニズムから、低融点の金属材料(例えばAlやAl合金)に低エネルギー密度(例えば300J/cm未満)のレーザービームをパルス発振で照射することが、本実施形態の金属部材M1の製造に必要な条件と考えられる。
次に、Alを低融点の金属材料として用いた金属部材M1の断面をTEMにより観察した結果について図4A〜図4Dを参照して説明する。図4Aでは、金属部材M1のうち凹凸層11および金属多孔層12が形成された断面を示し、図4Bでは、図4Aと同じ断面におけるAl原子の分布を示している。図4Cでは、図4Aと同じ断面における酸素原子の分布を示し、図4Dでは、図4Aと同じ断面における炭素原子の分布を示している。また、図4A〜図4Dの紙面左下に示す長方形状の枠線は、スケールであって、当該枠線の長さが100nmに相当することを示している。
図4Aでは、レーザービーム照射により形成した凹凸層11および金属多孔層12の一部の領域の断面における電子像を示している。また、図4Aでは、黒色に見える領域には金属等の大きい原子量の物質が存在し、白色に見える領域には樹脂等の小さい原子量の物質が存在するか空洞などであることを示している。凹凸層11におけるAlは、図4Aに示すように、TEM写真の電子像が黒色で明瞭であることから密に充填された構造であることを示していると考えられる。
これに対して、金属多孔層12におけるAlは、TEM写真の電子像にて白色に見える部分が多く、黒色で明瞭である部分が連続的でない。また、図4Bでは、金属多孔層12におけるAl原子が特に規則性なく分散している。これらの結果から、金属多孔層12のAlは、すべて充填された構造となっておらず、空隙がある粗な構造であることを示していると考えられる。
図4Cでは、白色に見える領域に酸素原子が存在していることを示している。これによると、金属多孔層12の領域における酸素原子が特に規則性なく分散している。このことからも、金属多孔層12におけるAlは、密に充填された構造や針状構造ではなく、空隙がある粗な構造であることを示すと考えられる。
図4Dでは、白色に見える領域に炭素原子が存在していることを示している。これによると、金属多孔層12の領域に炭素原子が存在していることが示されており、樹脂部材由来の炭素原子が金属多孔層12に入り込んでいると考えられる。樹脂部材が針状構造でない粗な構造の金属多孔層12中に入り込んでいる場合、金属多孔層12の構造としては、空隙が多く、空隙が網目状に繋がっているものが考えられる。
なお、図4に示す金属多孔層12の凹凸法線方向における厚みは、同図に示したスケールから判断して、200nm程度であった。
このように、低融点の金属材料もしくはその合金を金属基材10とし、金属基材10の一面10aの一部もしくは全部にミクロオーダーの凹凸形状である凹凸層11および凹凸層11上にナノオーダーの金属多孔層12を備えた金属部材M1とする。また、金属多孔層12を穴状の空隙である空孔12aを有する微細構造とする。
これにより、他の部材との接合においてミクロオーダーの凹凸形状による第1のアンカー効果に加え、空孔12aに他の部材が入り込むことによる第2のアンカー効果を奏する、言わば二重のアンカー効果を奏する構造を備えた金属部材M1となる。また、金属多孔層12は、針状のような先端が細く尖った形状と異なり、空孔12aを複数個備えた構造であることから、押圧による折れが生じにくい形状である。さらに、金属多孔層12は、還元雰囲気下で還元されてその形状が多少鈍ったとしても、空孔12aが塞がるわけではないため、他の部材との接合に適した形状のまま維持される。
よって、金属部材M1は、製造された後であっても、押圧や還元による悪影響を受けにくく、他の部材との接合に適した形状が維持される。また、金属部材M1は、低融点の金属材料もしくはその合金を基材として用いればよく、その材料選択の自由度が高い。金属部材M1のうち凹凸層11および金属多孔層12を形成した領域については、金属材料の酸化物により構成されるため、還元されない限り、耐食性を備える。
低融点の金属材料もしくはその合金を金属基材10とし、その一面10aに低エネルギー密度のレーザービームをパルス発振で照射することにより、他の部材との接合に適した形状の凹凸層11および金属多孔層12を備えた金属部材M1を製造できる。また、レーザービームを照射した領域に凹凸層11および金属多孔層12を形成できるため、当該製造方法によると、他の部材との接合に適した形状の形成領域の自由度を高くできる。
(第2実施形態)
第2実施形態について、図5、図6を参照して述べる。図6では、図2と同様に、切断面における空孔12aを破線で示し、図6の切断面の空孔12a同士を図6の切断面と異なる面において図6の左右方向で繋ぐ空孔12を二点鎖線で示し、凹凸層11と金属多孔層12との界面11aを一点鎖線で示している。
図5に示す本実施形態の複合体C1は、例えば電子部品をモールド樹脂で封止してなるモールドパッケージや樹脂材料を介して他の金属部材と接合されるダイカスト品などの密着性や気密性を必要とする複合体として適用される。複合体C1は、図5に示すように、上記第1実施形態の金属部材M1と樹脂部材20とが金属部材M1に設けられた凹凸層11および金属多孔層12を介して接合されたものである点で、上記第1実施形態と相違する。本実施形態では、この相違点を主に説明する。
樹脂部材20は、金属部材M1に設けられた凹凸層11および金属多孔層12を介して接合されており、例えばエポキシ樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂などの公知の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などにより構成されている。
なお、樹脂部材20は、後述するように空孔12aに流れ込むように流動性のある樹脂材料であればよく、上記の材料に限らず、他の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などが用いられてもよい。また、樹脂材料20は、金属部材M1との熱膨張係数差を小さくする目的などにより、フィラーが含まれた構成とされていてもよい。
樹脂部材20は、金属部材M1のうち凹凸層11および金属多孔層12を備える一面10aを覆うように設けられ、凹凸層11の形状に沿って凹凸層11を埋めつつ、金属多孔層12に設けられた空孔12aに入り込んでいる。具体的には、樹脂部材20は、図5に示すように、本実施形態の複合体C1を製造する際に流動性のある樹脂材料により金属部材M1を封止して硬化した結果、空孔12aに流れ込み、空孔12aを塞いでいる。これにより、樹脂部材20は、凹凸層11および金属多孔層12による凹凸を埋めることによる第1のアンカー効果および空孔12aに流れ込んだ状態でこれを塞ぐことによる第2のアンカー効果、すなわち二重のアンカー効果により金属部材M1と接合されている。
次に、本実施形態の複合体C1の製造方法について簡単に説明する。まず、上記第1実施形態の金属部材M1の製造方法で述べたのと同様の工程により、凹凸層11および金属多孔層12を備えた金属部材M1を用意する。
次に、流動性のある樹脂材料、例えば液状のエポキシ樹脂を金属部材M1のうち凹凸層11および金属多孔層12が設けられた一面10a上に塗布する。このとき、架橋により硬化する前のエポキシ樹脂のプレモノマーのサイズが数nm程度であることから、直径が1nm以上100nm未満で形成された空孔12aにエポキシ樹脂が流れ込む。その後、加熱処理を行い、エポキシ樹脂を硬化させて樹脂部材20とすることにより、金属多孔層12の空孔12aに樹脂部材20が入り込んだ本実施形態の複合体C1を製造することができる。
なお、樹脂材料のポリマーの一分子の大きさは、硬化前の液状の状態において、オングストローム(Å)単位程度である。また、C−C結合の長さが約0.154Åであって、同結合の角度が約109.5°であるプレポリマーは一般的に重合度340〜3000の自由連結ポリマーであり、平均末端間距離は、約3〜10nmである。これを考慮すると、樹脂材料が空孔12aに流れ込むようにするためには、金属部材M1が備える空孔12aの最大幅寸法は1nm以上であることが好ましく、3nm以上であることがより好ましい。
次に、本実施形態の複合体における金属部材と樹脂部材との密着について説明する。
ナノオーダーの針状凹凸、すなわち従来の微細凹凸は、レーザービーム照射により金属部材に形成される。しかし、当該微細凹凸は、形成された後に還元雰囲気下にて還元された場合、微細な形状が鈍ってしまったり、押圧により折れたりしやすい形状である。そのため、結果として、樹脂部材との接合の際における空隙が少なくなってしまう。
押圧や還元影響を受けていない従来の微細凹凸を有する金属部材と樹脂部材とが接合された複合体は、剥離試験を行っても、樹脂部材のバルクで破断が生じる。これは、従来の微細凹凸を金属部材に設けることで、金属部材と樹脂部材との密着力が強くなり、これよりも強度が低い樹脂のバルクで破断が生じたことを示している。一方、還元や押圧による影響を受けた当該針状凹凸を有する金属部材と樹脂部材とが接合された複合体は、剥離試験を行うと、金属部材と樹脂部材との界面で剥離した。これは、金属部材と樹脂部材との密着力が、押圧や還元の影響により低下したことを示している。
これに対して、本実施形態の金属部材M1と樹脂部材20との複合体は、押圧や還元の影響を受けた金属部材M1を用いても、剥離試験において樹脂のバルクで破断することが多かった。これは、金属部材M1における凹凸層11がマイクロオーダーとされることで折れにくく、かつ、金属多孔層12が網目状の層とされることで押圧による折れや還元による形状の鈍化の影響を受けにくいことによると考えられる。すなわち、本実施形態の複合体は、金属部材M1が押圧や還元による影響を受けても、樹脂部材が接合の際に入り込む空隙が残りやすいために、従来の微細凹凸を設けた金属部材を用いた複合体よりも密着性が高く維持されると推測される。
このように、凹凸層11および金属多孔層12を備える金属部材M1と樹脂部材20とが接合されてなり、樹脂部材20が凹凸層11を覆いつつ、金属多孔層12に備えられた空孔12aを埋めるように形成された複合体C1とする。これにより、凹凸層11による第1のアンカー効果と金属多孔層12による第2のアンカー効果との二重のアンカー効果により、金属部材M1と樹脂部材20とが強固に密着し、従来の金属部材と樹脂部材との複合体に比べて密着性や気密性が高い複合体C1となる。
(第3実施形態)
第3実施形態について、図7を参照して述べる。図7に示す本実施形態の複合体C2は、上記第2実施形態と同様に金属部材M1と樹脂部材20とに相当する部材を有してなるが、電子部品がモールド樹脂により封止されてなるモールドパッケージに適用された点が上記第2実施形態と異なる。本実施形態では、この相違点について主に説明する。
複合体C2は、放熱材32と、表面30aと裏面30bとを有する基材30と、電子部品31をこの順に積み上げた構成とされ、放熱材32の一部、基材30および電子部品31を封止するモールド樹脂33とを有してなる。このような構成において、放熱材32は、放熱材32の表面のうちモールド樹脂33との界面の一部の領域に、上記第2実施形態でいう凹凸層11および金属多孔層12に相当する係合層32aが形成されている。また、複合体C2のうち放熱材32が上記第2実施形態でいう金属部材M1に相当し、複合体C2のうちモールド樹脂33が上記第2実施形態でいう樹脂部材20に相当する。
例えば、基板30は、表面30aと裏面30bとを有する矩形の板状とされ、ガラスやセラミックなどの絶縁性材料などにより構成されている。電子部品31は、例えば半導体のICチップや回路素子などであり、図7には図示しない接着剤やはんだなどを介して基板30の表面30a側に搭載されている。モールド樹脂33は、例えばエポキシ樹脂、ポリアミド系樹脂などの公知の樹脂材料などにより構成されている。
放熱材32は、例えばAlやAl合金などにより構成され、図7には図示しない接着剤やはんだなどを介して基板30の裏面30bと熱的に接続されている。放熱材32は、例えば基板30よりも面積が広い面を有する矩形の板状とされている。放熱材32のうち基板30と接続されている面の反対面については、モールド樹脂33から露出している。放熱材32のうち基板30と接続されている領域と異なる領域には、モールド樹脂33と接合するための凹凸層11および金属多孔層12が設けられており、放熱材32とモールド樹脂33とが凹凸層11および金属多孔層12を介して強固に密着している。
なお、複合体C2は、凹凸層11および金属多孔層12を備える放熱板32を含み、放熱板32とモールド樹脂33とが凹凸層11および金属多孔層12を介して接合されている点を除けば、公知のモールドパッケージと同様の構造とされている。
複合体C2は、凹凸層11および金属多孔層12を備える放熱材32を用意することを除いては、同様の構成とされたモールドパッケージの公知の製造工程により製造される。また、凹凸層11および金属多孔層12を備える放熱材32を用意することにおいては、上記第2実施形態で述べたのと同様の工程により用意できるため、説明を省略する。
このように複合体C2を上記のような構成のモールドパッケージとすることで、放熱材32とモールド樹脂33とが凹凸層11および金属多孔層12を介して強固に密着し、密着性や気密性の高いモールドパッケージとなる。
(第4実施形態)
第4実施形態について、図8を参照して述べる。図8に示す複合体C3は、上記第2実施形態と同様に金属部材M1と樹脂部材20とに相当する部材を有してなるが、パワーモジュール40と放熱フィン42とが接合された半導体装置に適用された点が上記第2実施形態と異なる。本実施形態では、この相違点について主に説明する。
複合体C3は、パワーモジュール40と放熱フィン42とが接合材41を介して接合されてなる半導体装置とされている。パワーモジュール40は、例えばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistorの略)やMOSFET(metal-oxside-semiconductor field-effect transistorの略)などのパワー半導体を内蔵したモールドパッケージなどであり、公知の構造と同様の構造とされている。このような構成において、放熱フィン42は、放熱フィン42の表面のうち接合材41との界面の一部もしくは全部の領域に、上記第2実施形態でいう凹凸層11および金属多孔層12に相当する係合層42aが形成されている。また、複合体C3のうち放熱フィン42が上記第2実施形態でいう金属部材M1に相当し、複合体C3のうち接合材41が上記第2実施形態でいう樹脂部材20に相当する。
接合材41は、放熱フィン42とパワーモジュール40とを接合するために設けられ、例えば熱伝導性および金属材料との接着性が高いSi系材料などにより構成されている。接合材41が放熱フィン42に設けられた係合層42aを埋めることにより、二重のアンカー効果が生じ、接合材41は、放熱フィン42と強固に密着する。
放熱フィン42は、半導体装置を駆動した際に生じる熱を放熱するための部材であり、公知の放熱フィンの形状、例えば半導体装置との接合面の反対面に複数の板状の部材が平行する方向に沿って一定間隔ごとに配置された形状とされている。
複合体C3は、凹凸層11および金属多孔層12に相当する係合層42aを備える放熱フィン42を用意することを除けば、公知のパワーモジュールと放熱フィンとを接合する方法により製造できる。また、凹凸層11および金属多孔層12を備える放熱フィン42を用意することにおいては、上記第2実施形態で述べたのと同様の工程により用意できるため、説明を省略する。
このように複合体C3を上記のような構成の半導体装置とすることで、放熱フィン42とパワーモジュール40とが係合層42aを介して強固に密着し、密着性や気密性が高く、放熱特性に優れた半導体装置となる。
(第4実施形態の変形例)
次に、第4実施形態の変形例について、図9を参照して述べる。上記第4実施形態の複合体C3では、パワーモジュール40の片面から放熱する構造の半導体装置について示したが、図9に示すように、パワーモジュール52の両面から放熱する構造の半導体装置としてもよい。
具体的には、変形例の複合体C4は、図9に示すように、端子53を備えるパワーモジュール52と、パワーモジュール52の収容部材および放熱部材である金属製ケース50と、パワーモジュール52を封止する封止樹脂51と、により構成されている。このような構成において、パワーモジュール52のうち端子53の一部を除く部分は、金属製ケース50のうちパワーモジュール52を収容する収容部にすべて囲まれるように収容されると共に、封止樹脂51により封止されている。パワーモジュール52の端子53は、封止樹脂51から露出している。そして、金属製ケース50のうち収容部の内壁には、凹凸層11および金属多孔層12に相当する係合層50aが形成されている。
これにより、複合体C4は、金属製ケース50と封止樹脂51とが強固に密着されると共に、パワーモジュール52の駆動時に生ずる熱をパワーモジュール52の両面から放出する両面放熱構造の半導体装置となる。
(他の実施形態)
なお、上記した各実施形態に示した金属部材M1や複合体C1〜C3およびその製造方法は、本発明の一例を示したものであり、上記の各実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
例えば、第2実施形態で示した複合体C1は、金属部材と樹脂部材とが接合されてなり、金属部材と樹脂部材との密着性や気密性を必要とする部材に適用するものであればよく、上記第3実施形態や第4実施形態で述べた例以外にも適用することができる。具体的には、金属部材M1としてアルミダイカスト、マグネシウムダイカストなどを用い、樹脂部材20として、樹脂材料、ゴムなどを用いて、これらを接合し、自動車部品等において特に気密性が要求される部位に適用してもよい。
第3実施形態では、放熱板32のうち基板30の裏面31bと接合している面側にのみ凹凸層11および金属多孔層12が設けられた例について述べたが、モールド樹脂33により封止されている他の面に凹凸層11および金属多孔層12が設けられていてもよい。また、第3実施形態では、放熱板32が1つだけ設けられた片面放熱構造とされている例について述べたが、電子部品31を2つの放熱板32で挟む両面放熱構造とされていてもよい。
10 金属基材
11 凹凸層
11a 凹凸表面
12 金属多孔層
12a 空孔
20 樹脂部材

Claims (14)

  1. 一面(10a)を有し、金属材料により構成されていると共に、前記一面から凹凸形状によりなる凹凸層(11)とされた領域を有する金属基材(10)と、
    前記凹凸層上に形成された網目状の金属多孔層(12)と、を有する金属部材であって、
    前記凹凸層の凹凸形状のうち前記一面に対する法線方向において突き出た部分を凸部として、前記凹凸層を構成する複数の凸部の平均高さは、100μm未満であり、
    前記凹凸層のうち前記金属多孔層との界面である凹凸表面(11a)に対する接線に対する法線方向を凹凸法線方向とし、前記金属多孔層の凹凸法線方向における厚みは、1μm未満である金属部材。
  2. 前記金属多孔層は、空孔(12a)を複数個有し、複数の前記空孔同士が網目状に繋がるように形成されると共に、前記複数の空孔の一部が複数箇所にわたって前記金属多孔層のうち最表面まで伸びるように形成されている請求項1に記載の金属部材。
  3. 前記接線に対して平行な面における任意の方向を凹凸接線方向として、前記複数の空孔のうち前記最表面における前記凹凸接線方向での最大幅寸法は、100nm未満である請求項2に記載の金属部材。
  4. 前記金属材料は、融点が1000℃未満である低融点の金属材料もしくはその合金である請求項1から3のいずれか1つに記載の金属部材。
  5. 前記凹凸層および前記金属多孔層は、前記金属材料の酸化物により構成されている請求項1から4のいずれか1つに記載の金属部材。
  6. 一面(10a)を有し、金属材料によりなる金属基材(10)を用意することと、
    前記金属基材のうち前記一面に対して、エネルギー密度が300J/cm未満であるパルス発振のレーザービームを、パルス幅1μ秒未満として照射することにより前記一面の一部または全部を溶融または蒸発させることと、
    前記一面の一部または全部を溶融または蒸発させた後に、前記一面のうち溶融または蒸発させた領域を凝固させることにより、前記一面から凹凸形状によりなる凹凸層(11)を形成しつつ、蒸発した前記金属基材が前記一面のうち溶融または蒸発させた前記領域の内外に再付着させることで前記凹凸層上に網目状の金属多孔層(12)を形成することと、を含む金属部材の製造方法。
  7. 前記金属基材を用意することにおいては、前記金属材料を融点が1000℃未満である低融点の金属材料もしくはその合金とする請求項6に記載の金属部材の製造方法。
  8. 前記レーザービームを照射することにおいては、前記レーザービームを照射する円状のレーザー照射領域における直径を照射径(P1)とし、隣接する前記レーザー照射領域の円中心同士の距離を照射ピッチ(P2)として、前記照射径が前記照射ピッチよりも大きくする請求項6または7に記載の金属部材の製造方法。
  9. 請求項1から5のいずれか1つに記載の金属部材(M1)と、
    前記金属部材のうち前記凹凸層および前記金属多孔層に接して設けられた樹脂部材(20)と、を有し、
    前記樹脂部材は、前記空孔に入り込んでいる前記金属部材と前記樹脂部材との複合体。
  10. 前記複合体は、表裏の関係にある表面(30a)と裏面(30b)とを有する基板(30)と、前記表面側に搭載された電子部品(31)と、前記裏面と接続された金属材料によりなる放熱板(32)と、前記表面、前記電子部品および前記放熱板のうち前記基板と接続された面を封止するモールド樹脂(33)とを備えるモールドパッケージであって、
    前記複合体のうち前記金属部材は、前記放熱板であり、
    前記複合体のうち前記樹脂部材は、前記モールド樹脂であり、
    前記金属部材のうち前記樹脂部材との界面をなす領域に前記凹凸層および前記金属多孔層が形成されている請求項9に記載の複合体。
  11. 前記複合体は、パワーモジュール(40)と放熱フィン(42)とが接合材(41)を介して熱的に接続された半導体装置であって、
    前記複合体のうち前記金属部材は、前記放熱フィンであり、
    前記複合体のうち前記樹脂部材は、前記接合材であり、
    前記金属部材のうち前記樹脂部材と接続されている領域に前記凹凸層および前記金属多孔層が形成されている請求項9に記載の複合体。
  12. 一面(10a)を有し、金属材料によりなる金属基材(10)を用意することと、
    前記金属基材のうち前記一面に対して、エネルギー密度が300J/cm未満であるパルス発振のレーザービームを、パルス幅1μ秒未満として照射することにより前記一面を溶融または蒸発させることと、
    前記一面の一部または全部を溶融または蒸発させた後に、前記一面のうち溶融または蒸発させた領域を凝固させることにより、前記一面から凹凸形状によりなる凹凸層(11)を形成しつつ、蒸発した前記金属基材が前記一面のうち溶融または蒸発させた前記領域の内外に再付着させることで前記凹凸層上に網目状の金属多孔層(12)を形成して金属部材(M1)を製造することと、
    前記凹凸層および前記金属多孔層が設けられた前記一面に、流動性の樹脂材料を流し込んだ後に硬化することで前記金属部材と前記一面で接合する樹脂部材(20)を形成することと、を含む前記金属部材と前記樹脂部材との複合体の製造方法。
  13. 前記金属基材を用意することにおいては、前記金属材料を融点が1000℃未満である低融点の金属材料もしくはその合金とする請求項12に記載の複合体の製造方法。
  14. 前記レーザービームを照射することにおいては、前記レーザービームを照射する円状のレーザー照射領域における直径を照射径(P1)とし、隣接する前記レーザー照射領域の円中心同士の距離を照射ピッチ(P2)として、前記照射径が前記照射ピッチよりも大きくする請求項12または13に記載の前記接合用金属部材と前記樹脂部材との複合体の製造方法。
JP2016222542A 2016-11-15 2016-11-15 金属部材および金属部材と樹脂部材との複合体並びにそれらの製造方法 Active JP6648671B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016222542A JP6648671B2 (ja) 2016-11-15 2016-11-15 金属部材および金属部材と樹脂部材との複合体並びにそれらの製造方法
PCT/JP2017/039796 WO2018092607A1 (ja) 2016-11-15 2017-11-02 金属部材および金属部材と樹脂部材との複合体並びにそれらの製造方法
CN201780069366.6A CN110073035B (zh) 2016-11-15 2017-11-02 金属构件及金属构件与树脂构件的复合体及其制造方法
US16/296,868 US10755998B2 (en) 2016-11-15 2019-03-08 Metal member, composite of metal member and resin member, and production method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016222542A JP6648671B2 (ja) 2016-11-15 2016-11-15 金属部材および金属部材と樹脂部材との複合体並びにそれらの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018080360A true JP2018080360A (ja) 2018-05-24
JP6648671B2 JP6648671B2 (ja) 2020-02-14

Family

ID=62146294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016222542A Active JP6648671B2 (ja) 2016-11-15 2016-11-15 金属部材および金属部材と樹脂部材との複合体並びにそれらの製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10755998B2 (ja)
JP (1) JP6648671B2 (ja)
CN (1) CN110073035B (ja)
WO (1) WO2018092607A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112126891A (zh) * 2019-06-25 2020-12-25 本田技研工业株式会社 铝构件的制造方法及铝构件
JP2021098307A (ja) * 2019-12-23 2021-07-01 ポリプラスチックス株式会社 複合成形品および溝付き樹脂成形品
WO2021153243A1 (ja) * 2020-01-31 2021-08-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置
JP2021152193A (ja) * 2020-03-24 2021-09-30 本田技研工業株式会社 酸化被膜及び酸化被膜付部品
WO2023032446A1 (ja) * 2021-09-03 2023-03-09 ポリプラスチックス株式会社 金属樹脂複合成形品、金属部材の加工方法、金属樹脂複合成形品の製造方法
WO2023153332A1 (ja) * 2022-02-08 2023-08-17 株式会社ヒロテック 接合用樹脂材及びその製造方法並びに接合用樹脂材を用いた接合方法
JP7494721B2 (ja) 2020-08-03 2024-06-04 トヨタ自動車株式会社 金属部材の製造方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7057488B2 (ja) * 2017-09-27 2022-04-20 日亜化学工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR102541316B1 (ko) * 2019-01-30 2023-06-13 교세라 가부시키가이샤 방열 부재 및 이것을 구비하는 전자 장치
EP3936310A4 (en) * 2019-05-10 2023-01-25 Showa Denko Materials Co., Ltd. METAL JOINT ELEMENT AND JOINT BODY
EP3936311A4 (en) * 2019-05-10 2022-05-04 Showa Denko Materials Co., Ltd. METAL CONNECTOR AND JOINTED STRUCTURE
CN110931530B (zh) * 2019-11-26 2022-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
EP3950211B1 (en) * 2020-08-03 2024-05-15 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a metal member
JP7553305B2 (ja) 2020-09-30 2024-09-18 新東工業株式会社 複合部材の製造方法、及び複合部材
US20220143748A1 (en) * 2020-11-12 2022-05-12 Nutech Ventures Laser surface processing systems and methods for producing near perfect hemispherical emissivity in metallic surfaces
CN112810250B (zh) * 2021-02-02 2022-08-30 河北工业大学 一种金属基体表面仿生微结构增强纤维金属层板
FR3121266A1 (fr) * 2021-03-29 2022-09-30 Valeo Vision Dissipateur thermique pour composant électronique et procédé de fabrication associé
US20240196540A1 (en) * 2021-04-09 2024-06-13 Samtec, Inc. High aspect ratio vias filled with liquid metal fill
CN113154927B (zh) * 2021-05-25 2022-03-11 中国核动力研究设计院 一种微纳结构表面强化传热方法
CN113594151B (zh) * 2021-06-25 2024-05-14 苏州汉天下电子有限公司 半导体封装及其制造方法
CN114375117A (zh) * 2021-12-06 2022-04-19 之江实验室 一种应用于深海大功率电子器件的散热模组

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015087482A1 (ja) * 2013-12-09 2015-06-18 株式会社デンソー 金属部材およびその表面加工方法、半導体装置およびその製造方法、複合成形体

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4937653A (en) * 1988-07-21 1990-06-26 American Telephone And Telegraph Company Semiconductor integrated circuit chip-to-chip interconnection scheme
JP2002222832A (ja) * 2001-01-29 2002-08-09 Nec Corp 半導体装置及び半導体素子の実装方法
JP2005150228A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
CN101313087B (zh) * 2005-10-04 2010-12-08 大成普拉斯株式会社 金属和树脂的复合体及其制造方法
US8222118B2 (en) * 2008-12-15 2012-07-17 Intel Corporation Wafer backside grinding with stress relief
KR101791713B1 (ko) * 2010-02-05 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치
JP5941787B2 (ja) 2012-08-09 2016-06-29 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワーモジュールおよびパワーモジュールの製造方法
CN105377548B (zh) * 2013-07-18 2018-12-28 大赛璐塑料株式会社 复合成型体
CN104562024B (zh) * 2013-10-24 2017-08-25 富泰华精密电子(郑州)有限公司 金属与树脂的复合体及其制造方法
US9230863B2 (en) * 2014-02-11 2016-01-05 GlobalFoundries, Inc. Method for producing integrated circuit with smaller grains of tungsten

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015087482A1 (ja) * 2013-12-09 2015-06-18 株式会社デンソー 金属部材およびその表面加工方法、半導体装置およびその製造方法、複合成形体

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112126891A (zh) * 2019-06-25 2020-12-25 本田技研工业株式会社 铝构件的制造方法及铝构件
JP2021004377A (ja) * 2019-06-25 2021-01-14 本田技研工業株式会社 アルミニウム部材の製造方法及びアルミニウム部材
JP2021098307A (ja) * 2019-12-23 2021-07-01 ポリプラスチックス株式会社 複合成形品および溝付き樹脂成形品
JP7492333B2 (ja) 2019-12-23 2024-05-29 ポリプラスチックス株式会社 複合成形品および溝付き樹脂成形品
WO2021153243A1 (ja) * 2020-01-31 2021-08-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置
JP2021152193A (ja) * 2020-03-24 2021-09-30 本田技研工業株式会社 酸化被膜及び酸化被膜付部品
JP7095010B2 (ja) 2020-03-24 2022-07-04 本田技研工業株式会社 酸化被膜及び酸化被膜付部品
JP7494721B2 (ja) 2020-08-03 2024-06-04 トヨタ自動車株式会社 金属部材の製造方法
WO2023032446A1 (ja) * 2021-09-03 2023-03-09 ポリプラスチックス株式会社 金属樹脂複合成形品、金属部材の加工方法、金属樹脂複合成形品の製造方法
JP7499223B2 (ja) 2021-09-03 2024-06-13 ポリプラスチックス株式会社 金属樹脂複合成形品、金属樹脂複合成形品の製造方法
WO2023153332A1 (ja) * 2022-02-08 2023-08-17 株式会社ヒロテック 接合用樹脂材及びその製造方法並びに接合用樹脂材を用いた接合方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6648671B2 (ja) 2020-02-14
US10755998B2 (en) 2020-08-25
US20190206761A1 (en) 2019-07-04
CN110073035B (zh) 2021-04-30
WO2018092607A1 (ja) 2018-05-24
CN110073035A (zh) 2019-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018092607A1 (ja) 金属部材および金属部材と樹脂部材との複合体並びにそれらの製造方法
US9517532B2 (en) Metal member, metal member surface processing method, semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and composite molded body
JP4821854B2 (ja) 放熱配線基板
JP4085917B2 (ja) 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール
US8263870B2 (en) Heat dissipating wiring board, method for manufacturing same, and electric device using heat dissipating wiring board
JP4610414B2 (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置ならびに電子装置の実装構造
DE102016105243A1 (de) Räumlich Selektives Aufrauen von Verkapselungsmasse, um eine Haftung mit einer Funktionsstruktur zu Fördern
US20050221538A1 (en) Resin encapsulated semiconductor device and the production method
US20200176342A1 (en) Clip, lead frame, and substrate used in semiconductor package having engraved pattern formed thereon and the semiconductor package comprising the same
CN110998839B (zh) 功率模块
WO2016092791A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2019536286A (ja) ランダムに構成されるボイドを有するナノ粒子層により高められた接着
US7638872B2 (en) Power semiconductor module
KR20190054661A (ko) 미세 음각 패턴이 형성된 기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지
JP2019106480A (ja) 金属部材および当該金属部材を用いた半導体素子、樹脂金属複合体、半導体装置、異種金属複合体並びに当該金属部材の製造方法
JP2007053252A (ja) 光半導体素子用パッケージ及びその製造方法
US10439586B2 (en) Electronic module having a filler in a sealing resin
JP2008227334A (ja) 放熱配線基板
WO2015079834A1 (ja) 半導体装置
US20210335686A1 (en) Interlayer of Sub-structure Having Elevations and Further Sub-structure with Filler Particles in Recesses Between the Elevations
DE102020008167B4 (de) Zwischenschicht einer Teilstruktur, welche Erhebungen hat, und einer weiteren Teilstruktur mit Füllpartikeln in Aussparungen zwischen den Erhebungen
JP7063559B2 (ja) ベース板及びパワーモジュール
JP2002299532A (ja) Al−SiC系複合体および放熱部品
US20230387068A1 (en) Method Of Manufacturing A Package Using A Clip Having At Least One Locking Recess
JP4174874B2 (ja) 電子部品搭載用基板

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181001

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190903

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191024

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191217

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191230

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6648671

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250