JP2018073407A - 表示装置、電子機器、及びそれらの動作方法 - Google Patents

Abstract

【課題】消費電力が低減された電子機器の動作方法を提供する。
【解決手段】表示装置と、タッチセンサと、を有する電子機器において、タッチセンサによるタッチ検出がない場合、タッチセンサを休止状態にする、又はセンシング動作の駆動周波数を低くしてタッチセンサを動作させる。また、タッチセンサによるタッチ検出が続き、かつ表示装置の画像が変化しない場合も、タッチセンサを休止状態にする、又はセンシング動作の駆動周波数を低くしてタッチセンサを動作させる。
【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、表示装置、電子機器、又はそれらの動作方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の技術分野は、物、方法、又は、製造方法に関するものである。又は、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、蓄電装置、撮像装置、記憶装置、プロセッサ、電子機器、それらの駆動方法、それらの製造方法、それらの検査方法、又はそれらのシステムを一例として挙げることができる。

近年、スマートフォンなどの携帯電話、タブレット型情報端末、ノート型ＰＣ（パーソナルコンピュータ）、携帯ゲーム機等が有する表示装置において、様々な面で改良が進められている。例えば、解像度を大きくする、色再現性（ＮＴＳＣ比）を高くする、駆動回路を小さくする、消費電力を低減する、等の表示装置の開発が行われている。

また、改良の１つとして、環境の光に応じて、表示装置に映す画像の明るさを自動的に調節する機能を有する表示装置が挙げられる。該表示装置として、例えば、環境の光を反射して画像を映す機能と、発光素子を光らせて画像を映す機能と、を有する表示装置が挙げられる。この構成にすることにより、環境の光が十分に強い場合には、反射光を利用して表示装置に画像を映す表示モード（以下、第１モードという。）とし、又は環境の光が弱い場合には、発光素子を光らせて表示装置に画像を映す表示モード（以下、第２モードという。）として、表示装置に映す画像の明るさの調節を行うことができる。つまり、該表示装置は、照度計（照度センサという場合もある。）などを用いて環境の光を検知することによって、該光の強さに応じて表示方法を第１モード、第２モード、又はそれら両方を用いたモード（以下、ハイブリッド表示、又は第３モードという。）のいずれかを選択して、画像の表示を行うことができる。

ところで、発光素子を光らせて画像を映す機能と、環境の光を反射して画像を映す機能と、を有する表示装置として、例えば、１つの画素に、液晶素子を制御する画素回路と、発光素子を制御する画素回路と、を有する表示装置が特許文献１乃至特許文献３に開示されている。

本明細書では、このように、表示素子として発光素子（例えば、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、窒化物半導体発光ダイオード等）と、反射型素子（反射型液晶素子）と、を有するディスプレイを、ＥＲ−Ｈｙｂｒｉｄ ディスプレイ（Ｅｍｉｓｓｉｖｅ ＯＬＥＤ ａｎｄ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ＬＣ Ｈｙｂｒｉｄ ディスプレイ、又は、Ｅｍｉｓｓｉｏｎ／Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｈｙｂｒｉｄ ディスプレイ）と呼称する。また、表示素子として透過型液晶素子と、反射型液晶素子と、を有するディスプレイをＴＲ−Ｈｙｂｒｉｄ ディスプレイ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ ＬＣ ａｎｄ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ＬＣ Ｈｙｂｒｉｄ ディスプレイ、又は、Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ／Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｈｙｂｒｉｄ ディスプレイ）と呼称する。また、表示素子として発光素子と、反射型素子と、を有する表示装置を、ハイブリッド表示装置と呼称し、ハイブリッド表示装置を有するディスプレイをハイブリッドディスプレイと呼称する。

米国特許出願公開第２００３／０１０７６８８号明細書 国際公開第２００７／０４１１５０号公報 特開２００８−２２５３８１号公報

表示装置に、入力インターフェースとしてタッチセンサ部を設けることにより、ユーザが表示画面を触れる、又はタッチジェスチャを行うことで、該表示装置を備える電子機器を操作することができる。タッチセンサ部の設け方として、表示装置の表示画面上にタッチセンサユニットを重畳させるアウトセル型、表示装置の内部にタッチセンサユニットを設けるオンセル型、などがある。更に、液晶素子を有する表示装置の場合、液晶素子のコモン電極を、タッチセンサ電極として使用して、表示装置にタッチセンサ機能を付するフルインセル型も存在する。

ところで、アクティブマトリクス駆動方式の液晶素子を含む表示装置において、当該表示装置の画素回路に含まれるトランジスタとして、金属酸化物をチャネル形成領域に有するトランジスタを適用することによって、トランジスタのオフ電流を極めて小さくすることができる。つまり、液晶素子に書き込まれた画像データを長く保持することができる。

ここで、画素回路に含まれるトランジスタとして、金属酸化物をチャネル形成領域に有するトランジスタを適用し、かつ液晶素子のコモン電極をタッチセンサ電極としても利用する、フルインセル型のタッチセンサ表示装置を考える。フルインセル型の場合、画像を書き込む期間と、タッチセンシングを行う期間と、それぞれ設けて、駆動を行うことになる。液晶素子に画像データを書き込んでいる間は、画像データの書き込みによってノイズが生じるため、タッチセンサ部は休止状態とすることが好ましい。タッチセンシング期間において、液晶素子は、該トランジスタにより画像データを保持するため、該トランジスタの駆動は休止状態となるが、タッチセンサ部は、ユーザが触れていないときもセンシングを行うため、センシングによる消費電力が高くなる場合がある。

本発明の一態様は、新規の表示装置を提供することを課題の１つとする。又は、本発明の一態様は、新規の表示装置を有する電子機器を提供することを課題の１つとする。又は、本発明の一態様は、該表示装置、又は該電子機器の動作方法を提供することを課題の１つとする。

又は、本発明の一態様は、消費電力が低減された表示装置を提供することを課題の１つとする。又は、本発明の一態様は、新規のタッチセンシングの駆動方法を提供することを課題の１つとする。

なお本発明の一態様の課題は、上記列挙した課題に限定されない。上記列挙した課題は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した課題、及び他の課題のうち、少なくとも一つの課題を解決するものである。なお、本発明の一態様は、上記列挙した課題、及び他の課題の全てを解決する必要はない。

（１）
本発明の一態様は、表示装置と、タッチセンサと、を有する電子機器の動作方法であって、第１ステップ乃至第４ステップを有し、第１ステップは、第１期間内において、タッチセンサがタッチ検出したか否かを判別する第１判定のステップと、第１判定のステップにおいてタッチ検出が無い場合、第２ステップに移行するステップと、第１判定のステップにおいてタッチ検出がある場合、第３ステップに移行するステップと、を有し、第２ステップは、タッチセンサを休止状態にする、又はタッチセンサをタッチセンサの駆動周波数を下げて動作するステップを有し、第３ステップは、表示装置が休止状態になったか、又は表示装置が表示装置の駆動周波数を下げて動作したか否かを判別する第２判定のステップと、第２判定のステップにおいて、表示装置が休止状態になった場合、又は表示装置が表示装置の駆動周波数を下げて動作した場合、第４ステップに移行するステップと、を有し、第４ステップは、タッチ検出が続いたか否かを判別する第３判定のステップと、第３判定のステップにおいて、タッチ検出が続いた場合に、第２ステップに移行するステップと、を有することを特徴とする動作方法である。

（２）
又は、本発明の一態様は、表示装置と、タッチセンサと、を有する電子機器の動作方法であって、第１ステップと、第２ステップと、を有し、第１ステップは、第１期間内において、タッチセンサがタッチ検出したか否かを判別する第１判定のステップと、第１判定のステップにおいて、タッチ検出が無い場合に、第２ステップに移行するステップと、を有し、第２ステップは、タッチセンサを休止状態にする、又はタッチセンサをタッチセンサの駆動周波数を下げて動作するステップを有することを特徴とする動作方法である。

（３）
又は、本発明の一態様は、表示装置と、タッチセンサと、を有する電子機器の動作方法であって、第１ステップ乃至第３ステップを有し、第１ステップは、表示装置が休止状態になったか、又は表示装置が表示装置の駆動周波数を下げて動作したか否かを判別する第１判定のステップと、第１判定のステップにおいて、表示装置が休止状態になった場合、又は表示装置が表示装置の駆動周波数を下げて動作した場合、第２ステップに移行するステップと、を有し、第２ステップは、タッチ検出が続いた否かを判別する第２判定のステップと、第２判定のステップにおいてタッチ検出が続いた場合、第３ステップに移行するステップと、を有し、第３ステップは、タッチセンサを休止状態にする、又はタッチセンサをタッチセンサの駆動周波数を下げて動作するステップを有することを特徴とする動作方法である。

（４）
又は、本発明の一態様は、表示装置と、タッチセンサと、を有する電子機器の動作方法であって、表示装置は、表示部と、照度センサと、を有し、照度センサは、外光の照度を測定することで、表示部を、表示部に影が映らない第１領域と、影の映る第２領域と、に分ける機能を有し、表示部の第１領域に表示する画像の輝度を高くし、表示部の第２領域に表示する画像を表示しない、又は表示部の第２領域に表示する画像の輝度を低くすることを特徴とする動作方法である。

（５）
又は、本発明の一態様は、表示装置と、タッチセンサと、を有する電子機器の動作方法であって、表示装置は、表示部を有し、タッチセンサは、表示部を、タッチの検出の無い第１領域と、タッチの検出のある第２領域と、に分ける機能を有し、表示部の第１領域に表示する画像の輝度を高くし、表示部の第２領域に表示する画像を表示しない、又は表示部の第２領域に表示する画像の輝度を低くすることを特徴とする動作方法である。

（６）
又は、本発明の一態様は、前記（１）乃至（５）のいずれか一項において、表示装置は、反射型液晶素子と、発光素子又は透過型液晶素子の一方と、を有することを特徴とする動作方法である。

（７）
又は、本発明の一態様は、前記（６）において、電子機器は、反射型液晶素子と、タッチセンサと、が、互いに同一の電極を有する、フルインセル型であることを特徴とする動作方法である。

（８）
又は、本発明の一態様は、前記（１）乃至（７）のいずれか一項において、表示装置は、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを有することを特徴とする動作方法である。

（９）
又は、本発明の一態様は、前記（１）乃至（８）のいずれか一項において、表示装置は、チャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタを有することを特徴とする動作方法である。

本発明の一態様によって、新規の表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、新規の表示装置を有する電子機器を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、該表示装置、又は該電子機器の動作方法を提供することができる。

又は、本発明の一態様によって、消費電力が低減された表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、新規のタッチセンシングの駆動方法を提供することができる。

なお本発明の一態様の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、及び他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。従って本発明の一態様は、場合によっては、上記列挙した効果を有さない場合もある。

電子機器の構成例を説明するブロック図。 電子機器の１フレーム期間の動作例と、電子機器の駆動状態と休止状態の移行タイミングの例を説明する図。 電子機器の１フレーム期間の動作例を説明する図。 電子機器の駆動状態と休止状態との移行タイミングの例を説明する図。 電子機器の駆動状態と休止状態との移行タイミングの例を説明する図。 電子機器の構成例を説明するブロック図。 電子機器の構成例を説明するブロック図。 電子機器の駆動状態と休止状態の移行タイミングの例を説明する図。 電子機器の駆動状態と休止状態との移行タイミングの例を説明する図。 電子機器の駆動状態と休止状態との移行タイミングの例を説明する図。 電子機器の動作例を説明するフローチャート。 電子機器の動作例を説明するフローチャート。 表示装置の構成例を説明する模式図。 表示装置の構成例を説明する、回路図及びタイミングチャート。 表示装置の一例を示す斜視図。 入出力パネルの構成例を示す断面図。 入出力パネルの構成例を示す断面図。 入出力パネルが有するトランジスタの構成例を示す断面図。 入出力パネルのタッチセンサの動作例を説明する断面図。 電子機器を説明する斜視図。 タッチパネルの構成例を示す回路ブロック図。 タッチパネルの構成例を示す上面図及び斜視図。 タッチパネルの構成例を示す上面図及び斜視図。 タッチセンサの構成例を示す断面模式図。 タッチセンサの構成例を示す断面模式図。 タッチセンサの構成例を示す断面模式図。 タッチセンサの構成例を示す断面模式図。 電子機器の一例を示す斜視図。

本明細書において、ハイブリッド表示（第３モードの表示）とは、１つのパネルにおいて、反射光と、自発光とを併用して、色調又は光強度を互いに補完して、文字又は画像を表示する方法である。又は、ハイブリッド表示とは、同一画素又は同一副画素において複数の表示素子から、それぞれの光を用いて、文字及び／又は画像を表示する方法である。ただし、ハイブリッド表示を行っているハイブリッドディスプレイ装置を局所的に着目すると、複数の表示素子のいずれか一を用いて表示される画素又は副画素と、複数の表示素子の二以上を用いて表示される画素又は副画素と、を有する場合がある。

なお、本明細書等において、上記構成のいずれか１つ又は複数の表現を満たすものを、ハイブリッド表示という。

また、ハイブリッドディスプレイ装置は、同一画素又は同一副画素に複数の表示素子を有する。なお、複数の表示素子としては、例えば、光を反射する反射型素子と、光を射出する自発光素子とが挙げられる。なお、反射型素子と、自発光素子とは、それぞれ独立に制御することができる。ハイブリッドディスプレイ装置は、表示部において、反射光、及び自発光のいずれか一方又は双方を用いて、文字及び／又は画像を表示する機能を有する。

本明細書等において、画像とは、静止画に加え、動画を含む表記であるとする。つまり、本明細書等において、画像と記載された場合、静止画、動画のどちらかの表記に置き換えて、呼称することができる。また、動画は、映像などの表記に置き換えて呼称することができる。

本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ又は単にＯＳともいう）などに分類される。例えば、トランジスタの活性層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも１つを有するトランジスタのチャネル形成領域を構成し得る場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶことができる。また、ＯＳ ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物又は酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。

また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。

（実施の形態１）
本実施の形態では、表示装置及びタッチセンサ部とそれらの動作方法について、説明する。

＜構成例＞
図１は、本実施の形態で説明する電子機器の構成例を示すブロック図である。

本実施の形態において、電子機器１００は、反射型液晶素子のコモン電極を、タッチセンサ部のタッチセンサ電極としても利用し、かつ画素回路に含まれるトランジスタにＯＳ ＦＥＴを適用したハイブリッド表示装置である。電子機器１００は、グラフィックプロセシングユニットＧＰＵと、タイミングコントローラＴＣと、コモン電極電位設定回路ＣＥＰＣと、タッチパネルコントローラＴＰＣと、ゲートドライバ部ＧＤと、ソースドライバ部ＳＤと、タッチセンサ表示部ＴＤＡと、を有する。

加えて、ゲートドライバ部ＧＤは、第１ゲートドライバＧＤ１と、第２ゲートドライバＧＤ２と、を有し、ソースドライバ部ＳＤは、第１ソースドライバＳＤ１と、第２ソースドライバＳＤ２と、を有し、タッチセンサ表示部ＴＤＡは、第１表示装置ＤＤ１と、第２表示装置ＤＤ２と、タッチセンサ部ＴＳＤと、を有する。第１表示装置ＤＤ１は、反射型液晶素子を有する表示装置であり、第２表示装置ＤＤ２は、発光素子又は透過型液晶素子の一方を有する表示装置である。

グラフィックプロセシングユニットＧＰＵは、外部から送られてきたデータ１０をレンダリングして、画像データを生成する機能を有する。ここでいう外部とは、例えば、電子機器１００が備えるホスト装置、受信装置等が挙げられる。また、グラフィックプロセシングユニットＧＰＵは、該画像データをタイミングコントローラＴＣに送信する機能を有する。なお、電子機器１００は、グラフィックプロセシングユニットＧＰＵの代わりにＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を用いた構成としてもよい。

タイミングコントローラＴＣは、グラフィックプロセシングユニットＧＰＵから画像データを受け取ることで、該画像データを第１表示装置ＤＤ１、及び／又は第２表示装置ＤＤ２の画素数に応じた画像データにスケーリングする機能を有する。スケーリングされた画像データはソースドライバ部ＳＤに送信される。また、タイミングコントローラＴＣは、グラフィックプロセシングユニットＧＰＵから送られた画像データに基づいて、データ制御信号を生成する機能を有する。データ制御信号は、ソースドライバ部ＳＤと、ゲートドライバ部ＧＤと、コモン電極電位設定回路ＣＥＰＣと、に送信される。

コモン電極電位設定回路ＣＥＰＣは、タイミングコントローラＴＣからデータ制御信号を受け取ることで、画素回路に含まれる反射型液晶の極性を切り替える機能と、コモン電極（タッチセンサ電極）に印加される電位を変動する機能と、を有する。特に、本明細書等では、コモン電極（タッチセンサ電極）に印加される電位を変動する機能とは、第１表示装置ＤＤ１を駆動するためにコモン電極（タッチセンサ電極）にコモン電位を入力するステップと、タッチセンサ部ＴＳＤでセンシング動作を行うためにコモン電極（タッチセンサ電極）にタッチセンサ用パルス信号を入力するステップと、を切り替えることをいう。

ゲートドライバ部ＧＤは、タイミングコントローラＴＣからデータ制御信号を受け取ることで、該データ制御信号に基づく駆動周波数で、表示素子の選択信号を第１表示装置ＤＤ１及び第２表示装置ＤＤ２に送信する機能を有する。具体的には、第１ゲートドライバＧＤ１からの選択信号は、反射型液晶素子を選択する信号として、第１表示装置ＤＤ１に送信され、第２ゲートドライバＧＤ２からの選択信号は、発光素子（透過型液晶素子）を選択する信号として、第２表示装置ＤＤ２に送信される。また、該データ制御信号の内容によっては、ゲートドライバ部ＧＤを休止状態にすることもできる。

ソースドライバ部ＳＤは、タイミングコントローラＴＣからスケーリングされた画像データ（以下、画像信号と呼称する。）を受け取って、第１表示装置ＤＤ１に送信する機能を有する。また、画像信号の送信は、同じくタイミングコントローラＴＣから送られたデータ制御信号に基づく駆動周波数で行われる。具体的には、第１ソースドライバＳＤ１からの画像信号は、反射型液晶素子に表示する画像データとして、第１表示装置ＤＤ１に送信され、第２ソースドライバＳＤ２からの画像信号は、発光素子（透過型液晶素子）に表示する画像データとして、第２表示装置ＤＤ２に送信される。また、該データ制御信号の内容によっては、ソースドライバ部ＳＤを休止状態にすることもできる。

なお、第１表示装置ＤＤ１の駆動周波数と、第２表示装置ＤＤ２の駆動周波数は、互いに同じ値としてもよいし、異なる値としてもよい。

タッチパネルコントローラＴＰＣは、タイミングコントローラＴＣからデータ制御信号を受け取ることで、該データ制御信号に基づく駆動周波数で、タッチセンサ部ＴＳＤをセンシング動作させることができる。また、該データ制御信号の内容によっては、タッチセンサ部ＴＳＤを休止状態にすることもできる。また、タッチパネルコントローラＴＰＣは、タッチセンサ部ＴＳＤが有するタッチセンサドライバと、センス回路を制御する機能を有する。センス回路で読み出されたタッチ情報を含む信号は、タッチパネルコントローラＴＰＣで処理されて、ホスト装置などのメインコンピュータに送信される。

なお、本明細書等において、ブロック図では、構成要素を機能毎に分類し、互いに独立したブロックとして示している。しかしながら実際の回路等においては、構成要素を機能毎に切り分けることが難しく、一つの回路に複数の機能が係わる場合や、複数の回路にわたって一つの機能が関わる場合があり得る。そのため、ブロック図に示すブロックは、明細書で説明した構成要素に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる場合がある。

例えば、図１に示す電子機器１００では、第１表示装置ＤＤ１と、タッチセンサ部ＴＳＤと、を切り分けて記載しているが、液晶素子のコモン電極を、タッチセンサ部のタッチセンサ電極としても利用しているので、図１に示す第１表示装置ＤＤ１と、タッチセンサ部ＴＳＤと、は互いにコモン電極（タッチセンサ電極）の構成要素を共有している。そのため、コモン電極（タッチセンサ電極）は第１表示装置ＤＤ１に有する、という文章は、コモン電極（タッチセンサ電極）はタッチセンサ部ＴＳＤに有する、と言い換えるができる。

また、例えば、図１に示す電子機器１００は、ハイブリッド表示装置であるため、第２表示装置ＤＤ２を有しているが、本発明の一態様は、ハイブリッド表示装置に限定しない。その意味では、本発明の一態様は、第２表示装置ＤＤ２と、第２ゲートドライバと、第２ソースドライバと、を除去して、第１表示装置ＤＤ１と、タッチセンサ部ＴＳＤと、のみを有するタッチセンサ表示部ＴＤＡとした、電子機器１００としてもよい。

＜動作例１＞
次に、電子機器１００の駆動方法について、説明する。

図２（Ａ）（Ｂ）は、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２への画像データの書き込みと、タッチセンサ部ＴＳＤのセンシングと、のそれぞれのタイミングの例について、概略を示している。図２（Ａ）に示す１フレーム期間は、画像書き込み期間ＰＷＤと、センシング期間ＳＰ１と、センシング期間ＳＰ２と、を有する。図２（Ａ）に示すとおり、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２への画像データの書き込みと、タッチセンサ部のセンシングと、は１フレーム期間内で行っている。なお、１フレーム期間は１／６０ｓとしている。

画像書き込み期間ＰＷＤは、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２の表示素子に画像データを書き込む期間であり、１フレーム期間のうち、１／２フレーム期間（１／１２０ｓ）を有している。コモン電極をタッチセンサ電極として利用するフルインセル型において、画像書き込み期間ＰＷＤでは、液晶素子のコモン電極（タッチセンサ電極）にコモン電位が印加されて、液晶素子に画像データを書き込む処理が行われる。逆に、タッチセンサ部は、センシングを行うことができないため、休止状態となっている。

センシング期間ＳＰ１、及びセンシング期間ＳＰ２は、電子機器１００のタッチセンサ部ＴＳＤにおいて、センシング動作を行う期間であり、１フレーム期間のうち、それぞれ１／４フレーム（１／２４０ｓ）有する。つまり、図２（Ａ）に示す１フレーム期間において、センシング動作は２回行っている。コモン電極をタッチセンサ電極として利用するフルインセル型において、センシング期間ＳＰ１、及びセンシング期間ＳＰ２では、液晶素子のコモン電極（タッチセンサ電極）にタッチセンシング用のパルス信号が印加されて、タッチセンサを駆動する処理が行われる。逆に、第１表示装置ＤＤ１の液晶素子は、事前に書き込まれたデータを保持するため、書き込みは行われない。つまり、該液晶素子に対して選択信号を送信する必要が無いため、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２のゲートドライバは、休止状態（非走査）となっている。

なお、フルインセル型のタッチセンサ表示部ＴＤＡにおいて、第１表示装置ＤＤ１に画像を表示せず、第２表示装置ＤＤ２に画像を表示する場合（第２モードで駆動する場合）、第１表示装置ＤＤ１は、画像書き込み期間ＰＷＤの間でも休止状態（非走査）となる。また、フルインセル型のタッチセンサ表示部ＴＤＡにおいて、第２表示装置ＤＤ２に画像を表示せず、第１表示装置ＤＤ１に画像を表示する場合（第１モードで駆動する場合）、第２表示装置ＤＤ２は、画像書き込み期間ＰＷＤの間でも休止状態（非走査）となっている。

図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示した１フレーム期間の駆動タイミングに応じた、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２と、タッチセンサ部ＴＳＤと、のそれぞれの駆動、休止状態及びそれらの移行のタイミングの例を示している。

図２（Ｂ）に示すとおり、時刻Ｔ１から時刻Ｔ２までの間は１フレーム期間であり、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２は、１フレーム期間毎に、１回画像の書き込み動作が行われている。そして、その書き込み動作の間（画像書き込み期間ＰＷＤ）の間では、タッチセンサ部ＴＳＤは休止状態となっている。第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２への画像の書き込み動作の終了後、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２は、駆動状態から休止状態に移行する。

第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２が休止状態となったとき、タッチセンサ部ＴＳＤは、休止状態から駆動状態に移行する。このとき、タッチセンサ部では、センシング期間ＳＰ１、及びセンシング期間ＳＰ２で、センシング動作が行われる。センシング動作の終了後、タッチセンサ部ＴＳＤは、駆動状態から休止状態に移行する。このとき、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２は、休止状態から駆動状態に移行する。

時刻Ｔ２において、上記の動作によって、１フレーム期間分の駆動が終了する。時刻Ｔ２以降は、図２（Ｂ）では、時刻Ｔ１から時刻Ｔ２までの動作と同様に、図２（Ａ）に示した１フレーム期間の駆動を、繰り返し行う。なお、図２（Ｂ）では、時刻Ｔ２から時刻Ｔ３までにおいて、１フレーム期間の動作が行われている。

ところで、上述の図２（Ａ）は、画素数が１２８０×７２０（ＨＤ）であり、かつサイズが４．９１ｉｎｃｈである表示装置を想定したタイミングを示している。タッチセンサ表示部ＴＤＡの大きさ、例えば、第１表示装置ＤＤ１及び第２表示装置ＤＤ２の画素数、タッチセンサ部ＴＳＤの大きさによって、画像書き込み期間ＰＷＤ、センシング期間ＳＰ１、センシング期間ＳＰ２を変更してもよい。

例えば、図２とは異なる、電子機器１００の１フレーム期間内の動作タイミングを図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示す。

図３（Ａ）に示す１フレーム期間は、画像書き込み期間ＰＷＤと、センシング期間ＳＰ３と、を有する。なお、図３（Ａ）の１フレーム内の画像書き込み期間ＰＷＤは、１／２フレーム（１／１２０ｓ）であり、加えて、図３（Ａ）の１フレーム期間内のセンシング期間ＳＰ３は、１／２フレーム（１／１２０ｓ）である。図３（Ａ）のセンシング期間ＳＰ３において、センシング動作を行う回数を１回としている。つまり、図３（Ａ）の動作のタイミングは、図２（Ａ）の動作のタイミングよりも、センシング動作の回数を少なくしている。センシング動作の回数を少なくしても、タッチセンサ部ＴＳＤの感度が変わらない場合、図２（Ａ）の動作のタイミングよりも、センシング動作の回数の少ない図３（Ａ）の動作のタイミングを用いたほうが、タッチセンサ部ＴＳＤの消費電力を少なくすることができる。

図３（Ｂ）に示す１フレーム期間は、画像書き込み期間ＰＷＤと、センシング期間ＳＰ３と、を有する。なお、図３（Ｂ）の１フレーム期間内の画像書き込み期間ＰＷＤは、３／４フレーム（１／８０ｓ）であり、加えて、図３（Ｂ）の１フレーム期間内のセンシング期間ＳＰ３は、１／４フレーム（１／２４０ｓ）である。図３（Ｂ）のセンシング期間ＳＰ３において、センシング動作を行う回数を１回としている。つまり、図３（Ｂ）の動作のタイミングは、図２（Ａ）の動作のタイミングよりも、画像書き込み期間ＰＷＤを長くしているため、図３（Ｂ）の動作のタイミングは、表示装置の画素数がより大きい場合、及び／又は、表示装置のサイズが大きい場合、に適している。

図３（Ｃ）に示す１フレーム期間は、画像書き込み期間ＰＷＤと、センシング期間ＳＰ３と、を有する。なお、図３（Ｃ）の１フレーム内の画像書き込み期間ＰＷＤは、１／４フレーム（１／２４０ｓ）であり、加えて、図３（Ｃ）の１フレーム期間内のセンシング期間ＳＰ３は、３／４フレーム（１／８０ｓ）である。図３（Ｃ）のセンシング期間ＳＰ３において、センシング動作を行う回数を１回としている。つまり、図３（Ｃ）の動作のタイミングは、図２（Ａ）の動作のタイミングよりも、画像書き込み期間ＰＷＤを短くしているため、図３（Ｃ）の動作のタイミングは、表示装置の画素数がより小さい場合、及び／又は、表示装置のサイズが小さい場合、に適している。

図３（Ｄ）に示す１フレーム期間は、画像書き込み期間ＰＷＤと、センシング期間ＳＰ３と、を有する。なお、図３（Ｄ）の１フレーム期間内の画像書き込み期間ＰＷＤ、及びセンシング期間ＳＰ３の長さは、合わせて１／６０ｓとなるようにしているが、画像書き込み期間ＰＷＤと及びセンシング期間ＳＰ３のそれぞれの長さは限定しない。図３（Ｄ）のセンシング期間ＳＰ３は、複数のセンシング期間ＳＰを有しており、センシング期間ＳＰの１期間に対してセンシング動作は１回としている。つまり、図３（Ｄ）の動作のタイミングは、１フレーム期間に複数回のセンシング動作を行うため、タッチセンサ部ＴＳＤの感度を向上する手段として、適している。なお、図２（Ａ）に示す１フレーム期間は、図３（Ｄ）に示す１フレーム期間のセンシング期間ＳＰを２回とし、かつ画像書き込み期間ＰＷＤと、センシング期間ＳＰ３と、の長さをそれぞれ１／１２０ｓとしたものに相当する。

図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示す１フレーム期間の動作は一例であり、本発明の一態様に係る１フレーム期間の動作は、図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に限定されない。例えば、本発明の一態様に係る１フレーム期間の動作は、センシング期間ＳＰ３を先に行い、その後に、画像書き込み期間ＰＷＤを行うタイミングの１フレーム期間としてもよい。

＜動作例２＞
図４（Ａ）は、図２（Ｂ）とは異なる、電子機器１００における、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２と、タッチセンサ部ＴＳＤと、のそれぞれの駆動、休止状態及びそれらの移行のタイミングの例を示している。なお、図４（Ａ）における１フレーム期間の動作タイミングは、図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）のいずれか一とし、これを電子機器１００の通常の動作を行うタイミングとする。

図４（Ａ）に示すとおり、時刻Ｔ１から時刻Ｔ２までの間は１フレーム期間であり、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２は、その１フレーム期間内で、１回の画像の書き込み動作が行われている。そして、その書き込み動作の間（画像書き込み期間ＰＷＤ）の間では、タッチセンサ部ＴＳＤは休止状態となっている。第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２への画像の書き込み動作の終了後、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２は、駆動状態から休止状態に移行する。

第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２が休止状態となったとき、タッチセンサ部ＴＳＤは、休止状態から駆動状態に移行する。このとき、タッチセンサ部では、センシング期間ＳＰ３でセンシング動作が行われる。時刻Ｔ２のとき、つまりセンシング動作の終了後、タッチセンサ部ＴＳＤは、駆動状態から休止状態に移行する。このとき、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２は、休止状態から駆動状態に移行する。

ところで、時刻Ｔ２に達するまでにユーザからの操作、つまりタッチ検出が一定期間無かった場合、１フレーム期間の動作タイミングの内容に関わらず、時刻Ｔ２以降のタッチセンサ部ＴＳＤを休止状態にする。なお、このタッチセンサ部ＴＳＤを休止状態にする期間は、ユーザの任意の時間、電子機器１００に設定された時間等にしてもよい。図４（Ａ）では、３フレームの期間（時刻Ｔ２から時刻Ｔ３まで）、タッチセンサ部ＴＳＤを休止状態にしている。本明細書では、上述の時刻Ｔ２から時刻Ｔ３までの期間のような、タッチセンサ部ＴＳＤの長期的な休止状態を、長期サスペンドモードと呼称する。

厳密には、タッチセンサ部ＴＳＤの休止状態は、時刻Ｔ３までではない。時刻Ｔ３から、図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）のいずれか一のタイミングの動作が行われるため、タッチセンサ部ＴＳＤを休止状態は、時刻Ｔ３まででなく、時刻Ｔ３からの画像書き込み期間ＰＷＤの終了（時刻Ｔ４）まで続く。このため、本明細書では、時刻Ｔ２から時刻Ｔ３までの期間の状態を長期サスペンドモードと呼称することができ、又は、時刻Ｔ２から時刻Ｔ４までの期間の状態も長期サスペンドモードと呼称できるものとする。

時刻Ｔ３以降は、図２（Ｂ）と同様に、通常の１フレーム期間の動作タイミングを繰り返し行うが、ユーザからの操作、つまりタッチ検出が一定期間無かった場合は、時刻Ｔ２から時刻Ｔ３までのように、タッチセンサ部ＴＳＤを長期サスペンドモードに移行する。

なお、図４（Ａ）では、時刻Ｔ２から時刻Ｔ４までの間において、タッチセンサ部ＴＳＤが長期サスペンドモードとなっている場合を考えているが、本発明の一態様に係る動作のタイミングについては、これに限定されない。例えば、図４（Ｂ）に示すとおり、タッチセンサ部ＴＳＤを長期サスペンドモードの途中を、通常の１フレーム期間の動作タイミングを行う動作としてもよい。図４（Ｂ）では、タッチセンサ部ＴＳＤを、時刻Ｔ２から時刻Ｔ２−１．５までの間は、長期サスペンドモードとし、時刻Ｔ２−１から時刻Ｔ２−２までの間は、通常の１フレーム期間の動作タイミングを行い、時刻Ｔ２−２から時刻Ｔ３−１までの間は、再び長期サスペンドモードとしている。図４（Ｂ）では、時刻Ｔ２から時刻Ｔ４までの間において、タッチセンサ部ＴＳＤは、２フレーム期間に１のセンシング期間（１／３０ｓに１回のセンシング動作）、つまり、３０Ｈｚの駆動周波数で行っている。また、場合によって、又は状況に応じて、タッチセンサ部ＴＳＤは、６０Ｈｚ未満であり、かつ３０Ｈｚ以外の駆動周波数で動作を行ってもよい。なお、本明細書では、駆動周波数を低くした動作を、アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動と呼称する。なお、実施の形態４では、表示装置におけるアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動について詳述する。

＜動作例３＞
図５（Ａ）は、図２（Ｂ）及び図４（Ａ）（Ｂ）とは異なる、電子機器１００における、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２と、タッチセンサ部ＴＳＤと、のそれぞれの駆動、休止状態及びそれらの移行のタイミングを示している。なお、図５（Ａ）における１フレーム期間の動作タイミングは、図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）のいずれか一とする。

図５（Ａ）に示すとおり、時刻Ｔ１から時刻Ｔ２までの間は１フレーム期間であり、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２は、その１フレーム期間内で、１回の画像の書き込み動作が行われている。そして、その書き込み動作の間（画像書き込み期間ＰＷＤ）の間では、タッチセンサ部ＴＳＤは休止状態となっている。第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２への画像の書き込み動作の終了後、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２は、駆動状態から休止状態に移行する。

第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２が休止状態となったとき、タッチセンサ部ＴＳＤは、休止状態から駆動状態に移行する。このとき、タッチセンサ部では、センシング期間ＳＰ３でセンシング動作が行われる。時刻Ｔ２のとき、つまりセンシング動作の終了後、タッチセンサ部ＴＳＤは、駆動状態から休止状態に移行する。

ここで、時刻Ｔ２に達するまでにユーザからの操作、つまりタッチ検出があり続け、かつ時刻Ｔ２から第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２が長期的に休止状態となったときに、タッチセンサ部ＴＳＤが長期サスペンドモードに移行する場合を考える。第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２が長期的に休止状態となるトリガは、例えば、図１に示した電子機器１００において、グラフィックプロセシングユニットＧＰＵで、前フレームと現在フレームとの比較を行って、全ての画素で階調、色調に違いが無かった場合とすることができる。図５（Ａ）では、時刻Ｔ２から時刻Ｔ４までの間で、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２が長期的に休止状態となっている。

タッチセンサ部ＴＳＤの動作は、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２が長期的に休止状態になったあとに、長期サスペンドモードに移行する。図５（Ａ）では、時刻Ｔ３から時刻Ｔ５までの間で、長期サスペンドモードとなっている。

時刻Ｔ４以降は、図２（Ｂ）と同様に、１フレーム期間の動作タイミングを繰り返し行うが、ユーザからの操作、つまりタッチ検出があり続け、かつ第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２が長期的に休止状態となった場合は、時刻Ｔ３から時刻Ｔ５までのように、タッチセンサ部ＴＳＤを長期サスペンドモードに移行する。

なお、図５（Ａ）では、時刻Ｔ２から時刻Ｔ４までの間において、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２が長期的に休止状態となっている場合を考えているが、本発明の一態様に係る動作のタイミングについては、これに限定されない。例えば、図５（Ｂ）に示すとおり、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２を長期的に休止状態ではなく、タッチセンサ部ＴＳＤが長期サスペンドモードの状態のときに、画像書き換えの周波数を低くして、画像書き換えを行ってもよい。図５（Ｂ）では、時刻Ｔ３から時刻Ｔ４までにおいて、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２は、２フレーム期間に１の画像書き込み期間（１／３０ｓに１回の書き込み）、つまり、３０Ｈｚの駆動周波数で動作を行っている。また、場合によって、又は状況に応じて、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２は、６０Ｈｚ未満であり、かつ３０Ｈｚ以外の駆動周波数で動作を行ってもよい。つまり、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２は、駆動周波数を低くした動作であるアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動を行ってもよい。特に、表示装置のアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動については、実施の形態４で詳述する。

上述した図５（Ｂ）に示す動作方法は、タッチセンサ部ＴＳＤの長期サスペンドモードが長くなる場合において有効であり、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２の表示画素に保持している画像データを定期的にリフレッシュするため、タッチセンサ表示部ＴＤＡの表示品位を高めることができる。

ところで、ユーザからの操作、つまりタッチ検出があり続け、かつ時刻Ｔ２から第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２が休止状態となる（又はアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動する）場合とは、例えば、ユーザが常に表示画面に触れ続けており、かつ表示画像が変化しない場合を想定することができる。この想定を有するアプリケーションとしては、例えば、電子書籍閲覧ソフトウェア、ブラウザ、動画再生ソフトウェア、ファイル閲覧ソフトウェアなどがある。

ユーザが、電子機器１００において上記のアプリケーションのいずれかを起動しているとき、ユーザは、すぐに電子機器１００を操作できるようにタッチセンサ表示部ＴＤＡに常に指を触れている場合がある。例えば、アプリケーションとしてブラウザを起動しているとき、ユーザは、タッチ操作により表示画像をスクロールするが、タッチセンサ表示部ＴＤＡに指を触れた状態でタッチ操作を一時的に止めて、表示画像のスクロールを中断する場合がある。このとき、ユーザは、タッチセンサ表示部ＴＤＡに指を触れた状態で、スクロールを中断した表示画像の閲覧を行う。そして、表示画像の閲覧が終了したら、タッチセンサ表示部ＴＤＡに触れ続けていた指を再度動かし、表示画像のスクロールを行う。このように、電子機器１００においてタッチ操作を行っていて、タッチセンサ表示部ＴＤＡに指を触れた状態でタッチ操作を一時中断して、表示画像を閲覧する場合、電子機器１００は、上述の動作例３で動作を行なうのが好ましい。

表示画面のスクロールなどタッチ操作を行っているとき、タッチセンサ部ＴＳＤはセンシング動作を行い続ける。そして、タッチセンサ表示部ＴＤＡに指を触れた状態でタッチ操作を一時中断して、表示画像を閲覧するときは、表示画像は変化しないため、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２は休止状態（又はアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動）となる。このとき、タッチセンサ表示部ＴＤＡに指を触れた状態となっているが、このタッチ検出は電子機器１００に対して入力を行っていないものとみなせるため、タッチセンサ部ＴＳＤは長期サスペンドモードで動作する（又はアイドリング・ストップ駆動を行う）のが好ましい。

電子機器１００の動作として、上述で説明した、動作例１乃至動作例３を適用することによって、電子機器１００の、センシング動作にかかる消費電力を低減することができる。

また、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１とは別の表示装置及びタッチセンサ部と、それらの動作方法について、説明する。

＜構成例１＞
図６は、本実施の形態で説明する電子機器の構成例を示すブロック図である。

電子機器１０１は、反射型液晶素子（又は透過型液晶素子の場合もある。以降は、まとめて液晶素子と呼称する。）を有する第１表示装置ＤＤ１を有し、画素回路に含まれるトランジスタにＯＳ ＦＥＴを適用した電子機器である。なお、実施の形態１とは異なり、該液晶素子のコモン電極は、タッチセンサ部のタッチセンサ電極と別々に有する構成とする。電子機器１０１は、グラフィックプロセシングユニットＧＰＵと、タイミングコントローラＴＣと、タッチパネルコントローラＴＰＣと、第１ゲートドライバＧＤ１と、第１ソースドライバＳＤ１と、タッチセンサ表示部ＴＤＡと、を有する。

電子機器１０１は、実施の形態１の電子機器１００から第２表示装置ＤＤ２と、第２ゲートドライバＧＤ２と、第２ソースドライバＳＤ２と、コモン電極電位設定回路ＣＥＰＣとを、除去した構成となっている。そのため、電子機器１０１の電気的な接続については、電子機器１００の説明を参酌する。なお、図６に示す電子機器１０１において、ゲートドライバ部ＧＤは第１ゲートドライバＧＤ１として、加えて、ソースドライバ部ＳＤは第１ソースドライバＳＤ１として図示している。

グラフィックプロセシングユニットＧＰＵについては、実施の形態１のグラフィックプロセシングユニットＧＰＵの説明を参照する。

タイミングコントローラＴＣは、グラフィックプロセシングユニットＧＰＵから画像データを受け取ることで、該画像データを第１表示装置ＤＤ１の画素数に応じた画像データにスケーリングする機能を有する。スケーリングされた画像データは第１ソースドライバＳＤ１に送信される。また、タイミングコントローラＴＣは、グラフィックプロセシングユニットＧＰＵから送られた画像データに基づいて、データ制御信号を生成する機能を有する。データ制御信号は、第１ソースドライバＳＤ１と、第１ゲートドライバＧＤ１と、に送信される。

第１ゲートドライバＧＤ１は、タイミングコントローラＴＣからデータ制御信号を受け取ることで、該データ制御信号に基づく駆動周波数で、表示素子の選択信号を第１表示装置ＤＤ１に送信する機能を有する。具体的には、第１ゲートドライバＧＤ１からの選択信号は、液晶素子を選択する信号として、第１表示装置ＤＤ１に送信される。また、該データ制御信号の内容によっては、第１ゲートドライバＧＤ１を休止状態にすることもできる。

第１ソースドライバＳＤ１は、タイミングコントローラＴＣからスケーリングされた画像データ（以下、画像信号と呼称する。）を受け取って、第１表示装置ＤＤ１に送信する機能を有する。また、画像信号の送信は、同じくタイミングコントローラＴＣから送られたデータ制御信号に基づく駆動周波数で行われる。具体的には、第１ソースドライバＳＤ１からの画像信号は、液晶素子に表示する画像データとして、第１表示装置ＤＤ１に送信される。また、該データ制御信号の内容によっては、第１ソースドライバＳＤ１を休止状態にすることもできる。

タッチパネルコントローラＴＰＣについては、実施の形態１のタッチパネルコントローラＴＰＣの説明を参照する。

＜構成例２＞
図７は、実施の形態１で示した電子機器１００、及び本実施の形態の構成例１で示した電子機器１０１とは別の電子機器の構成例を示すブロック図である。

電子機器１０２は、発光素子を有する第２表示装置ＤＤ２を有し、画素回路に含まれるトランジスタにＯＳ ＦＥＴを適用した電子機器である。電子機器１０２は、グラフィックプロセシングユニットＧＰＵと、タイミングコントローラＴＣと、タッチパネルコントローラＴＰＣと、第２ゲートドライバＧＤ２と、第２ソースドライバＳＤ２と、タッチセンサ表示部ＴＤＡと、を有する。

電子機器１０２は、実施の形態１の電子機器１００から第１表示装置ＤＤ１と、第１ゲートドライバＧＤ１と、第１ソースドライバＳＤ１と、コモン電極電位設定回路ＣＥＰＣと、除去した構成となっている。そのため、電子機器１０２の電気的な接続については、電子機器１００の説明を参酌する。なお、図７に示す電子機器１０２において、ゲートドライバ部ＧＤは第２ゲートドライバＧＤ２として、加えて、ソースドライバ部ＳＤは第２ソースドライバＳＤ２として図示している。

グラフィックプロセシングユニットＧＰＵについては、実施の形態１のグラフィックプロセシングユニットＧＰＵの説明を参照する。

タイミングコントローラＴＣは、グラフィックプロセシングユニットＧＰＵから画像データを受け取ることで、該画像データを第２表示装置ＤＤ２の画素数に応じた画像データにスケーリングする機能を有する。スケーリングされた画像データは第２ソースドライバＳＤ２に送信される。また、タイミングコントローラＴＣは、グラフィックプロセシングユニットＧＰＵから送られた画像データに基づいて、データ制御信号を生成する機能を有する。データ制御信号は、第２ソースドライバＳＤ２と、第２ゲートドライバＧＤ２と、に送信される。

第２ゲートドライバＧＤ２は、タイミングコントローラＴＣからデータ制御信号を受け取ることで、該データ制御信号に基づく駆動周波数で、表示素子の選択信号を第２表示装置ＤＤ２に送信する機能を有する。具体的には、第２ゲートドライバＧＤ２からの選択信号は、発光素子を選択する信号として、第２表示装置ＤＤ２に送信される。また、該データ制御信号の内容によっては、第２ゲートドライバＧＤ２を休止状態にすることもできる。

第２ソースドライバＳＤ２は、タイミングコントローラＴＣからスケーリングされた画像データ（以下、画像信号と呼称する。）を受け取って、第２表示装置ＤＤ２に送信する機能を有する。また、画像信号の送信は、同じくタイミングコントローラＴＣから送られたデータ制御信号に基づく駆動周波数で行われる。具体的には、第２ソースドライバＳＤ２からの画像信号は、発光素子に表示する画像データとして、第２表示装置ＤＤ２に送信される。また、該データ制御信号の内容によっては、第２ソースドライバＳＤ２を休止状態にすることもできる。

タッチパネルコントローラＴＰＣについては、実施の形態１のタッチパネルコントローラＴＰＣの説明を参照する。

＜動作例１＞
図８は、電子機器１０１、又は電子機器１０２における、タッチセンサ表示部ＴＤＡが有する表示装置（第１表示装置ＤＤ１又は第２表示装置ＤＤ２）と、タッチセンサ部ＴＳＤと、のそれぞれの駆動のタイミングの例を示している。

図８に示すタイミングにおいて、第１表示装置ＤＤ１又は第２表示装置ＤＤ２の一方の１フレーム分の画像書き込み期間ＰＷＤは、時刻Ｔ１から時刻Ｔ２までの間で行われ、タッチセンサ部ＴＳＤの１フレーム分のセンシング動作は、時刻Ｔ１から時刻Ｔ３までの間に行われているとしている。

図８に示すタイミングは、第１表示装置ＤＤ１又は第２表示装置ＤＤ２の一方、及びタッチセンサ部ＴＳＤが、それぞれ休止状態にならず、１フレーム期間を繰り返し行う動作を示している。

なお、図８では、第１表示装置ＤＤ１又は第２表示装置ＤＤ２の一方が駆動する１フレーム期間の長さと、タッチセンサ部ＴＳＤが駆動する１フレーム期間分の長さと、は、異なる長さで示しているが、両者は互いに等しい長さとしてもよい。

＜動作例２＞
次に、図８に示す駆動のタイミングで、ユーザからの操作、つまりタッチ検出が一定期間無かった場合において、タッチセンサ部ＴＳＤを休止状態（長期サスペンドモード）に移行する場合を考える。

図９（Ａ）は、図８の駆動のタイミングで、タッチセンサ部ＴＳＤによるタッチ検出が無かった場合に、タッチセンサ部ＴＳＤを駆動状態から長期サスペンドモードに移行するタイミングの例を示している。

図８、及び図９（Ａ）に示す駆動のタイミングの例において、タッチセンサ部ＴＳＤは、１フレーム期間につきセンシング動作を１回行っている。図９（Ａ）では、時刻Ｔ１から時刻Ｔ４までの間で、センシング動作を２回行っている。

このとき、時刻Ｔ４に達するまでにユーザからの操作、つまりタッチ検出が一定期間無かった場合、時刻Ｔ４以降のタッチセンサ部ＴＳＤを駆動状態から長期サスペンドモードにする。なお、このタッチセンサ部ＴＳＤを長期サスペンドモードにする期間は、ユーザの任意の時間、電子機器１０１又は電子機器１０２に設定された時間等にしてもよい。図９（Ａ）において、時刻Ｔ４から時刻Ｔ５までの間では、タッチセンサ部ＴＳＤを長期サスペンドモードとしている。

時刻Ｔ５以降のタッチセンサ部ＴＳＤの動作は、図８と同様に、１フレーム期間の動作タイミングを繰り返し行うが、ユーザからの操作、つまりタッチ検出が一定期間無かった場合は、図９（Ａ）の時刻Ｔ４から時刻Ｔ５までのように、タッチセンサ部ＴＳＤを長期サスペンドモードに移行する。

なお、図９（Ａ）では、時刻Ｔ４から時刻Ｔ５までの間において、タッチセンサ部ＴＳＤを長期的に休止状態としている場合を考えているが、本発明の一態様に係る動作のタイミングについては、これに限定されない。例えば、図９（Ｂ）に示すとおり、時刻Ｔ４に達するまでにユーザからの操作、つまりタッチ検出が一定期間無かった場合、時刻Ｔ４以降のタッチセンサ部ＴＳＤを、休止状態（又は長期サスペンドモード）とセンシング動作と、を交互に行うタイミングとしてもよい。つまり、図９（Ｂ）において、時刻Ｔ４以降のタッチセンサ部ＴＳＤのセンシング動作の駆動周波数を、時刻Ｔ４より前のセンシング動作の駆動周波数よりも低くして動作を行っている。実施の形態１の動作例３では、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２をアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動とする例を示したが、本動作例では、タッチセンサ部ＴＳＤをアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動とする例を示している。

＜動作例３＞
次に、図８の駆動のタイミングで、ユーザからの操作、つまりタッチ検出があり続け、かつ時刻Ｔ４から第１表示装置ＤＤ１又は第２表示装置ＤＤ２がアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動となったときに、タッチセンサ部ＴＳＤを休止状態（長期サスペンドモード）に移行する場合を考える。

図８、及び図１０（Ａ）に示す駆動のタイミングの例において、タッチセンサ部ＴＳＤは、１フレーム期間につきセンシング動作を１回行っている。図１０（Ａ）では、時刻Ｔ１から時刻Ｔ５までの間において、センシング動作を３回行っている。

このとき、時刻Ｔ３に達するまでにユーザからの操作、つまりタッチ検出があり続けて、かつ時刻Ｔ４から第１表示装置ＤＤ１又は第２表示装置ＤＤ２がアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動となったときに、タッチセンサ部ＴＳＤを長期サスペンドモードに移行する場合を考える。第１表示装置ＤＤ１又は第２表示装置ＤＤ２がアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動となるトリガは、例えば、図６に示した電子機器１０１、又は図７に示した電子機器１０２において、グラフィックプロセシングユニットＧＰＵで、前フレームと現在フレームとの比較を行って、全ての画素で階調、色調に違いが無かった場合とすることができる。図１０（Ａ）では、時刻Ｔ４から時刻Ｔ７までの間で、第１表示装置ＤＤ１又は第２表示装置ＤＤ２がアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動となっている。

タッチセンサ部ＴＳＤの動作は、第１表示装置ＤＤ１又は第２表示装置ＤＤ２がアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動になったあとに、休止状態（長期サスペンドモード）に移行する。図１０（Ａ）では、時刻Ｔ５から時刻Ｔ６までの間で、休止状態（長期サスペンドモード）となっている。

時刻Ｔ６以降のタッチセンサ部ＴＳＤの動作は、図８と同様に、１フレーム期間の動作タイミングを繰り返し行うが、ユーザからの操作、つまりタッチ検出があり続けて、かつ第１表示装置ＤＤ１又は第２表示装置ＤＤ２がアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動となった場合は、時刻Ｔ５から時刻Ｔ６までのように、タッチセンサ部ＴＳＤを長期サスペンドモードに移行する。

なお、図１０（Ａ）では、時刻Ｔ４から時刻Ｔ７までの間において、第１表示装置ＤＤ１又は第２表示装置ＤＤ２がアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動となっている場合を考えているが、本発明の一態様に係る動作のタイミングについては、これに限定されない。例えば、図１０（Ｂ）に示すとおり、第１表示装置ＤＤ１又は第２表示装置ＤＤ２をアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動ではなく、タッチセンサ部ＴＳＤが長期サスペンドモードの状態のときに、画像書き換えを全く行わなくてもよい場合がある。つまり、第１表示装置ＤＤ１又は第２表示装置ＤＤ２を休止状態としてもよい。この動作は、第１表示装置ＤＤ１又は第２表示装置ＤＤ２に備える表示素子が画像データを長時間保持できる構成である場合に有効である。図１０（Ｂ）では、時刻Ｔ４から時刻Ｔ７までの間において、第１表示装置ＤＤ１又は第２表示装置ＤＤ２を、休止状態としている。

本動作例は、実施の形態１の動作例３と同様に、例えば、電子書籍閲覧ソフトウェア、ブラウザ、動画再生ソフトウェア、ファイル閲覧ソフトウェアなど、ユーザからの操作、つまりタッチ検出があり続け、かつ表示画像が変化しないようなアプリケーションに適用するのが有効である。

電子機器１０１又は電子機器１０２の動作として、上述で説明した、動作例１乃至動作例３を適用することによって、電子機器１０１又は電子機器１０２の、センシング動作にかかる消費電力を低減することができる。

なお、本実施の形態では、電子機器１０１、電子機器１０２の構成で、動作例を説明したが、本実施の形態の動作例は、ハイブリッド表示装置と、タッチセンサとを有するオンセル型の電子機器についても適用できる。

また、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
実施の形態１及び実施の形態２で説明した動作例のまとめたものを、図１１及び図１２のフローチャートに示す。

電子機器１００乃至電子機器１０２のいずれかの駆動方法は、ステップＳＴ１乃至ステップＳＴ７を有している。本実施の形態では、電子機器１００乃至電子機器１０２をまとめて、電子機器と呼称する。また、本実施の形態では、電子機器が有する第１表示装置ＤＤ１及び第２表示装置ＤＤ２をまとめて、表示装置と呼称する。

ステップＳＴ１は、電子機器が駆動するステップを有する。ここでの駆動は、第１表示装置ＤＤ１及び／又は第２表示装置ＤＤ２が通常の駆動状態であり、かつタッチセンサ部ＴＳＤが通常の駆動状態であることとする。ステップＳＴ１の終了後は、ステップＳＴ２に移行する。

ステップＳＴ２では、一定期間、タッチセンサ部ＴＳＤにおいて、タッチ検出が無かったかどうかの判定が行われる。ここでの一定期間とは、先の実施の形態で述べたとおり、ユーザの任意の時間、電子機器に設定された時間等とする。タッチ検出があった場合は、図１１のＡに移行し、タッチ検出が無かった場合は、ステップＳＴ３に移行する。

ステップＳＴ３では、表示装置が、長期的に休止状態、又はアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動になったかどうかの判定が行われる。表示装置が、長期的に休止状態、又はアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動となるトリガは、先の実施の形態で述べたとおり、電子機器が有するグラフィックプロセシングユニットＧＰＵで、前フレームと現在フレームとの比較を行って、全ての画素で階調、色調に違いが無かった場合とすることができる。表示装置が、長期的に休止状態、又はアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動になった場合は、ステップＳＴ４に移行し、表示装置が、長期的に休止状態、又はアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動にならなかった場合は、ステップＳＴ２に移行する。

ステップＳＴ４では、表示装置が、長期的に休止状態、又はアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動になる前から、タッチセンサ部ＴＳＤにおいて、タッチ検出が続いたか否かの判定が行われる。タッチ検出が続いた場合、図１１に示すＡに移行し、タッチ検出が続いてなかった場合、ステップＳＴ５に移行する。

ステップＳＴ５は、表示装置が、長期的に休止状態、又はアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動から、通常の駆動状態に戻るステップを有する。ステップＳＴ５の終了後は、ステップＳＴ２に移行する。

図１１に示すＡは、図１２に示すステップＳＴ６に移行することを示している。

ステップＳＴ６は、タッチセンサ部ＴＳＤを長期サスペンドモード（又は、ＩＤＳ駆動）にするステップを有する。ステップＳＴ６終了後は、ステップＳＴ７に移行する。

ステップＳＴ７は、長期サスペンドモード（又は、ＩＤＳ駆動）となっているタッチセンサ部ＴＳＤを通常の駆動に戻るステップを有する。ステップＳＴ７の終了後は、図１２に示すＢに移行する。

図１２に示すＢは、図１１に示すステップＳＴ２に移行することを示している。

なお、本明細書等において、フローチャートでは、全体の動作方法を複数の動作に分けて、複数の動作を互いに独立したステップとして示している。しかしながら実際には、動作方法を複数の動作に切り分けることが難しく、一つのステップに複数の動作が係わる場合や、複数のステップにわたって一つの動作が関わる場合があり得る。そのため、フローチャートのステップは、明細書で説明した動作に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。

また、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、上述した実施の形態の電子機器１００、実施の形態５で説明する電子機器５２００Ａ及び電子機器５２００Ｂに用いることのできる表示装置について、図１３乃至図１９を用いて説明する。本実施の形態の表示装置は、可視光を反射する第１表示素子と、可視光を発する第２表示素子とを有する。

例えば、第１表示装置ＤＤ１は、マトリクス状に第１表示素子を有し、第２表示装置ＤＤ２は、マトリクス状に第２表示素子を有する。

本実施の形態の表示装置は、第１表示素子によって反射する光と、第２表示素子が発する光のうち、いずれか一方又は双方により、画像を表示する機能を有する。

第１表示素子には、外光を反射して表示する素子を用いることができる。このような素子は光源を持たないため、表示の際の消費電力を極めて小さくすることが可能となる。

第１表示素子には、代表的には反射型の液晶素子を用いることができる。又は、第１表示素子として、シャッター方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）素子、光干渉方式のＭＥＭＳ素子の他、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式等を適用した素子などを用いることができる。

第２表示素子には、発光素子を用いることが好ましい。このような表示素子が発する光は、その輝度や色度が外光に左右されることが少ないため、色再現性が高く（色域が広く）、コントラストの高い、鮮やかな表示を行うことができる。

第２表示素子には、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、半導体レーザなどの自発光性の発光素子を用いることができる。なお、第２表示素子には、自発光性の発光素子を用いることが好ましいが、これに限定されず、例えば、バックライト、又はサイドライトなどの光源と組み合わせた透過型の液晶素子を用いてもよい。

本実施の形態の表示装置は、第１表示素子を用いて画像を表示する第１モードと、第２表示素子を用いて画像を表示する第２モードと、第１表示素子及び第２表示素子の双方を用いて画像を表示する第３モードと、を有し、第１乃至第３モードを自動又は手動で切り替えることができる。以下では、第１乃至第３モードの詳細について説明する。

［第１モード］
第１モードでは、第１表示素子と外光とを用いて画像を表示する。第１モードは光源が不要であるため、極めて低い消費電力で駆動するモードである。例えば、表示装置に外光が十分に入射されるとき（明るい環境下など）は、第１表示素子が反射した光を用いて表示を行うことができる。例えば、外光が十分に強く、かつ外光が白色光又はその近傍の光である場合に有効である。第１モードは、文字を表示することに適したモードである。また、第１モードは、外光を反射した光を用いるため、目に優しい表示を行うことができ、目が疲れにくいという効果を奏する。なお、第１モードを、反射した光を用いて表示を行うため、反射型の表示モード（Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｍｏｄｅ）と呼称してもよい。

［第２モード］
第２モードでは、第２表示素子による発光を利用して画像を表示する。そのため、照度や外光の色度によらず、極めて鮮やかな（コントラストが高く、且つ色再現性の高い）表示を行うことができる。例えば、夜間や暗い室内など、照度が極めて低い場合などに有効である。また、周囲が暗い場合、明るい表示を行うと使用者が眩しく感じてしまう場合がある。これを防ぐために、第２モードでは輝度を抑えた表示を行うことが好ましい。これにより、眩しさを抑えることに加え、消費電力も低減することができる。第２モードは、鮮やかな画像（静止画及び動画）などを表示することに適したモードである。なお、第２モードを、発光、すなわち放射した光を用いて表示を行うため、放射型の表示モード（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｍｏｄｅ）と呼称してもよい。

［第３モード］
第３モードでは、第１表示素子による反射光と、第２表示素子による発光との双方を利用して表示を行う。なお、第１表示素子と第２表示素子とを、それぞれ独立に駆動させ、且つ第１表示素子と第２表示素子とを、同一期間内で駆動させることで、第１表示素子と、第２表示素子とを組み合わせた表示を行うことができる。なお、本明細書等において、第１表示素子と、第２表示素子とを組み合わせた表示、すなわち、第３モードをハイブリッド表示モード（ＨＢ表示モード）と呼称することができる。又は、第３モードを、放射型の表示モードと、反射型の表示モードとを組み合わせた表示モード（ＥＲ−Ｈｙｂｒｉｄ ｍｏｄｅ）と呼称してもよい。

第３モードで表示を行うことで、第１モードよりも鮮やかな表示とし、且つ第２モードよりも消費電力を抑えることができる。例えば、室内照明下や、朝方や夕方の時間帯など、比較的照度が低い場合、外光の色度が白色ではない場合などに有効である。また、反射光と発光とを混合させた光を用いることで、例えば絵画を見ているかのように感じさせる画像を表示することが可能となる。

ところで、本発明の一態様は、例えば、第１表示素子で字幕を表示し、第２表示素子で画像の表示を行うことができる場合がある。このため、画像と字幕と、の両方を表示したい場合は、上述の第３モードで表示装置を動かす。

また、字幕を表示しない場合は、第２表示素子で画像の表示を行えばよいので、上述の第２モードで表示装置を動かせばよい。なお、照度が明るい場合は、第１表示素子で画像の表示を行ってもよいので、第２モードではなく、第１モードで表示装置を動かしてもよい。

＜第１乃至第３モードの具体例＞
ここで、上述した第１乃至第３モードを用いる場合の具体例について、図１３及び図１４を用いて説明する。

なお、以下では、第１乃至第３モードが照度に応じて自動に切り替わる場合について説明する。なお、照度に応じて自動で切り替わる場合、例えば、表示装置に照度センサ等を設け、当該照度センサからの情報をもとに表示モードを切り替えることができる。

図１３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本実施の形態の表示装置が取り得る表示モードを説明するための画素の模式図である。

図１３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）では、第１表示素子２０１、第２表示素子２０２、開口部２０３、第１表示素子２０１から反射される反射光２０４、及び第２表示素子２０２から開口部２０３を通って射出される透過光２０５が明示されている。なお、図１３（Ａ）が第１モードを説明する図であり、図１３（Ｂ）が第２モードを説明する図であり、図１３（Ｃ）が第３モードを説明する図である。

なお、図１３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）では、第１表示素子２０１として、反射型の液晶素子を用い、第２表示素子２０２として、自発光型のＯＬＥＤを用いる場合とする。

図１３（Ａ）に示す第１モードでは、第１表示素子２０１である、反射型の液晶素子を駆動して反射光の強度を調節して階調表示を行うことができる。例えば、図１３（Ａ）に示すように、第１表示素子２０１である、反射型の液晶素子が有する反射電極で反射された反射光２０４の強度を液晶層で調節することで階調表示を行うことができる。

図１３（Ｂ）に示す第２モードでは、第２表示素子２０２である、自発光型のＯＬＥＤの発光強度を調節して階調表示を行うことができる。なお、第２表示素子２０２から射出される光は、開口部２０３を通過し、透過光２０５として外部に取り出される。

図１３（Ｃ）に示す第３モードは、上述した第１モードと、第２モードとを組み合わせた表示モードである。例えば、図１３（Ｃ）に示すように、第１表示素子２０１である、反射型の液晶素子が有する反射電極で反射された反射光２０４の強度を液晶層で調節し階調表示を行う。また、第１表示素子２０１の駆動する期間と、同じ期間内に、第２表示素子２０２である、自発光型のＯＬＥＤの発光強度、ここでは透過光２０５の強度を調整し階調表示を行う。

＜第１乃至第３モードの状態遷移＞
次に、第１乃至第３モードの状態遷移について、図１３（Ｄ）を用いて説明を行う。図１３（Ｄ）は、第１モード、第２モード、及び第３モードの状態遷移図である。図１３（Ｄ）に示す、状態Ｃ１は第１モードに相当し、状態Ｃ２は第２モードに相当し、状態Ｃ３は第３モードに相当する。

図１３（Ｄ）に図示するように、状態Ｃ１から状態Ｃ３までは照度に応じていずれかの状態の表示モードを取り得る。例えば、昼間のように照度が大きい場合には、状態Ｃ１を取り得る。また、昼間から夜間に時間経過して照度が小さくなる場合には、状態Ｃ１から状態Ｃ２に遷移する。また、昼間であっても照度が低く、反射光による階調表示が十分でない場合には、状態Ｃ１から状態Ｃ３に遷移する。もちろん、状態Ｃ３から状態Ｃ１への遷移、状態Ｃ２から状態Ｃ３への遷移、状態Ｃ３から状態Ｃ２への遷移、又は状態Ｃ２から状態Ｃ１への遷移も生じる。

なお、図１３（Ｄ）では、第１のモードのイメージとして太陽を、第２のモードのイメージとして月を、第３のモードのイメージとして雲を、それぞれ図示している。

なお、図１３（Ｄ）に図示するように、状態Ｃ１乃至状態Ｃ３において、照度の変化がない、又は照度の変化が少ない場合には、他の状態に遷移せずに、続けて元の状態を維持すればよい。

以上のように照度に応じて表示モードを切り替える構成とすることで、消費電力が比較的大きい発光素子の光の強度による階調表示の頻度を減らすことができる。そのため、表示装置の消費電力を低減することができる。また、表示装置は、バッテリの残容量、表示するコンテンツ、又は周辺環境の照度に応じて、さらに動作モードを切り替えることができる。なお、上記の説明においては、照度に応じて表示モードが自動で切り替わる場合について例示したがこれに限定されず、使用者が手動で表示モードを切り替えてもよい。

＜動作モード＞
次に、第１表示素子、及び第２表示素子で行うことができる動作モードについて、図１４を用いて説明を行う。

なお、以下では、通常のフレーム周波数（代表的には６０Ｈｚ以上２４０Ｈｚ以下）で動作する通常駆動モード（Ｎｏｒｍａｌ ｍｏｄｅ）と、低速のフレーム周波数で動作するアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードと、を例示して説明する。

なお、アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードとは、画像データの書き込み処理を実行した後、画像データの書き換えを停止する駆動方法のことをいう。一旦画像データの書き込みをして、その後、次の画像データの書き込みまでの間隔を延ばすことで、その間の画像データの書き込みに要する分の消費電力を削減することができる。アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードは、例えば、通常駆動モードの１／１００乃至１／１０程度のフレーム周波数とすることができる。

図１４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、通常駆動モードとアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードを説明する回路図及びタイミングチャートである。なお、図１４（Ａ）では、第１表示素子２０１（ここでは液晶素子）と、第１表示素子２０１に電気的に接続されている画素回路２０６と、を明示している。また、図１４（Ａ）に示す画素回路２０６では、信号線ＳＬと、ゲート線ＧＬと、信号線ＳＬ及びゲート線ＧＬに接続されたトランジスタＭ１と、トランジスタＭ１に接続される容量素子Ｃｓ_ＬＣとを図示している。

トランジスタＭ１としては、半導体層に金属酸化物を有するトランジスタを用いることが好ましい。以下、トランジスタの代表例として、金属酸化物の分類の１つである酸化物半導体を有するトランジスタ（ＯＳトランジスタ）を用いて説明する。ＯＳトランジスタは、非導通状態時のリーク電流（オフ電流）が極めて低いため、ＯＳトランジスタを非導通状態とすることで液晶素子の画素電極に電荷の保持をすることができる。

図１４（Ｂ）は、通常駆動モードでの信号線ＳＬ及びゲート線ＧＬにそれぞれ与える信号の波形を示すタイミングチャートである。通常駆動モードでは通常のフレーム周波数（例えば６０Ｈｚ）で動作する。１フレーム期間を期間Ｔ_１からＴ_３までで表すと、各フレーム期間でゲート線ＧＬに走査信号を与え、信号線ＳＬからデータＤ_１を書き込む動作を行う。この動作は、期間Ｔ_１乃至期間Ｔ_３に同じデータＤ_１を書き込む場合、又は異なるデータを書き込む場合でも同じである。

一方、図１４（Ｃ）は、アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードでの信号線ＳＬ及びゲート線ＧＬに、それぞれ与える信号の波形を示すタイミングチャートである。アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動では低速のフレーム周波数（例えば１Ｈｚ）で動作する。１フレーム期間を期間Ｔ_１で表し、その中でデータの書き込み期間を期間Ｔ_Ｗ、データの保持期間を期間Ｔ_ＲＥＴで表す。アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードは、期間Ｔ_Ｗでゲート線ＧＬに走査信号を与え、信号線ＳＬのデータＤ_１を書き込み、期間Ｔ_ＲＥＴでゲート線ＧＬをローレベルの電圧に固定し、トランジスタＭ１を非導通状態として一旦書き込んだデータＤ_１を保持させる動作を行う。

なお、アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動は、第２表示素子でも行うことができる場合がある。

アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動を第２表示素子で行う場合について説明する。図１４（Ｄ）は、第２表示素子２０２（ここでは有機ＥＬ素子）と、第２表示素子に電気的に接続されている画素回路２０７と、を明示している。また、図１４（Ｄ）に示す画素回路２０７では、信号線ＤＬと、ゲート線ＧＬ２と、電流供給線ＡＬと、信号線ＤＬ及びゲート線ＧＬ２に電気的に接続されたトランジスタＭ２と、トランジスタＭ２と電流供給線ＡＬとに電気的に接続された容量素子Ｃｓ_ＥＬと、トランジスタＭ２と容量素子Ｃｓ_ＥＬと電流供給線ＡＬと第２表示素子２０２とに電気的に接続されたトランジスタＭ３と、を図示している。

トランジスタＭ２としては、トランジスタＭ１と同様に、ＯＳトランジスタを用いることが好ましい。ＯＳトランジスタは、非導通状態時のリーク電流（オフ電流）が極めて低いため、ＯＳトランジスタを非導通状態とすることで容量素子Ｃｓ_ＥＬに充電した電荷の保持をすることができる。つまり、トランジスタＭ３のゲート−ドレイン間電圧を一定に保つことでき、第２表示素子２０２の発光強度を一定にすることができる。

したがって、第１表示素子がアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動する場合と同様に、第２表示素子のアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動は、ゲート線ＧＬ２に走査信号を与えて、信号線ＤＬからデータを書き込んだ後に、ゲート線ＧＬ２をローレベルの電圧に固定することで、トランジスタＭ２を非導通状態として一旦書き込んだ該データを保持する動作を行う。

なお、トランジスタＭ３は、トランジスタＭ２と同様の材料で構成するのが好ましい。トランジスタＭ３とトランジスタＭ２の材料の構成を同じすることで、画素回路２０７の作製工程を短縮することができる。

アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードは、上述した第１モード乃至第３モードと組み合わせることで、さらなる低消費電力化を図ることができるため有効である。

以上のように、本実施の形態の表示装置は、第１モード乃至第３モードを切り替えて表示を行うことができる。したがって、周囲の明るさによらず、視認性が高く利便性の高い表示装置又は全天候型の表示装置を実現できる。

また、本実施の形態の表示装置は、第１表示素子を有する第１の画素と、第２表示素子を有する第２の画素とをそれぞれ複数有すると好ましい。また、第１の画素と第２の画素とは、それぞれ、マトリクス状に配置されることが好ましい。

第１の画素及び第２の画素は、それぞれ、１つ以上の副画素を有する構成とすることができる。例えば、画素には、副画素を１つ有する構成（白色（Ｗ）など）、副画素を３つ有する構成（赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の３色など）、あるいは、副画素を４つ有する構成（赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、白色（Ｗ）の４色、又は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、黄色（Ｙ）の４色など）を適用できる。なお、第１の画素及び第２の画素が有する色要素は、上記に限定されず、必要に応じて、シアン（Ｃ）及びマゼンタ（Ｍ）などを組み合わせてもよい。

本実施の形態の表示装置は、第１の画素及び第２の画素は、双方とも、フルカラー表示を行う構成とすることができる。又は、本実施の形態の表示装置は、第１の画素では白黒表示又はグレースケールでの表示を行い、第２の画素ではフルカラー表示を行う構成とすることができる。第１の画素を用いた白黒表示又はグレースケールでの表示は、文書情報など、カラー表示を必要としない情報を表示することに適している。

＜表示装置の斜視概略図＞
次に、本実施の形態の表示装置について、図１５を用いて説明を行う。図１５は、表示装置２１０の斜視概略図である。

表示装置２１０は、基板２５７０と基板２７７０とが貼り合わされた構成を有する。図１５では、基板２７７０を破線で明示している。

表示装置２１０は、表示部２１４、回路２１６、配線２１８等を有する。図１５では表示装置２１０にＩＣ２２０及びＦＰＣ２２２が実装されている例を示している。そのため、図１５に示す構成は、表示装置２１０、ＩＣ２２０、及びＦＰＣ２２２を有する表示モジュールということもできる。

回路２１６としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

配線２１８は、表示部２１４及び回路２１６に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ２２２を介して外部から、又はＩＣ２２０から配線２１８に入力される。

図１５では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式等により、基板２５７０にＩＣ２２０が設けられている例を示す。ＩＣ２２０は、例えば走査線駆動回路又は信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置２１０には、ＩＣ２２０を設けない構成としてもよい。また、ＩＣ２２０を、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

図１５には、表示部２１４の一部の拡大図を示している。表示部２１４には、複数の表示素子が有する電極２７５１がマトリクス状に配置されている。電極２７５１は、可視光を反射する機能を有し、液晶素子として、第１表示素子２７５０（後述する）の反射電極として機能する。

また、図１５に示すように、電極２７５１は開口部として領域２７５１Ｈを有する。さらに表示部２１４は、電極２７５１よりも基板２５７０側に、発光素子として、第２表示素子２５５０を有する。第２表示素子２５５０からの光は、電極２７５１の領域２７５１Ｈを介して基板２７７０側に射出される。第２表示素子２５５０の発光領域の面積と領域２７５１Ｈの面積とは等しくてもよい。第２表示素子２５５０の発光領域の面積と領域２７５１Ｈの面積のうち一方が他方よりも大きいと、位置ずれに対するマージンが大きくなるため好ましい。

＜入出力パネルの断面図＞
次に、図１５で示した表示装置２１０に、タッチセンサを設けた入出力パネルの構成を、図１６乃至図１９を参照しながら説明する。なお、以下に説明する入出力パネルは、第１表示素子である反射型液晶素子のコモン電極を、タッチセンサ電極としても利用する、フルインセル型のタッチセンサ表示部である。また、タッチセンサは、投影型静電容量方式（相互容量方式）とする。

図１６は、入出力パネル２７００ＴＰ３が備える画素の断面図である。

図１７は、本発明の一態様の入出力パネルの構成を説明する図である。図１７（Ａ）は図１６に示す反射防止膜（アンチグレアフィルム、又は反射防止膜とアンチグレアフィルムとを組み合わせたフィルムなどを用いることができる。）を示す断面図であり、図１７（Ｂ）は入出力パネルの機能膜の構成を説明する断面図であり、図１７（Ｃ）は第２のユニットの構成を説明する断面図であり、図１７（Ｄ）は第１のユニットの構成を説明する断面図である。

図１８は、図１６の入出力パネル２７００ＴＰ３が有するトランジスタＭの断面の拡大図を示している。

図１９は、図１６に示す入出力パネル２７００ＴＰ３が有するタッチセンサ部の動作を説明するための、入出力パネル２７００ＴＰ３の断面図を示している。

本構成例で説明する入出力パネル２７００ＴＰ３は、画素２７０２（ｉ，ｊ）を有する（図１６参照）。また、入出力パネル２７００ＴＰ３は、第１のユニット２０１０と、第２のユニット２０２０と、機能膜２７７０Ｐと、を有する（図１７参照）。第１のユニット２０１０は機能層２５２０を含み、第２のユニット２０２０は機能層２７２０を含む。

＜＜画素２７０２（ｉ，ｊ）＞＞
画素２７０２（ｉ，ｊ）は、機能層２５２０の一部と、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）と、第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）と、を有する（図１６参照）。

機能層２５２０は、第１の導電膜、第２の導電膜、絶縁膜２５０１Ｃ、絶縁膜２４１３及び画素回路を含む（図１８参照）。なお、画素回路は、例えば、トランジスタＭを含む。また、機能層２５２０は、光学素子２５６０、被覆膜２５６５、絶縁膜２４１２及びレンズ２５８０を含む。また、機能層２５２０は、絶縁膜２５２１の一部を備える。絶縁膜２５２１としては、絶縁膜２５２１Ａ及び絶縁膜２５２１Ｂを積層した材料を用いることができる。

例えば、屈折率１．５５近傍の材料を絶縁膜２５２１Ａ又は絶縁膜２５２１Ｂに用いることができる。又は、屈折率１．６近傍の材料を絶縁膜２５２１Ａ又は絶縁膜２５２１Ｂに用いることができる。又は、アクリル樹脂又はポリイミドを絶縁膜２５２１Ａ又は絶縁膜２５２１Ｂに用いることができる。

絶縁膜２５０１Ｃは、第１の導電膜及び第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、開口部２５９１Ａを備える。

第１の導電膜は、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。具体的には、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）の電極２７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、電極２７５１（ｉ，ｊ）を、第１の導電膜に用いることができる。

第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。第２の導電膜は、開口部２５９１Ａにおいて、第１の導電膜と電気的に接続される。例えば、導電膜２５１２Ｂを第２の導電膜に用いることができる。第２の導電膜は、画素回路と電気的に接続される。例えば、画素回路のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能する導電膜を第２の導電膜に用いることができる。ところで、絶縁膜２５０１Ｃに設けられた開口部２５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。

絶縁膜２４１３は、画素回路と絶縁膜２５２１Ａとの間に挟まれる領域を備え、接続部２５２２において、開口部を有する。

絶縁膜２４１３は、透光性を有し、かつ水、水素など画素回路に影響を及ぼす不純物の浸入を防ぐ機能を有することが好ましい。例えば、絶縁膜２４１３は、窒化シリコン、又は窒化酸化シリコンなどを用いるのが好ましい。

絶縁膜２４１２は、絶縁膜２５２１Ａと絶縁膜２５２１Ｂとの間に挟まれる領域を備え、接続部２５２２において、開口部を有する。

絶縁膜２４１２は、透光性を有し、かつ絶縁膜２５２１Ａと絶縁膜２５２１Ｂとの間で、水、水素など画素回路に影響を及ぼす不純物の侵入を防ぐ機能を有することが好ましい。例えば、絶縁膜２４１２は、窒化シリコン、又は窒化酸化シリコンなどを用いるのが好ましい。

導電膜２５６６は、後述する被覆膜２５６５と同じ材料を適用することができる。

第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）は、画素回路と電気的に接続される。第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）は、機能層２５２０に向けて光を射出する機能を備える。また、第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）は、例えば、レンズ２５８０又は光学素子２５６０に向けて光を射出する機能を備える。

第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において、第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できるように、第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）が配設される。例えば、第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域２７５１Ｈを備える形状を第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）の電極２７５１（ｉ，ｊ）に用いる。なお、外光を反射する強度を制御して画像情報を表示する第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印を用いて図中に示す。また、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印を用いて図中に示す。

これにより、第１表示素子を用いた表示を視認することができる領域の一部において、第２表示素子を用いた表示を視認することができる。又は、入出力パネルの姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。又は、第１表示素子が反射する光が表現する物体色と、第２表示素子が射出する光が表現する光源色とを掛け合わせることができる。又は、物体色及び光源色を用いて絵画的な表示をすることができる。その結果、利便性又は信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。

例えば、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）は、電極２７５１（ｉ，ｊ）と、電極２７５２（ｉ，ｊ）と、液晶材料を含む層２７５３とを備える。なお、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）の右波括弧の中に符号を記していないが、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）は、絶縁膜２４１４を備える。反射型液晶素子を第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

電極２７５２（ｉ，ｊ）は、液晶材料を含む層２７５３の厚さ方向と交差する方向の電界を、電極２７５１（ｉ，ｊ）との間に形成するように配置される。例えば、電極２７５２（ｉ，ｊ）には、櫛歯状の形状を用いることができる。これにより、液晶材料を含む層２７５３の厚さ方向と交差する方向の電界を、電極２７５１（ｉ，ｊ）との間に形成することができる。又は、例えば、ＶＡ−ＩＰＳ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードで動作する表示素子を第１表示素子に用いることができる。

例えば、屈折率２．０近傍の透明導電膜を電極２７５２（ｉ，ｊ）又は電極２７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、インジウムとスズとシリコンを含む酸化物を電極２７５２（ｉ，ｊ）又は電極２７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。又は、屈折率１．６近傍の材料を配向膜に用いることができる。また、液晶層の誘電率の異方性を２以上３．８以下とし、液晶層の抵抗率を１．０×１０^１４（Ω・ｃｍ）以上１．０×１０^１５（Ω・ｃｍ）以下とすることで、ＩＤＳ駆動が可能であり、入出力パネルの消費電力を低減することができるため好ましい。

絶縁膜２４１４は、電極２７５１（ｉ，ｊ）と電極２７５２（ｉ，ｊ）との間に挟まれる領域を備えている。絶縁膜２４１４は、透光性を有し、かつ水、水素など画素回路に影響を及ぼす不純物の浸入を防ぐ機能を有することが好ましい。例えば、絶縁膜２４１４は、窒化シリコン、又は窒化酸化シリコンなどを用いるのが好ましい。

例えば、第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）は、電極２５５１（ｉ，ｊ）と、電極２５５２と、発光性の材料を含む層２５５３（ｊ）とを備える。なお、第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）の左波括弧の中に符号を記していないが、第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）は、絶縁膜２４１１を備える。電極２５５２は、電極２５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。発光性の材料を含む層２５５３（ｊ）は、電極２５５１（ｉ，ｊ）及び電極２５５２の間に挟まれる領域を備える。電極２５５１（ｉ，ｊ）は、接続部２５２２において、画素回路と電気的に接続される。具体的には、有機ＥＬ素子を第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、屈折率２．０近傍の透明導電膜を電極２５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、インジウムとスズとシリコンを含む酸化物を電極２５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。又は、屈折率１．８近傍の材料を発光性の材料を含む層２５５３（ｊ）に用いることができる。

絶縁膜２４１１は、透光性を有し、かつ水、水素など画素回路に影響を及ぼす不純物の浸入を防ぐ機能を有することが好ましい。例えば、絶縁膜２４１１は、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウムなどを用いるのが好ましく、又、列挙した材料を積層した膜を用いるのがより好ましい。

光学素子２５６０は透光性を備え、第１の領域、第２の領域及び第３の領域を備える。

第１の領域は第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）から可視光を供給される領域を含み、第２の領域は被覆膜２５６５と接する領域を含み、第３の領域は可視光の一部を射出する機能を備える。また、第３の領域は第１の領域の可視光を供給される領域の面積以下の面積を備える。

被覆膜２５６５は可視光に対する反射性を備え、可視光の一部を反射して、第３の領域に供給する機能を備える。

例えば、金属を被覆膜２５６５に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を被覆膜２５６５に用いることができる。例えば、銀及びパラジウム等を含む材料、又は銀及び銅等を含む材料を被覆膜２５６５に用いることができる。

なお、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）及び第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域は３０μｍ未満、好ましくは１０μｍ未満、さらに好ましくは５μｍ未満の厚さを備える。

＜＜トランジスタＭ＞＞
トランジスタＭは、デュアルゲート構造のトランジスタであり、第１ゲート電極と、第２ゲート電極と、を有する（図１８参照）。

トランジスタＭは、絶縁膜２５２１Ａと、絶縁膜２４１３と、導電膜２５１１ａと、導電膜２５１１ｂと、絶縁膜２４０２と、絶縁膜２４０３と、導電膜２５１４と、絶縁膜２４０４と、半導体膜２５３１と、絶縁膜２４０５と、導電膜２５１３と、絶縁膜２５０１Ｃと、を有する。

絶縁膜２５２１Ａと、絶縁膜２４１３と、絶縁膜２５０１Ｃと、に関する説明は、本明細書の別の箇所で説明しているので、省略する。

導電膜２５１１ａは、トランジスタＭのソース又はドレインの一方の電極として機能し、導電膜２５１１ｂは、ソース又はドレインの他方の電極として機能する。

導電膜２５１１ａ、及び導電膜２５１１ｂとしては、例えば、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンなどの金属、又はこれを主成分とする合金を用いることができる。特に、窒化タンタル膜などの金属窒化物膜は、水素又は酸素に対するバリア性があり、また、耐酸化性が高いため、好ましい。

また、導電膜２５１１ａと、導電膜２５１１ｂと、は、例えば、導電膜２５１２Ｂ又は第２の導電膜と同じ材料として構成することができる。

また、図では単層構造を示したが、導電膜２５１１ａ、及び導電膜２５１１ｂは、２層以上の積層構造としてもよい。例えば、窒化タンタル膜とタングステン膜を積層するとよい。また、チタン膜とアルミニウム膜を積層するとよい。また、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造としてもよい。

導電膜２５１４は、トランジスタＭの第１ゲート電極（単にゲート電極と呼ぶ場合がある。）として機能し、導電膜２５１３は、トランジスタＭの第２ゲート電極（バックゲート電極と呼ぶ場合がある。）として機能する。

導電膜２５１４としては、例えば、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属、又は上述した金属を成分とする合金か、上述した金属を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。特に、窒化タンタルなどの金属窒化物膜は、水素又は酸素に対するバリア性があり、また、耐酸化性が高いため、好ましい。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか一又は複数から選択された金属を用いてもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコンに代表される半導体、ニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。また、図では単層構造を示したが、２層以上の積層構造としてもよい。

例えば、アルミニウム上にチタン膜を積層する二層構造とするとよい。また、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜又は窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造としてもよい。

また、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一又は複数の金属を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。

また、導電膜２５１４としては、例えば、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属の積層構造とすることもできる。

導電膜２５１３としては、例えば、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化タンタル膜、窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等である。特に、窒化タンタル膜などの金属窒化物膜は、水素又は酸素に対するバリア性があり、また、酸化しにくい（耐酸化性が高い）ため、好ましい。又は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの導電性材料を適用することもできる。また、図では単層構造を示したが、２層以上の積層構造としてもよい。

また、導電膜２５１３は、開口部２５９１Ａにおいて、第１の導電膜と、第２の導電膜と、を電気的に接続する導電膜と同じ材料としてもよい。

半導体膜２５３１は、トランジスタＭにおけるチャネルが形成される領域を有する。半導体膜２５３１としては、実施の形態６で説明する金属酸化物、特にＣＡＣ−ＯＳを用いるのが好ましい。

絶縁膜２４０２、絶縁膜２４０３、及び絶縁膜２４０５としては、半導体膜２５３１が金属酸化物である場合において、酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜などの、酸素を含む絶縁膜であることが好ましい。特に、絶縁膜２４０３として過剰酸素を含む（化学量論的組成よりも過剰に酸素を含む）絶縁体を用いることが好ましい。このような過剰酸素を含む絶縁体を、金属酸化物である半導体膜２５３１に接して設けることにより、半導体膜２５３１中の酸素欠損を補償することができる。なお、絶縁膜２４０２、絶縁膜２４０３、絶縁膜２４０５は、互いに必ずしも同じ材料を用いなくともよい。

絶縁膜２４０４としては、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、又は（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３（ＢＳＴ）などを含む絶縁体を単層又は積層で用いることができる。又はこれらの絶縁体に例えば酸化アルミニウム、酸化ビスマス、酸化ゲルマニウム、酸化ニオブ、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムを添加してもよい。又はこれらの絶縁体を窒化処理しても良い。上記の絶縁体に酸化シリコン、酸化窒化シリコン又は窒化シリコンを積層して用いてもよい。

また、絶縁膜２４０４は、絶縁膜２４０３と同様に、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁体を用いることが好ましい。このような過剰酸素を含む絶縁体を金属酸化物である半導体膜２５３１に接して設けることにより、半導体膜２５３１中の酸素欠損を低減することができる。

また、絶縁膜２４０４は、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム、窒化シリコンなどの、酸素や水素に対してバリア性のある絶縁膜を用いることができる。このような材料を用いて形成した場合、金属酸化物である半導体膜２５３１からの酸素の放出や、外部からの水素等の不純物の混入を防ぐ層として機能する。

なお、絶縁膜２４０４は、絶縁膜２４０２、絶縁膜２４０３、及び絶縁膜２４０５と同様の構造を有していてもよい。また、絶縁膜２４０２、絶縁膜２４０３、絶縁膜２４０４、絶縁膜２４０５は、図では、単層の構造を図示しているが、２層以上の積層構造としてもよい。

なお、図１６乃至図１９では、トランジスタＭのチャネル形成領域に金属酸化物を有する構成例を示しているが、入出力パネル２７００ＴＰ３の構成は、これに限定されない。例えば、トランジスタＭとして、チャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタを適用してもよい場合がある。

＜＜レンズ２５８０＞＞
可視光を透過する材料をレンズ２５８０に用いることができる。又は、１．３以上２．５以下の屈折率を備える材料をレンズ２５８０に用いることができる。例えば、無機材料又は有機材料をレンズ２５８０に用いることができる。

例えば、酸化物又は硫化物を含む材料をレンズ２５８０に用いることができる。

具体的には、酸化セリウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、酸化マグネシウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化亜鉛、インジウムとスズを含む酸化物又はインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物などを、レンズ２５８０に用いることができる。又は、硫化亜鉛などを、レンズ２５８０に用いることができる。

例えば、樹脂を含む材料をレンズ２５８０に用いることができる。具体的には、塩素、臭素又はヨウ素が導入された樹脂、重金属原子が導入された樹脂、芳香環が導入された樹脂、硫黄が導入された樹脂などをレンズ２５８０に用いることができる。又は、樹脂と、当該樹脂より屈折率の高い材料のナノ粒子を含む樹脂を積層してレンズ２５８０に用いることができる。また、屈折率の高い樹脂としては、ナノ粒子を含む樹脂としてもよい。当該ナノ粒子としては、酸化チタン又は酸化ジルコニウムなどを用いることができる。

＜＜機能層２７２０＞＞
機能層２７２０は、基板２７７０及び絶縁膜２４１５の間に挟まれる領域を備える。機能層２７２０は、絶縁膜２７７１と、着色膜ＣＦ１と、を有する。

着色膜ＣＦ１は、基板２７７０及び第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜２７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層２７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。又は、着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層２７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。

例えば、屈折率１．５５近傍のアクリル樹脂を、絶縁膜２７７１に用いることができる。

絶縁膜２４１５は、絶縁膜２７７１と液晶材料を含む層２７５３との間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜２４１５は、透光性を有し、かつ水、水素など画素回路に影響を及ぼす不純物の浸入を防ぐ機能を有することが好ましい。例えば、絶縁膜２４１５は、窒化シリコン、又は窒化酸化シリコンなどを用いるのが好ましい。

＜＜基板２５７０、基板２７７０、基板２８７０＞＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、基板２５７０と、基板２７７０と、基板２８７０を有する。

基板２７７０は、基板２５７０、及び基板２８７０と、重なる領域を備える。基板２７７０は、基板２５７０との間に機能層２５２０を挟む領域を備える。

基板２７７０は、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。例えば、複屈折が抑制された材料を当該領域に用いることができる。

例えば、屈折率１．５近傍の樹脂材料を基板２７７０に用いることができる。

基板２８７０は、基板２７７０との間に、機能膜２７７０Ｐ、及び２７７０Ｄを挟む領域を備える。

基板２８７０は、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。例えば、複屈折が抑制された材料を当該領域に用いることができる。

なお、基板２８７０は、入出力パネル２７００ＴＰ３に有する構成でなくてもよい。

＜＜接合層２５０５＞＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、接合層２５０５を有する。

接合層２５０５は、機能層２５２０及び基板２５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層２５２０及び基板２５７０を貼り合せる機能を備える。

＜＜構造体ＫＢ１、構造体ＫＢ２＞＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、構造体ＫＢ１と、構造体ＫＢ２とを有する。

構造体ＫＢ１は、機能層２５２０及び基板２７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。構造体ＫＢ１は領域２７５１Ｈと重なる領域を備え、透光性を備える。これにより、第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）によって射出される光を一方の面に供給し、他方の面から射出することができる。

また、構造体ＫＢ１は光学素子２５６０と重なる領域を備え、例えば、光学素子２５６０に用いる材料の屈折率との差が０．２以下になるように選択された材料を構造体ＫＢ１に用いる。これにより、第２表示素子が射出する光を効率よく利用することができる。又は、第２表示素子の面積を広くすることができる。又は、有機ＥＬ素子に流す電流の密度を下げることができる。

構造体ＫＢ２は、偏光層２７７０ＰＢの厚さを所定の厚さに制御する機能を備える。構造体ＫＢ２は第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備え、透光性を備える。

又は、所定の色の光を透過する材料を構造体ＫＢ１又は構造体ＫＢ２に用いることができる。これにより、構造体ＫＢ１又は構造体ＫＢ２を例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色又は赤色の光を透過する材料を構造体ＫＢ１又は構造体ＫＢ２に用いることができる。また、黄色の光又は白色の光等を透過する材料を構造体ＫＢ１又は構造体ＫＢ２に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等又はこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１又は構造体ＫＢ２に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

例えば、屈折率１．５近傍のアクリル樹脂を構造体ＫＢ１に用いることができる。また、屈折率１．５５近傍のアクリル樹脂を構造体ＫＢ２に用いることができる。

＜＜機能膜２７７０Ｄ、機能膜２７７０Ｐ、機能膜２７７０ＡＧ等＞＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネル２７００ＴＰ３は、機能膜２７７０Ｄと、機能膜２７７０Ｐと、機能膜２７７０ＡＧと、を有する。

機能膜２７７０Ｄは第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜２７７０Ｄは機能層２５２０との間に第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える。

例えば、光拡散フィルムを機能膜２７７０Ｄに用いることができる。具体的には、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜２７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。又は、例えば、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。

接合層２７８０は、機能膜２７７０Ｄと基板２７７０との間に挟まれる領域を備える。これにより、第２のユニット２０２０を構成することができる。

機能膜２７７０Ｐは、偏光層２７７０ＰＢ、位相差フィルム２７７０ＰＡ及び構造体ＫＢ２を備える。偏光層２７７０ＰＢは開口部を備え、位相差フィルム２７７０ＰＡは偏光層２７７０ＰＢと重なる領域を備える。なお、構造体ＫＢ２は開口部に設けられる。

例えば、二色性色素、液晶材料及び樹脂を偏光層２７７０ＰＢに用いることができる。偏光層２７７０ＰＢは、偏光性を備える。これにより、機能膜２７７０Ｐを偏光板に用いることができる。

偏光層２７７０ＰＢは第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備え、構造体ＫＢ２は第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。これにより、液晶素子を第１表示素子に用いることができる。例えば、反射型の液晶素子を第１表示素子に用いることができる。又は、第２表示素子が射出する光を効率よく取り出すことができる。又は、有機ＥＬ素子に流す電流の密度を下げることができる。又は、有機ＥＬ素子の信頼性を高めることができる。

例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム又は位相差フィルムを機能膜２７７０Ｐに用いることができる。具体的には、２色性色素を含む膜及び位相差フィルムを機能膜２７７０Ｐに用いることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜２７７０Ｐに用いることができる。

例えば、屈折率１．６近傍の材料を拡散フィルムに用いることができる。また、屈折率１．６近傍の材料を位相差フィルム２７７０ＰＡに用いることができる。

例えば、反射防止膜を機能膜２７７０ＡＧに用いることができる。なお、機能膜２７７０Ｐに反射防止膜を用いている場合は、機能膜２７７０ＡＧに反射防止膜を設けなくてもよい。機能膜２７７０ＡＧとしては、例えば、アンチグレアフィルム、反射防止膜とアンチグレアフィルムとの両方の機能を有するフィルムなどが挙げられる。また、機能膜２７７０ＡＧは、入出力パネル２７００ＴＰ３に有さなくてもよい。

＜＜タッチセンサとしての動作方法＞＞
次に、入出力パネル２７００ＴＰ３のタッチセンサとしての機能について、説明する。

上述したとおり、フルインセル型のタッチセンサ表示部は、第１表示素子である反射型液晶素子のコモン電極を、タッチセンサ部のタッチセンサ電極として、タッチセンサのセンシング動作を行う。

相互容量方式の場合、タッチサセンサは、タッチセンサに備える容量素子の容量値の変化を検知することで、タッチを検出する。

このとき、容量素子を構成する一対のタッチセンサ電極（コモン電極）は、画素２７０２（ｉ，ｊ）が有する電極２７５２（ｉ，ｊ）と、画素２７０２（ｉ＋１，ｊ）が有する電極２７５２（ｉ＋１，ｊ）とする（図１９参照）。

図１９には、電極２７５２（ｉ，ｊ）と、電極２７５２（ｉ＋１，ｊ）と、によって形成される電界を、太い破線の矢印で記載している。なお、ここでは、電極２７５２（ｉ，ｊ）は、電極２７５２（ｉ＋１，ｊ）よりも高い電位としており、形成される電界の向きは、電極２７５２（ｉ，ｊ）から電極２７５２（ｉ＋１，ｊ）への方向としている。

このように電界を形成する場合、電極２７５２（ｉ，ｊ）と電気的に接続される配線と、電極２７５２（ｉ＋１，ｊ）と電気的に接続される配線は、互いに異なる方向に設けることが好ましい。例えば、電極２７５２（ｉ，ｊ）と電気的に接続される配線は、電極２７５２（ｉ＋１，ｊ）と電気的に接続される配線と垂直に交差するように設けることが好ましい。なお、好ましい配線の設け方については、実施の形態７で詳述する。

なお、図１９では、被検知体２９００が入出力パネル２７００ＴＰ３に触れている様子を示している。また、図１９では、被検知体２９００として手を図示しており、入出力パネル２７００ＴＰ３に指を触れている様子を示しているが、被検知体２９００は、手（指）でなく、スタイラスペンなどでもよい。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、ハイブリッド表示装置の、実施の形態４とは別の動作方法について説明する。

＜動作例１＞
ハイブリッド表示装置と、タッチセンサ部と、を有する電子機器を考える。ハイブリッド表示装置と、タッチセンサ部と、を有する電子機器の一例として、図２０（Ａ）に、タブレット型の情報端末を示す。

電子機器５２００Ａは、表示部５２０１と、筐体５２０２と、照度センサ５２０３を有する。タッチセンサ部は、表示部５２０１に有するため、表示部５２０１は、タッチセンサ表示部と呼ぶことができる。照度センサ５２０３は、外光の照度を計測する機能を有し、実施の形態４で説明した第１乃至第３モードの切り替えを自動的に行うために備えている。

加えて、表示部５２０１は、ハイブリッド表示装置の構成要素として、反射型液晶素子２１と、発光素子２２と、を有する。また、表示部５２０１に備えるタッチセンサ部が静電容量式である場合、容量素子２３を有する。

電子機器５２００Ａの操作は、表示部５２０１に表示された画像の内容に従って、表示部５２０１に指、ペン等で触れることで行われる。例えば、図２０（Ａ）は、ユーザの手５２１１によって、電子機器５２００Ａを操作している様子を図示している。

ところで、ユーザが電子機器５２００Ａを操作するとき、ユーザの手５２１１によって、表示部５２０１に影５２１２が映る場合がある。特に、外光が明るい環境、つまり第１モード又は第３モードのどちらか一方のモードで、電子機器５２００Ａを使用するときは、影５２１２がより強く映る場合がある。

ユーザの手５２１１によって、表示部５２０１に影５２１２が映る場合、表示部５２０１に表示されている画像が見えにくくなる場合がある。逆に、影５２１２が手５２１１によって隠れて、ユーザの目には映らない場合は、ユーザは、表示部５２０１に映る影５２１２に対して気にならない場合がある。

そこで、電子機器５２００Ａは、表示部５２０１に表示されている画像のうち、ユーザの目に写らない影５２１２の部分において、画像を表示しない、又は表示品位を意図的に低くする構成にするのが好適であると言える。このように、表示部５２０１において、ユーザの目に映らない影５２１２の部分の画像を表示しない、又は影５２１２の部分の画像を低輝度にすることで、電子機器５２００Ａの消費電力を低減することができる。

このような構成を実現する方法の一つとして、表示部５２０１の画素に照度センサを設けることが挙げられる。

実施の形態４で説明した、第１乃至第３モードの自動切り換えのための照度の情報は照度センサ５２０３で取得するが、上述した表示部５２０１に映る影５２１２の部分は、表示部５２０１の画素毎の照度センサ２４で計測するのがよい。なお、図２０（Ａ）には、照度センサとしてフォトダイオードを図示している。そして、その影５２１２の情報を電子機器５２００Ａが有するプロセッサに送信し、該プロセッサで、影５２１２の部分の画像を表示しないように、又は、影５２１２の部分の画像の輝度を低くするように、画像を生成すればよい。

例えば、照度センサ５２０３で計測した照度の情報で、電子機器５２００Ａが第１モードで駆動する場合、表示部５２０１において画素毎の照度センサ２４で影５２１２と認識した部分は、画像を表示しない、又は画像の輝度を低くするように、電子機器５２００Ａを駆動すればよい。

また、例えば、照度センサ５２０３で計測した照度の情報で、電子機器５２００Ａが第３モードで駆動する場合、表示部５２０１において画素毎の照度センサ２４で影５２１２と認識した部分は、画像を表示しない、又は第１モードで動作するように、電子機器５２００Ａを駆動すればよい。

＜動作例２＞
次に、上述の動作方法とは異なる、別の動作方法について説明する。別の動作例の説明するため、電子機器５２００Ａとは、別の電子機器を考える。図２０（Ｂ）に示す電子機器５２００Ｂは、電子機器５２００Ａとほぼ同様の構成であるが、画素内の照度センサ２４を有さない点で異なっている。

電子機器５２００Ｂの操作は、表示部５２０１に表示された画像の内容に従って、表示部５２０１に指、ペン等で触れることで、行われる。例えば、図２０（Ｂ）は、ユーザの手５２１１によって、電子機器５２００Ｂを操作している様子を図示している。

ところで、ユーザが電子機器５２００Ｂを操作するとき、表示部５２０１には、ユーザの手５２１１の指５２１１ａが触れている領域５２１３が生じる。領域５２１３は、指５２１１ａによって隠れているので、領域５２１３に表示される画像は、ユーザの目には映らない。

そこで、電子機器５２００Ｂは、表示部５２０１に表示されている画像のうち、ユーザの目に映らない領域５２１３の部分において、画像を表示しない、又は表示品位を意図的に低くする構成にするのが好適であると言える。このように、表示部５２０１において、ユーザの目に映らない領域５２１３の部分の画像を表示しない、又は領域５２１３の部分の画像を低輝度にすることで、電子機器５２００Ｂの消費電力を低減することができる。

このような構成を実現する方法の一つとして、表示部５２０１に備えられているタッチセンサ部を利用することが挙げられる。電子機器５２００Ｂの駆動時において、タッチセンサ部でタッチ検出のあった領域を領域５２１３として判定して、その情報を電子機器５２００Ｂが有するプロセッサなどに送信し、プロセッサで、領域５２１３の部分の画像を表示しないように、又は、領域５２１３の部分の画像の輝度を低くするように、画像を生成すればよい。

例えば、照度センサ５２０３で計測した照度の情報で、電子機器５２００Ｂが第１モード又は第２モードで駆動する場合、表示部５２０１においてタッチセンサ部によって領域５２１３と認識した部分は、画像を表示しない、又は画像の輝度を低くするように、電子機器５２００Ｂを駆動すればよい。

また、例えば、照度センサ５２０３で計測した照度の情報で、電子機器５２００Ｂが第３モードで駆動する場合、表示部５２０１においてタッチセンサ部によって領域５２１３と認識した部分は、画像を表示しない、又は第１モードで動作するように、電子機器５２００Ｂを駆動すればよい。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本明細書で開示されるトランジスタに用いることができる金属酸化物について説明する。以下では特に、金属酸化物とＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）の詳細について説明する。

ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅを、トランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（又はホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。

また、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。

また、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。

すなわち、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、又は金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。したがって、ＣＡＣ−ＯＳを、ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ−ＯＳと呼称してもよい。

ＣＡＣ−ＯＳは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、又はその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、又はその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、又はパッチ状ともいう。

なお、金属酸化物は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムなどから選ばれた一種、又は複数種が含まれていてもよい。

例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯ_Ｘ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、又はインジウム亜鉛酸化物（以下、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２（Ｘ２、Ｙ２、及びＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯ_Ｘ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、又はガリウム亜鉛酸化物（以下、Ｇａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４（Ｘ４、Ｙ４、及びＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯ_Ｘ１、又はＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。

つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。

なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ１（ｍ１は自然数）、又はＩｎ_{（１＋ｘ０）}Ｇａ_{（１−ｘ０）}Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。

上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、又はＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。

一方、ＣＡＣ−ＯＳは、金属酸化物の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。

なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。

なお、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムなどから選ばれた一種、又は複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。

ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つ又は複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、及びｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。

またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、及び断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。

また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。

ここで、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

一方、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。

従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯ_Ｘ３などに起因する絶縁性と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、及び高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

また、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、上記実施の形態に記載のタッチセンサ部（タッチセンサ、又はタッチパネルなど言い換える場合がある。）の構成例について説明を行う。なお、本実施の形態では、投影型静電容量方式（相互容量方式）のタッチパネルについて説明を行う。

＜ブロック図＞
図２１は、タッチパネル４００の一例として相互容量方式のタッチパネルを用いた場合の構成例を示すブロック図である。タッチパネル４００は検知領域４０１を有する。また、検知領域４０１は、配線ＣＬ及び配線ＭＬを有する。

図２１では、一例として、パルス電圧が与えられる配線ＣＬをＣＬ（１）乃至ＣＬ（６）の６本の配線、電流の変化を検知する配線ＭＬをＭＬ（１）乃至ＭＬ（６）の６本の配線として示している。なお、配線の数は、これに限定されない。また図２１は、配線ＣＬ及び配線ＭＬが重畳すること、又は、配線ＣＬ及び配線ＭＬが近接して配置されることで形成される容量４０４を図示している。

検知領域４０１に被検知体（指やスタイラスなど）が近接又は接触すると、容量４０４の容量値が変化し、タッチパネル４００はタッチを検出する。

タッチパネル４００は、配線ＣＬ及び配線ＭＬを介して、タッチパネルＩＣ４０５に電気的に接続されている。タッチパネルＩＣ４０５は、駆動回路４０２と検出回路４０３を有する。

駆動回路４０２は、配線ＣＬを介して、タッチパネル４００に電気的に接続される。駆動回路４０２は、信号Ｔｘを出力する機能を有する。駆動回路４０２としては、例えばシフトレジスタ回路とバッファ回路を組み合わせた構成を用いることができる。

検出回路４０３は、配線ＭＬを介して、タッチパネル４００に電気的に接続される。検出回路４０３は、信号Ｒｘを検出し、タッチパネル４００でタッチが行われたことを検知する。例えば、検出回路４０３として、増幅回路と、アナログデジタル変換回路（ＡＤＣ：Ａｎａｌｏｇ ｔｏ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）を有する構成を用いることができる。検出回路４０３は、タッチパネル４００から出力されるアナログ信号を、デジタル信号に変換して、アプリケーションプロセッサに出力する機能を有する。

＜上面図＞
次に、タッチパネル４００のより具体的な構成例について、図２２及び図２３を用いて説明を行う。

図２２（Ａ）はタッチパネル４００の上面図である。図２２（Ｂ）及び図２２（Ｃ）は図２２（Ａ）の一部を説明する斜視図である。

図２３（Ａ）は制御線及び検知信号線の隣接部の上面図である。図２３（Ｂ）は隣接部に生じる電界を模式的に説明する斜視図である。

タッチパネル４００は検知領域４０１を有する。検知領域４０１は、配線ＣＬ（ｇ）、配線ＭＬ（ｈ）及び導電膜を備える（図２２（Ａ）参照）。なお、ｇ及びｈは２以上の整数である。

例えば、複数の領域に分割された導電膜を検知領域４０１に用いることができる（図２２（Ａ）参照）。これにより、同一の電位又は異なる電位を、複数の領域のそれぞれに供給することができる。

具体的には、配線ＣＬ（ｇ）に用いることができる導電膜と、配線ＭＬ（ｈ）に用いることができる導電膜と、に分割された導電膜を検知領域４０１に用いることができる。また、複数の領域に分割された導電膜のそれぞれに、例えば、櫛歯状の形状を備える導電膜を用いることができる（図２３、電極ＣＥ（１）、電極ＭＥ（１）及び電極ＭＥ（２）参照）。これにより、分割された導電膜を検知素子の電極に用いることができる。

例えば、配線ＣＬ（１）に用いることができる導電膜と、配線ＭＬ（１）に用いることができる導電膜と、配線ＭＬ（２）に用いることができる導電膜と、に分割された導電膜は、隣接部Ｘ０において互いに隣接する（図２２（Ａ）、図２２（Ｃ）又は図２３参照）。

検知素子４７５（ｇ，ｈ）は、配線ＣＬ（ｇ）及び配線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される（図２２（Ａ）参照）。

配線ＣＬ（ｇ）は制御信号（Ｔｘ）を供給する機能を備え、配線ＭＬ（ｈ）は、検知信号（Ｒｘ）を供給される機能を備える。

配線ＭＬ（ｈ）は、導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）を含む（図２２（Ｂ）参照）。導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）は、配線ＣＬ（ｇ）と重なる領域を備える。

なお、検知素子４７５（ｇ，ｈ）は絶縁膜を備える。絶縁膜は、配線ＭＬ（ｈ）及び導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の間に挟まれる領域を備える。これにより、配線ＭＬ（ｈ）及び導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の短絡を防止することができる。

電極ＣＥ（１）は、配線ＣＬ（１）に電気的に接続され、電極ＭＥ（１）は、配線ＭＬ（１）に電気的に接続される（図２３参照）。

同様に、電極ＣＥ（ｇ）は、配線ＣＬ（ｇ）に電気的に接続され、電極ＭＥ（ｈ）は、配線ＭＬ（ｈ）に電気的に接続される。

検知素子４７５（１、１）は、電極ＣＥ（１）と電極ＭＥ（１）の間に形成される容量値の変化を読み取ることで、タッチを検出する（図２３参照）。

同様に、検知素子４７５（ｇ、ｈ）は、電極ＣＥ（ｇ）と電極ＭＥ（ｈ）の間に形成される容量値の変化を読み取ることで、タッチを検出する。

同一の工程で形成することができる導電膜を、配線ＣＬ（１）及び電極ＣＥ（１）に用いることができる。同一の工程で形成することができる導電膜を、配線ＭＬ（１）及び電極ＭＥ（１）に用いることができる（図２３参照）。

同様に、同一の工程で形成することができる導電膜を、配線ＣＬ（ｇ）及び電極ＣＥ（ｇ）に用いることができる。同一の工程で形成することができる導電膜を、配線ＭＬ（ｈ）及び電極ＭＥ（ｈ）に用いることができる。

例えば、透光性を備える導電膜を、電極ＣＥ（ｇ）及び電極ＭＥ（ｈ）に用いることができる。又は、画素と重なる領域に開口部や櫛歯状の形状を備える導電膜を、配線ＣＬ（ｇ）及び配線ＭＬ（ｈ）に用いることができる。これにより、表示パネルの表示を遮ることなく、表示パネルと重なる領域に近接するものを検知することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態８）
本実施の形態では、実施の形態７に記載のタッチパネルの構成例について説明を行う。なお、本実施の形態では、投影型静電容量方式（相互容量方式）のタッチパネルについて説明を行う。

図２４乃至図２７に、タッチパネル４００及び表示パネルからなるタッチセンサの断面模式図を示す。なお、図２４乃至図２７に示す断面模式図は、タッチセンサの動作を説明する上で必要な構成要素のみが描かれている。例えば、基板４１１上にトランジスタ、発光素子などの素子が設けられる場合もあるが、ここでは省略することにする。

図２４（Ａ）に示すタッチセンサは、基板４１１、基板４１２、ＦＰＣ４１３、導電膜４１４、液晶素子４２０、着色膜４３１、導電膜４４１等を有する。

液晶素子４２０は、導電膜４２１、導電膜４２２及び液晶４２３により構成される。導電膜４２１上には絶縁膜４２４を介して導電膜４２２が配置されている。導電膜４２１は液晶素子４２０のコモン電極として機能し、導電膜４２２は画素電極として機能する。

導電膜４２１及び導電膜４２２は、液晶４２３の厚さ方向（図中Ａ１‐Ａ２方向）と交差する電界を形成するように配置される。液晶４２３としては、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、又はＶＡ−ＩＰＳ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードで動作する液晶材料を用いることができる。

タッチセンサは、基板４１２側に設けられた導電膜４４１と、液晶素子４２０の一対の電極の一方として機能する導電膜４２１との間に形成される容量を利用して検出することができる。

導電膜４４１は基板４１２の表示面側（基板４１１と反対側）の面に設けられる。また、導電膜４４１は、基板４１２側に設けられたＦＰＣ４４３と電気的に接続される。導電膜４２１は、導電膜４１４を介して基板４１１側に取り付けられたＦＰＣ４１３と電気的に接続する。

図２４（Ａ）に示すタッチセンサは、導電膜４２１を画素電極、導電膜４２２をコモン電極とし、導電膜４４１と導電膜４２２との間に形成される容量を利用して、タッチ検出を行ってもよい。その場合の模式図を図２４（Ｂ）に示す。

図２４（Ａ）に示すタッチセンサは、導電膜４４１を基板４１２と液晶４２３の間に設けてもよい。その場合の模式図を図２４（Ｃ）に示す。

図２４（Ｂ）に示すタッチセンサは、導電膜４４１を基板４１２と液晶４２３の間に設けてもよい。その場合の模式図を図２４（Ｄ）に示す。

図２４（Ａ）乃至図２４（Ｄ）に示す構成とすることで、液晶素子４２０の一方の電極を、タッチセンサの一対の電極の一方と兼ねることができる。よって、工程を簡略化することができ、製造コストを低減することができる。

図２４（Ａ）に示すタッチセンサは、導電膜４４１及びＦＰＣ４４３を設けない構成でもよい。その場合の模式図を図２５（Ａ）に示す。

図２５（Ａ）において、液晶素子４２０のコモン電極として機能する導電膜４２１ａ及び導電膜４２１ｂが、タッチセンサの一対の電極としても機能する。

図２５（Ａ）に示すタッチセンサは、導電膜４２２をコモン電極としてもよい。その場合の模式断面図を図２５（Ｂ）に示す。図２５（Ｂ）において、導電膜４２２ａ及び導電膜４２２ｂが、タッチセンサの一対の電極として機能する。

図２５（Ａ）又は図２５（Ｂ）に示す構成とすることで、タッチセンサの一対の電極の両方を、液晶素子４２０の一方の電極で兼ねることができる。よって、図２４（Ａ）、（Ｂ）の場合よりも、より工程を簡略化することができる。

図２４（Ａ）に示すタッチセンサは、導電膜４４１だけでタッチセンサの一対の電極を形成してもよい。その場合の断面模式図を図２６（Ａ）に示す。

図２６（Ａ）において、基板４１２上に設けられた導電膜４４１ａ及び導電膜４４１ｂが、タッチセンサの一対の電極として機能する。

図２６（Ａ）に示すタッチセンサは、導電膜４４１ａ及び導電膜４４１ｂを基板４１２と液晶４２３の間に設けてもよい。その場合の断面模式図を図２６（Ｂ）に示す。

図２６（Ａ）又は図２６（Ｂ）の場合、導電膜４４１ａ及び導電膜４４１ｂは、液晶素子４２０の電極（導電膜４２１、導電膜４２２）から遠ざけられている。そのため、導電膜４４１ａと導電膜４４１ｂが形成する電界と、液晶素子４２０が形成する電界が干渉することはない。また、導電膜４４１ａ及び導電膜４４１ｂは、基板４１１上に形成された配線やトランジスタなど、ノイズの発生源となり得るものから遠ざけられている。そのため、図２６（Ａ）又は図２６（Ｂ）に示すタッチセンサは、タッチ検出の感度を高めることができる。

図２６（Ａ）又は図２６（Ｂ）のようにタッチセンサの電極を設けた場合、液晶４２３として、基板４１１に対して垂直方向に電界を印加することで表示を行う液晶を用いることができる。その場合の断面模式図を図２７（Ａ）、（Ｂ）に示す。

図２７（Ａ）、（Ｂ）において、液晶４２３を上下に挟むように、導電膜４２１及び導電膜４２２が設けられている。この場合も、導電膜４４１ａと導電膜４４１ｂが形成する電界と、液晶素子４２０が形成する電界が干渉することはない。液晶４２３として、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モードなどを用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態９）
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した表示装置を適用することができる電子機器の一例について説明する。

＜ノート型パーソナルコンピュータ＞
図２８（Ａ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体５４０１、表示部５４０２、キーボード５４０３、ポインティングデバイス５４０４等を有する。本発明の一態様の表示装置は、表示部５４０２に用いることができる。

＜スマートウォッチ＞
図２８（Ｂ）はウェアラブル端末の一種であるスマートウォッチであり、筐体５９０１、表示部５９０２、操作ボタン５９０３、操作子５９０４、バンド５９０５などを有する。本発明の一態様の表示装置は、スマートウォッチに適用することができる。また、表示部５９０２に、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしてもよい。また、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができる。あるいは、位置入力装置としての機能は、フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加することができる。また、操作ボタン５９０３にスマートウォッチを起動する電源スイッチ、スマートウォッチのアプリケーションを操作するボタン、音量調整ボタン、又は表示部５９０２を点灯、あるいは消灯するスイッチなどのいずれかを備えることができる。また、図２８（Ｂ）に示したスマートウォッチでは、操作ボタン５９０３の数を２個示しているが、スマートウォッチの有する操作ボタンの数は、これに限定されない。また、操作子５９０４は、スマートウォッチの時刻合わせを行うリューズとして機能する。また、操作子５９０４は、時刻合わせ以外に、スマートウォッチのアプリケーションを操作する入力インターフェースとして、用いるようにしてもよい。なお、図２８（Ｂ）に示したスマートウォッチでは、操作子５９０４を有する構成となっているが、これに限定せず、操作子５９０４を有さない構成であってもよい。

＜ビデオカメラ＞
図２８（Ｃ）はビデオカメラであり、第１筐体５８０１、第２筐体５８０２、表示部５８０３、操作キー５８０４、レンズ５８０５、接続部５８０６等を有する。本発明の一態様の表示装置は、ビデオカメラに適用することができる。操作キー５８０４及びレンズ５８０５は第１筐体５８０１に設けられており、表示部５８０３は第２筐体５８０２に設けられている。そして、第１筐体５８０１と第２筐体５８０２とは、接続部５８０６により接続されており、第１筐体５８０１と第２筐体５８０２の間の角度は、接続部５８０６により変更が可能である。表示部５８０３における映像を、接続部５８０６における第１筐体５８０１と第２筐体５８０２との間の角度に従って切り替える構成としてもよい。

＜携帯電話＞
図２８（Ｄ）は、情報端末の機能を有する携帯電話であり、筐体５５０１、表示部５５０２、マイク５５０３、スピーカ５５０４、操作ボタン５５０５を有する。本発明の一態様の表示装置は、携帯電話に適用することができる。また、表示部５５０２に、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしてもよい。また、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができる。あるいは、位置入力装置としての機能は、フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加することができる。また、操作ボタン５５０５に携帯電話を起動する電源スイッチ、携帯電話のアプリケーションを操作するボタン、音量調整ボタン、又は表示部５５０２を点灯、あるいは消灯するスイッチなどのいずれかを備えることができる。

また、図２８（Ｄ）に示した携帯電話では、操作ボタン５５０５の数を２個示しているが、携帯電話の有する操作ボタンの数は、これに限定されない。また、図示していないが、図２８（Ｄ）に示した携帯電話は、フラッシュライト、又は照明の用途として発光装置を有する構成であってもよい。

＜テレビジョン装置＞
図２８（Ｅ）は、テレビジョン装置を示す斜視図である。テレビジョン装置は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）などを有する。テレビジョン装置は、大画面、例えば、５０インチ以上、又は１００インチ以上の表示部９００１を組み込むことが可能である。

＜移動体＞
上述した表示装置は、移動体である自動車の運転席周辺に適用することもできる。

例えば、図２８（Ｆ）は、自動車の室内におけるフロントガラス周辺を表す図である。図２８（Ｆ）では、ダッシュボードに取り付けられた表示パネル５７０１、表示パネル５７０２、表示パネル５７０３の他、ピラーに取り付けられた表示パネル５７０４を図示している。

表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０３は、ナビゲーション情報、スピードメーターやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。また、表示パネルに表示される表示項目やレイアウトなどは、ユーザの好みに合わせて適宜変更することができ、デザイン性を高めることが可能である。表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０３は、照明装置として用いることも可能である。

表示パネル５７０４には、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界（死角）を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像手段からの画像を表示することによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。表示パネル５７０４は、照明装置として用いることもできる。

また、図示していないが、図２８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）に示した電子機器は、マイク及びスピーカを有する構成であってもよい。この構成により、例えば、上述した電子機器に音声入力機能を付することができる。

また、図示していないが、図２８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｄ）乃至（Ｆ）に示した電子機器は、カメラを有する構成であってもよい。

また、図示していないが、図２８（Ａ）乃至（Ｆ）に示した電子機器は、筐体の内部にセンサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線などを測定する機能を含むもの）を有する構成であってもよい。特に、図２８（Ｄ）に示す携帯電話に、ジャイロ、加速度センサなどの傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、該携帯電話の向き（鉛直方向に対して該携帯電話がどの向きに向いているか）を判断して、表示部５５０２の画面表示を、該携帯電話の向きに応じて自動的に切り替えるようにすることができる。

また、図示していないが、図２８（Ａ）乃至（Ｆ）に示した電子機器は、指紋、静脈、虹彩、又は声紋など生体情報を取得する装置を有する構成であってもよい。この構成を適用することによって、生体認証機能を有する電子機器を実現することができる。

また、図２８（Ａ）乃至（Ｆ）に示した電子機器の表示部として、可撓性を有する基材を用いてもよい。具体的には、該表示部は、可撓性を有する基材上にトランジスタ、容量素子、及び表示素子などを設けた構成としてもよい。この構成を適用することによって、図２８（Ａ）乃至（Ｆ）に示した電子機器のように平らな面を有する筐体だけでなく、曲面を有するような筐体の電子機器を実現することができる。

また、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（本明細書等の記載に関する付記）
以上の実施の形態における各構成の説明について、以下に付記する。

＜実施の形態で述べた本発明の一態様に関する付記＞
各実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて、本発明の一態様とすることができる。また、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、互いに構成例を適宜組み合わせることが可能である。

なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の形態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）と、一つ若しくは複数の別の実施の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）との少なくとも一つの内容に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを行うことができる。

なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。

なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分、その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）と、一つ若しくは複数の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）との少なくとも一つの図に対して、組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることができる。

＜序数詞に関する付記＞
本明細書等において、「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。また、構成要素の順序を限定するものではない。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第１」に言及された構成要素が、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において「第２」に言及された構成要素とすることもありうる。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第１」に言及された構成要素を、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において省略することもありうる。

＜図面を説明する記載に関する付記＞
実施の形態について図面を参照しながら説明している。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態の発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

また、本明細書等において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化する。そのため、配置を示す語句は、明細書で説明した記載に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。

また、「上」や「下」の用語は、構成要素の位置関係が直上又は直下で、かつ、直接接していることを限定するものではない。例えば、「絶縁層Ａ上の電極Ｂ」の表現であれば、絶縁層Ａの上に電極Ｂが直接接して形成されている必要はなく、絶縁層Ａと電極Ｂとの間に他の構成要素を含むものを除外しない。

また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、説明の便宜上任意の大きさに示したものである。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は明確性を期すために模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。例えば、ノイズによる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信号、電圧、若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。

また、図面において、斜視図などにおいて、図面の明確性を期すために、一部の構成要素の記載を省略している場合がある。

また、図面において、同一の要素又は同様な機能を有する要素、同一の材質の要素、あるいは同時に形成される要素等には同一の符号を付す場合があり、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

＜言い換え可能な記載に関する付記＞
本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、ソースとドレインとの一方を、「ソース又はドレインの一方」（又は第１電極、又は第１端子）と表記し、ソースとドレインとの他方を「ソース又はドレインの他方」（又は第２電極、又は第２端子）と表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称については、ソース（ドレイン）端子や、ソース（ドレイン）電極等、状況に応じて適切に言い換えることができる。また、本明細書等では、ゲート以外の２つの端子を第１端子、第２端子と呼ぶ場合や、第３端子、第４端子と呼ぶ場合がある。また、本明細書等に記載するトランジスタが２つ以上のゲートを有するとき（この構成をデュアルゲート構造という場合がある）、それらのゲートを第１ゲート、第２ゲートと呼ぶ場合や、フロントゲート、バックゲートと呼ぶ場合がある。特に、「フロントゲート」という語句は、単に「ゲート」という語句に互いに言い換えることができる。また、「バックゲート」という語句は、単に「ゲート」という語句に互いに言い換えることができる。なお、ボトムゲートとは、トランジスタの作製時において、チャネル形成領域よりも先に形成される端子のことをいい、「トップゲート」とは、トランジスタの作製時において、チャネル形成領域よりも後に形成される端子のことをいう。

トランジスタは、ゲート、ソース、及びドレインと呼ばれる３つの端子を有する。ゲートは、トランジスタの導通状態を制御する制御端子として機能する端子である。ソース又はドレインとして機能する２つの入出力端子は、トランジスタの型及び各端子に与えられる電位の高低によって、一方がソースとなり他方がドレインとなる。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。また、本明細書等では、ゲート以外の２つの端子を第１端子、第２端子と呼ぶ場合や、第３端子、第４端子と呼ぶ場合がある。

また、本明細書等において「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「配線」が一体となって形成されている場合なども含む。

また、本明細書等において、電圧と電位は、適宜言い換えることができる。電圧は、基準となる電位からの電位差のことであり、例えば基準となる電位をグラウンド電位（接地電位）とすると、電圧を電位に言い換えることができる。グラウンド電位は必ずしも０Ｖを意味するとは限らない。なお電位は相対的なものであり、基準となる電位によっては、配線等に与える電位を変化させる場合がある。

なお本明細書等において、「膜」、「層」などの語句は、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、場合によっては、又は、状況に応じて、「膜」、「層」などの語句を使わずに、別の用語に入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」又は「導電膜」という用語を、「導電体」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、例えば、「絶縁層」「絶縁膜」という用語を、「絶縁体」という用語に変更することが可能な場合がある。

なお本明細書等において、「配線」、「信号線」、「電源線」などの用語は、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「配線」という用語を、「信号線」という用語に変更することが可能な場合がある。また、例えば、「配線」という用語を、「電源線」などの用語に変更することが可能な場合がある。また、その逆も同様で、「信号線」「電源線」などの用語を、「配線」という用語に変更することが可能な場合がある。「電源線」などの用語は、「信号線」などの用語に変更することが可能な場合がある。また、その逆も同様で「信号線」などの用語は、「電源線」などの用語に変更することが可能な場合がある。また、配線に印加されている「電位」という用語を、場合によっては、又は、状況に応じて、「信号」などという用語に変更することが可能な場合がある。また、その逆も同様で、「信号」などの用語は、「電位」という用語に変更することが可能な場合がある。

＜語句の定義に関する付記＞
以下では、上記実施の形態中で言及した語句の定義について説明する。

＜＜半導体の不純物について＞＞
半導体の不純物とは、例えば、半導体層を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が０．１原子％未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、例えば、半導体にＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅｓ）が形成されることや、キャリア移動度が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１４族元素、第１５族元素、主成分以外の遷移金属などがあり、特に、例えば、水素（水にも含まれる）、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。酸化物半導体の場合、例えば水素などの不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコン層である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１５族元素などがある。

＜＜トランジスタについて＞＞
本明細書において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域又はドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域又はソース電極）の間にチャネル形成領域を有しており、ゲート‐ソース間に電位差を与えることによって、チャネル形成領域に電流を流すことができるものである。

また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。

＜＜スイッチについて＞＞
本明細書等において、スイッチとは、導通状態（オン状態）、又は、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。又は、スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。

一例としては、電気的スイッチ又は機械的なスイッチなどを用いることができる。つまり、スイッチは、電流を制御できるものであればよく、特定のものに限定されない。

電気的なスイッチの一例としては、トランジスタ（例えば、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）ダイオード、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）、又はこれらを組み合わせた論理回路などがある。

なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、トランジスタの「導通状態」とは、トランジスタのソース電極とドレイン電極が電気的に短絡されているとみなせる状態をいう。また、トランジスタの「非導通状態」とは、トランジスタのソース電極とドレイン電極が電気的に遮断されているとみなせる状態をいう。なおトランジスタを単なるスイッチとして動作させる場合には、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。

機械的なスイッチの一例としては、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）のように、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）技術を用いたスイッチがある。そのスイッチは、機械的に動かすことが可能な電極を有し、その電極が動くことによって、導通と非導通とを制御して動作する。

＜＜接続について＞＞
本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と記載する場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図又は文章に示された接続関係に限定されず、図又は文章に示された接続関係以外のものも含むものとする。

ここで使用するＸ、Ｙなどは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、又は、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅又は電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とを含むものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。又は、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。又は、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

＜＜平行、垂直について＞＞
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「略平行」とは、二つの直線が−３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。

ＧＰＵ グラフィックプロセシングユニット
ＴＣ タイミングコントローラ
ＳＤ ソースドライバ部
ＳＤ１ 第１ソースドライバ
ＳＤ２ 第２ソースドライバ
ＧＤ ゲートドライバ部
ＧＤ１ 第１ゲートドライバ
ＧＤ２ 第２ゲートドライバ
ＣＥＰＣ コモン電極電位設定回路
ＴＰＣ タッチパネルコントローラ
ＴＤＡ タッチセンサ表示部
ＴＳＤ タッチセンサ部
ＤＤ１ 第１表示装置
ＤＤ２ 第２表示装置
ＰＷＤ 画像書き込み期間
ＳＰ１ センシング期間
ＳＰ２ センシング期間
ＳＰ３ センシング期間
ＳＰ センシング期間
ＳＴ１ ステップ
ＳＴ２ ステップ
ＳＴ３ ステップ
ＳＴ４ ステップ
ＳＴ５ ステップ
ＳＴ６ ステップ
ＳＴ７ ステップ
ＳＬ 信号線
ＤＬ 信号線
ＧＬ ゲート線
ＧＬ２ ゲート線
ＡＬ 電流供給線
Ｍ トランジスタ
Ｍ１ トランジスタ
Ｍ２ トランジスタ
Ｍ３ トランジスタ
Ｃｓ_ＬＣ 容量素子
Ｃｓ_ＥＬ 容量素子
ＫＢ１ 構造体
ＫＢ２ 構造体
ＣＦ１ 着色膜
ＣＬ 配線
ＭＬ 配線
ＣＥ 電極
ＭＥ 電極
ＢＲ（ｇ，ｈ） 導電膜
１０ データ
２１ 反射型液晶素子
２２ 発光素子
２３ 容量素子
２４ 照度センサ
１００ 電子機器
１０１ 電子機器
１０２ 電子機器
２０１ 第１表示素子
２０２ 第２表示素子
２０３ 開口部
２０４ 反射光
２０５ 透過光
２０６ 画素回路
２０７ 画素回路
２１０ 表示装置
２１４ 表示部
２１６ 回路
２１８ 配線
２２０ ＩＣ
２２２ ＦＰＣ
４００ タッチパネル
４０１ 検知領域
４０２ 駆動回路
４０３ 検出回路
４０４ 容量
４０５ タッチパネルＩＣ
４１１ 基板
４１２ 基板
４１３ ＦＰＣ
４１４ 導電膜
４２０ 液晶素子
４２１ 導電膜
４２１ａ 導電膜
４２１ｂ 導電膜
４２２ 導電膜
４２２ａ 導電膜
４２２ｂ 導電膜
４２３ 液晶
４２４ 絶縁膜
４３１ 着色膜
４４１ 導電膜
４４１ａ 導電膜
４４１ｂ 導電膜
４４３ ＦＰＣ
４７５ 検知素子
２０１０ ユニット
２０２０ ユニット
２４０２ 絶縁膜
２４０３ 絶縁膜
２４０４ 絶縁膜
２４０５ 絶縁膜
２４１１ 絶縁膜
２４１２ 絶縁膜
２４１３ 絶縁膜
２４１４ 絶縁膜
２４１５ 絶縁膜
２５０１Ｃ 絶縁膜
２５０５ 接合層
２５１１ａ 導電膜
２５１１ｂ 導電膜
２５１２Ｂ 導電膜
２５１３ 導電膜
２５１４ 導電膜
２５２０ 機能層
２５２１ 絶縁膜
２５２１Ａ 絶縁膜
２５２１Ｂ 絶縁膜
２５２２ 接続部
２５３１ 半導体膜
２５５０ 第２表示素子
２５５０（ｉ，ｊ） 第２表示素子
２５５１（ｉ，ｊ） 電極
２５５２ 電極
２５５３ 発光性の材料を含む層
２５６０ 光学素子
２５６５ 被覆膜
２５６６ 導電膜
２５７０ 基板
２５８０ レンズ
２５９１Ａ 開口部
２７００ＴＰ３ 入出力パネル
２７０２（ｉ，ｊ） 画素
２７２０ 機能層
２７５０ 第１表示素子
２７５０（ｉ，ｊ） 第１表示素子
２７５１ 電極
２７５１（ｉ，ｊ） 電極
２７５１Ｈ 領域
２７５２（ｉ，ｊ） 電極
２７５３ 液晶材料を含む層
２７７０ 基板
２７７０ＡＧ 機能膜
２７７０Ｄ 機能膜
２７７０Ｐ 機能膜
２７７０ＰＡ 位相差フィルム
２７７０ＰＢ 偏光層
２７７１ 絶縁膜
２７８０ 接合層
２８７０ 基板
５２００Ａ 電子機器
５２００Ｂ 電子機器
５２０１ 表示部
５２０２ 筐体
５２０３ 照度センサ
５２１１ 手
５２１１ａ 指
５２１２ 影
５２１３ 領域
５４０１ 筐体
５４０２ 表示部
５４０３ キーボード
５４０４ ポインティングデバイス
５５０１ 筐体
５５０２ 表示部
５５０３ マイク
５５０４ スピーカ
５５０５ 操作ボタン
５７０１ 表示パネル
５７０２ 表示パネル
５７０３ 表示パネル
５７０４ 表示パネル
５８０１ 第１筐体
５８０２ 第２筐体
５８０３ 表示部
５８０４ 操作キー
５８０５ レンズ
５８０６ 接続部
５９０１ 筐体
５９０２ 表示部
５９０３ 操作ボタン
５９０４ 操作子
５９０５ バンド
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ

Claims (9)

1. 表示装置と、タッチセンサと、を有する電子機器の動作方法であって、
   第１ステップ乃至第４ステップを有し、
   前記第１ステップは、
   第１期間内において、前記タッチセンサがタッチ検出したか否かを判別する第１判定のステップと、
   前記第１判定のステップにおいて前記タッチ検出が無い場合、前記第２ステップに移行するステップと、
   前記第１判定のステップにおいて前記タッチ検出がある場合、前記第３ステップに移行するステップと、を有し、
   前記第２ステップは、前記タッチセンサを休止状態にする、又は前記タッチセンサを前記タッチセンサの駆動周波数を下げて動作するステップを有し、
   前記第３ステップは、
   前記表示装置が休止状態になったか、又は前記表示装置が前記表示装置の駆動周波数を下げて動作したか否かを判別する第２判定のステップと、
   前記第２判定のステップにおいて、前記表示装置が休止状態になった場合、又は前記表示装置が前記表示装置の駆動周波数を下げて動作した場合、前記第４ステップに移行するステップと、を有し、
   前記第４ステップは、
   前記タッチ検出が続いたか否かを判別する第３判定のステップと、
   前記第３判定のステップにおいて前記タッチ検出が続いた場合、前記第２ステップに移行するステップと、を有することを特徴とする動作方法。
2. 表示装置と、タッチセンサと、を有する電子機器の動作方法であって、
   第１ステップと、第２ステップと、を有し、
   前記第１ステップは、
   第１期間内において、前記タッチセンサがタッチ検出したか否かを判別する第１判定のステップと、
   前記第１判定のステップにおいて、前記タッチ検出が無い場合に、前記第２ステップに移行するステップと、を有し、
   前記第２ステップは、前記タッチセンサを休止状態にする、又は前記タッチセンサを前記タッチセンサの駆動周波数を下げて動作するステップを有することを特徴とする動作方法。
3. 表示装置と、タッチセンサと、を有する電子機器の動作方法であって、
   第１ステップ乃至第３ステップを有し、
   前記第１ステップは、
   前記表示装置が休止状態になったか、又は前記表示装置が前記表示装置の駆動周波数を下げて動作したか否かを判別する第１判定のステップと、
   前記第１判定のステップにおいて、前記表示装置が休止状態になった場合、又は前記表示装置が前記表示装置の駆動周波数を下げて動作した場合、前記第２ステップに移行するステップと、を有し、
   前記第２ステップは、
   前記タッチ検出が続いたか否かを判別する第２判定のステップと、
   前記第２判定のステップにおいて前記タッチ検出が続いた場合、前記第３ステップに移行するステップと、を有し、
   前記第３ステップは、前記タッチセンサを休止状態にする、又は前記タッチセンサを前記タッチセンサの駆動周波数を下げて動作するステップを有することを特徴とする動作方法。
4. 表示装置と、タッチセンサと、を有する電子機器の動作方法であって、
   前記表示装置は、表示部と、照度センサと、を有し、
   前記照度センサは、外光の照度を測定することで、前記表示部を、前記表示部に影が映らない第１領域と、影の映る第２領域と、に分ける機能を有し、
   前記表示部の前記第１領域に表示する画像の輝度を高くし、
   前記表示部の前記第２領域に表示する画像を表示しない、又は前記表示部の前記第２領域に表示する画像の輝度を低くすることを特徴とする動作方法。
5. 表示装置と、タッチセンサと、を有する電子機器の動作方法であって、
   前記表示装置は、表示部を有し、
   前記タッチセンサは、前記表示部を、タッチの検出の無い第１領域と、タッチの検出のある第２領域と、に分ける機能を有し、
   前記表示部の前記第１領域に表示する画像の輝度を高くし、
   前記表示部の前記第２領域に表示する画像を表示しない、又は前記表示部の前記第２領域に表示する画像の輝度を低くすることを特徴とする動作方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記表示装置は、反射型液晶素子と、発光素子又は透過型液晶素子の一方と、を有することを特徴とする動作方法。
7. 請求項６において、
   前記電子機器は、
   前記反射型液晶素子と、前記タッチセンサと、が、互いに同一の電極を有する、フルインセル型であることを特徴とする動作方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記表示装置は、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを有することを特徴とする動作方法。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
   前記表示装置は、チャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタを有することを特徴とする動作方法。

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