CN110073035A - 金属构件及金属构件与树脂构件的复合体及其制造方法 - Google Patents

金属构件及金属构件与树脂构件的复合体及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110073035A
CN110073035A CN201780069366.6A CN201780069366A CN110073035A CN 110073035 A CN110073035 A CN 110073035A CN 201780069366 A CN201780069366 A CN 201780069366A CN 110073035 A CN110073035 A CN 110073035A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal
component
layer
porous layer
complex
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780069366.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110073035B (zh
Inventor
野村匠
小林涉
神田和辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Publication of CN110073035A publication Critical patent/CN110073035A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110073035B publication Critical patent/CN110073035B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
    • B29C37/0078—Measures or configurations for obtaining anchoring effects in the contact areas between layers
    • B29C37/0082—Mechanical anchoring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/70—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by moulding
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • C23F4/02—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00 by evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • C23F4/04—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00 by physical dissolution
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F13/00—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing
    • F28F13/18—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing by applying coatings, e.g. radiation-absorbing, radiation-reflecting; by surface treatment, e.g. polishing
    • F28F13/185—Heat-exchange surfaces provided with microstructures or with porous coatings
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F3/00—Plate-like or laminated elements; Assemblies of plate-like or laminated elements
    • F28F3/02—Elements or assemblies thereof with means for increasing heat-transfer area, e.g. with fins, with recesses, with corrugations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3142—Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2089—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
    • H05K7/209—Heat transfer by conduction from internal heat source to heat radiating structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/354—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by melting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
    • B29C37/0078—Measures or configurations for obtaining anchoring effects in the contact areas between layers
    • B29C37/0082—Mechanical anchoring
    • B29C37/0085—Mechanical anchoring by means of openings in the layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2705/00—Use of metals, their alloys or their compounds, for preformed parts, e.g. for inserts
    • B29K2705/02—Aluminium
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D21/00—Heat-exchange apparatus not covered by any of the groups F28D1/00 - F28D20/00
    • F28D2021/0019—Other heat exchangers for particular applications; Heat exchange systems not otherwise provided for
    • F28D2021/0028—Other heat exchangers for particular applications; Heat exchange systems not otherwise provided for for cooling heat generating elements, e.g. for cooling electronic components or electric devices
    • F28D2021/0029—Heat sinks
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F2215/00—Fins
    • F28F2215/04—Assemblies of fins having different features, e.g. with different fin densities
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F2255/00—Heat exchanger elements made of materials having special features or resulting from particular manufacturing processes
    • F28F2255/06—Heat exchanger elements made of materials having special features or resulting from particular manufacturing processes composite, e.g. polymers with fillers or fibres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)

Abstract

一种金属构件，其具有金属基材(10)和形成于凹凸层上的网眼状的金属多孔层(12)，所述金属基材(10)具有一面(10a)，由金属材料构成，并且具有从一面被制成由凹凸形状构成的凹凸层(11)的区域。一种金属构件，其将凹凸层的凹凸形状中的在相对于一面的法线方向上突出的部分设定为凸部，构成凹凸层的多个凸部的平均高度低于100μm。一种金属构件，其将相对于下述切线的法线方向设定为凹凸法线方向，所述切线为相对于凹凸层中的与金属多孔层的界面即凹凸表面(11a)的切线，金属多孔层的凹凸法线方向上的厚度低于1μm。

Description

金属构件及金属构件与树脂构件的复合体及其制造方法
与关联申请的相互参照
本申请基于2016年11月15日申请的日本专利申请号2016-222542号，其记载内容通过参照被纳入于此。
技术领域
本公开涉及具备凹凸层和构成该凹凸层的表面的金属多孔层的金属构件、将该金属构件与树脂构件接合而得到的复合体以及它们的制造方法。
背景技术
一直以来，按照容易与树脂构件接合而一体化的方式实施了表面处理的金属构件和该金属构件与树脂构件接合而一体化的复合体在许多产业领域被使用。然而，课题是在将金属构件与树脂构件接合时，因在它们的界面处产生微小的间隙而难以确保充分的密合性和气密性。
作为解决这样的课题的金属构件和复合体，可列举出专利文献1中记载的金属构件和复合体。专利文献1中记载的金属构件在由导电性金属材料形成的基材的表面设置有按照具有凹凸形状的方式被粗糙面化的金属薄膜(以下，称为“粗糙面化金属构件”)。具体而言，形成于金属薄膜的粗糙面通过照射低能量密度、例如100J/cm2以下的激光束以该金属薄膜不会被贯穿的方式而设置，呈形成有微细凹凸的微细凹凸结构。另外，专利文献1中记载的复合体通过使树脂构件按照将呈微细凹凸结构的金属薄膜的粗糙面的间隙填埋的方式进入从而将粗糙面化金属构件与树脂构件接合而成，被用于例如半导体装置等中的接合结构等。
通过制成这样的结构，从而在将粗糙面化金属构件与树脂构件接合时，粗糙面化金属构件与树脂构件的间隙容易变小，成为适于与树脂构件的接合的结构。另外，通过粗糙面化金属构件与树脂构件接合，成为提高了它们的界面处的密合性和气密性的复合体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-20001号公报
发明内容
像这样，上述的粗糙面化金属构件与以往的金属构件相比适于与树脂构件的接合。然而，由于上述的微细凹凸结构为所谓的针状的形状且即使是微小的力也容易折断，所以在该针部分被折断的情况下，可能成为锚固效应没有被充分地发挥的形状。另外，由于该微细凹凸结构由金属薄膜的氧化物构成，所以在被暴露于还原气氛中的情况下，因氧化物被还原而针状的形状变钝，其表面的粗糙度变小而树脂构件进入的空隙变少。在这样的情况下，粗糙面化金属构件成为不适于与树脂构件的接合的形状。
本公开的目的是提供具有与针状不同的形状且在表面具备用于树脂构件进入的空隙的结构、适于与树脂构件接合的金属构件及该金属构件与树脂构件的复合体以及它们的制造方法。
为了达成上述目的，基于本公开的第1观点的金属构件具有金属基材和网眼状的金属多孔层，所述金属基材具有一面，由金属材料构成，并且具有从一面被制成由凹凸形状构成的凹凸层的区域，所述金属多孔层形成于凹凸层上。在这样的构成中，将凹凸层的凹凸形状中的在相对于一面的法线方向上突出的部分设定为凸部，构成凹凸层的多个凸部的平均高度低于100μm，将相对于下述切线的法线方向设定为凹凸法线方向，所述切线为相对于凹凸层中的与金属多孔层的界面即凹凸表面的切线，金属多孔层的凹凸法线方向上的厚度低于1μm。
由此，通过具备被制成凹凸形状的凹凸层和该凹凸层上的具有空孔的网眼状的金属多孔层，其它构件在凹凸层及金属多孔层各自中发挥锚固效应，成为适于与其它构件接合的金属构件。
基于本公开的第2观点的金属构件的制造方法包括下述步骤：准备具有一面、且由金属材料形成的金属基材；相对于金属基材中的一面，通过将脉冲幅度设定为低于1μ秒而照射能量密度低于300J/cm2的脉冲振荡的激光束，从而使一面的一部分或全部熔融或蒸发；在使一面的一部分或全部熔融或蒸发后，通过使一面中的熔融或蒸发后的区域凝固，从而从一面形成由凹凸形状构成的凹凸层，并且通过蒸发的金属基材再附着于一面中的熔融或蒸发后的区域的内外，从而在凹凸层上形成网眼状的金属多孔层。
由此，通过在金属基材上形成被制成凹凸形状的凹凸层和在该凹凸层上的具有空孔的网眼状的金属多孔层，其它构件在凹凸层及金属多孔层各自中发挥锚固效应，能够制造适于与其它构件的接合的金属构件。
基于本公开的第3观点的复合体具有例如基于第1观点的金属构件和与金属构件中的凹凸层及金属多孔层相接而设置的树脂构件，树脂构件进入空孔中。
由此，通过与具备被制成凹凸形状的凹凸层和在该凹凸层上的具有空孔的金属多孔层的金属构件接合的树脂构件与凹凸层和金属多孔层各自发挥锚固效应，从而成为密合性比以往的金属构件与树脂构件的复合体高的复合体。
基于本公开的第4观点的复合体的制造方法包括下述步骤：准备具有一面、且由金属材料形成的金属基材；相对于金属基材中的一面，通过将脉冲幅度设定为低于1μ秒而照射能量密度低于300J/cm2的脉冲振荡的激光束而使一面熔融或蒸发；在使一面的一部分或全部熔融或蒸发后，通过使一面中的熔融或蒸发后的区域凝固，从而从一面形成由凹凸形状构成的凹凸层，并且通过蒸发的金属基材再附着于一面中的熔融或蒸发后的区域的内外，从而在凹凸层上形成网眼状的金属多孔层而制造金属构件；通过在设置有凹凸层及金属多孔层的一面上浇注流动性的树脂材料后进行固化，从而形成与金属构件在一面接合的树脂构件。
由此，能够制造具备被制成凹凸形状的凹凸层和在该凹凸层上的具有空孔的金属多孔层的金属构件，通过将该金属构件与树脂构件接合，能够制造密合性比以往的金属构件与树脂构件的复合体高的复合体。
附图说明
图1是表示第1实施方式的金属构件的截面图。
图2是将第1实施方式的金属构件中的凹凸层及金属多孔层的一部分区域放大的截面图。
图3是对于第1实施方式的金属构件的制造工序中的激光束的照射进行表示的图。
图4A是表示通过透射电子显微镜(TEM)来观察第1实施方式的金属构件中的凹凸层及金属多孔层的截面而得到的结果的图。
图4B是表示通过TEM来观察第1实施方式的金属构件中的凹凸层及金属多孔层的截面而得到的结果的图。
图4C是表示通过TEM来观察第1实施方式的金属构件中的凹凸层及金属多孔层的截面而得到的结果的图。
图4D是表示通过TEM来观察第1实施方式的金属构件中的凹凸层及金属多孔层的截面而得到的结果的图。
图5是表示第2实施方式的复合体的截面图。
图6是表示第2实施方式的复合体中的金属构件与树脂构件的接合的情形的截面图。
图7是表示第3实施方式的复合体的截面图。
图8是表示第4实施方式的复合体的截面图。
图9是表示作为第4实施方式的变形例的复合体的截面图。
具体实施方式
以下，基于图对本公开的实施方式进行说明。需要说明的是，在以下的各实施方式彼此中，对于彼此相同或均等的部分标注同一符号进行说明。
(第1实施方式)
对于第1实施方式，参照图1～图4进行叙述。图1中所示的本实施方式的金属构件M1作为例如将电子部件用模制树脂等密封而成的模制封装体中的散热板、外部引出端子中使用的金属构件或压铸品的粘接部等需要密合性或气密性的金属构件被适用。
在图2中，示出对于图1中以虚线表示的区域R1即设置有凹凸层11及金属多孔层12的部位的一部分区域放大的截面，为了方便起见以一点链线表示凹凸层11与金属多孔层12的界面即凹凸表面11a。另外，在图2中，为了容易理解后述的具备空孔12a的金属多孔层12的结构，为了方便起见将图2中所示的截面中的空孔12a用虚线表示。进而，在图2中，对于将图2中所示的截面中的空孔12a彼此在与图2不同的截面中在图2中的左右方向上相连的空隙以二点链线表示。在图4A～图4D中，示出对于图1中以虚线表示的区域R1中的截面通过TEM进行观察而得到的结果，为了容易理解而标注符号。需要说明的是，图4A～图4D是将本实施方式的金属构件M1中的形成有凹凸层11及金属多孔层12的区域用树脂构件密封后，对将该区域切断后的样品的截面进行TEM观察而得到的结果。后述的图4D中的碳原子起因于该密封中使用的树脂构件。
本实施方式的金属构件M1如图1、图2中所示的那样具备具有一面10a且由金属材料形成的金属基材10、设置于金属基材10的一面10a侧且被制成凹凸形状的凹凸层11、和设置于凹凸层11上的金属多孔层12。金属多孔层12如图1或者图2中所示的那样被设置于凹凸层11上，并且形成有多个空孔12a。
在与其它构件的接合中，在凹凸层11中，产生由微米级的凹凸形状带来的锚固效应，在金属多孔层12中，产生由其它构件进入空孔12a中而带来的锚固效应。以下，将由凹凸层11带来的锚固效应称为“第1锚固效应”，将由金属多孔层12带来的锚固效应称为“第2锚固效应”。即，金属构件M1具备发挥由凹凸层11带来的第1锚固效应及由金属多孔层12带来的第2锚固效应即双重锚固效应的结构。需要说明的是，金属构件M1例如被制成长方体，但不限于长方体，可以被制成立方体、圆柱形状、多角柱形状、框体形状等，也可以被制成其它各种形状。
构成金属基材10的金属材料优选使用熔点低于1000℃的低熔点的金属材料或其合金，例如Al、Ag、Mg、Zn或Al合金等。这是由于通过由低熔点的金属材料或其合金形成的金属材料来构成金属基材10是为了形成凹凸层11及金属多孔层12所需要的条件。
需要说明的是，这里所谓的合金是指以低熔点的金属材料作为主材料、且含有其它金属材料的金属材料，熔点为1000℃以上的高熔点金属例如Cu、Mn、Si等也可以作为其它金属材料包含。例如，在低熔点的金属材料为Al的情况下，除了表示纯Al的国际铝合金的符号1000牌号的合金以外，表示Al-Cu系合金的国际铝合金的符号2000牌号到表示Al-Zn系合金的国际铝合金的符号7000牌号的合金也可以作为金属基材10使用。另外，这里所谓的“以低熔点的金属材料作为主材料”是指低熔点的金属材料占合金整体中的90质量％以上。
金属基材10只要由低熔点的金属材料构成即可，可以是板材或通过削去而形成的部件，也可以是压铸制品，还可以是其它部件等。
凹凸层11如图1中所示的那样，设置于金属构件M1的一面10a上，被制成适于与其它构件、特别是树脂构件的接合的凹凸形状，通过构成金属基材10的金属材料的氧化物来构成。以凹凸层11中的在相对于一面10a的法线方向即一面法线方向上突出的部位作为凸部，凹凸层11按照多个凸部被并列配置的方式形成。凹凸层11被制成通过具备上述那样的凹凸形状而在与其它构件接合时通过第1锚固效应与其它构件的密合性和气密性提高的形状。
将构成凹凸层11的多个凸部的一面法线方向上的厚度设定为高度，多个凸部的平均高度优选为1μm以上且低于100μm。认为虽然在至少凸部的平均高度为1μm的情况下，可得到双重锚固效应，但是在低于1μm的情况下，因第1锚固效应变小而变得难以得到双重锚固效应。另一方面，这是由于在制成凸部的平均高度超过100μm的金属构件M1的情况下，不得不提高后述的制造工序中的激光束的能量密度，若过于提高能量密度，则可能金属基材10的材料飞散而产生污染等不良情况。
需要说明的是，在图1中，主要对于由凹凸层11产生的凹凸形状被制成规则地排列的形状的例子进行了示出，但只要被制成发挥第1锚固效应的程度的凹凸形状即可，凹凸层11也可以被制成不规则的排列的形状等各种形状。
金属多孔层12如图1或图2中所示的那样，形成于设置于金属构件M1的一面10a上的凹凸层11上，被制成具备多个适于与其它构件、特别是树脂构件的接合的空孔12a的网眼状。
具体而言，空孔12a是在与其它构件接合时具有流动性的其它构件能够进入并固化的间隙。即，金属多孔层12通过按照多个空孔12a彼此以网眼状相连、并且横跨多个部位在金属多孔层12中沿着一面法线方向延伸至最外侧即最表面的方式形成而呈网眼状的形状。即，空孔12a横跨多个部位在金属多孔层12的最表面与大气相连。因此，被制成下述形状：即使是具有流动性的其它构件被涂布于空孔12a上的情况下，也与仅在1个部位与大气相连的孔状的空隙例如在铝阳极化处理中产生的孔不同，因空气被密闭而产生的空气阻力的影响少，其它构件容易流入。这样，具备多个空孔12a的金属多孔层12被制成通过其它构件流入到空孔12a中并固化来发挥第2锚固效应的形状。
将相对于下述切线的法线方向设定为凹凸法线方向，所述切线为相对于凹凸层11中的与金属多孔层12的界面即凹凸表面11a的切线，金属多孔层12的凹凸法线方向上的厚度被设定为纳米级、即低于1μm。这是由于虽然即使金属多孔层12的凹凸法线方向上的厚度为1μm以上也可得到与其它构件的密合性等的提高效果，但是必要以上地设置金属多孔层12的意义小，即使低于1μm也可得到与其它构件的密合性等的提高效果。
关于空孔12a的最大宽度尺寸，优选设定为100nm以下，关于空孔12a的尺寸宽度，优选设定为1nm以上且100nm以下的范围内。这是由于在空孔12a的尺寸宽度低于1nm的情况下，树脂构件20变得难以进入空孔12a中，在空孔12a的尺寸宽度超过100nm的情况下，因金属多孔层12的形状接近针形状而变得因按压或还原而难以维持微细的形状。
需要说明的是，这里所谓的宽度尺寸是指将与相对于凹凸表面11a的切线平行的面中的任意的方向设定为凹凸切线方向时延伸至金属多孔层12的最表面的空孔12a的凹凸切线方向上的宽度的尺寸。另外，所谓最大宽度尺寸是指尺寸宽度中的最大的尺寸。
需要说明的是，凹凸层11及金属多孔层12通过对由低熔点的金属材料或其合金构成的金属基材10进行后述的激光束照射来形成。凹凸层11及金属多孔层12只要设置于与其它构件接合的接合面上即可，可以形成于金属基材10的表面中的一部分或者全部区域中。
接着，参照图3对本实施方式的金属构件M1的制造方法进行叙述。金属构件M1的制造工序具有金属基材10的准备工序、利用激光束照射的金属基材10的表面的熔融/蒸发工序、激光束照射后的凝固/再附着的工序。
需要说明的是，关于利用激光束照射的金属基材10的表面的熔融/蒸发工序、激光束照射后的凝固/再附着的工序，金属基材10的一部分的熔融/蒸发、凝固/再附着依次瞬间地发生。但是，这里，为了方便起见分成上述的2个工序来进行说明。
首先，作为金属基材10的准备工序，准备具有一面10a、且由低熔点的金属材料或其合金形成的金属基材10。
接着，作为利用激光束照射的熔融/蒸发工序，一边以规定的间隔改变位置一边对金属基材10的一面10a照射脉冲振荡的激光束。由此，如图3中所示的那样，使金属基材10的一面10a中的照射了激光束的激光照射区域R2的部分熔融及蒸发。具体而言，金属基材10通过照射激光束，在一面10a中的激光照射区域R2内其一部分蒸发，同时剩余部分熔融。该脉冲振荡的激光束按照能量密度变得低于300J/cm2、并且脉冲幅度变得低于1μ秒的方式调节。例如，使用铝合金作为金属基材10，将能量密度调整为11J/cm2，将脉冲幅度调整为50纳秒，将激光照射区域R2调整为φ100μm径，对铝合金照射激光束。
这里，脉冲振荡的激光束的能量密度优选被设定为10J/cm2以上且低于300J/cm2的范围内。这是由于在脉冲振荡的激光束的能量密度过低至例如2J/cm2左右的情况下，由于金属基材10没有充分地熔融和蒸发，所以没有形成金属多孔层12。另一方面，这是由于在脉冲振荡的激光束的能量密度过高至300J/cm2以上的情况下，可能产生金属基材10过于熔融或蒸发而向其它区域飞散、飞沫成为污染的原因等不良情况。
在本实施方式中，将图3中的左右方向设定为X方向，将为图3的平面上且与X方向正交的方向设定为Y方向，通过使激光束的光源沿着XY平面上移动，从而对金属基材10的一面10a的一部分依次照射激光束。在照射激光束时，可以将金属基材10固定而使激光束的光源移动，也可以将激光束的光源固定而使金属基材10移动。
最后，作为激光束照射后的凝固/再附着工序，使在上述的熔融/蒸发工序中金属基材10中熔融的部分凝固，使蒸发的部分再附着。具体而言，在熔融/蒸发工序中金属基材10的一部分被熔融或蒸发，之后进行凝固，由此在金属基材10中的激光照射区域R2中形成凹凸层11。进而，将蒸发后的金属基材10的一部分蒸镀于激光照射区域R2内外。此时，蒸发后的金属基材10的一部分通过在蒸镀后被氧化而构成氧化物并且被固定，从而形成金属多孔层12。因此，至少对于再附着工序，优选在包含氧的气氛下、例如大气环境下等进行。
像这样操作，能够制造在金属基材10的一面10a的一部分上形成有凹凸形状的凹凸层11及具备多个空孔12a的金属多孔层12的金属构件M1。
需要说明的是，如图3中所示的那样，将激光照射区域R2的直径设定为照射径P1，将相邻的激光照射区域R2的照射径P1的中心彼此的距离设定为照射间距P2，优选照射径P1大于照射间距P2。
在照射径P1小于照射间距P2的情况下，虽然在激光照射区域R2中形成凹凸层11及金属多孔层12，但是如图3(a)中所示的那样，会产生将一面10a中的相邻的激光照射区域R2彼此分割那样的未处理的区域。即，虽然通过在金属基材10的一面10a的一部分中形成凹凸层11及金属多孔层12，成为适于与其它构件的密合性和气密性的提高的形状，但是关于未处理的区域，为与其它构件的密合性和气密性的提高效果小的形状的状态。
与此相对，如图3(b)中所示的那样，在照射径P1大于照射间距P2的情况下，不会产生将一面10a中的相邻的激光照射区域R2彼此分割那样的未处理的区域。另外，即使是照射径P1略大于照射间距P2的情况下，也仅是在由彼此相邻的4个激光照射区域R2所围成的中心附近的区域中产生未处理的区域。因而，对于金属构件M1中的激光照射区域R2的集合区域，通过使照射径P1大于照射间距P2，与使照射径P1小于照射间距P2的情况相比，成为更适于提高与其它构件的密合性和气密性的形状。
这里，对完成成为本实施方式的金属构件M1的特征的凹凸层11及金属多孔层12的经过进行详细说明。
专利文献1中记载的以往的金属构件是在金属构件的表面设置有微细凹凸结构的金属构件，可以说是接近针状的形状的结构。因此，专利文献1中记载的金属构件因按压而针状的部分折断、或者因在还原气氛下微细凹凸结构的部位被还原而微细凹凸结构的形状变钝，难以维持适于与其它构件、特别是树脂构件的密合性或气密性的形状。
另外，作为其它的以往技术，可列举出使用Al或者Al合金作为金属基材、通过对其实施铝阳极化处理而形成具有无数被称为孔隙的孔的氧化被膜等。具备这样的氧化被膜的金属构件也被认为是若其它构件流入到孔隙中则与其它构件的密合性的提高效果高的形状。然而，特别是就Al合金而言，有因材质而难以利用铝阳极化处理形成氧化被膜的Al合金，材料选择受到限制。另外，利用铝阳极化处理的氧化被膜存在因热应力等而产生裂纹的课题，若产生裂纹，则与其它构件的密合性变低。进而，由于孔隙为氧化被膜的最表面侧的仅一个部位与大气相连的形状，所以因空气被密闭而引起的空气阻力的影响大，难以说是其它构件容易流入的形状。
于是，本发明人等对具有适于与其它构件、特别是树脂构件的接合的结构的金属构件进行了深入研究。其结果发现，制成在金属构件的表面除了设置有与针状不同的微细凹凸结构且为微米级的凹凸形状的凹凸层11以外、还设置有在凹凸层11的最表面侧具有树脂构件容易进入的孔状的空隙的金属多孔层12的金属构件M1。另外，本发明人等发现，通过使用低熔点的金属材料或其合金并对其通过脉冲振荡照射低能量密度的激光束，能够制造具备上述的结构的金属构件M1。
由此，金属构件M1被制成在与树脂构件的接合中发挥由凹凸形状带来的第1锚固效应与由树脂构件进入空孔12a带来的第2锚固效应相加的所谓双重锚固效应的形状。另外，由于金属构件M1为具备微米级的凹凸形状的凹凸层11和凹凸层11的最表面侧的空孔12a的形状，所以成为前端尖的形状的区域少、因由按压引起的破坏或被还原引起的微细结构的形状的钝化得到抑制的结构。
另外，由于通过使利用激光束而熔融或蒸发后的金属基材10凝固，由金属基材10的氧化物形成凹凸层11及金属多孔层12，所以凹凸层11及金属多孔层12成为具备耐蚀性的膜。凹凸层11及金属多孔层12虽然假定在还原气氛中被还原的情况下耐蚀性的效果变小，但是由于不是针状的形状，所以即使形状稍微变钝也难以损害双重锚固效应。
进而，由于凹凸层11及金属多孔层12通过上述的工序而形成，所以残留应力小，具备耐裂纹性，并且形成区域的自由度也高。此外，由于只要使用低熔点的金属材料或其合金就能够形成凹凸层11及金属多孔层12，所以金属构件M1的材料选择的自由度高。
根据本发明人等的试制研究，通过使用低熔点的金属材料或其合金作为金属基材10并照射脉冲幅度低于1μ秒、并且能量密度为10J/cm2以上且低于300J/cm2的激光束而得到了本实施方式的金属构件M1。在与该条件不同的条件下，难以制造具备凹凸层11及金属多孔层12的金属构件M1，对于通过上述的制造方法而在金属基材10上形成凹凸层11及金属多孔层12的详细机理在目前不清楚。
然而，对于在上述的条件下形成凹凸层11及金属多孔层12的理由，考虑以下的推定机理。
通过激光束照射，金属基材10中的被给予了为了蒸发所需要的能量、即蒸发能以上的能量的部分蒸发，之后在再附着时将所给予的能量放出，同时被固定化。此时，认为蒸发的金属基材10在所具有的能量变得低于蒸发能时，开始被固定化。即，推测到将通过激光束照射而被给予的能量减去蒸发能而得到的能量即剩余能量放出为止，再附着的金属基材10通过剩余能量进行振动等活动。认为由于若在金属基材10再附着而被固定化之前放出的剩余能量大，则振动等活动的量变大，所以能够成为网眼状等复杂的结构。因此，推测在金属基材10完全被固定化之前放出的剩余能量大是从金属基材10形成凹凸层11及金属多孔层12、特别是金属多孔层12的主要原因。
这里，若对高熔点金属例如熔点为1000℃以上的金属材料照射激光束，则高熔点金属的一部分被给予蒸发能以上的能量而蒸发。此时，认为由于高熔点金属的熔点高达1000℃以上，所以高熔点金属的蒸发能大，剩余能量小。因此，认为在再附着后被固定化之前失去的能量小，高熔点金属在再附着/固定化之前通过振动等活动而被放出的能量小。因此，认为高熔点金属难以通过激光束照射而形成凹凸层11及金属多孔层12、特别是金属多孔层12。
与此相对，若对低熔点的金属照射激光束，则与高熔点金属同样地蒸发，但认为由于低熔点的金属的熔点低至低于1000℃，所以低熔点的金属的蒸发能小，剩余能量大。因此，认为在再附着后被固定化之前失去的能量大，低熔点的金属在再附着/固定化之前通过振动等活动被放出的能量与高熔点金属相比大。因此，认为低熔点的金属可通过激光束照射而形成凹凸层11及金属多孔层12、特别是金属多孔层12。
由于上述那样的推定机理，认为对低熔点的金属材料(例如Al或Al合金)通过脉冲振荡照射低能量密度(例如低于300J/cm2)的激光束是本实施方式的金属构件M1的制造所需要的条件。
接着，对于通过TEM来观察使用Al作为低熔点的金属材料的金属构件M1的截面而得到的结果参照图4A～图4D进行说明。在图4A中，示出金属构件M1中的形成有凹凸层11及金属多孔层12的截面，在图4B中，示出与图4A相同的截面中的Al原子的分布。在图4C中，示出与图4A相同的截面中的氧原子的分布，在图4D中，示出与图4A相同的截面中的碳原子的分布。另外，图4A～图4D的纸面左下方所示的长方形状的框线为标尺，表示该框线的长度相当于100nm。
在图4A中，示出通过激光束照射而形成的凹凸层11及金属多孔层12的一部分区域的截面中的电子图像。另外，在图4A中，示出看起来黑色的区域为存在金属等的大原子量的物质的部分、看起来白色的区域为存在树脂等的小原子量的物质或者空洞等部分。认为表示凹凸层11中的Al由于如图4A中所示的那样TEM照片的电子图像为黑色且清晰，所以是紧密填充的结构。
与此相对，关于金属多孔层12中的Al，在TEM照片的电子图像中看起来白色的部分多，黑色且清晰的部分不连续。另外，在图4B中，金属多孔层12中的Al原子没有特别规则性地分散。由这些结果认为，表示金属多孔层12的Al没有成为全部被填充的结构，是具有空隙的稀疏的结构。
在图4C中，表示在看起来白色的区域中存在氧原子。由此，金属多孔层12的区域中的氧原子没有特别规则性地分散。由此也认为，表示金属多孔层12中的Al不是被紧密地填充的结构或针状结构，而是具有空隙的稀疏的结构。
在图4D中，表示在看起来白色的区域中存在碳原子。由此认为，表示在金属多孔层12的区域中存在碳原子，树脂构件来源的碳原子进入金属多孔层12中。认为在树脂构件进入不是针状结构的稀疏的结构的金属多孔层12中的情况下，作为金属多孔层12的结构，空隙多，空隙以网眼状相连。
需要说明的是，图4中所示的金属多孔层12的凹凸法线方向上的厚度由该图中所示的标尺判断，为200nm左右。
像这样，制成以低熔点的金属材料或其合金作为金属基材10、在金属基材10的一面10a的一部分或者全部中具备作为微米级的凹凸形状的凹凸层11及凹凸层11上的纳米级的金属多孔层12的金属构件M1。另外，将金属多孔层12制成具有孔状的空隙即空孔12a的微细结构。
由此，成为具备在与其它构件的接合中发挥所谓双重锚固效应的结构的金属构件M1，所述双重锚固效应除了由微米级的凹凸形状带来的第1锚固效应以外，还发挥由其它构件进入空孔12a中而带来的第2锚固效应。另外，金属多孔层12由于与针状那样的前端细尖的形状不同，为具备多个空孔12a的结构，所以是难以由按压产生折断的形状。进而，由于金属多孔层12即使在还原气氛下被还原而其形状稍微变钝，空孔12a也不会堵塞，所以维持适于与其它构件的接合的形状的状态。
因而，金属构件M1即使是制造后，也不易受到由按压或还原带来的不良影响，维持适于与其它构件的接合的形状。另外，金属构件M1只要使用低熔点的金属材料或其合金作为基材即可，其材料选择的自由度高。关于金属构件M1中的形成有凹凸层11及金属多孔层12的区域，由于通过金属材料的氧化物构成，所以只要没有被还原，就具备耐蚀性。
通过以低熔点的金属材料或其合金作为金属基材10并对其一面10a利用脉冲振荡照射低能量密度的激光束，能够制造适于与其它构件的接合的形状的具备凹凸层11及金属多孔层12的金属构件M1。另外，由于能够在照射了激光束的区域中形成凹凸层11及金属多孔层12，所以根据该制造方法，能够提高适于与其它构件的接合的形状的形成区域的自由度。
(第2实施方式)
对于第2实施方式，参照图5、图6进行叙述。在图6中，与图2同样地以虚线表示切断面中的空孔12a，以二点链线表示将图6的切断面的空孔12a彼此在与图6的切断面不同的面中在图6的左右方向上相连的空孔12a，以一点链线表示凹凸表面11a。
图5中所示的本实施方式的复合体C1作为例如将电子部件用模制树脂密封而成的模制封装体或介由树脂材料而与其它金属构件接合的压铸品等需要密合性或气密性的复合体被适用。复合体C1如图5中所示的那样为上述第1实施方式的金属构件M1与树脂构件20介由设置于金属构件M1上的凹凸层11及金属多孔层12被接合的复合体，在这点上与上述第1实施方式不同。在本实施方式中，主要对该不同点进行说明。
树脂构件20介由设置于金属构件M1上的凹凸层11及金属多孔层12而被接合，例如通过环氧树脂、聚酰胺系树脂、聚苯硫醚树脂等公知的热固化性树脂或热塑性树脂等来构成。
需要说明的是，树脂构件20只要是如后述那样具有流动性以流入到空孔12a中的树脂材料即可，不限于上述的材料，也可以使用其它热塑性树脂、热固化性树脂、紫外线固化性树脂等。另外，由于减小与金属构件M1的热膨胀系数差的目的等，树脂构件20也可以被设定为包含填料的构成。
树脂构件20按照将金属构件M1中的具备凹凸层11及金属多孔层12的一面10a覆盖的方式设置，沿着凹凸层11的形状将凹凸层11填埋，并且进入设置于金属多孔层12上的空孔12a中。具体而言，树脂构件20如图5中所示的那样，在制造本实施方式的复合体C1时通过具有流动性的树脂材料将金属构件M1密封而固化，结果是流入到空孔12a中，将空孔12a堵塞。由此，树脂构件20通过由将凹凸层11及金属多孔层12所产生的凹凸填埋而带来的第1锚固效应及由以流入到空孔12a中的状态将其堵塞而带来的第2锚固效应即双重锚固效应而与金属构件M1接合。
接着，对本实施方式的复合体C1的制造方法进行简单说明。首先，通过与上述第1实施方式的金属构件M1的制造方法中叙述的同样的工序，准备具备凹凸层11及金属多孔层12的金属构件M1。
接着，将具有流动性的树脂材料例如液状的环氧树脂涂布到金属构件M1中的设置有凹凸层11及金属多孔层12的一面10a上。此时，由于通过交联而固化之前的环氧树脂的预单体的尺寸为数nm左右，所以环氧树脂流入到以1nm以上且低于100nm的直径形成的空孔12a中。之后，通过进行加热处理，使环氧树脂固化而制成树脂构件20，能够制造树脂构件20进入金属多孔层12的空孔12a中的本实施方式的复合体C1。
需要说明的是，树脂材料的聚合物的一分子的大小在固化前的液状的状态下为埃单位左右。另外，C-C键的长度为约且该键的角度为约109.5°的预聚物一般为聚合度为340～3000的自由连结聚合物，其平均末端间距离为约3～10nm。若考虑这点，则为了使树脂材料流入到空孔12a中，金属构件M1所具备的空孔12a的最大宽度尺寸优选为1nm以上，更优选为3nm以上。
接着，对本实施方式的复合体中的金属构件与树脂构件的密合进行说明。
纳米级的针状凹凸即以往的微细凹凸通过激光束照射而形成于金属构件上。但是，该微细凹凸为在形成后在还原气氛下被还原的情况下微细的形状变钝、或者容易通过按压而折断的形状。因此，结果是，与树脂构件的接合时的空隙变少。
具有没有受到按压或还原影响的以往的微细凹凸的金属构件与树脂构件接合而成的复合体即使进行剥离试验，也会在树脂构件的块中产生断裂。这表示通过在金属构件上设置以往的微细凹凸，金属构件与树脂构件的密合力变强，在强度比其低的树脂的块中产生了断裂。另一方面，具有受到由还原或按压带来的影响的该针状凹凸的金属构件与树脂构件接合而成的复合体若进行剥离试验，则在金属构件与树脂构件的界面发生剥离。这表示金属构件与树脂构件的密合力因按压或还原的影响而下降。
与此相对，本实施方式的金属构件M1与树脂构件20的复合体即使使用受到了按压或还原的影响的金属构件M1，在剥离试验中大多是在树脂的块中断裂。认为这是由于通过金属构件M1中的凹凸层11被设定为微米级而难以折断、并且通过金属多孔层12被制成网眼状的层而难以受到由按压引起的折断或由还原引起的形状的钝化的影响。即，推测本实施方式的复合体由于即使金属构件M1受到由按压或还原带来的影响，也容易残留树脂构件在接合时所进入的空隙，所以与使用了设置有以往的微细凹凸的金属构件的复合体相比密合性被较高地维持。
像这样，制成具备凹凸层11及金属多孔层12的金属构件M1与树脂构件20接合而成、树脂构件20按照将凹凸层11覆盖、并且将金属多孔层12所具备的空孔12a填埋的方式形成的复合体C1。由此，成为下述复合体C1：通过由凹凸层11带来的第1锚固效应与由金属多孔层12带来的第2锚固效应这双重锚固效应，金属构件M1与树脂构件20牢固地密合，与以往的金属构件与树脂构件的复合体相比密合性或气密性高。
(第3实施方式)
对于第3实施方式，参照图7进行叙述。图7中所示的本实施方式的复合体C2与上述第2实施方式同样地具有相当于金属构件M1和树脂构件20的构件，但在适用于电子部件通过模制树脂被密封而成的模制封装体这点上与上述第2实施方式不同。在本实施方式中，主要对该不同点进行说明。
复合体C2被设定为将散热材32、具有表面30a和背面30b的基板30、电子部件31依次层叠而成的构成，且具有将散热材32的一部分、基板30及电子部件31密封的模制树脂33而成。在这样的构成中，散热材32在散热材32的表面中的与模制树脂33的界面的一部分区域中，形成有相当于上述第2实施方式中所谓的凹凸层11及金属多孔层12的结合层32a。另外，复合体C2中的散热材32相当于上述第2实施方式中所谓的金属构件M1，复合体C2中的模制树脂33相当于上述第2实施方式中所谓的树脂构件20。
例如，基板30被制成具有表面30a和背面30b的矩形的板状，通过玻璃或陶瓷等绝缘性材料等来构成。电子部件31为例如半导体的IC芯片或电路元件等，介由图7中未图示的粘接剂或软钎料等而被搭载于基板30的表面30a侧。模制树脂33通过例如环氧树脂、聚酰胺系树脂等公知的树脂材料等来构成。
散热材32通过例如Al或Al合金等来构成，介由图7中未图示的粘接剂或软钎料等与基板30的背面30b热连接。散热材32被制成例如具有面积比基板30广的面的矩形的板状。对于散热材32中的与基板30连接的面的相反面，从模制树脂33露出。在散热材32中的不同于与基板30连接的区域的区域中，设置有用于与模制树脂33接合的凹凸层11及金属多孔层12，散热材32与模制树脂33介由凹凸层11及金属多孔层12而牢固地密合。
需要说明的是，复合体C2除了包含具备凹凸层11及金属多孔层12的散热材32、且散热材32与模制树脂33介由凹凸层11及金属多孔层12而接合这点以外，被制成与公知的模制封装体同样的结构。
复合体C2除了准备具备凹凸层11及金属多孔层12的散热材32以外通过同样的构成的模制封装体的公知的制造工序来制造。另外，由于在准备具备凹凸层11及金属多孔层12的散热材32时，可以通过与上述第2实施方式中叙述的同样的工序来准备，所以省略说明。
通过像这样将复合体C2制成上述那样的构成的模制封装体，从而散热材32与模制树脂33介由凹凸层11及金属多孔层12而牢固地密合，成为密合性和气密性高的模制封装体。
(第4实施方式)
对于第4实施方式，参照图8进行叙述。图8中所示的复合体C3与上述第2实施方式同样地具有相当于金属构件M1和树脂构件20的构件，但在适用于功率模块40与散热片42接合而成的半导体装置这点上与上述第2实施方式不同。在本实施方式中，主要对该不同点进行说明。
复合体C3被制成功率模块40与散热片42介由接合材41接合而成的半导体装置。功率模块40例如是内置有IGBT(绝缘栅双极型晶体管，Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写)或MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管，metal-oxside-semiconductorfield-effect transistor的缩写)等功率半导体的模制封装体等，被制成与公知的结构同样的结构。在这样的构成中，散热片42在散热片42的表面中的与接合材41的界面的一部分或者全部区域中形成有相当于上述第2实施方式中所谓的凹凸层11及金属多孔层12的结合层42a。另外，复合体C3中的散热片42相当于上述第2实施方式中所谓的金属构件M1，复合体C3中的接合材41相当于上述第2实施方式中所谓的树脂构件20。
接合材41是为了将散热片42与功率模块40接合而设置的，例如通过热传导性及与金属材料的粘接性高的Si系材料等来构成。通过接合材41将设置于散热片42上的结合层42a填埋，从而产生双重锚固效应，接合材41与散热片42牢固地密合。
散热片42是用于将在驱动半导体装置时产生的热散热的构件，被制成公知的散热片的形状、例如在与半导体装置的接合面的相反面沿着平行的方向每隔一定间隔配置有多个板状的构件的形状。
复合体C3除了准备具备相当于凹凸层11及金属多孔层12的结合层42a的散热片42以外，可以通过公知的将功率模块与散热片接合的方法来制造。另外，由于在准备具备凹凸层11及金属多孔层12的散热片42时，可以通过与上述第2实施方式中叙述的同样的工序来准备，所以将说明省略。
通过像这样将复合体C3制成上述那样的构成的半导体装置，成为散热片42与功率模块40介由结合层42a而牢固地密合、密合性和气密性高、散热特性优异的半导体装置。
(第4实施方式的变形例)
接着，对于第4实施方式的变形例，参照图9进行叙述。就上述第4实施方式的复合体C3而言，对于从功率模块40的一面进行散热的结构的半导体装置进行示出，但也可以制成如图9中所示的那样从功率模块52的双面进行散热的结构的半导体装置。
具体而言，变形例的复合体C4如图9中所示的那样，通过具备端子53的功率模块52、作为功率模块52的容纳构件及散热构件的金属制壳体50和将功率模块52密封的密封树脂51而构成。在这样的构成中，功率模块52中的除了端子53的一部分以外的部分按照全部被包围的方式容纳于金属制壳体50中的容纳功率模块52的容纳部中，并且通过密封树脂51被密封。功率模块52的端子53从密封树脂51露出。并且，在金属制壳体50中的容纳部的内壁形成有相当于凹凸层11及金属多孔层12的结合层50a。
由此，复合体C4成为金属制壳体50与密封树脂51牢固地密合、并且将在功率模块52的驱动时产生的热从功率模块52的双面放出的双面散热结构的半导体装置。
(其它实施方式)
本公开依据实施例进行了记述，但被理解为本公开不限定于该实施例或结构。本公开也包含各种变形例或均等范围内的变形。此外，各种组合或形态、进而包含它们中的仅一个要素、一个以上、或一个以下的其它组合或形态也纳入本公开的范畴或思想范围中。
例如，第2实施方式中所示的复合体C1只要是适用于金属构件与树脂构件接合而成、需要金属构件与树脂构件的密合性或气密性的构件的复合体即可，也可以适用于上述第3实施方式或第4实施方式中叙述的例子以外。具体而言，也可以适用于使用压铸铝、压铸镁等作为金属构件M1、使用树脂材料、橡胶等作为树脂构件20、将它们接合且在汽车部件等中特别要求气密性的部位。
在第3实施方式中，对于仅在散热材32中的与基板30的背面31b接合的面侧设置有凹凸层11及金属多孔层12的例子进行了叙述，但也可以在通过模制树脂33而密封的其它面上设置有凹凸层11及金属多孔层12。另外，在第3实施方式中，对于被制成仅设置有1个散热材32的单面散热结构的例子进行了叙述，但也可以被制成将电子部件31用2个散热材32夹持的双面散热结构。

Claims (14)

1.一种金属构件，所述金属构件具有金属基材(10)和网眼状的金属多孔层(12)，
所述金属基材(10)具有一面(10a)，由金属材料构成，并且具有从所述一面被制成由凹凸形状构成的凹凸层(11)的区域，
所述金属多孔层(12)形成于所述凹凸层上，
将所述凹凸层的凹凸形状中的在相对于所述一面的法线方向上突出的部分设定为凸部，构成所述凹凸层的多个凸部的平均高度低于100μm，
将相对于下述切线的法线方向设定为凹凸法线方向，所述切线为相对于所述凹凸层中的与所述金属多孔层的界面即凹凸表面(11a)的切线，所述金属多孔层的凹凸法线方向上的厚度低于1μm。
2.根据权利要求1所述的金属构件，其中，所述金属多孔层按照具有多个空孔(12a)、且多个所述空孔彼此以网眼状相连的方式形成，并且按照所述多个空孔的一部分横跨多个部位延伸至所述金属多孔层中的最表面的方式形成。
3.根据权利要求2所述的金属构件，其中，将相对于所述切线平行的面中的任意的方向设定为凹凸切线方向，所述多个空孔中的所述最表面处的所述凹凸切线方向上的最大宽度尺寸低于100nm。
4.根据权利要求1到3中任1项所述的金属构件，其中，所述金属材料为熔点低于1000℃的低熔点的金属材料或其合金。
5.根据权利要求1到4中任1项所述的金属构件，其中，所述凹凸层及所述金属多孔层通过所述金属材料的氧化物而构成。
6.一种金属构件的制造方法，其包括下述步骤：
准备具有一面(10a)、且由金属材料形成的金属基材(10)；
相对于所述金属基材中的所述一面，通过将脉冲幅度设定为低于1μ秒而照射能量密度低于300J/cm2的脉冲振荡的激光束而使所述一面的一部分或全部熔融或蒸发；和
在使所述一面的一部分或全部熔融或蒸发后，通过使所述一面中的熔融或蒸发后的区域凝固，从而从所述一面形成由凹凸形状构成的凹凸层(11)，并且通过蒸发的所述金属基材再附着于所述一面中的熔融或蒸发后的所述区域的内外，从而在所述凹凸层上形成网眼状的金属多孔层(12)。
7.根据权利要求6所述的金属构件的制造方法，其中，在准备所述金属基材的步骤，将所述金属材料设定为熔点低于1000℃的低熔点的金属材料或其合金。
8.根据权利要求6或7所述的金属构件的制造方法，其中，在照射所述激光束的步骤中，将照射所述激光束的圆状的激光照射区域的直径设定为照射径(P1)，将相邻的所述激光照射区域的圆中心彼此的距离设定为照射间距(P2)，所述照射径大于所述照射间距。
9.一种金属构件与树脂构件的复合体，其具有：
权利要求1到5中任1项所述的金属构件(M1)、和
与所述金属构件中的所述凹凸层及所述金属多孔层相接而设置的树脂构件(20)，
所述树脂构件进入所述空孔中。
10.根据权利要求9所述的复合体，其中，所述复合体为模制封装体，所述模制封装体具备：具有处于表背的关系的表面(30a)和背面(30b)的基板(30)、搭载于所述表面侧的电子部件(31)、与所述背面连接的由金属材料形成的散热板(32)、和将所述表面、所述电子部件及所述散热板中的与所述基板连接的面密封的模制树脂(33)，
所述复合体中的所述金属构件为所述散热板，
所述复合体中的所述树脂构件为所述模制树脂，
在所述金属构件中在构成与所述树脂构件的界面的区域中形成有所述凹凸层及所述金属多孔层。
11.根据权利要求9所述的复合体，其中，所述复合体是功率模块(40)与散热片(42)介由接合材(41)而热连接的半导体装置，
所述复合体中的所述金属构件为所述散热片，
所述复合体中的所述树脂构件为所述接合材，
在所述金属构件中在与所述树脂构件连接的区域中形成有所述凹凸层及所述金属多孔层。
12.一种金属构件与树脂构件的复合体的制造方法，其包括下述步骤：
准备具有一面(10a)、且由金属材料形成的金属基材(10)；
相对于所述金属基材中的所述一面，通过将脉冲幅度设定为低于1μ秒而照射能量密度低于300J/cm2的脉冲振荡的激光束而使所述一面熔融或蒸发；
在使所述一面的一部分或全部熔融或蒸发后，通过使所述一面中的熔融或蒸发后的区域凝固，从而从所述一面形成由凹凸形状构成的凹凸层(11)，并且通过蒸发的所述金属基材再附着于所述一面中的熔融或蒸发后的所述区域的内外，从而在所述凹凸层上形成网眼状的金属多孔层(12)来制造金属构件(M1)；和
通过在设置有所述凹凸层及所述金属多孔层的所述一面上，浇注流动性的树脂材料后进行固化，从而形成与所述金属构件在所述一面接合的树脂构件(20)。
13.根据权利要求12所述的复合体的制造方法，其中，在准备所述金属基材的步骤中，将所述金属材料设定为熔点低于1000℃的低熔点的金属材料或其合金。
14.根据权利要求12或13所述的接合用金属构件与树脂构件的复合体的制造方法，其中，在照射所述激光束的步骤中，将照射所述激光束的圆状的激光照射区域的直径设定为照射径(P1)，将相邻的所述激光照射区域的圆中心彼此的距离设定为照射间距(P2)，所述照射径大于所述照射间距。
CN201780069366.6A 2016-11-15 2017-11-02 金属构件及金属构件与树脂构件的复合体及其制造方法 Active CN110073035B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016222542A JP6648671B2 (ja) 2016-11-15 2016-11-15 金属部材および金属部材と樹脂部材との複合体並びにそれらの製造方法
JP2016-222542 2016-11-15
PCT/JP2017/039796 WO2018092607A1 (ja) 2016-11-15 2017-11-02 金属部材および金属部材と樹脂部材との複合体並びにそれらの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110073035A true CN110073035A (zh) 2019-07-30
CN110073035B CN110073035B (zh) 2021-04-30

Family

ID=62146294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780069366.6A Active CN110073035B (zh) 2016-11-15 2017-11-02 金属构件及金属构件与树脂构件的复合体及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10755998B2 (zh)
JP (1) JP6648671B2 (zh)
CN (1) CN110073035B (zh)
WO (1) WO2018092607A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112810250A (zh) * 2021-02-02 2021-05-18 河北工业大学 一种金属基体表面仿生微结构增强纤维金属层板
CN113154927A (zh) * 2021-05-25 2021-07-23 中国核动力研究设计院 一种微纳结构表面强化传热方法
CN113444997A (zh) * 2020-03-24 2021-09-28 本田技研工业株式会社 氧化覆膜以及带有氧化覆膜的部件
CN113594151A (zh) * 2021-06-25 2021-11-02 苏州汉天下电子有限公司 半导体封装及其制造方法
CN114375117A (zh) * 2021-12-06 2022-04-19 之江实验室 一种应用于深海大功率电子器件的散热模组

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7057488B2 (ja) * 2017-09-27 2022-04-20 日亜化学工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR102541316B1 (ko) * 2019-01-30 2023-06-13 교세라 가부시키가이샤 방열 부재 및 이것을 구비하는 전자 장치
WO2020230197A1 (ja) * 2019-05-10 2020-11-19 昭和電工マテリアルズ株式会社 接合用金属部材及び接合体
WO2020230200A1 (ja) * 2019-05-10 2020-11-19 昭和電工マテリアルズ株式会社 接合用金属部材及び接合体
JP2021004377A (ja) * 2019-06-25 2021-01-14 本田技研工業株式会社 アルミニウム部材の製造方法及びアルミニウム部材
CN110931530B (zh) * 2019-11-26 2022-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
JP7492333B2 (ja) 2019-12-23 2024-05-29 ポリプラスチックス株式会社 複合成形品および溝付き樹脂成形品
JP7476241B2 (ja) * 2020-01-31 2024-04-30 パナソニックホールディングス株式会社 光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置
EP3950211B1 (en) * 2020-08-03 2024-05-15 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a metal member
US20220143748A1 (en) * 2020-11-12 2022-05-12 Nutech Ventures Laser surface processing systems and methods for producing near perfect hemispherical emissivity in metallic surfaces
FR3121266A1 (fr) * 2021-03-29 2022-09-30 Valeo Vision Dissipateur thermique pour composant électronique et procédé de fabrication associé
JP2024070864A (ja) * 2021-09-03 2024-05-24 ポリプラスチックス株式会社 金属樹脂複合成形品、金属樹脂複合成形品の製造方法
WO2023153332A1 (ja) * 2022-02-08 2023-08-17 株式会社ヒロテック 接合用樹脂材及びその製造方法並びに接合用樹脂材を用いた接合方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101313087A (zh) * 2005-10-04 2008-11-26 大成普拉斯株式会社 金属和树脂的复合体及其制造方法
CN104562024A (zh) * 2013-10-24 2015-04-29 富泰华精密电子（郑州）有限公司 金属与树脂的复合体及其制造方法
WO2015087482A1 (ja) * 2013-12-09 2015-06-18 株式会社デンソー 金属部材およびその表面加工方法、半導体装置およびその製造方法、複合成形体
US20150228543A1 (en) * 2014-02-11 2015-08-13 GlobalFoundries, Inc. Integrated circuits with a tungsten component and methods for producing such integrated circuits
CN105377548A (zh) * 2013-07-18 2016-03-02 大赛璐塑料株式会社 复合成型体

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4937653A (en) * 1988-07-21 1990-06-26 American Telephone And Telegraph Company Semiconductor integrated circuit chip-to-chip interconnection scheme
JP2002222832A (ja) * 2001-01-29 2002-08-09 Nec Corp 半導体装置及び半導体素子の実装方法
JP2005150228A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US8222118B2 (en) * 2008-12-15 2012-07-17 Intel Corporation Wafer backside grinding with stress relief
WO2011096286A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and semiconductor device
JP5941787B2 (ja) 2012-08-09 2016-06-29 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワーモジュールおよびパワーモジュールの製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101313087A (zh) * 2005-10-04 2008-11-26 大成普拉斯株式会社 金属和树脂的复合体及其制造方法
CN105377548A (zh) * 2013-07-18 2016-03-02 大赛璐塑料株式会社 复合成型体
CN104562024A (zh) * 2013-10-24 2015-04-29 富泰华精密电子（郑州）有限公司 金属与树脂的复合体及其制造方法
WO2015087482A1 (ja) * 2013-12-09 2015-06-18 株式会社デンソー 金属部材およびその表面加工方法、半導体装置およびその製造方法、複合成形体
US20150228543A1 (en) * 2014-02-11 2015-08-13 GlobalFoundries, Inc. Integrated circuits with a tungsten component and methods for producing such integrated circuits

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113444997A (zh) * 2020-03-24 2021-09-28 本田技研工业株式会社 氧化覆膜以及带有氧化覆膜的部件
CN113444997B (zh) * 2020-03-24 2023-07-07 本田技研工业株式会社 氧化覆膜以及带有氧化覆膜的部件
CN112810250A (zh) * 2021-02-02 2021-05-18 河北工业大学 一种金属基体表面仿生微结构增强纤维金属层板
CN112810250B (zh) * 2021-02-02 2022-08-30 河北工业大学 一种金属基体表面仿生微结构增强纤维金属层板
CN113154927A (zh) * 2021-05-25 2021-07-23 中国核动力研究设计院 一种微纳结构表面强化传热方法
CN113594151A (zh) * 2021-06-25 2021-11-02 苏州汉天下电子有限公司 半导体封装及其制造方法
CN113594151B (zh) * 2021-06-25 2024-05-14 苏州汉天下电子有限公司 半导体封装及其制造方法
CN114375117A (zh) * 2021-12-06 2022-04-19 之江实验室 一种应用于深海大功率电子器件的散热模组

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018092607A1 (ja) 2018-05-24
JP2018080360A (ja) 2018-05-24
US20190206761A1 (en) 2019-07-04
US10755998B2 (en) 2020-08-25
JP6648671B2 (ja) 2020-02-14
CN110073035B (zh) 2021-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110073035A (zh) 金属构件及金属构件与树脂构件的复合体及其制造方法
CN105722633B (zh) 金属构件及其表面加工方法、半导体装置及其制造方法、复合成型体
TWI284581B (en) Bonding material and bonding method
US9950925B2 (en) Method for forming functional part in minute space
DE102012108305B4 (de) Sensorbauelement und Verfahren
US8802557B2 (en) Micro bump and method for forming the same
DE102016105243A1 (de) Räumlich Selektives Aufrauen von Verkapselungsmasse, um eine Haftung mit einer Funktionsstruktur zu Fördern
KR20100040803A (ko) 금속계 잉크
EP3086629B1 (en) Electrical wiring member production method, electrical wiring member, electrical wiring board production method, electrical wiring board, vibrator, electronic apparatus, and moving object
US11183441B2 (en) Stress buffer layer in embedded package
US9548256B2 (en) Heat spreader and method for forming
US9053972B1 (en) Pillar bump formed using spot-laser
KR100432325B1 (ko) 전극형성방법 및 그에 이용되는 범프 전극 피형성체
CN110887390B (zh) 蒸发器及其制造方法和具有蒸发器的环形热管
JP2013529394A (ja) 放射放出半導体ボディ、放射放出半導体ボディの製造方法、および放射放出半導体部品
JPH01201941A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
US20220375817A1 (en) Liquid metal thermal interface
JP3782116B2 (ja) 金属小滴を製造し移送する方法
JP2019119094A (ja) 樹脂成形体の製造システムおよび樹脂成形体の製造方法
US20060273443A1 (en) Package for an electronic component and method for its production
WO2019131046A1 (ja) 樹脂成形体およびその製造方法、物理量センサおよびその製造方法、インサート部品およびその製造方法、樹脂成形体の製造システムおよびそれを用いた樹脂成形体の製造方法
KR20140128539A (ko) 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
DE102020111071B4 (de) Zwischenschicht einer Teilstruktur, welche Erhebungen hat, und einer weiteren Teilstruktur mit Füllpartikeln in Aussparungen zwischen den Erhebungen sowie Verfahren zu deren Herstellung
Shannon Linear Integrated Circuits
JP2023027587A (ja) 接合体、および、その接合体に用いられる金属部材の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant