JP2012009692A - ドレス方法、研磨方法および研磨装置 - Google Patents

Abstract

【課題】パッドの表面を正確に平坦化するドレス方法を提供すること。
【解決手段】ドレス方法が、ドレスステップを含んでいる。ドレスステップでは、基板の被研磨面が押し当てられて前記基板の化学的機械的研磨を行うパッドをドレッシングするドレッサに対し、前記パッド面内での位置と、当該位置毎の前記パッドの表面状態に関するパッド表面状態情報と、に基づいて、前記パッド面の位置毎に、ドレス制御を行う。そして、前記パッド表面状態情報は、前記パッドに所定の部材を押し付けた際の、前記部材にかかる圧力に基づいて測定される。
【選択図】図４

Description

本発明の実施の形態は、ドレス方法、研磨方法および研磨装置に関する。

ウエハなどの基板上に半導体装置を製造する際の製造工程の１つにＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）工程がある、このＣＭＰ工程は、ウエハの被研磨面（表面または裏面）を平坦にすることを目的として行われる工程であり、ＣＭＰ装置に配設されたパッドによってウエハ上の表面が研磨される工程である。

ＣＭＰ装置では、パッドの表面に弾性変形やロット差による凹凸が生じており、必ずしも平坦であるとはいえない。このため、パッド表面へのドレッシングによってパッド表面を削り、これにより、パッド上の凹凸を除去してパッドを平坦な状態に保っている。

しかしながら、ドレッサは、パッドに一定の圧力をかけるだけなので、パッドの凸部を削りきれない場合がある。このため、パッド表面を平坦な状態に保つことは困難である。パッド表面が平坦でない場合にウエハの研磨を行うと、パッドのカットレートプロファイルが崩れているので、ウエハ表面の平坦化が非常に困難になる。このため、ＣＭＰ工程では、パッドの表面を平坦化した状態で、ウエハを研磨することが望まれる。

ドレッシングによりパッドの膜厚を一定にするため、事前にパッドの膜厚を測定しておき、膜厚に応じてドレッサの圧力を制御する方法が知られている。しかしながら、これら方法は、光学的手段、レーザーセンサ又は超音波センサを用いてパッドの膜厚を測定する方法であり、これらの膜厚測定手法では、パッドの材質や研磨剤（スラリー）の影響等によってパッド膜厚を正確に測定することができない恐れがあった。このため、所望のパッドの表面状態を得るために、パッドに対してドレッサをどのように制御すべきか不明確であった。

特表２００４−５３１０７７号公報

本発明の実施の形態は、所望の表面状態を有するパッドを用いて基板を研磨することが可能なドレス方法、研磨方法および研磨装置を提供することを目的とする。

実施の形態によれば、ドレス方法が、ドレスステップを含んでいる。ドレスステップでは、基板の被研磨面が押し当てられて前記基板の化学的機械的研磨を行うパッドをドレッシングするドレッサに対し、前記パッド面内での位置と、当該位置毎の前記パッドの表面状態に関するパッド表面状態情報と、に基づいて、前記パッド面の位置毎に、ドレス制御を行う。そして、前記パッド表面状態情報は、前記パッドに所定の部材を押し付けた際の、前記部材にかかる圧力に基づいて測定される。

図１は、第１の実施の形態に係るＣＭＰ装置の構成を示すブロック図である。 図２は、ロールスポンジおよびペンシルスポンジの構成を示す図である。 図３は、ターンテーブル室の構成を示す図である。 図４は、第１の実施の形態に係るドレッサの構成を示す図である。 図５は、パッドのドレッシング処理手順を示すフローチャートである。 図６は、パッドの厚みプロファイルを示す図である。 図７は、制御指示作成装置のハードウェア構成を示す図である。 図８は、第２の実施の形態に係るＣＭＰ装置の構成を示すブロック図である。 図９は、ウエハの研磨処理手順を示すフローチャートである。 図１０は、ウエハの研磨処理手順を示すフローチャートである。

以下に添付図面を参照して、本発明の実施の形態に係るドレス方法、研磨方法および研磨装置を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態により本発明が限定されるものではない。

（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係るＣＭＰ装置の構成を示すブロック図である。図１では、ポリッシング装置の一例であるＣＭＰ装置１の上面図を示している。ＣＭＰ装置１は、ウエハなどの基板上に半導体装置（半導体回路）を製造する際のＣＭＰ（化学的機械的研磨）工程で用いられる装置である。

ＣＭＰ装置１は、２つの研磨チャンバを備えた枚葉式の装置であり、ターンテーブル室１５Ｌ，１５Ｒと、１段目洗浄部１４Ｌ，１４Ｒと、反転機１３Ｌ，１３Ｒと、２段目洗浄／乾燥部１２Ｌ，１２Ｒと、ロボット２１，２２と、を有している。

ＣＭＰ装置１は、ＣＭＰ装置１の左側に配置されている左側研磨／搬送機構と、ＣＭＰ装置１の右側に配置されている右側研磨／搬送機構と、を備えている。左側研磨／搬送機構は、ターンテーブル室１５Ｌと、１段目洗浄部１４Ｌと、反転機１３Ｌ，１３Ｒと、２段目洗浄／乾燥部１２Ｌと、ロボット２１，２２と、を含んで構成されている。また、右側研磨／搬送機構は、ターンテーブル室１５Ｒと、１段目洗浄部１４Ｒと、反転機１３Ｌ，１３Ｒと、２段目洗浄／乾燥部１２Ｒと、ロボット２１，２２と、を含んで構成されている。

ウエハ（基板）が格納されているカセット１１Ｌは、左側研磨／搬送機構のウエハ搬出入口近傍にセットされ、ウエハが格納されているカセット１１Ｒは、右側研磨／搬送機構のウエハ搬出入口近傍にセットされる。

ロボット２１は、ロボット配置室２０Ａに配置されており、ウエハの搬送を行う。ロボット配置室２０Ａは、ウエハ搬出入口（カセット１１Ｌ，１１Ｒ）、２段目洗浄／乾燥部１２Ｌ，１２Ｒ、反転機１３Ｌ，１３Ｒに繋がっている。ロボット２１は、カセット１１Ｌ，１１Ｒ、２段目洗浄／乾燥部１２Ｌ，１２Ｒ、反転機１３Ｌ，１３Ｒの間で、ウエハの搬送を行う。

また、ロボット２２は、ロボット配置室２０Ｂに配置されており、ウエハの搬送を行う。ロボット配置室２０Ｂは、ターンテーブル室１５Ｌ，１５Ｒ、１段目洗浄部１４Ｌ，１４Ｒ、反転機１３Ｌ，１３Ｒに繋がっている。ロボット２２は、ターンテーブル室１５Ｌ，１５Ｒ、１段目洗浄部１４Ｌ，１４Ｒ、反転機１３Ｌ，１３Ｒの間で、ウエハの搬送を行う。

反転機１３Ｒは、ロボット２１が搬送してくるウエハを裏返し、これにより、例えばウエハの裏面を上面側に向ける。反転機１３Ｌは、ロボット２２が搬送してくるウエハを裏返し、これにより、例えばウエハの表面を上面側に向ける。

ターンテーブル室１５Ｌは、ターンテーブル１６Ｌを備えた研磨チャンバであり、ターンテーブル室１５Ｒは、ターンテーブル１６Ｒを備えた研磨チャンバである。ターンテーブル１６Ｌ，１６Ｒの上面には、後述のパッド４３が載置されており、パッド４３の上側に、ウエハの被研磨面が載置される。そして、パッド４３によってウエハの被研磨面が研磨される。また、１枚のウエハを研磨した後、次のウエハを研磨するまでの間に、後述のドレッサ４０によって、パッド４３の表面を削る。このとき、本実施の形態では、ドレッサ４０を用いてパッド４３の凹凸に関する情報（圧力情報）を読み取る。そして、パッド４３の凹凸に基づいて、パッド４３の厚みプロファイル（パッド表面状態プロファイル）が最適（平坦）になるよう、スキャン方法（ドレス圧力など）を調整する。

１段目洗浄部１４Ｌ，１４Ｒは、ロールスポンジなどを用いてウエハを洗浄する。また、２段目洗浄／乾燥部１２Ｌ，１２Ｒは、ペンシルスポンジなどを用いてウエハを洗浄するとともに、ウエハをスピン乾燥する。

図２は、ロールスポンジおよびペンシルスポンジの構成を示す図である。図２の（ａ）では、ロールスポンジ３１，３２の構成を示しており、図２の（ｂ）では、ペンシルスポンジ３３の構成を示している。

図２の（ａ）に示すように、ロールスポンジ３１，３２は、それぞれ概略円柱状をなしている。ロールスポンジ３１，３２は、それぞれの柱軸が平行となるよう、上段側と下段側に配置されている。ウエハＷＡを洗浄する際には、ウエハＷＡが、ロールスポンジ３１の側面とロールスポンジ３２の側面との間に挟まれる。そして、ロールスポンジ３１，３２をそれぞれの柱軸を中心に回転させることによって、ロールスポンジ３１，３２の間をウエハＷＡがロールスポンジ３１，３２に接触しながら通過する。このとき、ウエハＷＡは、ウエハＷＡの中心を回転軸として回転しながら、ロールスポンジ３１，３２の間を通過する。これにより、ウエハＷＡが洗浄される。

また、ペンシルスポンジ３３は、先端部が尖っており、先端部を回転させながらウエハＷＡの洗浄面に接触させることにより、ウエハＷＡ上の異物などを除去する。このとき、ペンシルスポンジ３３は、ペンシルスポンジ３３の柱軸を中心に回転しながら、ウエハの外周部から中心部までを移動する。また、ウエハＷＡは、ウエハＷＡの中心を回転軸として回転させられる。

例えば、カセット１１Ｌ内のウエハを研磨する場合、ロボット２１は、ウエハをカセット１１Ｌから取り出して（１）、反転機１３Ｒ内に搬送する（２）。そして、ロボット２２は、ウエハを反転機１３Ｒから取り出して（３）、ターンテーブル室１５Ｌ内に搬送する（４）。

ターンテーブル室１５Ｌでウエハの研磨が行われた後、ロボット２２は、ウエハをターンテーブル室１５Ｌ内から取り出して（５）、１段目洗浄部１４Ｌ内に搬送する（６）。ウエハが１段目洗浄部１４Ｌで洗浄された後、ロボット２２は、ウエハを１段目洗浄部１４Ｌ内から取り出して（７）、反転機１３Ｌ内に搬送する（８）。

ロボット２１は、ウエハを反転機１３Ｌ内から取り出して（９）、２段目洗浄／乾燥部１２Ｌ内に搬送する（１０）。そして、ロボット２１は、ウエハを２段目洗浄／乾燥部１２Ｌ内から取り出して（１１）、カセット１１Ｌ内に搬送する（１２）。

なお、カセット１１Ｌ，１１Ｒに格納されているウエハは、それぞれターンテーブル１６Ｌとターンテーブル１６Ｒの何れで研磨してもよい。例えば、カセット１１ＬのみがＣＭＰ装置１にセットされ、カセット１１ＲがＣＭＰ装置１にセットされていない場合、カセット１１Ｌに格納されているウエハは、ターンテーブル１６Ｌまたはターンテーブル１６Ｒの何れかで研磨される。

また、ターンテーブル室１５Ｌ，１５Ｒで研磨されたウエハは、１段目洗浄部１４Ｌで洗浄してもよいし、１段目洗浄部１４Ｒで洗浄してもよい。また、ターンテーブル室１５Ｌ，１５Ｒで研磨されたウエハは、２段目洗浄／乾燥部１２Ｌで洗浄／乾燥してもよいし、２段目洗浄／乾燥部１２Ｒで洗浄／乾燥してもよい。

カセット１１Ｌから搬出されたウエハは、研磨、洗浄、乾燥の後に、カセット１１Ｌに格納される。同様に、カセット１１Ｒから搬出されたウエハは、研磨、洗浄、乾燥の後に、カセット１１Ｒに格納される。

つぎに、ターンテーブル室１５Ｌ，１５Ｒの構成について説明する。なお、ターンテーブル室１５Ｌ，１５Ｒは、同様の構成を有しているので、ここではターンテーブル室１５Ｌの構成について説明する。

図３は、ターンテーブル室の構成を示す図である。ターンテーブル室１５Ｌは、スラリ供給ノズル４１Ａと、薬液供給ノズル４１Ｂと、純水供給ノズル４１Ｃと、ターンテーブル１６Ｌと、ドレッサ４０と、研磨ヘッド４５と、パッド（研磨クロス）４３と、を備えて構成されている。

ドレッサ４０は、スキャンドレスタイプのドレッサであり、例えば、研磨ヘッド４５（ウエハＷＡ）よりも小さな円板状の先端部と、この先端部から延設された軸部（ドレッサ軸部）と、を備えている。これにより、ドレッサ４０は、ウエハの被研磨面よりも小さな面積の押し付け面でパッド４３に押し付けられる。このように、ドレッサ４０の押し当て面がウエハＷＡの被研磨面よりも小さいので、ウエハＷＡの研磨時に必要な厚みプロファイルの精度よりも詳細な（高精度・高解像の）厚みプロファイルを取得できる。したがって、ウエハＷＡの研磨精度を向上させることが可能となる。一方、厚みプロファイルが荒い場合、研磨圧力を調整しても平坦化が不十分となる。ドレッサ４０は、パッド４３のドレスを開始すると、パッド４３の外周部と中心部との間（半径上）を往復移動する。また、ドレッサ４０がパッド４３を平坦化する際には、ドレッサ４０は、ドレッサ軸部を中心に回転する。

パッド４３は、上面に所定の厚みをもった部材（パッド表面部）が配置されており、ウエハＷＡを研磨する際には、このパッド表面部にウエハＷＡが押し当てられる。研磨ヘッド４５がウエハＷＡを研磨する際およびドレッサ４０がパッド４３を平坦化する際には、パッド４３は、パッド４３の中心部を軸として回転する。

研磨ヘッド４５は、ウエハＷＡと略同じ大きさの円板状の先端部と、この先端部から延設された軸部（研磨ヘッド軸部）と、を備えており、円板状の先端部にウエハＷＡが取り付けられる。円板状の先端部へは、ウエハＷＡの被研磨面とは反対側の面と、円板状の先端部の底面と、が当接するよう、ウエハＷＡが取り付けられる。研磨ヘッド４５は、ウエハＷＡの被研磨面をパッド４３に押し付けながら、ウエハＷＡの被研磨面を研磨する。研磨ヘッド４５がウエハＷＡを研磨する際には、研磨ヘッド４５およびウエハＷＡは、研磨ヘッド軸部を中心に回転する。

スラリ供給ノズル４１Ａは、パッド４３上にスラリ（研磨剤）４４を供給するノズルである。薬液供給ノズル４１Ｂは、パッド４３上に薬液を供給するノズルである。純水供給ノズル４１Ｃは、パッド４３上に純水を供給するノズルである。

ドレッサ４０によるドレスと、研磨ヘッド４５によるウエハＷＡの研磨とは、同時に行ってもよいし、別々に行ってもよい。例えば、ドレッサ４０によるドレスと、研磨ヘッド４５によるウエハＷＡの研磨とを同時に行なう場合、ドレッサ４０と研磨ヘッド４５とは、パッド４３の中心に対して対称な位置で、それぞれ、ドレスと研磨を行う。

また、ドレッサ４０によるドレスと、研磨ヘッド４５によるウエハＷＡの研磨とを別々に行なう場合、ドレッサ４０によるドレスと、研磨ヘッド４５によるウエハＷＡの研磨とを、それぞれ交互に行なう。この場合、ドレスを行う際にドレッサ４０がパッド４３の上面に移動してくる。そして、ウエハＷＡの研磨を行う際に、ドレッサ４０がパッド４３から離れた位置に移動し、研磨ヘッド４５がパッド４３の上面に移動してくる。さらに、ドレスを行う際には、研磨ヘッド４５がパッド４３から離れた位置に移動し、ドレッサ４０がパッド４３の上面に移動してくる。

ドレッサ４０によるドレスと、研磨ヘッド４５によるウエハＷＡの研磨とを同時に行なう場合、スラリ供給ノズル４１Ａ、薬液供給ノズル４１Ｂ、純水供給ノズル４１Ｃから、それぞれパッド４３上に、スラリ４４、薬液、純水が供給される。

一方、ドレッサ４０によるドレスと、研磨ヘッド４５によるウエハＷＡの研磨とを別々に行なう場合、研磨ヘッド４５によってウエハＷＡを研磨する際には、スラリ供給ノズル４１Ａ、薬液供給ノズル４１Ｂ、純水供給ノズル４１Ｃから、それぞれパッド４３上にスラリ、薬液、純水が供給される。また、ドレッサ４０によってパッド４３をドレスする際には、純水供給ノズル４１Ｃからパッド４３上に純水が供給される。

本実施の形態のドレッサ４０は、パッド４３の表面形状に関する情報を取得する機能（後述の圧力情報取得部６１、プロファイル導出部６２）を有している。パッド４３の表面形状に関する情報は、例えばパッド４３や異物などからドレッサ４０または研磨ヘッド４５への圧力に基づく情報（圧力情報）などである。ＣＭＰ装置１は、圧力情報に基づいて、ドレッサ４０や研磨パッド４５などを制御する。

図４は、第１の実施の形態に係るドレッサの構成を示す図である。ドレッサ４０は、ドレッサ軸部の内部に、スピンドル（回転軸）５０を備えている。ドレッシングを実施する際には、スピンドル５０に所定の圧力（パッド４３への押圧）がかけられる。

スピンドル５０には、パッド４３表面におけるパッド４３の高さ（凹凸）に関する情報（圧力情報）を取得する圧力情報取得部６１が接続されている。また、圧力情報取得部６１は、パッド４３の厚みプロファイルを導出するプロファイル導出部６２に接続されている。そして、プロファイル導出部６２は、ドレッサ４０や研磨ヘッド４５などを制御する制御部６３に接続されている。

本実施の形態では、パッド４３の圧力情報を用いて導出されたパッド４３の表面形状（厚みプロファイル）に基づいて、制御部６３がドレッサ４０（スピンドル５０）を制御する。具体的には、ドレッサ４０によるスキャン方法として、ドレス圧やドレス時間が、パッド４３の厚みプロファイルに応じた適切なドレス圧や適切なドレス時間となるよう、制御部６３がドレッサ４０を制御する。

圧力情報取得部６１は、ドレッサ４０がパッド４３に押し付けられた際の押し付け圧に基づいて圧力情報を測定する。圧力情報取得部６１は、例えばリニアスケール５１に接続されており、このリニアスケール５１を用いて圧力情報を測定する。具体的には、ドレッサ４０をパッド４３に押し付けた際の、スピンドル５０の位置変動量を、リニアスケール５１で測定する。例えば、パッド４３の凸部からはドレッサ４０に対して強い圧力が加えられてスピンドル５０の位置が上側に変動し、反対にパッド４３の凹部からはドレッサ４０に対して弱い圧力が加えられてスピンドル５０の位置が下側に変動する。換言すると、ドレッサ４０にかかった圧力がスピンドル５０の上下変動として反映される。このように、パッド４３から加えられる圧力に応じてスピンドル５０の位置変動量が決定される。これにより、圧力情報取得部６１は、測定された位置変動量をパッド４３の凹凸（膜厚）情報として取得する。

なお、圧力情報は、ひずみゲージを用いて測定してもよい。図５は、ひずみゲージを有するドレッサの構成を示す図である。この場合、圧力情報取得部６１は、例えばひずみゲージ５２に接続しておき、このひずみゲージ５２を用いて圧力情報を測定する。具体的には、ドレッサ４０をパッド４３に押し付けた際の、スピンドル５０のひずみ量を、ひずみゲージ５２で測定する。例えば、パッド４３の凸部からはドレッサ４０に対して強い圧力が加えられてスピンドル５０が上側にひずみ、反対にパッド４３の凹部からはドレッサ４０に対して弱い圧力が加えられてスピンドル５０の位置が下側にひずむ。換言すると、ドレッサ４０にかかった圧力がスピンドル５０の上下方向のゆがみとして反映される。このように、パッド４３から加えられる圧力に応じてスピンドル５０のひずみ量が決定される。これにより、圧力情報取得部６１は、測定された位置変動量をパッド４３の凹凸（膜厚）情報として取得する。圧力情報取得部６１は、取得した圧力情報をプロファイル導出部６２に送る。

ドレッサ４０は、制御部６３からの指示に従って、パッド４３の半径上を直線往復運動している。本実施の形態では、制御部６３は、パッド４３の半径上の位置を指定する指示（位置情報）をドレッサ４０とプロファイル導出部６２とに送信する。これにより、プロファイル導出部６２では、パッド４３上の何れの半径方向の位置で圧力情報取得部６１が圧力情報を取得したかが分かる。

プロファイル導出部６２は、圧力情報取得部６１からの圧力情報と、制御部６３からの位置情報と、を対応付けることによって、パッド４３の厚みプロファイルを導出する。このように、プロファイル導出部６２が導出する厚みプロファイルは、パッド４３の面内における圧力情報の分布であり、例えば、パッド４３の中心部からの距離毎（同心円状の領域毎）に算出された高さである。プロファイル導出部６２は、導出した厚みプロファイルを制御部６３に送る。

制御部６３は、厚みプロファイルに基づいて、ドレッサ４０のドレス圧またはドレス時間を制御する。制御部６３は、例えば、パッド４３が厚い位置では、ドレッサ４０のドレス圧が高くなるよう、スピンドル５０を制御する。また、制御部６３は、パッド４３が厚い位置では、ドレッサ４０によるドレス時間が長くなるよう、ドレッサ４０を制御してもよい。

なお、ここでは、制御部６３が、厚みプロファイルに基づいて、ドレッサ４０のスキャン方法を制御する場合について説明したが、制御部６３は、厚みプロファイルに基づいて、研磨ヘッド４５の研磨条件（研磨圧や研磨時間など）を制御してもよい。制御部６３は、例えば、パッド４３が厚い位置では、研磨ヘッド４５の研磨圧が小さくなるよう又は研磨時間が短くなるよう、研磨ヘッド４５を制御する。この場合、例えば、パッド４３の厚みに応じた研磨条件を示す情報として、パッド４３の厚みと研磨条件との対応関係を示す情報テーブルを作成しておく。そして、作成しておいた情報テーブルを用いて、研磨ヘッド４５の制御が行われる。

つぎに、パッド４３のドレッシング処理手順について説明する。図６は、パッドのドレッシング処理手順を示すフローチャートである。制御部６３が、ドレッサ４０にドレッシングの開始処理を指示すると、ドレッサ４０は、パッド４３上のドレッシング開始位置（例えば、パッド４３の外周部）に移動するとともに、ドレッサ軸部を中心に回転する。

ドレッサ４０は、回転しながらパッド４３に接触（圧接）する。そして、ドレッサ４０は、制御部６３からの指示に従って、パッド４３上をパッド４３の外周部から中心方向に向かって移動する。このとき、スピンドル５０へは、一定の圧力がかけられている。また、圧力情報取得部６１は、ドレッサ４０がパッド４３の外周部から中心方向に向かって移動している間、スピンドル５０から圧力情報を測定する。これにより、パッド４３のドレッシングを行いながら、パッド４３の圧力情報が取得される（ステップＳ１０）。このように、ドレッサ４０とパッド４３との圧接面において、パッド４３の表面形状に追従する形でリニアスケールの変動が、圧力情報としてリアルタイムで読み取られる。

圧力情報取得部６１で測定された圧力情報は、プロファイル導出部６２に送られる。プロファイル導出部６２では、圧力情報取得部６１が圧力情報を測定している間、パッド４３の位置情報を制御部６３から受信している。そして、プロファイル導出部６２は、圧力情報取得部６１からの圧力情報と、制御部６３からの位置情報と、を対応付けることによって、パッド４３の厚みプロファイルを導出する（ステップＳ２０）。

図７は、パッドの厚みプロファイルを示す図である。図７では、横軸がパッド４３の厚み測定位置（中心からの距離）（位置情報）であり、縦軸がパッド４３の厚み（圧力情報）である。パッド４３の例であるパッドＰ１〜Ｐ４は、それぞれ異なるパッドであり、パッド毎に種々の厚みプロファイルを有している。また、各パッドＰ１〜Ｐ４は、中心からの距離に応じた種々の厚みプロファイルを有している。各パッドＰ１〜Ｐ４の厚みプロファイルは、例えば、パッドの弾性変形状態やドレッサーロット差によって生じるものである。

ドレッサ４０は、パッド４３の中心部まで移動した後、制御部６３からの指示に従って、パッド４３の外周部方向に向かって移動する。このとき、制御部６３は、厚みプロファイルに基づいて、ドレッシング指示情報（パッド４３への指示情報）を作成し、このドレッシング指示情報を用いて、ドレッサ４０のスキャン方法を制御する（ステップＳ３０）。

例えば、制御部６３は、パッド４３の厚さに応じたドレス圧やドレス時間となるよう、スピンドル５０を制御する。具体的には、パッド４３が厚い位置でのドレス圧が高くなるようスピンドル５０を制御し、パッド４３が薄い位置でのドレス圧が低くなるようスピンドル５０を制御する。

また、パッド４３が厚い位置でのドレス時間が長くなるようスピンドル５０を制御し、パッド４３が薄い位置でのドレス時間が短くなるようスピンドル５０を制御する。換言すると、パッド４３の凸部を完全に除去できるよう、ドレス圧やドレス時間を制御することでパッド４３の表面を平坦化する。これにより、パッド４３の厚みプロファイルが平坦になり、ウエハＷＡへの適切な研磨を行うことが可能となる。

なお、圧力情報を測定する際のドレッサ圧を弱めたい局所的な箇所がある場合、弱いドレス圧でドレッシングしてもよい。例えば、ドレッサ４０によって削り取りたく無い箇所（ウエハＷＡの周縁部など）に対しては、弱いドレス圧でドレッシングする。

ＣＭＰ装置１では、ドレッサ４０がドレッシングを行っている間、圧力情報取得部６１による圧力情報の取得、プロファイル導出部６２による厚みプロファイルの導出、制御部６３による厚みプロファイルに基づいたドレッサ４０の制御が行われる。

このように、ＣＭＰ装置１では、パッド４３表面の凹凸に合わせてリアルタイムでスピンドル５０の高さ（パッド４３の圧力情報）が変動する。この圧力情報をリニアスケールによって取得することで、パッド４３の厚みプロファイルを導出することが可能となる。そして、厚みプロファイルに基づいて、パッド４３が平坦になるよう、ドレス圧やドレス時間が最適化され、これにより、パッド４３の表面が平坦化される。

ＣＭＰ装置１を用いたパッド４３のドレッシングやウエハＷＡの研磨は、半導体製造工程のうちの何れのレイヤで行ってもよい。半導体装置を製造する際には、ウエハＷＡ上への成膜処理、ＣＭＰ装置１を用いたパッド４３のドレッシング、ＣＭＰ装置１を用いたウエハＷＡの研磨、露光処理、現像処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。

つぎに、パッド４３へのドレッシング指示情報を作成する制御指示作成装置のハードウェア構成について説明する。ここでの制御指示作成装置は、図４で説明した、プロファイル導出部６２および制御部６３に対応している。

図８は、制御指示作成装置のハードウェア構成を示す図である。制御指示作成装置９０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）９１、ＲＯＭ（Read Only Memory）９２、ＲＡＭ（Random Access Memory）９３、表示部９４、入力部９５を有している。制御指示作成装置９０では、これらのＣＰＵ９１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、表示部９４、入力部９５がバスラインを介して接続されている。

ＣＰＵ９１は、コンピュータプログラムである制御指示作成プログラム９７を用いて、パッド４３へのドレッシングに用いる指示情報（ドレッシング指示情報）を作成する。ここでの指示情報は、制御部６３からドレッサ４０に送られるドレッシングに関する指示であり、例えばドレス圧やドレス時間などである。

表示部９４は、液晶モニタなどの表示装置であり、ＣＰＵ９１からの指示に基づいて、パッド４３の圧力情報を測定した位置の位置情報、パッド４３の厚みプロファイル、ドレッシング指示情報などを表示する。入力部９５は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される種々の情報（制御指示の作成に必要なパラメータ等）、圧力情報取得部６１から送られてくる圧力情報などを入力する。入力部９５へ入力された使用者からの情報や圧力情報はＣＰＵ９１へ送られる。

制御指示作成プログラム９７は、ＲＯＭ９２内に格納されており、バスラインを介してＲＡＭ９３へロードされる。図８では、制御指示作成プログラム９７がＲＡＭ９３へロードされた状態を示している。

ＣＰＵ９１はＲＡＭ９３内にロードされた制御指示作成プログラム９７を実行する。具体的には、制御指示作成装置９０では、ＣＰＵ９１がＲＯＭ９２内から制御指示作成プログラム９７を読み出してＲＡＭ９３内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。具体的には、制御指示作成プログラム９７を用いて、厚みプロファイルを導出するとともに、この厚みプロファイルに基づいてドレッシング指示情報を作成する。ＣＰＵ９１は、この各種処理に際して生じる各種データをＲＡＭ９３内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。

制御指示作成装置９０で実行される制御指示作成プログラム９７は、プロファイル導出部６２および制御部６３を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。

なお、ここでは制御指示作成プログラム９７を用いて、厚みプロファイルを導出するとともにドレッシング指示情報を作成する場合について説明したが、厚みプロファイルの導出に用いるプログラムと、ドレッシング指示情報を作成するプログラムと、を別々のプログラムとしてもよい。

なお、本実施の形態では、ＣＭＰ装置１が左側研磨／搬送機構と右側研磨／搬送機構とを有している場合について説明したが、研磨／搬送機構は、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。

また、本実施の形態では、ドレッサ４０に圧力情報の測定機構としてリニアスケール５１やひずみゲージ５２を設ける場合について説明したが、圧力情報の測定手段と、ドレッサ４０とを別構成としてもよい。この場合、圧力情報の測定機構は、パッド４３にドレッサ４０以外の所定の部材を押し付けた際の、パッド４３から部材への圧力に基づいて、圧力情報を測定する。

また、本実施の形態では、ＣＭＰ装置１がプロファイル導出部６２を備える場合について説明したが、ＣＭＰ装置１は、プロファイル導出部６２を有していなくてもよい。この場合、制御部６３は、圧力情報取得部６１からの圧力情報に基づいて、ドレッサ４０のドレス制御を行う。

このように第１の実施の形態によれば、ドレッサ４０がパッド４３に押し付けられた際の押し付け圧に基づいて、圧力情報を測定するので、パッド４３の材質やスラリ４４の影響を受けることなく、パッド４３の正確な圧力情報、凹凸情報を測定することが可能となる。また、研磨ヘッド４５よりも小さな押し当て面を有したドレッサ４０が、パッド４３上をスキャンすることによって圧力情報の測定を行うので、パッド４３の正確な圧力情報を測定することが可能となる。これにより、パッド４３の正確な厚みプロファイルを導出することが可能となる。したがって、パッド４３の表面を、厚みプロファイルに基づいて正確に平坦化することが可能となる。この結果、所望の表面状態を有するパッド４３を用いて基板（ウエハＷＡ）を研磨することが可能となる。

（第２の実施の形態）
つぎに、図９および図１０を用いてこの発明の第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態では、ウエハＷＡを研磨した後、乾燥させる前のウエット状態で被研磨膜の膜厚を測定する。そして、研磨不足の場合は、ウエットエッチングによって研磨不足分の被研磨膜をエッチングする。

図９は、第２の実施の形態に係るＣＭＰ装置の構成を示すブロック図である。図９の各構成要素のうち図１に示す第１の実施の形態のＣＭＰ装置１と同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。

ＣＭＰ装置２は、第１の実施の形態に係るＣＭＰ装置１と同様に、２つの研磨チャンバを備えた枚葉式の装置であり、ＣＭＰ装置１の有する構成要素に加えて、膜厚測定機１７Ｌ，１７Ｒと、エッチング槽１８Ｌ，１８Ｒを有している。

膜厚測定機１７Ｌ，１７Ｒは、それぞれウエハＷＡ上の被研磨膜の膜厚（残膜）を測定する装置である。エッチング槽１８Ｌ，１８Ｒは、それぞれ、ターンテーブル室１５Ｌ，１５Ｒで研磨されたウエハＷＡの研磨不足分を、ウエットエッチングする。換言すると、エッチング槽１８Ｌ，１８Ｒでは、ウエハＷＡの研磨不足量（膜厚）に応じた時間だけ、ウエハＷＡをウエットエッチングする。ここでのウエットエッチングは、例えば、フッ酸によるエッチングである。

ＣＭＰ装置２は、ＣＭＰ装置２の左側に配置されている左側研磨／搬送機構と、ＣＭＰ装置２の右側に配置されている右側研磨／搬送機構と、を備えている。左側研磨／搬送機構は、膜厚測定機１７Ｌ、エッチング槽１８Ｌを含んで構成されており、右側研磨／搬送機構は、膜厚測定機１７Ｒ、エッチング槽１８Ｒを含んで構成されている。

本実施の形態のロボット配置室２０Ｂは、膜厚測定機１７Ｌ，１７Ｒ、エッチング槽１８Ｌ，１８Ｒ、１段目洗浄部１４Ｌ，１４Ｒ、反転機１３Ｌ，１３Ｒに繋がっている。ロボット２２は、膜厚測定機１７Ｌ，１７Ｒ、エッチング槽１８Ｌ，１８Ｒ、１段目洗浄部１４Ｌ，１４Ｒ、反転機１３Ｌ，１３Ｒの間で、ウエハの搬送を行う。

また、膜厚測定機１７Ｌは、ターンテーブル室１５Ｌに繋がっており、膜厚測定機１７Ｌとターンテーブル室１５Ｌとの間のウエハＷＡの搬送は、図示しないロボットによって行われる。同様に、膜厚測定機１７Ｒは、ターンテーブル室１５Ｒに繋がっており、膜厚測定機１７Ｒとターンテーブル室１５Ｒとの間のウエハＷＡの搬送は、図示しないロボットによって行われる。

例えば、カセット１１Ｌ内のウエハＷＡを研磨する場合、ロボット２１は、ウエハＷＡをカセット１１Ｌから取り出して（１１）、反転機１３Ｒ内に搬送する（１２）。そして、ロボット２２は、ウエハＷＡを反転機１３Ｒから取り出して（１３）、膜厚測定機１７Ｌに搬送する（１４）。さらに、ウエハＷＡは、膜厚測定機１７Ｌからターンテーブル室１５Ｌ内に搬送される（１５）。

ターンテーブル室１５ＬでウエハＷＡの研磨が行われた後、ウエハＷＡがターンテーブル室１５Ｌ内から取り出されて、膜厚測定機１７Ｌ内に搬入される（１６）。膜厚測定機１７Ｌ内に搬入されるウエハＷＡは、乾燥処理などが行われていないので、ウエット状態である。膜厚測定機１７Ｌでは、ウエット状態でウエハＷＡ上の被研磨膜の膜厚が測定される。

ウエハＷＡは、膜厚が測定された後、膜厚測定機１７Ｌから搬出される（１７）。被研磨膜の膜厚が所定値よりも大きく、被研磨膜が所望通り研磨されていなければ、ウエハＷＡは、エッチング槽１８Ｌ内に搬送されて（１８Ａ）、エッチング槽１８Ｌで研磨の不足分がウエットエッチングされる。ウエハＷＡは、その後、１段目洗浄部１４Ｌ内に搬送されて（１９）、１段目洗浄部１４Ｌで洗浄される。そして、ウエハＷＡは、１段目洗浄部１４Ｌ内から取り出されて（２０）、反転機１３Ｌ内に搬送される（２１）。

一方、被研磨膜の膜厚が所定値以下であり、被研磨膜が所望通り研磨されていれば、ウエハＷＡは、１段目洗浄部１４Ｌ内に搬送されて（１８Ｂ）、１段目洗浄部１４Ｌで洗浄される。そして、ウエハＷＡは、１段目洗浄部１４Ｌ内から取り出されて（２０）、反転機１３Ｌ内に搬送される（２１）。

ロボット２１は、ウエハＷＡを反転機１３Ｌ内から取り出して（２２）、２段目洗浄／乾燥部１２Ｌ内に搬送する（２３）。そして、ロボット２１は、ウエハＷＡを２段目洗浄／乾燥部１２Ｌ内から取り出して（２４）、カセット１１Ｌ内に搬送する（２５）。

なお、ここでは、ＣＭＰ装置２が２つの膜厚測定機１７Ｌ，１７Ｒを有する場合について説明したが、ＣＭＰ装置２が備える膜厚測定機は、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。

つぎに、ウエハＷＡの研磨処理手順について説明する。図１０は、ウエハＷＡの研磨処理手順を示すフローチャートである。制御部６３が、研磨ヘッド４５にウエハＷＡの研磨処理を指示すると、研磨ヘッド４５は、パッド４３上の研磨位置に移動するとともに、研磨ヘッド軸部を中心に回転する。また、パッド４３は、中心部を軸として回転する。

研磨ヘッド４５は、回転しながらパッド４３にウエハＷＡの研磨面を押し付ける。これにより、ウエハＷＡの研磨（ＣＭＰ）が行われる（ステップＳ１１０）。この後、ウエハＷＡがターンテーブル室１５Ｌ内から取り出されて、膜厚測定機１７Ｌ内に搬入される。そして、ウエハＷＡは、ウエット状態で、膜厚測定機１７Ｌによって被研磨膜の膜厚が測定される（ステップＳ１２０）。

膜厚測定機１７Ｌによる測定結果（膜厚）は、エッチング槽１８Ｌに送られる。また、ウエハＷＡは、膜厚が測定された後、膜厚測定機１７Ｌから搬出される。被研磨膜の膜厚が所定値よりも大きい場合（研磨不足の場合）、ウエハＷＡは、エッチング槽１８Ｌ内に搬送される。そして、ウエハＷＡは、エッチング槽１８Ｌで研磨の不足分がウエットエッチングされる。具体的には、ウエハＷＡは、測定された膜厚に応じた時間だけフッ酸でエッチングされる（ステップＳ１３０）。

この後、ウエハＷＡは、１段目洗浄部１４Ｌ内で洗浄される（ステップＳ１４０）。そして、ウエハＷＡは、反転機１３Ｌを介して２段目洗浄／乾燥部１２Ｌでスピン乾燥され（ステップＳ１５０）、その後、カセット１１Ｌに送られる。

なお、本実施の形態では、ウエハＷＡの研磨不足分をエッチング槽１８Ｌ，１８Ｒでフッ酸処理（エッチング）する場合について説明したが、ウエハＷＡの研磨不足分をターンテーブル室１５Ｌ，１５Ｒで再研磨してもよい。

また、本実施の形態では、エッチング槽１８Ｌで研磨の不足分をウエットエッチングした後に、ウエハＷＡを１段目洗浄部１４Ｌよりも後段に搬送する場合について説明したが、ウエハＷＡをウエットエッチングした後に、再度、膜厚測定機１７ＬでウエハＷＡの膜厚を測定してもよい。この場合も、被研磨膜の膜厚が所定値よりも大きい場合には、ウエハＷＡがエッチング槽１８Ｌで研磨の不足分だけウエットエッチングされる。

このように第２の実施の形態によれば、ウエハＷＡを研磨（ＣＭＰ）した後、ウエット状態でウエハＷＡ上の被研磨膜の膜厚を測定するので、洗浄処理や乾燥処理を行うことなくウエハＷＡの膜厚を測定することが可能となる。このため、ウエハＷＡへの研磨の不足分を、迅速にウエットエッチングすることが可能となる。したがって、短時間で、所望の膜厚分だけウエハＷＡ上の被研磨膜を除去することが可能となる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…ＣＭＰ装置、１６Ｌ，１６Ｒ…ターンテーブル、４０…ドレッサ、４３…パッド、４５…研磨ヘッド、５０…スピンドル、５１…リニアスケール、５２…ひずみゲージ、６１…圧力情報取得部、６２…プロファイル導出部、６３…制御部、９０…制御指示作成装置、ＷＡ…ウエハ。

Claims (40)

1. 基板の被研磨面が押し当てられて前記基板の化学的機械的研磨を行うパッドをドレッシングするドレッサに対し、前記パッド面内での位置と、当該位置毎の前記パッドの表面状態に関するパッド表面状態情報と、に基づいて、前記パッド面の位置毎に、ドレス制御を行うドレスステップを含み、
   前記パッド表面状態情報は、前記パッドに所定の部材を押し付けた際の、前記部材にかかる圧力に基づいて測定されることを特徴とするドレス方法。
2. 前記パッド面内での位置と、前記パッド表面状態情報と、に基づいて、前記パッドの厚みプロファイルを導出する厚み導出ステップをさらに含み、
   前記ドレスステップでは、前記厚みプロファイルに応じたドレス制御が行われることを特徴とする請求項１に記載のドレス方法。
3. 前記パッド表面状態情報は、前記パッドの位置毎の高さに関する高さ情報であることを特徴とする請求項１または２に記載のドレス方法。
4. 前記部材は、前記ドレッサであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のドレス方法。
5. 前記ドレッサは、前記パッド上をスキャンすることによって前記パッドのドレッシングおよび前記パッド表面状態情報の測定を行うことを特徴とする請求項４に記載のドレス方法。
6. 前記ドレッサは、前記基板の被研磨面よりも小さな面積の押し付け面で前記パッドに押し付けられることを特徴とする請求項４または５に記載のドレス方法。
7. 前記ドレス制御は、ドレス圧の制御であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載のドレス方法。
8. 前記ドレス制御は、ドレス時間であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載のドレス方法。
9. 前記パッド表面状態情報は、前記ドレッサに設けられたリニアスケールを用いて測定されることを特徴とする請求項３〜８のいずれか１つに記載のドレス方法。
10. 前記パッド表面状態情報は、前記ドレッサに設けられたひずみゲージを用いて測定されることを特徴とする請求項３〜８のいずれか１つに記載のドレス方法。
11. 基板の被研磨面が押し当てられて前記基板の化学的機械的研磨を行うパッドのパッド面内での位置と、当該位置毎の前記パッドの表面状態に関するパッド表面状態情報と、に基づいて、前記パッド面の位置毎に、前記パッド表面状態情報に応じた研磨条件で前記基板の化学的機械的研磨制御を行う研磨ステップを含み、
    前記パッド表面状態情報は、前記パッドに所定の部材を押し付けた際の、前記部材にかかる圧力に基づいて測定されることを特徴とする研磨方法。
12. 前記パッド面内での位置と、前記パッド表面状態情報と、に基づいて、前記パッドの厚みプロファイルを導出する厚み導出ステップをさらに含み、
    前記研磨ステップでは、前記厚みプロファイルに応じた化学的機械的研磨制御が行われることを特徴とする請求項１１に記載の研磨方法。
13. 前記パッド表面状態情報は、前記パッドの位置毎の高さに関する高さ情報であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の研磨方法。
14. 前記部材は、前記パッドをドレッシングするドレッサであることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１つに記載の研磨方法。
15. 前記ドレッサは、前記パッド上をスキャンすることによって前記パッドのドレッシングおよび前記パッド表面状態情報の測定を行うことを特徴とする請求項１４に記載の研磨方法。
16. 前記ドレッサは、前記基板の被研磨面よりも小さな面積の押し付け面で前記パッドに押し付けられることを特徴とする請求項１４または１５に記載の研磨方法。
17. 前記化学的機械的研磨制御は、研磨圧の制御であることを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか１つに記載の研磨方法。
18. 前記化学的機械的研磨制御は、研磨時間の制御であることを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか１つに記載の研磨方法。
19. 前記パッド表面状態情報は、前記ドレッサに設けられたリニアスケールを用いて測定されることを特徴とする請求項１３〜１８のいずれか１つに記載の研磨方法。
20. 前記パッド表面状態情報は、前記ドレッサに設けられたひずみゲージを用いて測定されることを特徴とする請求項１３〜１８のいずれか１つに記載の研磨方法。
21. 基板の被研磨面が押し当てられて前記基板の化学的機械的研磨を行うパッドのパッド面内での位置毎の前記パッドの表面状態に関するパッド表面状態情報を、前記パッドに所定の部材を押し付けた際の前記部材にかかる圧力に基づいて測定するパッド表面状態情報取得部と、
    前記パッドをドレッシングするドレッサに対し、前記パッド表面状態情報に応じたドレス制御を行う制御部と、
    を有することを特徴とする研磨装置。
22. 前記パッド面内での位置と、前記パッド表面状態情報と、に基づいて、前記パッドの厚みプロファイルを導出する厚み導出部をさらに有し、
    前記制御部は、前記厚みプロファイルに応じたドレス制御を行なうことを特徴とする請求項２１に記載の研磨装置。
23. 前記パッド表面状態情報は、前記パッドの位置毎の高さに関する高さ情報であることを特徴とする請求項２１または２２に記載の研磨装置。
24. 前記部材は、前記ドレッサであることを特徴とする請求項２１〜２３のいずれか１つに記載の研磨装置。
25. 前記ドレッサは、前記パッド上をスキャンすることによって前記パッドのドレッシングおよび前記パッド表面状態情報の測定を行うことを特徴とする請求項２４に記載の研磨装置。
26. 前記ドレッサは、前記基板の被研磨面よりも小さな面積の押し付け面で前記パッドに押し付けられることを特徴とする請求項２４または２５に記載の研磨装置。
27. 前記制御部は、前記ドレス制御として、ドレス圧の制御を行うことを特徴とする請求項２１〜２６のいずれか１つに記載の研磨装置。
28. 前記制御部は、前記ドレス制御として、ドレス時間を制御することを特徴とする請求項２１〜２６のいずれか１つに記載の研磨装置。
29. 前記ドレッサは、リニアスケールを有し、
    前記パッド表面状態情報は、前記リニアスケールを用いて測定されることを特徴とする請求項２３〜２８のいずれか１つに記載の研磨装置。
30. 前記ドレッサは、ひずみゲージを有し、
    前記パッド表面状態情報は、前記ひずみゲージを用いて測定されることを特徴とする請求項２３〜２８のいずれか１つに記載の研磨装置。
31. 基板の被研磨面が押し当てられて前記基板の化学的機械的研磨を行うパッドのパッド面内での位置毎の前記パッドの表面状態に関するパッド表面状態情報を、前記パッドに所定の部材を押し付けた際の前記部材にかかる圧力に基づいて測定するパッド表面状態情報取得部と、
    前記パッドを研磨する研磨ヘッドに対し、前記パッド表面状態情報に応じた研磨条件で前記基板の化学的機械的研磨制御を行う制御部と、
    を備え、
    前記パッド表面状態情報は、前記パッドに所定の部材を押し付けた際の、前記部材にかかる圧力に基づいて測定されることを特徴とする研磨装置。
32. 前記パッド面内での位置と、前記パッド表面状態情報と、に基づいて、前記パッドの厚みプロファイルを導出する厚み導出部をさらに有し、
    前記制御部は、前記厚みプロファイルに応じたドレス制御を行うことを特徴とする請求項３１に記載の研磨装置。
33. 前記パッド表面状態情報は、前記パッドの位置毎の高さに関する高さ情報であることを特徴とする請求項３１または３２に記載の研磨装置。
34. 前記部材は、前記ドレッサであることを特徴とする請求項３１〜３３のいずれか１つに記載の研磨装置。
35. 前記ドレッサは、前記パッド上をスキャンすることによって前記パッドのドレッシングおよび前記パッド表面状態情報の測定を行うことを特徴とする請求項３４に記載の研磨装置。
36. 前記ドレッサは、前記基板の被研磨面よりも小さな面積の押し付け面で前記パッドに押し付けられることを特徴とする請求項３４または３５に記載の研磨装置。
37. 前記制御部は、前記化学的機械的研磨制御として、研磨圧の制御を行うことを特徴とする請求項３１〜３６のいずれか１つに記載の研磨装置。
38. 前記制御部は、前記化学的機械的研磨制御として、研磨時間を制御することを特徴とする請求項３１〜３６のいずれか１つに記載の研磨装置。
39. 前記ドレッサは、リニアスケールを有し、
    前記パッド表面状態情報は、前記リニアスケールを用いて測定されることを特徴とする請求項３３〜３８のいずれか１つに記載の研磨装置。
40. 前記ドレッサは、ひずみゲージを有し、
    前記パッド表面状態情報は、前記ひずみゲージを用いて測定されることを特徴とする請求項３３〜３８のいずれか１つに記載の研磨装置。

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