JP2018195734A - 基板処理装置、プログラムを記録した記録媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
モデルの一部又は全部を組み合わせて前記レシピを生成するレシピ生成装置と、 を備えた基板処理装置が提供される。
図1は、本発明の一実施形態に係る研磨装置1を示す平面図である。この研磨装置1は、基板処理装置の一例であり、被研磨体又は研磨対象物である基板を研磨する。ここでは、基板が半導体ウェハ(以下、単にウェハと称す)を研磨する場合を例に挙げて説明する。
6に搬送する。
次に、研磨装置1の研磨ユニット9において全面裏面研磨処理後の研磨プロファイルを最適にするレシピを自動で生成する処理について説明する。レシピは、基板処理装置の処理条件の組み合わせを含む。処理条件には、基板処理装置の各部の動作条件が含まれる。本実施形態では、レシピは、研磨の処理条件の組み合わせを含む。また、本実施形態では、研磨ユニット9の研磨処理のレシピを設定する場合を例に挙げて説明する。
(式1)
面内均一性 = (研磨量の分散σ)/(研磨量の平均値Ave)×100 (%)
例えば、モデルケース01のレシピ項目の値では、面内均一性は53%となる。但し、各レシピモデルのデータとして、面内均一性は必ずしも必須ではない。
6の組み合わせでは、面内均一性は9.8%となった。なお、ここで、モデルケース03、05は選択されない。このように、レシピモデルの全てが使用されない場合もあり、制約条件を満たすために、レシピモデルの順番及び組み合わせが選択される。なお、ここでは、GRGによって解析する場合を説明したが、機械学習によって解析するようにしてもよい。
処理では、例えば図9に示すように、10秒間処理した場合の任意点の研磨量Y2を下記(式2)の重回帰式で求める。
(式2) Y2 = a1・x1+a2・x2+a3・x3
x1:ヘッド回転数、x2:ウェハ回転数、x3:ヘッド位置
なお、各係数a1〜a3は、予めシミュレーションで計算した結果から取得しておく。式2を使用して、研磨量のプロファイルを求める。
上記では、基板処理装置として裏面研磨用の研磨措置1におけるレシピ生成を例に挙げたが、本発明は、CMP装置を含む他の基板処理装置のレシピ生成にも適用可能である。例えば、めっき装置の場合には、めっき処理のレシピ項目として、アノードマスク径、レギュレーションプレート径、電流密度、処理時間を選択することができる。但し、これらのレシピ項目のうち一部を省略してもよいし、これらに更なるレシピ項目を追加してもよい。CMP装置の場合には、研磨のレシピ項目として、ヘッドの位置、ウェハ回転数、ヘッド回転数、ヘッドエアバッグ圧、スラリー流量、スラリー供給位置、ターンテーブルの回転数、ポリッシングユニットの回転数、トップリング押し付け荷重、リテーナ押し付け荷重、処理時間を選択することができる。但し、これらのレシピ項目のうち一部を省略してもよいし、これらに更なるレシピ項目を追加してもよい。
図11は、遠隔コンピュータにおいてレシピ生成を行う場合の説明図である。同図では、半導体製造工場内において、基板処理装置としての研磨装置1及びめっき装置1Aが設置された例が示されている。また、研磨装置1及びめっき装置1Aと有線又は無線で通信可能に構成されたコンピュータ(PC)30が設置されている。PC30は、基板処理装置の各種処理データを保存するデータ保存PC33と有線又は無線で接続されている。本実施形態では、研磨装置1のコントローラ20は、無線通信可能な通信装置21を備えており、めっき装置1Aのコントローラ20Aは、無線通信可能な通信装置21Aを備えている。PC30は、通信装置21、21Aと無線通信可能な通信装置31と、クラウド36に接続された通信装置34と通信可能な通信装置32とを備えている。なお、通信装置31と通信装置32とは同一の通信装置で共用してもよい。クラウド36に接続された通信装置34は、半導体製造工場外の例えば、遠隔の場所にある。クラウド36には、PC35を介してホストコンピュータ37に接続されている。ホストコンピュータ37は、半導体工場内のコンピュータよりも演算処理能力が高いコンピュータであり、例えば、計算能力が大きなサーバやスーパーコンピュータである。
また、レシピ生成後に、基板処理装置による処理結果を常時監視し、レシピを随時更新
してもよい。例えば、膜厚測定装置によって、基板処理装置による処理後のウェハの膜厚分布を実際に測定し、膜厚分布から計算される面内均一性が目標範囲外になった場合、及び/又は、面内均一性が目標範囲から外れる傾向にある場合に、レシピの更新を自動で行うようにすることができる。レシピの更新は、レシピモデルの補間、レシピモデルの削除、レシピモデルの新規追加の少なくとも1つの処理によって行うことができる。
また、処理後のウェハの膜厚分布の監視に代えて又は加えて、処理後のウェハ上のパーティクル量を常時監視するようにしてもよい。この場合、基板処理装置内部又は外部にパーティクルカウンタを設け、パーティクルカウンタによって、処理後のウェハ上のパーティクル量を測定する。パーティクル量の測定値が目標範囲外になった場合、及び/又は、パーティクルが目標範囲から外れる傾向にある場合に、レシピの更新を自動で行うようにすることができる。
[1]形態1によれば、基板を処理するための基板処理装置であって、 前記基板処理装置の動作条件を含む複数のレシピ項目を設定する設定装置と、 前記複数のレシピ項目の値を変えて前記基板の処理結果を実験又はシミュレーションで求めた複数のレシピモデルを取得し、前記複数のレシピモデルを解析してレシピを生成することを含み、前記レシピによる前記基板の処理結果の計算値が所定条件を満たすように、前記複数のレシピモデルの一部又は全部を組み合わせて前記レシピを生成するレシピ生成装置と、 を備えた基板処理装置が提供される。
形態2によれば、複数のレシピモデルを自動的に生成することができる。
形態3によれば、初期に準備したレシピモデルに基づく解析により所定条件を満たす処理結果が得られない場合に、レシピモデルを追加して再度解析するので、所定条件を満たすレシピを生成できる可能性が高まる。
形態4によれば、既に設定されているレシピ項目の値の間を補間するので、追加するレシピモデルを求め易い。
形態5によれば、シミュレーションによって精度の良いレシピモデルを生成することができる。
計的手法によって、前記追加するレシピモデルを生成する。
形態6によれば、統計的手法によってレシピモデルをより短時間で生成することができる。
形態7によれば、専用の解析プログラムを生成することなく、入手可能なGRGのソフトウェアを利用して、レシピを自動で生成することができる。
形態8によれば、基板処理装置による基板の処理結果を常時監視してレシピを更新するので、レシピを常に良好な状態に維持することができ、基板処理結果を良好な状態に維持できる。
形態9によれば、レシピモデルの生成を外部のコンピュータで行うことにより、基板処理装置における処理負担を軽減できる。また、処理能力の高い外部のコンピュータを利用すれば、レシピモデル生成に要する時間を軽減することができる。なお、レシピモデルの生成に加えて(又は代えて)、複数のレシピモデルを解析する処理(例えば、GRG、機械学習による解析)を外部のコンピュータで行い、解析結果と実データとの比較を基板処理装置で行うようにしてもよい。
形態10によれば、所望の範囲の面内均一性が得られるようにレシピを生成することができる。
形態11によれば、基板上のパーティクル量を常時監視してレシピを更新するので、レシピを常に良好な状態に維持することができる。
形態12によれば、基板の裏面全面を研磨する裏面研磨装置において所望の処理結果が得られるように、レシピを生成することができる。
形態13によれば、処理時間を一定の単位時間として他のレシピ項目の値を変更して複
数のレシピモデルを生成するので、レシピモデルを効率良く生成することができる。例えば、同一のレシピモデルを必要に応じて1又は複数選択することによって、処理時間の異なるレシピモデルを実質的に採用することが可能である。
1A めっき装置
2 ロードポート
3 搬送ロボット
4 ウェハステーション
5 搬送ロボット
6 研磨ユニット
7 研磨ヘッド
8 センタリングローダ
9 研磨ユニット
10 研磨ヘッド
11 アーム
12 ウェハステーション
13 スイングトランスポータ
14 反転機
15 リニアトランスポータ
16、17、18 洗浄ユニット
19 乾燥ユニット
20、20A コントローラ
201、201A CPU
202、202A メモリ
21、21A 通信装置
22 膜厚測定ユニット
22A 膜厚測定装置
30 PC
30A、33A、35A、37A CPU
30B、33B、35B、37B メモリ
31 通信装置
32 通信装置
33 データ保存PC
34 通信装置
35 PC
36 クラウド
Claims (14)
- 基板を処理するための基板処理装置であって、
前記基板処理装置の動作条件を含む複数のレシピ項目を設定する設定装置と、
前記複数のレシピ項目の値を変えて前記基板の処理結果を実験又はシミュレーションで求めた複数のレシピモデルを取得し、前記複数のレシピモデルを解析してレシピを生成することを含み、前記レシピによる前記基板の処理結果の計算値が所定条件を満たすように、前記複数のレシピモデルの一部又は全部を組み合わせて前記レシピを生成するレシピ生成装置と、
を備えた基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記複数のレシピモデルをシミュレーション又は実験によって生成するモデル生成装置をさらに備えた、基板処理装置。 - 請求項1又は2に記載の基板処理装置において、
前記レシピ生成装置は、所定数の複数のレシピモデルを使用してレシピを求め、そのレシピによる前記基板の処理結果の計算値が前記所定条件を満たさない場合に、レシピモデルを追加し、追加後の複数のレシピモデルの一部又は全部を組み合わせて新たなレシピを求める、基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置において、
前記レシピ生成装置は、1のレシピモデルの少なくとも1つのレシピ項目の値と、他のレシピモデルの前記少なくとも1つのレシピ項目との間の値に対応するレシピモデルを追加する、基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置において、
前記レシピ生成装置は、シミュレーションによって、前記追加するレシピモデルを生成する、基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置において、
前記レシピ生成装置は、統計的手法によって、前記追加するレシピモデルを生成する、基板処理装置。 - 請求項1乃至6の何れかに記載の基板処理装置において、
前記レシピ生成装置は、一般化簡約勾配法(GRG)によって、前記複数のレシピモデルを解析する、基板処理装置。 - 請求項1乃至7の何れかに記載の基板処理装置において、
前記レシピ生成装置は、前記基板処理装置による前記基板の実際の処理結果を常時監視し、前処理結果が前記所定条件を満たさなくなった場合に、前記レシピを更新する、基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記基板処理装置は、通信回線を介して外部のコンピュータに接続されており、前記コンピュータにおいて生成された前記複数のレシピモデルを取得する、基板処理装置。 - 請求項1乃至9の何れかに記載の基板処理装置において、
前記所定条件は、前記レシピによって処理される基板の面内均一性が所定範囲内であることである、基板処理装置。 - 請求項8に記載の基板処理装置において、
前記レシピ生成装置は、前記基板上のパーティクル量を常時監視し、前記パーティクル量が所定条件を満たさなくなった場合に、前記レシピを更新する、基板処理装置。 - 請求項1乃至11の何れかに記載の基板処理装置において、
前記基板処理装置は、研磨ヘッドを有する研磨装置であり、
前記複数のレシピ項目は、前記研磨ヘッドの回転数、前記基板の回転数、前記研磨ヘッドの位置、及び、処理時間を含み、
前記処理結果は、処理後の基板の研磨量プロファイル又は膜厚分布である、
基板処理装置。 - 請求項12に記載の基板処理装置において、
前記複数のレシピモデルは、前記処理時間以外の前記レシピ項目の値の組み合わせを変更して生成される、基板処理装置。 - 基板処理装置の動作条件を含む複数のレシピ項目を設定すること、
前記複数のレシピ項目の値を変えて前記基板の処理結果を実験又はシミュレーションして求めた複数のレシピモデルを取得すること、
前記複数のレシピモデルを解析してレシピを生成することであり、前記レシピによる前記基板の処理結果の計算値が所定条件を満たすように、前記複数のレシピモデルの一部又は全部を組み合わせてレシピを生成すること、
をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体。
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---|---|---|---|
JP2017099141A JP6779173B2 (ja) | 2017-05-18 | 2017-05-18 | 基板処理装置、プログラムを記録した記録媒体 |
TW107115841A TWI742278B (zh) | 2017-05-18 | 2018-05-10 | 基板處理裝置及記錄了程式的記憶媒介 |
KR1020180054129A KR102317391B1 (ko) | 2017-05-18 | 2018-05-11 | 기판 처리 장치, 프로그램을 기록한 기억 매체 |
US15/982,814 US11436392B2 (en) | 2017-05-18 | 2018-05-17 | Substrate processing apparatus and storage medium having program stored therein |
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
US (1) | US11436392B2 (ja) |
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KR (1) | KR102317391B1 (ja) |
TW (1) | TWI742278B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020137099A1 (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 株式会社荏原製作所 | 研磨レシピ決定装置 |
US11733686B2 (en) | 2018-03-13 | 2023-08-22 | Applied Materials, Inc. | Machine learning systems for monitoring of semiconductor processing |
WO2024123635A1 (en) * | 2022-12-05 | 2024-06-13 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor film thickness prediction using machine-learning |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113910085B (zh) * | 2021-09-26 | 2022-11-18 | 江苏集萃华科智能装备科技有限公司 | 金属镜面抛光产线的控制方法、控制装置及控制系统 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0349846A (ja) * | 1989-07-13 | 1991-03-04 | Omron Corp | 研削加工適応制御装置 |
JP2002517916A (ja) * | 1998-06-11 | 2002-06-18 | スピードファム−アイピーイーシー コーポレイション | 半導体ウエハ加工機用の分散制御システム |
JP2002343753A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Nikon Corp | シミュレーション方法及び装置、加工装置、加工システム、並びに半導体デバイス製造方法 |
JP2003059887A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP2007242658A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Nikon Corp | 研磨装置、これを用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5709593A (en) * | 1995-10-27 | 1998-01-20 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for distribution of slurry in a chemical mechanical polishing system |
US7160739B2 (en) * | 2001-06-19 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Feedback control of a chemical mechanical polishing device providing manipulation of removal rate profiles |
US7292906B2 (en) * | 2004-07-14 | 2007-11-06 | Tokyo Electron Limited | Formula-based run-to-run control |
KR20070113634A (ko) * | 2006-05-25 | 2007-11-29 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마 장치의 연마 방법 |
JP2008277450A (ja) | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Cmp装置の研磨条件管理装置及び研磨条件管理方法 |
US7983776B2 (en) * | 2007-11-08 | 2011-07-19 | Micrel, Inc. | System and method for matching silicon oxide thickness between similar process tools |
JP5120697B2 (ja) * | 2007-12-18 | 2013-01-16 | 株式会社ニコン | 研磨装置 |
WO2009143200A2 (en) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Kla-Tencor Corporation | Substrate matrix to decouple tool and process effects |
US8360817B2 (en) * | 2009-04-01 | 2013-01-29 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
JP5400469B2 (ja) | 2009-05-08 | 2014-01-29 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置の動作レシピの作成方法 |
JP5715034B2 (ja) | 2011-11-30 | 2015-05-07 | 株式会社東京精密 | 研磨装置による研磨方法 |
JP6113960B2 (ja) * | 2012-02-21 | 2017-04-12 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6100002B2 (ja) | 2013-02-01 | 2017-03-22 | 株式会社荏原製作所 | 基板裏面の研磨方法および基板処理装置 |
JP2015211133A (ja) | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 株式会社荏原製作所 | Cmp分析装置、cmp分析方法、及びプログラム |
JP6230573B2 (ja) * | 2015-07-06 | 2017-11-15 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、プログラム、基板処理システム及び基板処理装置 |
-
2017
- 2017-05-18 JP JP2017099141A patent/JP6779173B2/ja active Active
-
2018
- 2018-05-10 TW TW107115841A patent/TWI742278B/zh active
- 2018-05-11 KR KR1020180054129A patent/KR102317391B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-17 US US15/982,814 patent/US11436392B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0349846A (ja) * | 1989-07-13 | 1991-03-04 | Omron Corp | 研削加工適応制御装置 |
JP2002517916A (ja) * | 1998-06-11 | 2002-06-18 | スピードファム−アイピーイーシー コーポレイション | 半導体ウエハ加工機用の分散制御システム |
JP2002343753A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Nikon Corp | シミュレーション方法及び装置、加工装置、加工システム、並びに半導体デバイス製造方法 |
JP2003059887A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP2007242658A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Nikon Corp | 研磨装置、これを用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11733686B2 (en) | 2018-03-13 | 2023-08-22 | Applied Materials, Inc. | Machine learning systems for monitoring of semiconductor processing |
WO2020137099A1 (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 株式会社荏原製作所 | 研磨レシピ決定装置 |
JP2020107784A (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-09 | 株式会社荏原製作所 | 研磨レシピ決定装置 |
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