JP2018065212A - 基板処理制御システム、基板処理制御方法、およびプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
まず、局所研磨を行う研磨装置の構成について説明し、その後に、研磨装置の制御システムについて説明する。
[研磨装置の全体構成]
図1は、実施の形態に係る研磨装置100の全体構成を示すブロック図である。図1に示すように、研磨装置100は、局所研磨モジュール200、全体研磨モジュール300、洗浄モジュール400、乾燥モジュール500、制御装置600、および搬送機構700を有する。
図2は、局所研磨モジュール200の一例の概略構成を示す図である。図2に示される局所研磨モジュール200においては、処理対象物であるウェハWfよりも小径の研磨パッド220が使用される。
図3は、局所研磨モジュール200を制御する局所研磨制御システム1の構成を示す図である。局所研磨制御システム1は、図1で説明した制御装置600の一部として構成することができる。局所研磨制御システム1は、局所研磨の研磨レシピを生成する構成として、膜厚分布推定部10と、局所研磨部位設定部11と、研磨ヘッド選択部12と、研磨レシピ生成部13とを有している。
図9は、第2の実施の形態の局所研磨制御システム2の構成を示す図である。図1を参照して説明したように、研磨装置100は、局所研磨モジュール200のほかに全体研磨モジュール300を有しているが、第2の実施の形態の局所研磨制御システム2は、全体研磨モジュール300にて研磨を行うときの研磨条件(これを「全体研磨条件」という)も用いて、局所研磨レシピを求める。
図11は、第3の実施の形態の局所研磨制御システム3の構成を示す図である。第3の実施の形態の局所研磨制御システム3は、研磨レシピ生成部13が1つのレシピ生成モデルのみに基づいて研磨レシピを生成するのではなく、異なる種類のモデルで生成した研磨レシピ、および過去に用いた研磨レシピの中から最良の研磨レシピを選択する構成を有する。
図14は、第4の実施の形態の局所研磨制御システム4の構成を示す図である。第4の実施の形態の局所研磨制御システム4の基本的な構成は、上記した第1の実施の形態の局所研磨制御システム1と同じである。ただし、第4の実施の形態の局所研磨制御システム4は、インターネット等のネットワーク800を通じて、多数の研磨装置100と接続され、いわゆるIoT(Internet of Things)の構成をとっている。
上記した実施の形態では、基板処理の例として、ウェハの局所研磨を行うシステムについて説明したが、本実施の形態では、基板制御として、ウェハWf上の異物をスクラブして除去するスクラブ装置を制御するスクラブ制御システムについて説明する。最初に、スクラブ装置の構成について説明する。
図16は、スクラブ装置900の構成を示す側面図である。図16に示すように、スクラブ装置900は、ウェハWfを水平に保持し、その軸心を中心として回転させる中空状の基板回転機構910と、この基板回転機構910に保持されたウェハWfの上面をスクラブ(擦り洗い)してウェハWの上面から異物や傷を除去するスクラバー(処理ヘッド)920と、ウェハWの下面を流体圧により非接触で支持する静圧支持機構930とを備えている。基板回転機構910、スクラバー920、および静圧支持機構930は、隔壁940によって囲まれている。隔壁940の内部空間は、処理室941を構成している。ここではスクラブ処理を中心に説明しているが、この処理室941内において、洗浄、乾燥を行うこともでき、図16に示すスクラブ装置900は、洗浄装置、乾燥装置を兼ねることができる。
図17は、スクラブ制御システムの構成を示す図である。スクラブ制御システム5は、スクラブのスクラブレシピを生成する構成として、パーティクル分布推定部30と、スクラブ部位設定部31と、スクラブ部材選択部32と、スクラブレシピ生成部33とを有している。
5 スクラブ制御システム
10 膜厚分布推定部
11 局所研磨部位設定部
12 研磨ヘッド選択部
13 研磨レシピ生成部
14 シミュレーション部
15 研磨レシピ送信部
16 学習部
17 出力部
18 通信部
19 優先設定入力部
20 モデル記憶部
30 パーティクル分布推定部
31 スクラブ部位設定部
32 スクラブ部材選択部
33 スクラブレシピ生成部
34 シミュレーション部
35 シミュレーションレシピ送信部
36 学習部
37 出力部
38 通信部
39 優先設定入力部
40 モデル記憶部
100 研磨装置
200 局所研磨モジュール
300 全体研磨モジュール
400 洗浄モジュール
500 乾燥モジュール
600 制御装置
700 搬送機構
800 ネットワーク
900 スクラブ装置
Claims (30)
- 基板を局所的に研磨する研磨装置を制御するシステムであって、
前記基板の膜厚を測定し、その測定結果に基づいて前記基板の膜厚分布を推定する膜厚分布推定部と、
前記膜厚分布に基づいて、前記基板の局所研磨部位を設定する局所研磨部位設定部と、
前記局所研磨部位の大きさに基づいて研磨ヘッドを選択する研磨ヘッド選択部と、
前記局所研磨部位の属性を入力ノード、研磨処理のレシピを出力ノードとして、入力ノードと出力ノードとの関係を規定したレシピ生成モデルを記憶したモデル記憶部と、
前記局所研磨部位設定部にて設定された局所研磨部位の属性を前記レシピ生成モデルの入力ノードに適用して、前記局所研磨部位を研磨する研磨レシピを求める研磨レシピ生成部と、
局所的に研磨を行う研磨装置に、前記研磨レシピのデータを送信する研磨レシピ送信部と、
を備える基板処理制御システム。 - 前記レシピ生成モデルの入力ノードは、前記局所研磨部位の外形とその平均膜厚である請求項1に記載の基板処理制御システム。
- 前記局所研磨部位設定部は、基板処理の精度を優先するか、基板処理のスループットを優先するかによって局所研磨部位の設定基準を変更する請求項1または2に記載の基板処理制御システム。
- 前記膜厚分布推定部は、研磨対象の基板のエッチングパターンにも基づいて前記膜厚分布を推定する請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理制御システム。
- 全体研磨を行った基板に対して行う局所研磨を制御する基板処理制御システムであって、
前記レシピ生成モデルは、入力ノードとして、前記全体研磨の条件を有する請求項1乃至4のいずれかに記載の基板処理制御システム。 - 前記研磨レシピにしたがって局所研磨を行ったときの基板の膜厚分布およびスループットをシミュレーションし、そのシミュレーション結果に基づいて前記研磨レシピを採用するか否かを判定するシミュレーション部を備える請求項1乃至5のいずれかに記載の基板処理制御システム。
- 前記モデル記憶部は、種類の異なる複数のレシピ生成モデルを記憶しており、
前記研磨レシピ生成部は、異なるレシピ生成モデルを用いて複数の研磨レシピを求め、
前記シミュレーション部は、異なるレシピ生成モデルを用いて求めた複数の研磨レシピのシミュレーション結果に基づいて、一の研磨レシピを決定する請求項6に記載の基板処理制御システム。 - 前記シミュレーション部にて複数の局所研磨部位についてシミュレーションした結果に基づいて、前記レシピ生成モデルの学習を行う学習部を備える請求項7に記載の基板処理制御システム。
- 前記研磨レシピにしたがって実際に局所研磨を行った結果に基づいて前記レシピ生成モデルの学習を行う学習部を備える請求項7に記載の基板処理制御システム。
- 過去に生成した研磨レシピとその研磨レシピを用いて研磨を行った基板の膜厚分布のデータとを記憶した実績データ記憶部を有し、
前記膜厚分布推定部にて推定された基板の膜厚分布に近似する所定数の研磨レシピを前記実績データ記憶部から読み出し、
前記シミュレーション部は、複数の研磨レシピのシミュレーション結果に基づいて、一の研磨レシピを決定する請求項6に記載の基板処理制御システム。 - 前記シミュレーション部によるシミュレーション結果を出力する出力部を備える請求項6乃至10のいずれかに記載の基板処理制御システム。
- 前記シミュレーション部は、シミュレーションモデルを備える請求項6乃至11のいずれかに記載の基板処理制御システム。
- 前記シミュレーションモデルは、前記研磨レシピにしたがって実際に局所研磨を行った結果に基づいて学習する請求項12に記載の基板処理制御システム。
- ネットワークによって接続された複数の研磨装置から送信される局所研磨に関するデータを受信するデータ受信部を備える請求項1乃至13のいずれかに記載の基板処理制御システム。
- 基板上にある異物を除去するスクラブ処理を制御するシステムであって、
前記基板上のパーティクルを検出し、その検出結果に基づいてパーティクル分布を推定するパーティクル分布推定部と、
前記パーティクル分布に基づいて、前記基板のスクラブ部位を設定するスクラブ部位設定部と、
前記スクラブ部位の大きさに基づいてスクラブ部材を選択するスクラブ部材選択部と、
前記スクラブ部位の属性を入力ノード、スクラブ処理のレシピを出力ノードとして、入力ノードと出力ノードとの関係を規定したレシピ生成モデルを記憶したモデル記憶部と、
前記スクラブ部位設定部にて設定された前記スクラブ部位の属性を前記レシピ生成モデルの入力ノードに適用して、前記スクラブ部位をスクラブ処理するスクラブレシピを求めるスクラブレシピ生成部と、
スクラブを行う基板処理装置に、前記スクラブレシピのデータを送信するスクラブレシピ送信部と、
を備える基板処理制御システム。 - 前記レシピ生成モデルの入力ノードは、前記スクラブ部位の外形とパーティクルの密度である請求項15に記載の基板処理制御システム。
- 前記スクラブ部位設定部は、基板処理の精度を優先するか、基板処理のスループットを優先するかによってスクラブ部位の設定基準を変更する請求項15または16に記載の基板処理制御システム。
- 前記スクラブレシピにしたがってスクラブを行ったときの基板のパーティクル分布とスループットをシミュレーションし、そのシミュレーション結果に基づいて前記研磨レシピを採用するか否かを判定するシミュレーション部を備える請求項15乃至17のいずれかに記載の基板処理制御システム。
- 前記モデル記憶部は、種類の異なる複数のレシピ生成モデルを記憶しており、
前記スクラブレシピ生成部は、異なるレシピ生成モデルを用いて複数のスクラブレシピを求め、
前記シミュレーション部は、異なるレシピ生成モデルを用いて求めた複数のスクラブレシピのシミュレーション結果に基づいて、一のスクラブレシピを決定する請求項18に記載の基板処理制御システム。 - 前記シミュレーション部にて複数のスクラブ部位についてシミュレーションした結果に基づいて、前記レシピ生成モデルの学習を行う学習部を備える請求項19に記載の基板処理制御システム。
- 前記スクラブレシピにしたがって実際にスクラブを行った結果に基づいて前記レシピ生成モデルの学習を行う学習部を備える請求項19に記載の基板処理制御システム。
- 過去に生成したスクラブレシピとそのスクラブレシピを用いてスクラブを行った基板のパーティクル分布のデータとを記憶した実績データ記憶部を有し、
前記パーティクル分布推定部にて推定されたパーティクル分布に近似する所定数のスクラブレシピを前記実績データ記憶部から読み出し、
前記シミュレーション部は、複数のスクラブレシピのシミュレーション結果に基づいて、一のスクラブレシピを決定する請求項18に記載の基板処理制御システム。 - 前記シミュレーション部によるシミュレーション結果を出力する出力部を備える請求項18乃至22のいずれかに記載の基板処理制御システム。
- 前記シミュレーション部は、シミュレーションモデルを備える請求項18乃至23のいずれかに記載の基板処理制御システム。
- 前記シミュレーションモデルは、前記スクラブレシピにしたがって実際にスクラブを行った結果に基づいて学習する請求項24に記載の基板処理制御システム。
- ネットワークによって接続された複数の基板処理装置から送信されるスクラブに関するデータを受信するデータ受信部を備える請求項15乃至25のいずれかに記載の基板処理制御システム。
- 基板を局所的に研磨する研磨装置を制御装置によって制御する方法であって、
前記制御装置が、前記基板の膜厚を測定し、その測定結果に基づいて前記基板の膜厚分布を推定するステップと、
前記制御装置が、推定された膜厚分布に基づいて、前記基板の局所研磨部位を設定するステップと、
前記制御装置が、前記局所研磨部位の大きさに基づいて研磨ヘッドを選択するステップと、
前記制御装置が、記憶部から、前記局所研磨部位の属性を入力ノード、研磨処理のレシピを出力ノードとして、入力ノードと出力ノードとの関係を規定したモデルを読み出すステップと、
前記制御装置が、局所研磨部位の属性を前記モデルの入力ノードに適用して、前記局所研磨部位を研磨する研磨レシピを求めるステップと、
前記制御装置が、局所的に研磨を行う研磨装置に、前記研磨レシピのデータを送信するステップと、
を備える基板処理制御方法。 - 基板上にある異物を除去するスクラブ処理を制御装置によって制御する方法であって、
前記制御装置が、前記基板上のパーティクルを検出し、その検出結果に基づいてパーティクル分布を推定するステップと、
前記制御装置が、前記パーティクル分布に基づいて、前記基板のスクラブ部位を設定するステップと、
前記制御装置が、前記スクラブ部位の大きさに基づいてスクラブ部材を選択するステップと、
前記制御装置が、記憶部から、前記スクラブ部位の属性を入力ノード、スクラブ処理のレシピを出力ノードとして、入力ノードと出力ノードとの関係を規定したレシピ生成モデルを読み出すステップと、
前記制御装置が、前記スクラブ部位設定部にて設定された前記スクラブ部位の属性を前記レシピ生成モデルの入力ノードに適用して、前記スクラブ部位をスクラブ処理するスクラブレシピを求めるステップと、
前記制御装置が、スクラブを行う基板処理装置に、前記スクラブレシピのデータを送信するステップと、
を備える基板処理制御方法。 - 基板を局所的に研磨する研磨装置を制御するためのプログラムであって、コンピュータに、
前記基板の膜厚を測定し、その測定結果に基づいて前記基板の膜厚分布を推定するステップと、
推定された膜厚分布に基づいて、前記基板の局所研磨部位を設定するステップと、
前記局所研磨部位の大きさに基づいて研磨ヘッドを選択するステップと、
記憶部から、前記局所研磨部位の属性を入力ノード、研磨処理のレシピを出力ノードとして、入力ノードと出力ノードとの関係を規定したモデルを読み出すステップと、
局所研磨部位の属性を前記モデルの入力ノードに適用して、前記局所研磨部位を研磨する研磨レシピを求めるステップと、
局所的に研磨を行う研磨装置に、前記研磨レシピのデータを送信するステップと、
を実行させるプログラム。 - 基板上にある異物を除去するスクラブ処理を制御するプログラムであって、コンピュータに、
前記基板上のパーティクルを検出し、その検出結果に基づいてパーティクル分布を推定するステップと、
前記パーティクル分布に基づいて、前記基板のスクラブ部位を設定するステップと、
前記スクラブ部位の大きさに基づいてスクラブ部材を選択するステップと、
記憶部から、前記スクラブ部位の属性を入力ノード、スクラブ処理のレシピを出力ノードとして、入力ノードと出力ノードとの関係を規定したレシピ生成モデルを読み出すステップと、
前記スクラブ部位設定部にて設定された前記スクラブ部位の属性を前記レシピ生成モデルの入力ノードに適用して、前記スクラブ部位をスクラブ処理するスクラブレシピを求めるステップと、
スクラブを行う基板処理装置に、前記スクラブレシピのデータを送信するステップと、
を実行させるプログラム。
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US16/338,931 US12036634B2 (en) | 2016-10-18 | 2017-09-07 | Substrate processing control system, substrate processing control method, and program |
SG10202111784SA SG10202111784SA (en) | 2016-10-18 | 2017-09-07 | System for controlling a scrubbing process system, method of a controller controlling a scrubbing process, and program |
SG10202111787PA SG10202111787PA (en) | 2016-10-18 | 2017-09-07 | Local polisher, method of a local polisher and program |
PCT/JP2017/032306 WO2018074091A1 (ja) | 2016-10-18 | 2017-09-07 | 基板処理制御システム、基板処理制御方法、およびプログラム |
SG11201902651QA SG11201902651QA (en) | 2016-10-18 | 2017-09-07 | Substrate processing control system, substrate processing control method, and program |
TW110130065A TWI775569B (zh) | 2016-10-18 | 2017-09-20 | 研磨裝置、研磨方法、以及電腦程式製品 |
TW106132250A TWI739906B (zh) | 2016-10-18 | 2017-09-20 | 基板處理控制系統、基板處理控制方法、以及程式 |
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020004547A1 (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | 株式会社Screenホールディングス | 補正方法、基板処理装置、及び基板処理システム |
JP2020038888A (ja) * | 2018-09-03 | 2020-03-12 | 株式会社プレテック | エッチング装置及びエッチング方法 |
JP2020053550A (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、研磨方法、及び機械学習装置 |
CN113618621A (zh) * | 2020-04-22 | 2021-11-09 | 财团法人工业技术研究院 | 研磨抛光模拟方法、系统及研磨抛光工艺转移方法 |
CN115397612A (zh) * | 2020-03-24 | 2022-11-25 | 株式会社荏原制作所 | 工件的化学机械研磨系统、演算系统、及化学机械研磨的模拟模型的制作方法 |
US11733686B2 (en) | 2018-03-13 | 2023-08-22 | Applied Materials, Inc. | Machine learning systems for monitoring of semiconductor processing |
WO2024070055A1 (ja) * | 2022-09-26 | 2024-04-04 | 株式会社Screenホールディングス | 学習装置、情報処理装置、基板処理装置、基板処理システム、学習方法および処理条件決定方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0349846A (ja) * | 1989-07-13 | 1991-03-04 | Omron Corp | 研削加工適応制御装置 |
JPH10264011A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-10-06 | Canon Inc | 精密研磨装置及び方法 |
JPH1190816A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-06 | Toshiba Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2001523586A (ja) * | 1997-11-18 | 2001-11-27 | スピードファム−アイピーイーシー コーポレイション | 化学機械的研磨工程をモデル化する方法および装置 |
JP2002343753A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Nikon Corp | シミュレーション方法及び装置、加工装置、加工システム、並びに半導体デバイス製造方法 |
JP2003059887A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP2005317864A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Renesas Technology Corp | ウェハの研磨方法 |
JP2011060977A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | 半導体デバイスの製造装置、製造方法 |
JP2013176828A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-09 | Ebara Corp | 研磨終点検出装置の遠隔監視システム |
JP2016058724A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 株式会社荏原製作所 | 処理モジュール、処理装置、及び、処理方法 |
-
2016
- 2016-10-18 JP JP2016204675A patent/JP6782145B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0349846A (ja) * | 1989-07-13 | 1991-03-04 | Omron Corp | 研削加工適応制御装置 |
JPH10264011A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-10-06 | Canon Inc | 精密研磨装置及び方法 |
JPH1190816A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-06 | Toshiba Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2001523586A (ja) * | 1997-11-18 | 2001-11-27 | スピードファム−アイピーイーシー コーポレイション | 化学機械的研磨工程をモデル化する方法および装置 |
JP2002343753A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Nikon Corp | シミュレーション方法及び装置、加工装置、加工システム、並びに半導体デバイス製造方法 |
JP2003059887A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP2005317864A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Renesas Technology Corp | ウェハの研磨方法 |
JP2011060977A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | 半導体デバイスの製造装置、製造方法 |
JP2013176828A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-09 | Ebara Corp | 研磨終点検出装置の遠隔監視システム |
JP2016058724A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 株式会社荏原製作所 | 処理モジュール、処理装置、及び、処理方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11733686B2 (en) | 2018-03-13 | 2023-08-22 | Applied Materials, Inc. | Machine learning systems for monitoring of semiconductor processing |
JP2020004817A (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-09 | 株式会社Screenホールディングス | 補正方法、基板処理装置、及び基板処理システム |
WO2020004547A1 (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | 株式会社Screenホールディングス | 補正方法、基板処理装置、及び基板処理システム |
JP7184547B2 (ja) | 2018-06-27 | 2022-12-06 | 株式会社Screenホールディングス | 補正方法、基板処理装置、及び基板処理システム |
JP7141892B2 (ja) | 2018-09-03 | 2022-09-26 | 株式会社プレテック | エッチング装置及びエッチング方法 |
JP2020038888A (ja) * | 2018-09-03 | 2020-03-12 | 株式会社プレテック | エッチング装置及びエッチング方法 |
JP2020053550A (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、研磨方法、及び機械学習装置 |
CN110948374A (zh) * | 2018-09-27 | 2020-04-03 | 株式会社荏原制作所 | 研磨装置、研磨方法以及机器学习装置 |
TWI831836B (zh) * | 2018-09-27 | 2024-02-11 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 研磨裝置、研磨方法及機器學習裝置 |
CN115397612A (zh) * | 2020-03-24 | 2022-11-25 | 株式会社荏原制作所 | 工件的化学机械研磨系统、演算系统、及化学机械研磨的模拟模型的制作方法 |
CN115397612B (zh) * | 2020-03-24 | 2024-06-07 | 株式会社荏原制作所 | 工件的化学机械研磨系统、演算系统、及化学机械研磨的模拟模型的制作方法 |
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